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市场普遍认为，MOSFET 在 2019 年价格预估有衰退可能，原因来自全球 MOSFET 需求吃紧状况减缓，以及中国自有 12 吋厂功率半导体逐步放量。英飞凌（Infineon）2 月初公布财报，提及扩大委外代工及新建 12 吋功率半导体厂计划，或许就是英飞凌为因应市场波动所提前制定的策略，一方面提高委外代工份额，加强合作关系巩固主要营收市场；另一方面凭借 12 吋功率半导体厂转型成功的优势，因应市场供需与价格波动。

扩大委外代工比重，巩固主要营收市场

回顾 2018 年英飞凌营收区域分布，大中华区营收占 34%（含中国与台湾），成为英飞凌最主要单一营收收入区域。面对同样在中国 12 吋功率半导体厂可能带来的 MOSFET 价格波动，或许让英飞凌的扩大委外代工策略，在合作伙伴分配的代工比例有调整。

▲ 英飞凌委外代工布局。（Source：英飞凌；拓墣展业研究所整理，2019.3）

英飞凌与相当多中国晶圆代工厂合作，预计未来 5 年在功率半导体委外代工规模扩大至 15%，并可能会将多数订单给既有的中国合作厂商，例如 HHGrace & Hua Li、CSMC、ASMC、JSMC 等，就近供应中国内需市场以提升产品竞争力，应付 MOSFET 市场的价格波动。对于台湾厂商，由于英飞凌分配给世界先进的代工份额与 HHGrace & Hua Li 接近，汉磊的代工份额属小量，虽然技术层面较为成熟，但在产品生产成本竞争下，受惠程度将有些许影响。

附带一提，CMOS 的委外代工量预计从 50% 提升至 70%，借重台厂优良技术期望继续推升英飞凌在 MCU 市场居于落后地位，中国晶圆代工厂如中芯国际、SSMC、Founder Electronics 也同样可望受惠，以因应未来中国广大的汽车内需市场。

12 吋功率半导体持续布局，可望拉大与竞争对手的距离

▲ Infineon’s Major Manufacturing Fab Distribution。（Source：英飞凌；拓墣展业研究所整理，2019.3）

12 吋功率半导体厂或将成为未来趋势，再加上既有的 8 吋厂产能，可提供市场足够需求。但反过来说，2018 年因 8 吋厂 MOSFET 产能吃紧造成的价格上扬恐不易重现，可能致使 IDM 厂总营收下降；另外，对比产品制程生产线，虽有制造成本上的优势，但 12 吋厂在制程与原料控管也较 8 吋厂困难，尤其是对产品良率与容错率的要求更加严格，一旦有晶圆报废，其影响数量也会是过去 8 吋的两倍以上。

英飞凌在功率半导体市占率居首位，首座专门生产功率半导体的 12 吋厂，提升英飞凌成本控管的弹性。从英飞凌公布的 12 吋厂规划来看，将持续加重功率半导体的生产比例，减少高成本国家的生产支出，也显示英飞凌在 12 吋功率半导体发展确实有独到之处，克服制程生产线转型困难，持续布局 12 吋功率半导体厂房，相信英飞凌能更稳固在功率半导体的领先地位，拉大与竞争对手的距离，拿下更多市占率。

市场上普遍认为，MOSFET在2019年价格预估有开始衰退的可能，其原因来自全球MOSFET需求吃紧状况减缓，以及中国自有12英寸厂功率半导体的逐步放量。

英飞凌在2019年2月初公布的财报，提及扩大委外代工及新建12英寸功率半导体厂计划，或许就是英飞凌为因应市场波动所提前制定的策略，一方面提高委外代工份额，加强合作关系巩固主要营收市场；另一方面凭借12英寸功率半导体厂转型成功的优势，因应市场供需与价格波动。

扩大委外代工比重，巩固主要营收市场

回顾2018年英飞凌营收区域分布，大中华区营收占34%(包含大陆地区与台湾地区)，成为英飞凌最主要单一营收收入区域。面对同样在中国12英寸功率半导体厂可能带来的MOSFET价格波动，或许让英飞凌的扩大委外代工策略，在合作伙伴分配的代工比例上有调整。

英飞凌与相当多的大陆地区晶圆代工厂合作，预计未来5年在功率半导体委外代工规模扩大至15%，并可能会将多数订单给既有的大陆地区合作厂商，例如上海华虹宏力、上华、上海先进、JSMC等，就近供应大陆地区内需市场以提升产品竞争力，以应对MOSFET市场的价格波动。对于台湾地区厂商，由于英飞凌分配给世界先进的代工份额与上海华虹宏力接近，汉磊的代工份额属小量，虽然技术层面较为成熟，但在产品生产成本竞争下，受惠程度将有些许影响。

附带一提，CMOS的委外代工量预计从50%提升至70%，借重台厂优良技术期望继续推升英飞凌在MCU市场居于落后地位，大陆地区晶圆代工厂如中芯国际、华润上华、方正微电子也同样可望受惠，以因应未来中国广大的汽车内需市场。

12英寸功率半导体持续布局，可望拉大与竞争对手的距离

12英寸功率半导体厂或将成为未来趋势，再加上既有的8英寸厂产能，可提供市场足够需求。但反过来说，2018年因8英寸厂MOSFET产能吃紧造成的价格上扬恐不易重现，可能致使IDM厂总营收下降。

另外，对比产品制程生产线，虽有制造成本上的优势，但12英寸厂在制程与原料控管上也较8英寸厂困难，尤其是对产品良率与容错率的要求更加严格，一旦有晶圆报废，其影响数量也会是过去8寸的两倍以上。

英飞凌在功率半导体市场份额居于首位，其首座专门生产功率半导体的12英寸厂，提升英飞凌在成本控管上的弹性。从英飞凌公布的12英寸厂规划来看，将持续加重在功率半导体的生产比例，减少高成本国家的生产支出，也显示英飞凌在12英寸功率半导体发展确实有其独到之处，克服制程生产线转型困难，持续布局12英寸功率半导体厂房，相信英飞凌能更稳固其在功率半导体领先地位，拉大与竞争对手的距离，拿下更多市场份额。

嘉兴日报消息称，日前浙江博方嘉芯新一代半导体智能制造项目举行启动典礼。

据介绍，该项目由西安博瑞集信电子科技有限公司联合上市公司华讯方舟股份有限公司、深圳方德信基金有限公司共同设立，其中西安博瑞集信电子科技有限公司是国内领先的自主可控核心芯片和特种通信设备提供商，目前已成功研制出航空航天专用芯片、模块、系统整机、无源元件四个系列40余种产品。

根据规划，该项目将在浙江嘉兴市秀洲区国家高新区投资建设规模化的氮化镓和砷化镓射频芯片与功率器件生产基地。项目用地112亩，计划总投资25亿元，预计达产后月产能4000片氮化镓和砷化镓射频晶圆、20000片功率晶圆，合计年产能20万片以上（6寸线兼4寸）的规模。项目将于4月开工建设。

典礼现场，博方嘉芯与秀洲国家高新区、秀湖集团三方进行“双保共建”协议签约。通过设立项目“双保共建”工作机制，“保质量、保廉洁”推进项目建设，共同建设新时代国家战略新兴产业示范项目。

媒体报道称，3月26日，家电企业美的集团与三安光电全资子公司厦门市三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成”）在厦门举行了“第三代半导体联合实验室”揭牌仪式。

据介绍，美的集团与三安集成双方将展开战略合作，共同推动第三代半导体功率器件的创新发展，以加快国产芯片导入白色家电行业。具体而言，未来双方合作方向将聚焦在GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）半导体功率器件芯片与IPM（智能功率模块）的应用电路相关研发，并逐步导入白色家电领域。

官方资料显示，三安集成成立于2014年，项目总投资额30亿元，是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台，具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD 外延生长制造线。

第三代半导体在白电市场潜力巨大，美的集团作为国内前列的家电企业，据称一直在积极寻找第三代半导体在白家电领域替代方案的国内供应商，以及导入第三代半导体的新型应用场景。媒体报道显示，2017年9月，美的家用空调研发中心与华南理工大学、镓能半导体（佛山）有限公司、厦门芯光润泽科技有限公司四方共建第三代半导体器件研发应用联合实验室。

随着这次美的集团与三安集成战略合作，将于有望进一步加速第三代半导体在家电终端市场的应用进程。

3月13日，台基股份发布公告称，为了进一步强化公司核心技术、产品和市场竞争力，引入关注半导体行业发展的战略投资者，提升公司盈利能力和核心竞争力，公司正在筹划非公开发行股票事项。

根据公告，这次台基股份募集资金拟用于新型高功率半导体器件产业升级项目：（1）月产4 万只IGBT模块（兼容MOSFET等）封测线，兼容月产1.5万只SiC等宽禁带半导体功率器件封测；（2）月产6500只高功率半导体脉冲功率开关生产线；（3）晶圆线改扩建项目；（4）新型高功率半导体研发中心、营销中心。募集资金投向最终以经公司董事会、股东大会批准与中国证监会核准的方案为准。

本次非公开发行的股票数量拟按照募集资金总额除以发行价格确定，发行股份数量不超过本次发行前公司总股本的20%。根据测算，本次非公开发行不会导致公司控制权发生变化。

台基股份表示，本次筹划非公开发行股票并投资半导体产业项目，有利于公司扩充资金实力， 引入新的战略投资者，将进一步增强公司竞争实力，有利于公司长远发展。不过，公告亦提示称，目前本次非公开发行股票方案及募集资金使用项目尚在论证过程中，能否达成尚存在不确定性。

官方资料显示，台基股份专注于大功率晶闸管及模块的研发、制造、销售及相关服务，目前已形成年产280万只大功率晶闸管及模块的生产能力，是国内大功率半导体器件领域为数不多的掌握前道（扩散）技术、中道（芯片制成）技术、后道（封装测试）技术，并掌握大功率半导体器件设计、制造核心技术并形成规模化生产的企业。

2018年，富士康高调宣布进军半导体领域，在业界不断传来各种议论声中，富士康除了表决心外鲜少作其他回应，但其半导体产业布局正在一步步展开。

将建设功率芯片工厂

日前，济南市政府正式发布该市2019年市级重点项目安排。2019年济南市共安排270个重点建设项目，总投资11602.7亿元，年计划投资3000.3亿元；同时安排重点预备项目100个，总投资3568.8亿元。

在这些重点项目及预备项目中，我们可发现不少半导体相关项目，包括“天岳高品质4H-SiC单晶衬底材料研发与产业化项目”、“天岳碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目”、“长江云控云芯逻辑集成电路制造项目”、“济南宽禁带产业园起步区建设项目”等。

值得注意的是，济南市2019年重点项目中还出现了“富士康功率芯片工厂建设项目”。众所周知，2018年富士康已高调宣布进军半导体产业，并开始在多地撒网布局，济南市便是其半导体产业的重点区域。

2018年9月，富士康与济南市签约共同筹建济南富杰产业基金项目，该产业基金项目规模37.5亿元，将以产业基金形式服务于济南市集成电路发展，主要投资于富士康集团现有半导体产业项目。根据双方签约内容，富士康先期将促成1家高功率芯片公司和5家集成电路设计公司落地济南。

如今看来，“富士康功率芯片工厂建设项目”或属于上述签约内容中的项目之一，不过目前尚未知晓该项目的具体情况。若按照协议，接下来富士康还将在济南市促成5家集成电路设计公司落地，在济南市政府相关部门的新闻稿中亦有“富士康芯片设计及生产一揽子项目”一称。

半导体版图渐显

除了济南市外，富士康还在烟台、珠海、南京等地作了半导体产业布局。

2018年6月，山东省发布省新旧动能转换重大项目名单，富士康电子信息产业园入榜。据悉，该产业园包括智能工厂、芯片研发、夏普8英寸晶圆、多元影像封装等，总投资144亿元。2019年1月，烟台市2019年政府工作报告中亦提到要“重点推进富士康半导体等项目。”

2018年8月，富士康与珠海市政府签署战略合作协议，双方将在半导体设计服务、半导体设备及芯片设计等方面开展合作。签约后，业界多次传出富士康将在珠海建设一座晶圆制造工厂，投资规模将达600亿元。

2018年11月，富士康旗下京鼎精密的南京半导体产业基地暨半导体设备制造项目正式签约。该项目总投资额20亿元，一期项目计划于2019年3月开始动工，预计于2019年年底前竣工投产。

从地理版图上看，富士康的半导体布局已覆盖南、中、北地区；从产业版图上看，富士康通过投资等方式已涉足IC设计、制造、封测、设备等环节。目前，富士康在晶圆制造方面有夏普，IC封测方面有讯芯科技，IC设计与服务方面有虹晶科技、天钰科技，设备方面有京鼎精密、帆宣等。

据悉，富士康母公司鸿海已设立“半导体子集团”——S次集团，主要是由鸿海、夏普及群创的集团半导体八勇士构组，由总经理刘扬伟负责。此外，富士康旗下夏普已宣布将分拆其电子设备事业部（包含半导体业务）和激光事业部以子公司的形式独立运营，业界认为此举将配合富士康的半导体业务布局。

如今，富士康进军半导体产业的意图已非常明显、决心也十分坚定，随着不断挺进的步伐，其半导体产业版图开始逐渐清晰，未来或将进一步扩大。

前不久，台基股份旗下台基海德基金与天津锐芯签署IGBT模块项目合作协议，日前该合作事项有了新进展：台基海德基金携手天津锐芯拿下了浦峦半导体100%股权。

12月24日，台基股份发布《关于参与设立的产业基金对外投资暨关联交易的进展公告》。公告称，公司参与投资设立的台基海德基金已于2018年7月完成工商注册登记手续。资料显示，台基股份为台基海德基金的大股东，持股比例99%，另一股东亦为台基股份关联方。

9月19日，台基海德基金与天津锐芯企业管理合伙企业（有限合伙）（以下简称“天津锐芯”） 签署了《关于IGBT模块项目合作协议》，拟合作设立IGBT项目公司。合资公司注册资本注册资本3000万元，其中台基海德基金出资1200万元，股权占比40%。

公告表示，自合作协议签订后，台基海德基金和天津锐芯开始了合资公司的筹备工作。根据合作协议，合资公司的设立可采取台基海德基金及天津锐芯双方新设公司，或双方受让存续公司老股的形式。

近日，台基海德基金与浦峦半导体（上海）有限公司（以下简称“浦峦半导体”）原股东周会敏、天津锐芯与浦峦半导体原股东张俊锋分别签署了《股权转让协议》。

其中，周会敏将所持有的浦峦半导体40%股权，共计800万元人民币认缴出资额转让给台基海德基金，张俊锋将所持有的浦峦半导体60%股权，共计1200万元人民币出资额转让给天津锐芯。由于浦峦半导体原股东尚未实缴出资，因此本次两笔股权转让均按0元对价进行转让。

上述股权转让的工商变更手续已完成，浦峦半导体成为台基海德基金与天津锐芯的合资公司，将建设IGBT项目。工商登记变更完成后，台基海德基金持有浦峦半导体40%股权，天津锐芯持有浦峦半导体60%股权。

台基股份称，IGBT是公司除晶闸管以外的重点产品之一，发展壮大IGBT业务符合公司的长期战略。IGBT作为工业控制、新能源汽车、轨道交通等领域的重要零部件，市场空间广阔，国产替代空间大。随着新能源汽车等下游领域的爆发，IGBT市场将迎来巨大的发展机遇。因此，大力发展IGBT 业务，既符合我国产业发展战略，也将给公司带来较大的经济效益。

此外，台基股份还表示，浦峦半导体团队在IGBT生产和工艺领域经验丰富、产业链资源完善、原有产品已得到市场和客户验证。本次浦峦半导体的投资及启动运营，将成为公司原有 IGBT业务的有力补充，有利于延伸与完善公司产品布局，对提高公司的竞争力有积极作用。

日前，新三板企业无锡新洁能股份有限公司（以下简称“新洁能”）发布首次公开发行股票招股说明书，拟在上交所上市。

根据招股书，新洁能本次拟公开发行股票不超过2530万股，不低于发行后总股本的25%，拟募资10.21亿元用于超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化等项目。

资料显示，新洁能为国内半导体功率器件设计企业之一，采用Fabless模式并向封装测试环节延伸产业链，主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发设计及销售，产品包括芯片及封测成品，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。

在中国半导体行业协会发布的2016年及2017年中国半导体功率器件企业排行榜中，新洁能均名列“中国半导体功率器件十强企业”。

具体而言，新洁能主要产品包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半导体功率器件，已拥有覆盖12V~1350V电压范围、0.3A~300A电流范围的多系列细分型号产品，截至目前已拥有近1000种细分型号产品，并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。

此外，其600V和1200V的沟槽型场截止IGBT（Trench FS IGBT）、500V-900V的第三代超结功率MOSFET（Super Junction MOSFET）、30V-300V 的屏蔽栅功率MOSFET（SGT MOSFET）、12V-250V 的沟槽型功率MOSFET（Trench MOSFET）均已实现量产及系列化。

新洁能于2016年9月正式于新三板挂牌上市，持有5%以上股份的股东为朱袁正、达晨创投、上海贝岭、国联创投、金浦新投，其中朱袁正为公司控股股东及实际控制人。目前新洁能拥有新洁能香港、电芯联智控、电基集成3家全资子公司以及新洁能深圳分公司1家分公司，无参股子公司。

业绩方面，2015年至2018年1-6月，新洁能分别实现营业收入3.06亿元、4.22亿元、5.04亿元、3.61亿元，净利润分别为1507.89万元、3619.75万元、5228.00万元、8193.63 万元，主营业务收入占比为99%以上。

据招股书所称，新洁能是国内8英寸工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之
一。其芯片代工供应商包括华虹宏力、华润上华、中芯集成和台湾茂矽以及其他境内外领先企业，封装测试供应商包括长电科技、安靠、通富微电、上海捷敏等企业。

这次新洁能拟登陆上交所，申请公开发行人民币普通股A股，发行数量为不超过2530.00万股，募集资金总额将根据市场情况和向询价对象的询价情况确定。募集资金将用于“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目”、“半导体功率器件封装测试生产线建设项目”、“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目”、“研发中心建设项目”和“补充流动资金项目”共计五个募投项目。

上述五个募投项目合计投资总额约10.21亿元，募集资金使用金额约10.21亿元。新洁能董事会称，截至2018年6月30日公司资产总额5.43亿元，具有管理大规模资产及投资项目的经验和能力，本次募集资金投资项目建成后，公司将进一步丰富产品结构并提升技术开发、工艺改进能力，提高公司竞争力。

新洁能表示，未来将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，全力推进高端功率MOSFET、IGBT 的研发与产业化，持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，并投入对SiC 宽禁带半导体的研发及产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。