Intel发布Optane Memory H10规格 即将向OEM市场出货

Intel发布Optane Memory H10规格 即将向OEM市场出货

英特尔的Optane Memory H10固态硬盘将很快出现在主要OEM计算机厂商产品当中。Optane Memory H10与现有的Optane Memory系列产品相比发生了重大变化,是一款独特的二合一SSD,在单个M.2模块上结合了3D Xpoint内存和QLC NAND快闪存储器。

H10基本上是将现有的Optane Memory M10模块和Intel 660p QLC SSD整合到单个驱动器上。Optane部分用作QLC部分的缓存,使用英特尔先前推荐用于独立Optane内存M.2模块和机械硬盘的Windows optane内存缓存驱动程序。到目前为止,Optane产品很难适应超级本,在其中安装两个M.2插槽可能具有挑战性。

Optane Memory H10有三种类型,QLC NAND容量从256GB到1TB不等。 256GB型号将拥有16GB的Optane存储容量,而512GB和1TB将拥有32GB的Optane存储容量。所有三个容量均作为单侧M.2模块实现,其中约一半卡专用于Optane控制器、媒体和PMIC,另一半卡包含Silicon Motion SM2263控制器、DRAM和QLC NAND。

这张卡整体上有一个PCIe3.0x4界面,但是两个SSD控制器中的每一个都只有两个PCIe通道。英特尔的缓存软件将同时支持从Optane和QLC读取和写入数据,因此他们将H10评级为高达2.4GB/s的顺序读取,即使其中两者单独顺序读写速度都不能超过2GB/s。4KB随机读取QD1 32k IOPS,QD2 55k IOPS,4kB随机写入QD1 30k IOPS,QD2 55k IOPS。写耐力300 TB。空闲功率总计低于15mW,保修5年。

英特尔要求H10与300系列PCH和第8代核心U系列移动处理器一起使用,英特尔尚未承诺将H10用于零售市场以用于桌面系统,但许多300系列主板都有固件更新,可以从H10启动。

存储器价格下跌情况持续,南亚科第1季营收创10季新低

存储器价格下跌情况持续,南亚科第1季营收创10季新低

在半导体景气不佳的情况下,台系存储器大厂南亚科 3 日公布 3 月份及 2019 年第 1 季营收状况。根据资料显示,3 月份营收为新台币 37.19 亿元,较 2 月份提升达 9.54%,但是较 2018 年同期则是大跌了 44.68%。累计,2019 年第 1 季营收来到 113.72 亿元,较 2018 年第 4 季下滑 33%,也较 2018 年同期减少 39.5%,创下 10 季以来新低纪录。

而在存储器市场价格持续下跌的情况之下,除了南韩三星针对 2019 年第 1 季的获利发出警讯,表示第 1 季因为存储器价格的下跌冲击营运,使得获利将不如预期之外。美系存储器厂美光也在日前宣布,因应存储器价格下跌的冲击,2019 年将减少投片量 5%,以降低供过于求的影响。

面对此番产业逆风的环境,南亚科总经理李培瑛日前指出,受到全球经济放缓、美中贸易纷争、关税提供所造成的影响,造成供应链调整及处理器短缺的问题,因此预期 DRAM 市场在 2019 年的市况保守。而整体市场在 CPU 缺货问题逐渐缓和,以及大厂建产效应浮现的情况下,预计 2019 年下半年将较上半年来得乐观。

SK海力士无锡新厂将于本月全面投入运营

SK海力士无锡新厂将于本月全面投入运营

根据外媒BusinessKorea最新消息,SK海力士位于中国无锡的扩建晶圆厂 (二厂) 将于本月全面投入运营。一旦这个耗资95亿韩元的扩建项目完工,海力士无锡工厂的产能将增加至每月180,000片晶圆。

然而,SK海力士表示,公司扩大生产线目的单纯是为了引入DRAM的微制造,而不是增加其产能。这意味着海力士将继续控制芯片供应量,来缓解市场供给过剩的现状。
 
SK海力士一位内部人士表示,“初次生产的晶圆片在今年初就已进入工厂,而这次,产量已达到了标准。” 等未来设备全部安装完善时,SK海力士无锡工厂将拥有每月180,000片的10纳米级DRAM晶圆的产能。
 
在无锡工厂的扩建上,SK海力士已经获得资金支持。今年3月25日,SK海力士与中国开发银行牵头组建了一批中资银行的银团贷款举行了签字仪式。贷款金额估计高达35亿美元,是江苏省外币贷款历史上最大的一笔。
 
在无锡扩建工厂全面投入运营之前,SK海力士副董事长朴成旭于3月29日访问了无锡,并会见了无锡市委书记李小敏。 “随着第二工厂项目的完成,SK海力士已经在无锡工厂投资了140亿美元,”朴成旭在会上提到。“经过14年的合作,海力士与无锡的关系与橡树一样强劲。”
 
行业观察人士也正密切关注着无锡扩建工厂将给DRAM的供给和价格带来什么影响。
 
根据DRAMexchange (集邦咨询半导体研究中心) 最新数据,3月份DDR4 8Gb DRAM的合约价较上月下降了 11.1% 至 4.56 美元。

这与2016年12月的4.19美元的价格接近,当时正是存储器行业刚开始蓬勃发展的时期。相应地,美光也宣布将分别削减DRAM和NAND闪存产量的5%。

DRAM行情 各家看法不一

DRAM行情 各家看法不一

动态随机存取存储器(DRAM)价格自去年第四季反转,今年第一季跌势扩大。目前市场供过于求,第二季仍难止跌。展望下半年,随着旺季到来,预期需求增加有助于价格跌势趋缓并进而止跌。

由于供需失衡,产业能见度仍低、美国存储器大厂美光(Micron)先前表示,该公司DRAM投片量将减5%,使美光在2019年的位元供应增加贴近需求。美光已削减2019会计年度资本支出预算、目前正对2020年度资本支出进行评估,将采取审慎行动因应当前的市况。

产业龙头三星电子也预警,第一季获利可能低于市场预期,主因存储器价格跌不停、面板需求疲弱。目前DRAM市场供过于求,供应链持续去化库存,随着库存调整告一段落,业者预期第三季可望止跌,研调机构虽预期跌势恐延续至第三季,但也预估跌幅将收敛为一成以内。

针对美光决定减产5%,台湾DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示,这对产业具正面意义,预期产品价格跌幅可望逐步缩小。

展望后市,李培瑛表示,第二季DRAM价格跌幅可望逐步缩小,第三季将步入市场传统旺季,包括行动存储器及消费型存储器需求可望升温,以及服务器市况将好转,预计下半年优于上半年,仍需观察中美贸易摩擦的协调结果,以及客户的库存调整状况。

针对存储器走势,下游模块厂十铨总经理陈庆文表示,去年上游厂的量跟价都高,因而抑制需求。今年上半年市场在去化库存,第一季DRAM价格下跌,预计第二季续跌;待第三季库存去化完成,预估DRAM、NAND Flash同步于第三季价格回稳。

威刚表示,NAND Flash及DRAM供不应求的景气循环分别自2018年第一季及第四季开始反转向下,短期内存储器价格仍偏弱,但今年下半年整体市况可望回温好转,且公司已做好多项新兴事业的布局准备。

另一家存储器模块厂宇瞻看DRAM市场买卖方仍在拔河,目前在供过于求的情况下,价格续看跌造成下游不愿备货。宇瞻总经理张家騉表示,第二季价格续跌已是市场共识,在3月DRAM落刀式下跌后,预估4月、5月DRAM可能逐月下跌15%,6月有机会落底。

存储器制造厂旺宏董事长吴敏求预期,美中贸易谈判可望于6月达成协议,待不确定因素消除后,下半年市场需求应可好转。

就供需的预测来看,上半年供过于求的状况远高过下半年,预期价格跌幅在今年第三季与第四季可望逐渐收敛。DRAMeXchange预估,第三季DRAM均价跌幅约在10%。

DRAMeXchange预估DRAM均价在第二季将持续下跌近两成,至于今年下半年跌幅是否有效收敛,取决于需求端的回温以及第二季底库存去化的成效。

科赋CRASX RGB内存条荣获2019红点产品设计大奖

科赋CRASX RGB内存条荣获2019红点产品设计大奖

KLEVV科赋CRAS卓越的产品品质和无限的品牌创造力打造一代又一代的优秀存储产品,其中不乏标准内存条、电竞内存条、U盘、固态硬盘、SD卡等。继2015年CRAS一代荣获德国红点设计大奖后,遵循CRAS系列设计的KLEVV 科赋CRAS X RGB荣获2019年红点奖“产品设计”奖!

全新上市的CRAS X RGB拥有差异化且独特的艺术感外型设计,不规则设计的水晶宝石造型导光条,让RGB光线能从不同角度多元散射,更显出彩吸睛。科赋CRAS X RGB DDR4高度兼容各大平台(华硕、技嘉、微星、华擎等)的RGB灯光控制软件,3200/3466MHz高频率选择,专为游戏玩家、科技狂热者和超频高手所打造的专属电竞内存!

关于红点产品设计大奖:

红点产品设计大奖创办于 1955 年,致力于选拔每年度最优异之产品。红点产品设计大奖接受来自全球各地的制造商及设计师报名参加,在 48 个参赛组别中送交作品参加评选。为致力提拔新锐设计师,特别设立新秀计划报名日,只要是毕业未满五年之年轻设计师,皆有机会参加 50 名新秀免费报名名额之抽奖。评选方式忠实遵循「寻找优良设计与创新(In search of good design and innovation)」之理念,由红点评审团对所有参赛作品进行审查,只有设计质量优良的产品,才能获得评审的肯定,颁予红点奖。

库存尚未去化完成  DRAM跌势恐持续至第3季

库存尚未去化完成 DRAM跌势恐持续至第3季

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,受库存过高影响,DRAM第1季合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%。但在价格加速下跌的状态下,并未刺激需求回温,交易仍显清淡,预期DRAM均价在库存尚未去化完成影响下,跌势恐将持续至第3季。

根据DRAMeXchange调查,累积在DRAM供应商的库存水位在第1季底普遍已经超过6周 (含wafer bank),买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减,但平均至少达5周,在服务器以及PC客户端甚至超过7周的水位。

进入第2季,受惠于1Ynm制程贡献,供给位元仍持续成长,在极力消化库存的考量下,DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售;与第1季相似,跌幅最大的产品别为PC与服务器存储器,跌幅约两成,行动式存储器受惠于新机潮的拉货动能得以跌幅较小,约10~15%,预估DRAM均价在第2季将持续下跌近两成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收敛,则取决于需求端的回温以及第2季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析,今年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年,因此,终端需求的回温扮演着DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需的预测来看,上半年供过于求的状况远高过下半年,预期价格跌幅在今年第3季与第4季可望逐渐收敛。

观察DRAM各应用别今年的价格走势,由于库存水位较高的关系,自去年第4季以来,以标准型存储器与服务器存储器的跌幅最为明显。以PC需求面来说,今年缺乏刺激出货量成长的因素,再加上intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解,出货不振的状况在上半年特别显著。

以主流标准型存储器模块8GB解决方案来看,第1季度的价格已经下滑近3成,最低价已落在近40美元,展望第2季,均价持续下探35美元,年底恐怕要挑战30美元关卡。

服务器经历连续两年的需求高峰后,第1季由于库存偏高,加上进入传统OEM的淡季,备货动能见到显著衰退,虽然3月开始,部分北美资料中心业者开始陆续洽单,但整体采购力道仍未明显复甦。

现阶段供需双方普遍库存偏高,在既有库存去化与需求动能恢复前,预估服务器存储器价格将持续走跌,DRAMeXchange预估,第2季仍将有两成左右的跌幅,第3与第4季也会维持接近1成左右的降价空间。

在行动存储器方面,第1季受到智能型手机市场需求不旺,生产总量较去年同期衰退逾10%的影响,行动存储器供应商库存无法有效去化,导致价格持续下探,discrete及eMCP产品平均跌幅接近2成,市场报价混乱。

展望第2季以及第3季,除受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外,也同时受惠传统市场旺季,整体需求将转趋热络,预估合约价跌幅将较第1季收敛,不过考量今年智能型手机总生产数量将呈现负成长,中、低阶手机平均搭载容量成长有限,第2、3季的合约价格依旧难以止跌。

就利基型存储器价格走势来看,农历假期过后,中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求,但一次性标案结束后,整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下,预期今年第2季与3季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存  可用于GPU

三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

三星推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。该公司新的Flashbolt存储器堆栈将性能提高了33%,并提供每个晶元双倍容量以及每个封装的双倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM,这是一个合适的场合,因为NVIDIA因其广受欢迎的GV100处理器而成为HBM2内存最大的用户之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元,这些晶元使用TSV(通过硅通孔)以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线,每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps,因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。

三星将其Flashbolt KGSD定位瞄准下一代数据中心,HPC,AI/ML和图形应用程序。通过使用具有4096位存储器界面的处理器的四个Flashbolt堆栈,开发人员可以获得具有1.64TB/s峰值带宽的64GB内存,这对于容量和带宽需求大的晶元来说将是一个很大的优势。使用两个KGSD,它们可获得32GB的DRAM,峰值带宽为820GB/s。

三星表示自己尚未开始批量生产Flashbolt HBM2E内存,但是已完成该技术的开发。

威刚董事会通过 每股拟配息0.2元

威刚董事会通过 每股拟配息0.2元

存储器模组大厂威刚科技昨日召开董事会通过2018年财务报告,即使去年转盈为亏,不过公司仍决议每股配发0.2元(新台币,下同)现金股利。
 
受DRAM及NAND Flash双双进入价格修正期,提前反应库存跌价损失影响,威刚去年全年税后亏损2.3亿元;属母公司业主亏损1.79亿元,以加权平均股数2.18亿股计算,每股亏损0.82元。
 
威刚董事长陈立白指出,短期内存储器价格仍相对偏弱,但今年下半年整体市况可望回温好转,且公司已做好多项新兴事业的布局准备,包括电竞、工控、电动车马达与车载应用等,都具备坚强的技术研发团队为后盾,在品牌及全球通路布局相辅相成下,预期高毛利的新事业成绩将于今年下半年起陆续显现,未来1~2年内营运比重也将逐步提升,成为带动公司整体表现的重要角色。
 
威刚表示,NAND Flash及DRAM供不应求的景气循环分别自2018年第1季及第4季开始反转向下,跌幅相对较大,因此公司去年大举降低存储器库存水位。截至2018年底,公司存货金额已下降至29.17亿元,相较于2017年年底大减逾5成,为近9年来年底库存低点。
 
威刚乐观预期,在库存压力提前解除之下,今年上半年开始公司营运可望有正面发展。威刚2018年第4季单季合并营收68.23亿元,季减22.05%,税后净损4.14亿元,母公司业主净损3.96亿元。

因应手机存储器容量扩增需求,三星量产 12G LPDDR4X

因应手机存储器容量扩增需求,三星量产 12G LPDDR4X

在当前智能型手机 DRAM 存储器容量需求越来越大的情况下,韩国存储器大厂三星 14 日宣布,已开始大规模生产业界首款 12G LPDDR4X 手机用行动式DRAM 存储器。新的行动式DRAM存储器具有比大多数超薄笔记型计算机更高的容量,可以让使用者能够充分利用下一代智能型手机的功能。

三星表示,随着新 LPDDR4X DRAM 存储器的大规模生产,三星现在提供全面的先进存储器产品阵容,为搭载 12GB 行动式DRAM 和 512GB eUFS 3.0 快闪存储器的智能型手机提供更高性能。

而受惠于 12GB 行动式DRAM 存储器的量产,智能型手机制造商可以最大限度的发挥 5 个以上摄影镜头,和不断增加的荧幕尺寸,以及人工智能和 5G 功能的终端设备潜力。因此,对于智能型手机用户而言,12GB DRAM 存储器可以在超大型高分辨率屏幕上浏览应用程序,以达到更流畅的多工处理和更快速的搜寻效能。

三星 12GB行动式DRAM 存储器使用的是第 2 代 1y 纳米的制程所打造,其模块上共有 6 颗 LPDDR4X 芯片,组合而成总和 12GB 的容量。此外,透过使用三星的第 2 代 1y 纳米制程,新的 12GB 行动型 DRAM 存储器可提供每秒 34.1GB 的资料传输速率,同时最大限度地降低因 DRAM 容量增加,而导致的功耗增加,以提升手机电池的使用续航力。

 

三星大规模生产下一代内存芯片MRAM,对半导体产业有何影响?

三星大规模生产下一代内存芯片MRAM,对半导体产业有何影响?

据韩国媒体报道,近日,三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,能够应用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。

报道指出,三星MRAM方案无需在数据记录期间擦除数据,并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示,由于它在断电时保存了存储的数据,并且不使用额外的备用电源,所以功耗也很优秀。

另外,这一方案结构简单,可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现,减轻了三星进行新设计的负担,并降低了生产成本。

随着三星大规模量产首款商用MRAM产品,业界开始猜测,具有低成本、更优速度和功率优势的MRAM是否会在未来取代DRAM与NAND,进而改变半导体产业格局?

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)认为,MRAM在电信特性上与现有的DRAM与NAND相似,但互有优劣。使用MRAM,需要改变平台的架构,因此未来MRAM可能会取代部分DRAM/NAND成为另一种分支型态的存储器解决方案,但不会完全取代DRAM/NAND。

此外,DRAMeXchange还看好MRAM与DRAM/NAND合作前景。一方面,MRAM与DRAM/NAND配合,可以取得省电以及性能的优势,另一方面,新的存储器加入,也能够避免原先存储器解决方案若有大缺货发生时的价格不稳定状况。