东芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

东芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

东芝宣布其OEM客户端NVMe SSD的第四次迭代,作为包含SSD控制器和NAND闪存的单个BGA芯片封装提供。东芝BG4是对BG3的重大升级:东芝的新型96层3D TLC取代了他们的64层NAND,可实现更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代,为更高的顺序I/O性能打开了大门。

BG4仍然是一款无DRAM的SSD,它依赖于NVMe主机内存缓冲区(HMB)功能来缓解无刷驱动器否则会遭受的性能损失。东芝增加了对HMB的使用,增加了SSD存储在主机DRAM中的数据的奇偶校验,即使主机系统不使用ECC内存,也能提供额外的数据保护层。

BG4的固件也经过调整,扩展了可以缓存在主机内存缓冲区中的用户数据映射信息范围,从而提高了复制大文件等用例的性能。这些变化意味着BG4会要求使用更大的主机内存来加速其操作,但所请求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重点是提高随机I / O性能并减少后台闪存管理对交互性能的影响。来自东芝的初步性能数据表明,随机写入性能几乎翻了一番,随机读取性能远远超过BG3的两倍。

东芝BG4容量128 GB,256 GB,512 GB,1TB,外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230单面,接口NVMe PCIe 3.0 x4,顺序读取性能2250 MB/s,顺序写入性能1700 MB/s,4KB随机读取380k IOPS,4KB随机写入190k IOPS。

更改为更宽的PCIe x4主机接口不需要BG4采用比其前辈更大的BGA封装尺寸,切换到96L 3D TLC具有更高的每个芯片容量,允许一些驱动器采用更薄的设计(对并且允许BG系列首次引入1TB容量。东芝是第一家推出采用96L NAND的SSD厂商,看起来BG4将成为第二款开始出货的96L SSD。

两年来首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超级周期告终

两年来首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超级周期告终

三星电子两年来首次季度盈利下滑某种程度上正式宣告了为期两年的芯片超级周期的结束。

全球最大的芯片和智能型手机制造商三星电子周二称,公司 2018 年最后三个月的营业利润为 10.8 兆韩元 (合 96.5 亿美元),年增率下降 28.7%,较第第三季 17.5 兆韩元的创纪录高点下降 38.5%。第第四季销售额估计为 59 兆韩元,年增率下降 10.6%。这是公司 2 年来首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超级周期结束而盈利受损的公司。此前,储存芯片巨头镁光季度销售及利润皆大幅低于市场预期,公司称整个储存芯片行业产出(包括三星 SK 海力士)大大超出市场需求,其将采取果断行动,减产稳价格。 而三星更是发出警告,称持续两年的行业景气周期已经到头。

储存芯片此前经历了 2 年的景气行业。从 2016 年下半年开始,全球储存芯片进入了新一轮的旺季,DRAM、NAND 价格从那时候起大幅上涨,一直持续到 2018 年。

这其中,智能型手机储存容量增大(内存军备竞赛)、AI 人工智能、无人车、机器学习、深度学习等新兴技术对于储存芯片的额外需求预期(AI 训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加)是本轮上行周期背后的重要推手。

从芯片周期角度而言,上次行业经历如此程度的暴跌还要追溯到 2015 年。但本轮下跌与 2015 年又有所不同。

在 2015 年,对于需求端疲弱的担忧主导了上轮储存芯片的大幅回调。2015 年是智能型手机高增长期的分水岭——自 2010 年开启的智能型手机高增长期基本结束。而当年苹果 iPhone 也处于周期的低点,销量放缓加剧市场的恐慌情绪。

而本轮下跌则是需求不振叠加产量过剩。贸易冲突则加剧了市场的恐慌情绪。

在需求端方面,新的智能型手机硬件规格难以吸引换机需求(以苹果为代表)、消费级的 PC 市场由于 Intel CPU 的供货不足出货不振。而诸如 AI、无人车等新兴技术则由于技术限制,大规模场景应用还需时日,市场期望需求放缓。

而在供应端方面,新技术的良品率提高及产能的扩充使得市场供大于求:64/72 层 3D NAND 的良品率和产能增长使得供应大幅攀升,野村证券预测闪存芯片供应将增长 40% 到 50%;DRAM 1X/1Y 制程的比重持续增加和良品率的稳定提升使得 DRAM 整体供应有望增长 22%。

摩根士丹利研究认为,从半导体周期历史角度,市场通常经历 4-8 个季度下行周期,然后再经历 4-9 个的上行周期。

鉴于 DRAM 合约价格已经在 2017 年 9 月见顶,摩根士丹利认为本轮下行周期已经进行了一半。整体下行趋势在未来的 2-3 个季度里还将继续持续。这将导致相关公司的营收继续下滑。

这意味着至少要到 2019 年年中才能有望看到复甦的迹象。而随着未来经济增长的放缓,去两年推动该行业发展的超常增长因素在下一个上升周期可能不会那么强劲。

威刚看好第2季起DRAM需求好转

威刚看好第2季起DRAM需求好转

存储器模组大厂威刚公布去年全年营收中,DRAM产品营收较前一年成长达11.67%,也是近8年新高,虽然去年下半年以来,市场研究机构多对今年存储器市场持保守看法;不过,威刚预期,今年第2季开始DRAM需求将好转,昨日存储器个股,包括威刚、南亚科、旺宏及华邦电也呈现齐涨表现。

威刚去年全年合并营收达314.48亿元(新台币,下同),受惠去年DRAM产业供需健康,价格走势相对稳定,全年DRAM产品营收较前一年成长11.67%、达194.27亿元,为近八年来新高。

威刚表示,去年DRAM产品对公司整体营收贡献比重也较前一年成长近8个百分点达61.78%;非DRAM产品对整体营收贡献比重为38.22%。

受国际客户与通路的圣诞假期与年底结帐影响,威刚去年12月合并营收20.84亿元,较前一个月下滑10.53%。累计去年第4季合并营收为68.09亿元,单季DRAM产品营收贡献比重54.75%,非DRAM产品营收贡献比重45.25%。

展望2019年存储器市况,威刚表示,第1季因CPU缺货影响,DRAM需求转淡,但随着缺货情势逐步缓解,自第2季开始DRAM需求可望好转。公司也持续看好NAND Flash价格修正后,可刺激终端产品搭载容量成长及提升SSD市场渗透率。

南亚科12月营收双降,2018年全年营收年成长54.27%

南亚科12月营收双降,2018年全年营收年成长54.27%

存储器大厂南亚科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自结财报,根据财报显示,南亚科 2018 年 12 月营收为 48.29 亿元(新台币,下同),较 11 月减少 10.62%,也较 2017 年同期减少 18.87%,创下 15 个月来的新低纪录。而且,2018 年第 4 季营收连 3 个月下滑,累计营收为 169.58 亿元,较第 3 季的 243.75 亿元大幅下滑超过 3 成,与 2017 年第 4 季的 167.83 亿元约略持平。

事实上,南亚科在上一季法人说明会时,总经理李培瑛就表示,整体来说,在中美贸易摩擦等不确定因素增加的情况下,对于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相对较上半年保守。而且,在影响因素未确定的情况下,对 DRAM 的长期走势还需要做密切的观察,这使得 2018 年第 4 季营收较之前有衰退,不过,南亚科仍旧在 2018 年前 3 季营收表现突出的情况下,使得累计 2018 年的全年营收,仍较 2017 年亮眼,总营收金额为 847.22 亿元,较 2017 年度增加 54.27%。

根据李培瑛之前的说法,就目前情况来看,中美贸易摩擦的影响仍是市场最大的变量。这样的情况会造成需求端的趋向保守,供给端的投片量减少。所以,日前国际大厂宣布降低 2019 年的相关资本支出,主要也可能是受到这样情况的影响。

而南亚科本身也为了因应这样的情况,2018 年也已经下调相关的资本支出,从新台币 240 亿元下调到 210 亿元。也因为减少的资本支出是在于机器设备的增加上,这将使得原本预计 2019 年 20 奈米 4.7 万片的月产能,也将会有些许调降的情况。

不过,虽然在 DRAM 供应面有下调资本支出、减少投片量的情况,而且需求面也有较为保守的趋势产生,但是就整体市场的情况来分析,却不会太过悲观。

李培瑛预估,2019 年整体的价格不会有过去呈现 2 位数百分比的暴跌情况产生,而是呈现逐季缓步走跌的情况,时间大约在 1 到 2 季之间。李培瑛还进一步分析 DRAM 价格不会暴跌的主因,是来自于目前市场上包括手机、服务器、消费性电子产品都还供需健康的状况,仅在个人计算机方面,受到贸易摩擦及处理器缺货的因素所影响,会有短期市场跌价的压力。

DRAM厂放缓扩产 集邦估资本支出减1成

DRAM厂放缓扩产 集邦估资本支出减1成

动态随机存取存储器(DRAM)厂纷纷放缓扩产脚步,据市调机构集邦科技预估,2019年DRAM产业资本支出金额约180亿美元,将减少1成左右。

集邦科技表示,韩国两大DRAM厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)较早宣布放缓2019年投资计划,三星2019年DRAM投资金额约80亿美元,主要用在转换1y纳米制程及新产品开发。

随着平泽厂扩产计划终止,集邦科技预估,三星2019年位元成长率将约20%,将创下历年新低纪录。

SK海力士2019年DRAM投资金额也将降至55亿美元左右,将用以推进制程技术及提升良率,集邦科技预期,SK海力士因中国无锡新厂落成,2019年位元成长率将约21%。

美光(Micron)2019年资本支出将降至30亿美元左右,位元成长率也将降至15%。

集邦科技指出,2018年第4季DRAM合约价下跌约10%,预期受淡季效应影响,2019年第1季价格将再跌15%,第2季价格跌幅可能收敛至10%以内。

三星Q4利润下滑 全年利润达3844亿元

三星Q4利润下滑 全年利润达3844亿元

持续上涨两年多的DRAM内存价格在今年Q4季度终于由涨转跌了,三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供应商都在想方设法应对即将到来的降价周期,这三家公司已经确定会削减明年的资本支出,不再大幅增加内存产能以减缓内存降价趋势。

三星Q4季度的内存降价,再加上今年一直在跌价的NAND闪存,预计三星本季度盈利会下滑7.6%,但是全年积累之下,三星今年的利润依然会达到62.6万亿韩元,创造历史最好记录。

三星即将在明年1月份发布2018年Q4季度财报,在此之前市场已经在打预防针了,因为本季度中内存芯片也开始跌价了,势必会影响三星的赚钱能力。来自韩国分析师的分析认为三星今年Q4季度的营收为63.8万亿韩元,同比下滑3.2%,而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌价,其他风险还有中美贸易战等等,不过这些因素都没有存储芯片跌价影响大。

与营收微幅下滑不同,三星Q4季度的运营利润下滑更多,预期本季运营利润只有13.9万亿韩元,约合123亿美元,与去年同期的15.1万亿韩元相比会下滑7.6%。

尽管Q4季度会因为存储芯片跌价而导致利润下滑,但是放眼全年的话,由于前三季度DRAM内存芯片价格一直维持强势,三星此前在DRAM芯片上维持了70%以上的毛利率,所以折抵下来全年盈利依然会创新高,预计今年运营利润高达62.6万亿韩元,约合557.3亿美元或者3844亿人民币,而去年全年的运营利润也不过53.6万亿韩元,约合3291亿人民币,相比之下,今年的盈利依然会大涨16.8%。

内存、闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应

内存、闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应

美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报,当季营收79.1亿美元,同比增长16%,毛利率达到了58%,净利润32.9亿美元,同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的,但是相比上个季度已经放缓了,主要原因就是NAND闪存大幅降价,DRAM内存芯片也由涨转跌,影响了公司的毛利率。2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低,大趋势不可避免,为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出,减少内存及闪存芯片的产量。

美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示,为了适应当前市场的状况,美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据,2019年他们预测DRAM内存产量增加15%,低于此前预测的20%增长,而NAND闪存预计增长35%,也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元,削减了12.5亿美元,主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能,在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况,普遍的预期是2019年上半年会继续跌,花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价,其中NAND价格会跌45%,DRAM价格会下跌30%,而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的,也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的,预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前,三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能,三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

异构战略日渐盛行

异构战略日渐盛行

随着传统市场走向下坡路和摩尔定律的逐渐失效,半导体行业正在不断革新,力求了解人工智能、自动驾驶汽车、物联网等新市场的需求。

而其中最奇特的也许当属人工智能,因为它的计算范式与传统的“处理器-内存”方法有着明显差异。在近期于旧金山举办的国际电子器件大会上,法国研究员Damien Querlioz在谈及“神经形态计算的新型器件技术”时说道,“长期以来,模式识别和认知任务都是计算机的弱点,比如识别和解读图像、理解口语、自动翻译等。”

大约从2012年起,训练和推理阶段的人工智能技术开始加速发展,但当使用传统计算架构时,功耗仍是一个巨大挑战。

Querlioz是法国国家实验室CNRS的一名研究员,他举了一个活生生的例子:2016年Google的AlphaGo与围棋世界冠军李世石之间的著名围棋大战。李世石的大脑在比赛中消耗了大约20瓦,而AlphaGo估计需要超过250,000瓦才能使其CPU和GPU保持运转。

虽然从那以后Google和其他公司均在功耗方面做出了改进,但越来越多的工作开始侧重于为神经形态计算技术设计耗电更少的新器件。

Ted Letavic是格芯的高级战略营销人员,他表示,回想人工智能的各个阶段,从改进传统计算技术,到设计耗电更少的全新器件和架构,在整个过程中,先进高效的封装将发挥关键作用。

Letavic称,“人工智能时代正在逐步到来,我们可以利用现有的技术,再加上衍生技术,通过DTCO(设计技术协同优化)进行全面优化,一直深入到位单元设计层面。”

格芯的技术人员正在努力降低14/12 nm FinFET平台的功耗并提升其性能,所采用的办法包括双功函数SRAM、更快且功耗更低的累加运算(MAC)元件、对SRAM的更高带宽访问等。基于FD-SOI的FDX处理器的功耗也将降低,尤其是在部署背栅偏置技术时。Letavic表示,设计师掌握了这些技术后,客户便可以“重新设计功耗包络更低的人工智能固有元件,甚至达到7 nm。”

除了这些DTCO改进以外,全球各地也在开展其他研发工作,希望实现基于相变存储器(PCM)、阻性RAM (ReRAM)、自选扭矩转换磁性RAM (STT-MRAM)和FeFET的嵌入式内存与内存中计算解决方案。

Querlioz在IEDM专题会议上提到,在IBM Almaden研究中心,由Jeff Welser领导开发的基于PCM的芯片已取得显著进展,而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能处理器也前景光明。Querlioz表示,“现在,我们极有可能成功为认知类型的任务和模式识别重新发明电子器件。”

Letavic称,降低功耗的道路还很长,对于推理处理而言尤其如此,而这正促使众多初创公司开发新的人工智能解决方案,格芯也与其中部分公司及长期合作伙伴AMD和IBM保持着密切合作关系。

Letavic认为,凭借对冯诺依曼计算模式的DTCO改进,我们只能发展到这一步。除了分类逻辑和内存,下一步是发展内存中计算和基于模拟的计算。此外,为计算行业服务了35年的指令集架构(ISA)将需要被新的软件堆栈和算法取代。他说道:“对于特定领域的计算,必须重新发明软件。IBM对软件堆栈有着深刻的见解。”

“各方都必须一同转向人工智能。格芯将与主要客户紧密合作,我们不能将算法与技术分开,”Letavic在谈及该系统技术协同优化(STCO)方面的紧密合作时说道,“随着我们迈入计算发展的第四个时代,STCO将是DTCO的自然延伸。我们将朝着特定领域的计算发展,共同迎接这一转变。”

紫光国微:DDR4存储芯片开发工作基本完成 产能难保证

紫光国微:DDR4存储芯片开发工作基本完成 产能难保证

此前,紫光国微曾表示,公司已具备世界主流水平的DRAM内存设计能力,预计今年底可以将DDR4内存颗粒推向市场。

如今,2018年即将过去,业内人士对于紫光国微DDR4存储器芯片的开发进展也格外关注。近日,紫光国微在互动平台上也做出了明确地回答。

紫光国微表示,公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成,正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善,产能仍然很难保证。国资管理部门的评估备案工作还在积极推进中,年内是否可以完成不确定。

资料显示,紫光国微是紫光集团有限公司旗下的半导体行业上市公司,专注于集成电路芯片设计领域,业务涵盖智能安全芯片、高稳定存储器芯片、自主可控FPGA、半导体功率器件及超稳晶体频率器件等方面,已形成领先的竞争态势和市场地位。

2018年第三季度,紫光国微实现营收6.58亿元,同比增长29.71%,归属于上市公司股东的净利润1.68亿元,同比大幅增长87.60%。

此外,鉴于公司集成电路设计业务规模快速增长,经营业绩稳步提升,同时子公司增资、股权转让导致合并报表范围变更等事项,将增加公司投资收益等原因,紫光国微预计2018年度归属于上市公司股东的净利润也将得到大幅增长。

具体而言,子公司增资方面,今年8月,紫光国微完成了对公司间接控股子公司紫光同创的增资事项,将紫光同创注册资本由1.5亿元增加至3.0亿元。

股权转让方面,10月25日,紫光国微实际控制人清华控股与深投控及紫光集团共同签署了《合作框架协议》,拟向深投控转让紫光集团36%股权。

此外,紫光国微还计划将公司全资子公司西安紫光国芯100%股权转让给间接控股股东紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司,转让价格经交易双方协商确定为2.2亿元人民币,该事项已获得公司董事会审议通过。