GaAs与GaN在RF PA中的中国市场机会

GaAs与GaN在RF PA中的中国市场机会

功率放大器(PA)是射频发射通路中的主要器件,其功能是将调制振荡电路产生的射频信号功率放大以馈送到天线上辐射出去。

在5G时代,由于Si材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等特点,RF CMOS已经不能满足要求,手机射频PA将开启GaAs制程为主导的时代;在基站端,GaN材料凭借高频、高输出功率的优势,也将逐步替代Si LDMOS而大幅运用于基站功放器件中。

随着5G 发展成为产业趋势,2020年5G手机预估将开始放量,中小型基地台等基础建设步调也逐渐加快,将为厂商带来新一波营运动能。本文将围绕GaAs在手机PA中的中国市场及GaN在基站PA中的中国市场进行分析。

5G时代GaAs将主导智能手机PA市场

4G时代手机端PA的工艺以CMOS和GaAs为主、SOI和SiGe为辅, 5G时代更高的功率、频率及效率要求,对PA的性能也提出新的要求,GaAs材料的电子迁移率是Si的6倍,具有直接带隙,故其器件相对Si器件具有高频、高速的性能,在5G智能手机PA中将大量使用。

我国预计2019年Q4推出5G商用服务,由于在5G时代单部手机中PA的数量和单价都比4G时代有大幅的提升,据集邦咨询顾问预测,随着5G智慧型手机渗透率逐渐提升,将带动中国手机GaAs PA市场从2019年的18.76亿美元增长到2023年的57.27亿美元,年复合增长率达到19.17%。

图: 中国智能手机GaAs PA市场规模预测(Source: 集邦咨询)

5G通信基站需要更高性能的GaN射频器件

目前基站用功率放大器主要为LDMOS技术,但是LDMOS技术适用于低频段,在高频应用领域存在局限性,GaN带宽更宽、功率密度更大、体积更小,能较好的适用于大规模MIMO,因此5G 基站GaN射频PA将成为主流技术,逐渐侵占LDMOS的市场。

4G时代,天线形态基本是4T4R或者8T8R,按照三个扇区,对应的射频PA需求量为12个或者24个;5G基站以64T64R大规模天线阵列为主,对应的PA需求量高达192个,PA数量将大幅增长。

根据集邦咨询报告《中国5G氮化镓PA产业及市场分析》中的研究数据表明,2018年由于5G通信试验基站的建设,基站端GaN射频器件达4.2亿元;2019年为中国5G建设元年,基站端GaN放大器同比增长达71.4%;2020年为5G建设爆发年,基站端GaN放大器市场规模达32.7亿元,同比增长340.8%;预计到2023年基站端GaN放大器市场规模达121.7亿元,但2021-2023年同比增速逐渐下降。

图: 中国5G基站GaN功放市场规模预测(Source: 集邦咨询)

国内GaAs与GaN PA市场巨大 但产业基础较为薄弱

全球GaAs射频器件被国际巨头垄断,主要厂商有美国Skyworks、Qorvo、Broadcom,日本村田等,晶圆代工市场主要由台湾厂商稳懋、宏捷科技、环宇通讯等占有。

国内GaAs PA技术薄弱,IDM中海威华芯的GaAs器件主要用于适用于20GHz以下通讯领域,Fabless中汉天下、唯捷创芯、RDA、慧智微、国民飞骧涉足GaAs PA,但主要用于4G及白牌厂商的应用,晶圆代工企业三安集成有3G/4G/Wifi PA生产线。

全球基站GaN射频器件主要由Sumitomo Electric(日本住友集团旗下)、Wolfspeed(Cree旗下)、Qorvo、MACOM等国外企业占有,国内发展 GaN 射频技术较晚,做相关器件的厂商也不多,国内GaN器件IDM企业有苏州能讯、英诺赛科,代工企业有海威华芯和三安集成,中电科13所、55所主要是军品产品线。

表: 中国主要GaAs/GaN PA相关企业

整体来看,国内具备的GaAs和GaN产业基础较为薄弱,制造生产线缺乏,但伴随着5G的到来,相关厂商持续投入及国产化替代的意愿加强,中国厂商将有望逐步缩小与国际大厂的技术差距,但要达到国际大厂的水平短期内恐难实现。

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回复上交所首轮问询 华润微电子功率半导体国产替代空间广阔

回复上交所首轮问询 华润微电子功率半导体国产替代空间广阔

近日,华润微电子回复了上交所科创板上市的首轮问询,对股权结构等52个问题进行了详细说明。6月26日,公司首次公开发行股票并在科创板上市的申请获上交所受理。公司拟募集30亿元用于8英寸高端传感器和功率半导体建设项目,巩固公司在功率半导体的行业地位。

巩固功率半导体地位

华润微电子成立于1999年,2004年在香港联交所上市,2011年退市私有化,2019年6月26日公司首次公开发行股票并在科创板上市的申请获上交所受理。本次发行的股票数量不超过2.93亿股,拟募集资金金额约30亿元。其中,8英寸高端传感器和功率半导体建设项目约15亿元,前瞻性技术和产品升级研发项目约6亿元,产业并购及整合项目约3亿元,补充营运资金约6亿元。

招股说明书显示,公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业,目前聚焦于功率半导体、智能传感器领域,为客户提供系列化的半导体产品与服务。未来公司将围绕自身的核心优势、提升核心技术及结合内外部资源,不断推动企业发展,进一步向综合一体化的产品公司转型。

公司是一家根据开曼群岛法律设立的公司,属于《上海证券交易所科创板股票上市规则》规定的红筹企业。开曼群岛法律在多个方面与中国的可比法律、法规和规范性文件有所不同,因此本公司目前的公司治理结构与境内上市公司存在差异,主要包括监事会的设置、股利分配政策、公司清算、解散、公司合并及收购、查阅公司账目和记录等。

在回复问询时,公司表示,作为一家控股公司,本公司运营实体主要位于境内,并依赖于境内运营子公司的股利分配以满足本公司的资金需求,包括向本公司股东支付股利及其他现金分配、支付本公司在中国境外可能发生的任何债务本息,以及支付本公司的相关运营成本与费用。

2016年-2018年,公司营业收入分别为43.97亿元、58.76亿元和62.71亿元;归属于母公司所有者的净利润分别为-3.03亿元、7028.29万元和4.29亿元。研发投入方面,2016年-2018年,公司研发投入分别为3.46亿元、4.47亿元和4.5亿元,占营业收入的比例分别为7.86%、7.61%和7.17%。

国盛证券研报显示,公司实际控制人为中国华润,国务院国资委对中国华润持有100%股权,公司背景强大。公司业务涉及面广泛,产品涵盖功率半导体、智能传感器与智能控制等领域,并提供晶圆半导体开放式晶圆制造、封装测试等服务。在产品端,公司是目前国内产品线最为全面的功率器件厂商;在制造端,拥有中国领先的晶圆制造服务能力,为国内主要的半导体特种工艺平台之一,是国内前三的本土晶圆制造企业。 

国产替代空间广阔

招股说明书显示,公司的主营业务包括功率半导体、智能传感器及智能控制产品的设计、生产及销售,以及提供开放式晶圆制造、封装测试等制造服务,属于半导体行业。半导体位于电子行业的中游,上游是电子材料和设备。半导体和被动元件以及模组器件通过集成电路板连接,构成了智能手机、电脑等电子产品的核心部件,承担信息的载体和传输功能是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。

根据全球半导体贸易统计组织,全球半导体行业2018年市场规模达到4688亿美元,较2017年增长约13.7%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,强力带动了整个半导体行业规模迅速增长。

据公司介绍,半导体行业具有较强的周期性特征,与宏观经济整体发展亦密切相关。最近几年,全球半导体市场保持稳步增长,亚洲地区特别是中国市场发展迅速。2018年美国半导体行业市场规模约为1030亿美元,占全球市场的21.97%;欧洲半导体行业市场规模约为430亿美元,约占全球市场的9.16%。亚太地区半导体行业近年来发展迅速,已成为全球最大的半导体市场。亚太地区(除日本外)市场规模达2829亿美元,已占据全球市场60.34%的市场份额,中国已成为近年来全球半导体市场增速最快的地区之一。

兴业证券研报显示,中国功率半导体需求快速增长,国产替代空间广阔。近5年中国半导体市场复合增长率达21.25%,高于全球半导体市场增速。同时,中国已成为全球功率半导体消费第一大国,MOSFET和IGBT将成为需求增长最快的领域,功率半导体用途广泛,可应用于消费电子、通信、汽车、家电、工控等下游行业。同时MEMS传感器和MCU等产品国产替代空间广阔。

士兰微聚焦特色工艺优势 发力高端产品

士兰微聚焦特色工艺优势 发力高端产品

作为国内目前为数不多的以IDM为发展模式的综合型半导体产品公司,士兰微近年来一直聚焦特色工艺,以高强度的研发投入,在特色工艺平台建设、新产品开发、战略级大客户合作等方面持续取得突破,产品结构调整的步伐明显加快。

2019上半年,士兰微实现营业总收入14.4亿元,同比增长0.22%;在公司三大主要产品中,集成电路产品营业收入4.91亿元,同比增长1.7%;分立器件产品营业收入6.79亿元,同比增长3.36%;发光二极管(LED)产品营业收入2.08亿元,同比下降20.83%。

半导体行业受到宏观经济波动的影响较大。2018年至2019上半年,全球半导体行业处于下滑期,不仅受到技术创新速度变慢、手机换机周期延长、新能源汽车销量增幅缩窄等需求端走弱的影响,同时还受到贸易摩擦、日本对韩国断供半导体关键材料等非市场因素的影响,行业景气程度被严重削弱。

美国半导体协会数据显示,2019上半年,全球半导体销售额同比下滑14.5%,其中中国大陆下降13.9%。工信部电子信息制造业数据也显示,2019年上半年,电子器件制造业营业收入同比增长10.7%,利润同比下降17.6%,其中集成电路产量同比下降2.5%;电子元件产量同比下降24.9%。

面对全球半导体市场萎缩,以及低端器件市场竞争的加剧,士兰微近年来积极进行产品结构调整,逐步向高端领域发起冲击,但也不可避免地承受转型冲击。公司8吋线尚处于特色工艺平台建设阶段,公司在加大高端功率器件研发投入的同时,减少低附加值产品;叠加了产能利用率下降、硅片等原材料成本处于历史高位、LED行业库存高升导致价格冲击等因素,导致公司2019上半年经营利润同比下滑。

陆续开拓高端市场

目前国内半导体产品市场中,低端器件市场竞争较为激烈,利润有限;在5G、物联网、新能源等技术的引领下,在国产替代自主可控的政策推动下,高端器件方兴未艾。目前,公司围绕电源管理电路、高端功率器件和功率模块、MCU、MEMS等产品进行布局,并取得一系列阶段成果。

2019年上半年,公司集成电路营业收入为4.91亿元,较去年同期增长1.7%,公司表示,各类电路新产品的出货量明显加快;预计下半年公司集成电路的营业收入增速还将进一步提高。

针对白色家电智能、绿色的发展需求,公司的IPM功率模块产品在国内白色家电(主要是空调、冰箱、洗衣机)、工业变频器等市场继续发力。2019年上半年,国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过300万颗士兰IPM模块,预计今后几年将会继续快速成长。公司语音识别芯片和应用方案已经在国内主流白电厂家的智能家电系统中得到较为广泛的应用。基于公司自主研发的芯片、算法及系统,公司空调变频电控系统在国内空调厂家完成了几千台变频空调的上量试产,性能优异、质量稳定。

在智能手机及智能外设领域,公司MEMS传感器产品营业收入较去年同期增加120%以上,国内手机品牌厂商已经在认证公司MEMS传感器。加速度传感器、硅麦克风等产品的参数优化工作取得突破性进展,预计下半年,公司MEMS传感器产品的出货量将进一步增长。公司开发的针对智能手机的快充芯片组、以及针对旅充、移动电源和车充的多协议快充解决方案的系列产品,已经开始在国内手机品牌厂商进行产品导入。

在电力电子领域,公司全部芯片自主研发的电动汽车主电机驱动模块完成研发,参数性能指标先进,已交客户测试。公司电控类MCU产品在工业变频器、工业UPS、光伏逆变、纺织机械类伺服产品,各类变频风扇类应用以及电动自行车等众多领域得到了广泛的应用。此外,公司LED照明驱动电路的出货量已经恢复增长。

2019年上半年,公司分立器件产品的营业收入为6.79亿元,较去年同期增长3.36%;其中低压MOSFET、超结MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块(PIM)、肖特基管等产品的增长较快。公司研发的“600V以上用于变频驱动的多芯片高压IGBT智能功率模块”荣获集成电路产业技术创新战略联盟“第二届集成电路产业技术创新奖”。

2019年上半年,公司LED产品的营业收入为2.08亿元,较去年同期减少20.83%。公司正在积极调整产品结构,加快进入中高端LED照明芯片市场,加快高亮度白光芯片的开发。在高端LED彩屏市场,美卡乐公司实现营业收入约5.5%的成长,品牌形象得以进一步提升。

5G拉动半导体市场复苏 公司将充分受益

2019年6月6日,工信部正式发放5G牌照,我国进入5G商用元年,将开启全球半导体行业的新发展。5G作为新一代信息技术的发展方向和数字经济的重要基础,智能手机、云计算、人工智能、物联网、车联网、工业互联网等市场均会广泛受益。5G三大应用场景增强移动宽带、超高可靠低延时以及海量机器通信,对终端设备提出了不同的功能和性能要求,对半导体相关产品的需求会更加多样化,在拉动上游半导体出货的同时,为市场带来更多的创新方向和机会。

在产业环境上,根据工信部数据,全国2018年电子信息制造业产值超过14万亿元,上游集成电路行业销售额仅6000亿元,且包含产业链内重复计算,国产化比例低。多家机构认为,受华为及日韩事件影响,国内大厂有主动降低供应链安全风险的动力,其供应链向国内倾斜给了国内上游芯片设计、制造企业更多的机会,也能够帮助上游芯片设计、制造企业提高产品研发和量产能力。因此,国产化替代有望加速,且有较长的持续性。

2019年下半年的半导体市场行情,已经较上半年有所好转,按月度呈现边际改善。据美国半导体协会数据,2019年7月全球半导体销售额为333.7亿美元,同比下滑15.5%;跌幅较上个月收窄1.3个百分点且环比回升。国际半导体产业协会(SEMI)于2019年8月更新全球半导体资本开支预测,预计到2020年总额达588亿美元,同比增长11.58%。

在此背景下,士兰微所布局的功率半导体、MEMS传感器及MCU,均受惠于5G技术拉动的各类细分市场。

其中,功率半导体作为电子装置中电能转换与电路控制的核心,几乎用于所有电子制造业,应用范围从传统的工业控制和3C(计算机、通信、消费电子)扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域。目前,国内功率半导体产品国产化率约为5%,替代空间巨大,而5G技术赋能的智能网联汽车,有望成为国产功率半导体行业的突破口之一。

据集邦咨询研究报告,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模达到2591亿元;其中功率分立器件市场规模为1874亿元,电源管理IC市场规模为717亿元。集邦咨询预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2907亿元,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

MEMS传感器则适应了物联网时代,传感器必须具备低功耗、微型化、智能化、多功能复合等特性,广泛用于汽车、消费电子、工业、医疗、航空航天、通信等领域。根据赛迪顾问统计,2018年,我国MEMS传感器行业规模523亿元,同比增长19.5%,预计2018~2022年化增速为17.41%。

MCU相当于芯片上的计算机,为不同的应用场合做不同的组合控制。物联网时代,由于设备要进行实时性高效智能的信息处理需求,同时需要与其他设备进行信息交互,这些需求都是通过MCU满足。IC Insights预计,2018~2022年行业销售复合增长率为6.42%,2022年全球MCU市场规模有望接近240亿美元。

聚焦特色工艺 IDM优势明显

对于功率半导体厂商来说,强大的IDM(设计制造一体化)能力是构建竞争壁垒和保持毛利的关键。目前全球功率半导体厂商基本都采用IDM模式。与追求低功耗高运算速度的数字芯片相比,功率半导体更看重可靠性、一致性与耐功率特性,产品与应用场景密切相关,例如耐大功率、大电流的功率器件反而要大线宽,因此功率半导体产品并不严格遵循摩尔定律,从而导致工艺平台繁多、产品种类庞杂,多种工艺平台并存,这就需要通过IDM模式实现从设计到制造的产业链整合。

士兰微从集成电路设计业务开始,逐步搭建了特色工艺的芯片制造平台,并已将技术和制造平台延伸至功率器件、功率模块和MEMS传感器的封装领域,建立了较为完善的IDM经营模式。IDM模式可以有效进行产业链内部整合,公司设计研发和工艺制造平台同时发展,形成了特色工艺技术与产品研发的紧密互动,以及器件、集成电路和模块产品的协同发展。公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合实力,提升产品品质,加强控制成本,向客户提供差异化的产品与服务,提高了其向大型厂商配套体系渗透的能力。

公司已经建立了可持续发展的产品和技术研发体系。在芯片设计研发方面,目前主要分为电源与功率驱动产品线、MCU产品线、数字音视频产品线、射频与混合信号产品线、分立器件产品线等。在工艺技术平台研发方面,公司陆续完成了国内领先高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压 MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发,形成了比较完整的特色工艺的制造平台。这一方面保证了公司产品种类的多样性,另一方面也支撑了公司电源管理电路、功率模块、功率器件、MEMS传感器等各系列产品的研发。

在特色工艺平台和在半导体大框架下,形成了多个技术门类的半导体产品,比如带电机变频算法的控制芯片、功率半导体芯片和智能功率模块、各类MEMS传感器等。这些产品已经可以协同、成套进入整机应用系统,市场前景非常广阔。产品已经得到了华为、欧司朗、三星、索尼、戴尔、台达、达科、海信、海尔、美的、格力等全球品牌客户的认可。

扩建8吋片产能 12吋片蓄势待发

2019年8月底,士兰微公告将与国家大基金共同投资士兰集昕二期项目,新建年产43.2万片8英寸芯片制造能力。士兰集昕现有8吋线于2017年6月底正式投产,2018年总计产出芯片29.86万片,2019年上半年总计产出17.6万片,同比增加74.25%;目前已有高压集成电路、高压MOS管、低压MOS管、肖特基管、IGBT等多个产品导入量产。8吋线持续上量对公司的整体营收增长起了积极推动作用。

士兰集昕二期项目将利用现有的公用设施,在现有生产线的基础上,通过增加生产设备及配套设备实施;项目总投资15亿元,建设周期分5年,分两期进行。其中,一期计划投资6亿元,形成年产18万片8英寸芯片的产能,二期计划投资9亿元,形成年产25.2万片8英寸芯片的产能。在出资安排上,公司及国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)分别出资3.15亿元及5亿元。士兰集昕一期项目先前已经得到大基金5亿元投资,国家大基金再次投资士兰集昕项目,显示了其对士兰微发展功率半导体芯片的持续看好。

资料显示,8英寸芯片目前主要应用于功率半导体、模拟芯片、MEMS传感器、MCU等产品。近年来,随着移动通信、汽车电子及物联网的发展,带动了市场对8英寸产能的需求。SEMI表示,2019~2020年期间全球8英寸产能将增加14%,达到每月650万片/月。IDM大厂如英飞凌、ST,以及Foundry大厂台积电、世界先进等,先后在2018年末宣布快速推进8吋特色工艺产能。考虑到目前8吋线产能建设主要依靠购买二手设备,而8吋线不少关键设备已经停产,二手设备供应有限,整合成套可用的新生产线并非易事,因此8吋线产能仍将持续景气。

此外,公司化合物半导体器件生产线项目和12吋芯片特色工艺芯片生产线项目,进展顺利。2019年上半年,厦门士兰明镓已经完成生产厂房净化装修和动力设备安装,现正在工艺设备安装和调试,预计2019年四季度将将进行试生产;厦门士兰集科已经完成建筑工程招投标工作,厂房建设现在已经正式开工,下半年将积极推进厂房建设,争取在2020年3月份进入工艺设备安装阶段。

三菱电机征战5G  重点布局光器件市场

三菱电机征战5G 重点布局光器件市场

5G时代到来,光器件厂商正迎来巨大的市场风口,都摩拳擦掌想要把握难得的机遇。近日,中国国际光电博览会(以下简称“CIOE光博会”)在深圳举办,三菱电机携19款光器件新产品亮相,展现出强大的竞争实力。

9月4日CIOE光博会举办首日,三菱电机同期召开创新器件助力通讯未来·三菱电机半导体媒体发布会,探讨了当前的光器件市场情况,并分享三菱电机半导体新产品、中国市场策略及发展。

5款重磅新品亮相

媒体发布会上,三菱电机光器件全球市场部总经理盛田淳、三菱电机高频光器件制作所总经理宫琦泰典、大中国区三菱电机半导体副总经理渡边良孝等高管悉数出席,重点介绍了包括新一代低成本2.5G DFB TOCAN 、工业级25G DFB TOCAN、25G LAN-WDM EML TOCAN 、50G PAM4 EML-TOSA、200G PAM4集成EML TOSA等5款新产品。

其中,三菱电机新一代低成本2.5G DFB TOCAN ML720Y68S主要应用于1.25Gbps for 10G EPON非对称ONU和2.48832Gbps for XG-PON ONU场合,其使用球透镜降低成本; 工业温度范围 -40℃~+85℃;采用标准TO-56封装,波长为1270nm。

工业级25G DFB TOCAN ML764K56T/ ML764AA58T可应用于300米~10公里的5G前传,其工业温度范围可用于户外;25.8Gbps NRZ 调制;采用TO-56 4管脚封装,与低速率TOCAN封装形式相同,便于大规模生产。

25G LAN-WDM EML TOCAN ML760B54-92x应用于40公里以内的5G无线网络,温度范围 达到-40℃~+95℃;可用25.8Gbps NRZ 调制;其出光功率和消光比分别为0 to +5dBm、 >+5dB;TEC功耗0.5W(标准值),工作温度为 -40℃~+95℃。

应用于5G无线网络还有50G PAM4 EML-TOSA FU-411REA-1M1 (10km)/ FU-411REA-3M1 (40km),其适用于NRZ调制的非常成熟的25GEML TOSA产品,可在26.5625 G波特率,PAM-4调制下驱动,其工作温度为-5℃~+80℃。

200G PAM4集成EML TOSA FU-402REA-3M5也采用了PAM4技术,是适用于数据中心的高速光通讯器件。该产品拥有26G波特率,可用于 PAM4调制;同时融合LAN WDM技术,四通道集成器件,其工作温度范围-5 to +80℃;封装尺寸为 W6.7 x L15 x H5.8 mm。

大力支持中国5G建设

资料显示,三菱电机创立于1921年,在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位,被称为“现代功率半导体器件的开拓者”。其半导体产品包括功率模块(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiC MOSFET等)、微波/射频和高频光器件、光模块等。

在光通信器件领域上,三菱电机拥有超过30年的丰富经验,陆续开发出具有高输出效率的激光器组件、和具有高灵敏度的探测器组件,满足通讯网络的需要。据了解,三菱电机一直处于世界光通讯市场领先地位,其光器件和光模块产品在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案,被用到全世界各地的光纤到户网络中。

在媒体发布会上,三菱电机表示其光器件产品覆盖了低速到高速、选择面多,具有易用性、稳定性、生产便利性等竞争优势,凭借着高可靠性产品、灵活/有性价比的服务与客户达成长期双赢的合作关系,助客户提高竞争力。

三菱电机在会上强调了中国5G市场的重要性,其预计全球5G基站市场约80%份额在中国。三菱电机表示,目前中国5G建设正在全国范围内开展得如火如荼,作为光器件供应商,三菱电机将大力支持中国5G建设,目前正与中国供应链上下游展开紧密合作。

英诺赛科芯片项目主厂房封顶 预计明年规模化量产

英诺赛科芯片项目主厂房封顶 预计明年规模化量产

英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称英诺赛科)是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司。近日,芯片项目主厂房经过14个月的紧张建设,顺利完成封顶。市委副书记朱民,吴江区及汾湖高新区领导李铭、吴琦、沈伟江出席封顶仪式。

芯片项目主厂房的封顶,意味着项目整体工程进度完成65%。预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产。据悉,项目占地面积368亩,计划在5年内完成投资60亿元。届时,将建成世界上第三代半导体大规模生产中心,可创造高科技工作岗位超2000个。

目前,英诺赛科已在激光雷达、高密高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案,其主要产品包括氮化镓功率器件、功率模块和射频器件,具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势。苏州项目的推进,将充分抓住长三角一体化发展战略的重大历史时机,借助长三角地区半导体产业集群效应和政策优势,与上下游先进企业形成产业融合与协作,为5G移动通信、激光雷达、人工智能、快速充电、数据中心、新能源汽车、清洁能源等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供高效、节能、低成本的核心电子元器件。

英诺赛科公司总经理孙表示,英诺赛科苏州工厂是公司发展的重要战略布局,相信英诺赛科将会成为世界一流的第三代半导体公司,吴江会成为全世界新的先进半导体制造中心。

苏州市委副书记朱民表示,英诺赛科项目推进过程中,苏州、吴江两级政府必将积极践行亲商、安商、富商的服务理念,为企业如期顺利推进并加快投产提供最好的营商环境及政治生态。

17亿元转让 中车时代电气重组半导体业务

17亿元转让 中车时代电气重组半导体业务

8月29日,中国中车旗下中车时代电气发布了一则《自愿公告资产重组计划》,拟对其旗下半导体事业部进行资产重组。

公告显示,中车时代电气董事会宣布,通过一项决议案批准有关本公司半导体业务的资产重组计划,方式为(1)本公司向全资附属公司株洲中车时代半导体有限公司(以下简称“时代半导体”)增资人民币24亿元;及(2)以非公开协议转让方式将本公司半导体事业部的现有资产、负债及业务以约人民币17亿元(视乎专项审计的资产净值而定)的代价转让予时代半导体。

国家企业信用信息公示系统显示,时代半导体注册成立于2019年1月18日,注册资本3亿元,经营范围包括研究、开发、生产、销售功率半导体及相关产品;提供相关的技术咨询、技术服务和技术转让等。

半导体事业部是中车时代电气下属的核心业务单位,专业从事大功率半导体器件的研发与制造,是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一,全面掌握晶闸管、整流管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、SiC(碳化硅)器件及功率组件全套技术。

据了解,目前中车时代电气的IGBT产品已从650V覆盖至6500V,并批量应用于高铁、电网、电动汽车、风电等领域;在SiC领域,中车时代电气6英寸SiC生产线首批芯片已于2018年初试制成功,6英寸SiC器件生产线成功通线,实现碳化硅全产业链贯通。

中车时代电气董事会认为,实施该计划有助于进一步完善及加强半导体业务的管理,促进本 集团的业务发展,且符合本公司及其股东的整体利益。

业界猜测,中车时代电气将旗下半导体事业部整体装入刚成立不久的下属全资子公司时代半导体,此举或意味着中车时代电气对于半导体业务的定位有所变化,其半导体业务有望进一步发展壮大。

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半年报出炉 扬杰科技上半年营收8.91亿元

半年报出炉 扬杰科技上半年营收8.91亿元

8月22日,扬杰科技发布其2019年上半年业绩报告。数据显示,2019年上半年扬杰科技实现营业收入8.91亿元,同比增长1.50%;实现归属于上市公司股东的净利润8660.49万元,同比下降44.44%。

从业绩情况来看,在经济增速放缓的背景之下,2019年上半年扬杰科技的营收与去年同期相比增长1.50%、接近持平,归母净利润则有所下降。半年报中,扬杰科技未对其上半年营收及净利情况作出太多说明,在研发技术方面则显示有不少进展。

扬杰科技表示,上半年高可靠性沟槽肖特基芯片实现全面量产,基于多种不同技术的高能效低正向压降肖特基芯片实现全系列开发;积极推进IGBT新模块产品的研发进程,50A/75A/100A-1200V半桥规格的IGBT开发成功,同时引进IPM模块生产线,并完成高压碳化硅产品的开发设计;此外,汽车电子小信号和贴片产品已小批量出货。

报告指出,2019年上半年国际经济增长势头放缓,受中美贸易战持续升级、“华为禁售令”等事件影响,国内各行业进一步加速了半导体器件的国产化替代进程,为国内功率器件厂商提供了难得的市场机遇;同时,电能转换、5G通讯、云端基础设施、智慧网络、工业自动化、新能源等领域的高速发展,也极大地促进了功率半导体产业的发展。

资料显示,扬杰科技采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式,主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN 产品、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

实现30万只IGBT模块生产 合肥中恒微半导体首期投产

实现30万只IGBT模块生产 合肥中恒微半导体首期投产

据合肥高新区报道,近日,合肥中恒微半导体有限公司(以下简称“中恒微半导体”)首期投产仪式在高新区明珠产业园举行。

该项目规划分为两期建设,一期产能建成后,可实现30万只IGBT模块的生产;二期规划2020年开工建设,全部建成后,年产达100万只IGBT模块。

据了解,中恒微半导体专注于功率半导体模块封装设计、制造与应用,公司产品主要应用于电动汽车,混合动力车,电机控制,新能源等行业应用。

国家信息企业公示系统显示,中恒微半导体成立于2018年8月,由合肥致微企业管理有限公司和合肥屹微股权投资合伙企业(有限合伙)共同出资,注册资本100万。

中恒微半导体主要从事半导体芯片、元器件设计;硅和碳化硅模块封装设计;汽车电子功率模块生产、制造与销售;新能源技术、节能环保技术领域内的技术开发、软件开发、技术转让、技术咨询服务等业务。

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浅析IGBT产业的进入壁垒

浅析IGBT产业的进入壁垒

近年来,随着行业景气度向好和政策的推动,中国IGBT产业出现快速成长,多家厂商扩建或新建产线,同时亦有不少新进入者抢夺市场。

据集邦咨询分析,目前市场新入者主要有三类,一是向IGBT等高端产品扩展业务的功率半导体企业,如扬杰科技、华微电子等;二是出于为满足自身需求及出于供应链安全考虑向上游涉足的,如中车时代和比亚迪等;三是看好市场而进场的新公司,如富能半导体等。

新进厂商涌入,行业竞争势必加剧,对于大量的新进入厂商而言,了解产业的进入壁垒才能更好地制定竞争策略。那么IGBT产业的进入壁垒有哪些呢?

1.规模经济

IGBT产业有着明显的规模经济的特征,产品的平均成本随产量的增加而下降,大规模生产可以使企业平均成本下降。新进入者如果无法在短期内提升产量,将承受成本高于原有企业的劣势,面临巨大的财务压力。新进入者同时有可能激起原有厂商的反制,导致竞争压力加大。

2.技术壁垒

芯片技术:IGBT芯片是IGBT模块的核心,其设计工艺复杂、制造工艺难度较高,不仅要保证模块在大电流、高电压、高频率下稳定工作,还需保持开闭和损耗、抗短路能力和导通压降维持平衡。企业只有具备深厚的技术底蕴和强大的创新能力,持续进行技术积累,才能在行业里立足。

模块技术:IGBT模块对产品的可靠性和质量稳定性要求较高,生产工艺复杂,往往一个看似简单的工艺需要长时间的摸索。IGBT作为下游产品的核心部件,需要满足各种工作环境下正常工作的要求,因此对产品的质量要求比较高,研发时也需要研发人员对下游应用比较熟悉,国内目前具有相关经验的人才较少,新进入者需要花费较多时间来培养人才和技术积累。

3.资金壁垒

IGBT属于资本密集型企业,生产和测试以进口为主,设备成本较高。其产品的研发和客户认证都需要较长时间,新进入者需要有较强的资金实力做后盾,才能持续进行相关的研发和市场开拓。

4.品牌与市场壁垒

IGBT模块是下游产品中的关键部件,其性能表现、稳定性和可靠性对下游客户来说至关重要,因此认证周期较长,替换成本高。

(1)从供应链安全的角度来说:下游客户处于供应链安全的考虑,更倾向于和IGBT供应商保持长期合作关系,变更已有长期合作的供应商的意愿较小。

(2)从产品验证角度来说:对于新入场的IGBT供应商,下游客户会相对谨慎。不仅要考虑供应商的实力,产品还要经过单机测试、整机测试、多次小批量试用等多个环节的验证。决策周期较长。

中国厂商面临的问题和竞争策略选择

IGBT产业为垄断型市场,全球前五大厂商占据了70%的市场份额,中国厂商由于进场较晚,产业基础较为薄弱,面临的竞争压力较大。同时,中国又是全球最大的IGBT市场,随着新能源汽车产量的不断提升,市场增长和国产替代空间较大。

目前,中国厂商在技术上逐步接近国际领先厂商,而资金方面受益于政府推动,资本支持力度较大,主要问题仍在品牌建立与市场拓展方面。在市场竞争加剧的情况下要从国际厂商手中夺得市场份额,集邦咨询认为,中国厂商可采取的市场策略主要有三个方向:

一是进行差异化竞争,在特定的细分领域持续发力。如比亚迪锁定车用IGBT市场,快速成长为国内最大的车用IGBT供应商。

二是与下游厂商合作,加快供应链认证和保障订单稳定,同时提升产品工艺技术。如中车时代和北汽新能源、国家电网等下游企业达成战略合作共同开发用于新能源汽车和智能电网的IGBT产品。

三是选择市场增长空间较大的应用领域如新能源汽车领域,或产能需求较大的应用领域,如家电领域,若成功进入下游供应链,可以帮助厂商快速扩大规模降低成本。

富满电子拟募资3.5亿元  推动功率半导体器件等扩产升级

富满电子拟募资3.5亿元 推动功率半导体器件等扩产升级

8月14日,富满电子发布《非公开发行A股股票预案(修订稿)》,拟非公开发行募集资金总额不超过3.5亿元人民币,扣除发行费用后拟投资于功率半导体器件、LED控制及驱动类产品智能化生产建设项目以及补充流动资金。

根据公告,功率半导体器件、LED控制及驱动类产品智能化生产建设项目投资金额2.81亿元,拟使用募集资金金额2.5亿元。该项目拟在安徽省合肥市高新技术产业开发区建设厂房,用于生产功率半导体器件、LED 控制及驱动类芯片以满足下游客户对相关产品产能的需求,新增生产线生产产能将达到10.5亿PCS/年,项目建设期为1年。

其中,功率半导体器件是在富满电子现有MOSFET 类产品上的扩产升级,在制造工艺和技术研发上属于更大功率的产品,旨在提升产品的应用等级领域,和其现有电源管理芯片结合,为客户提供综合方案配置。LED控制及驱动芯片投入旨在提高产能,抢占市场份额。

富满电子表示,该项目的实施将进一步扩大公司功率半导体器件和LED控制及驱动类芯片的生产规模,通过规模化生产来提高生产效率,有效提升公司芯片产品的竞争力和市场占有率,实现本公司经济效益最大化。

除了上述项目外,富满电子本次非公开发行拟使用募集资金1亿元补充流动资金。富满电子表示,补充流动资金可更好地满足公司生产、运营的日常资金周转需要,降低财务风险和经营风险,增强竞争力。

资料显示,富满电子成立于2001年,是一家从事高性能模拟及数模混合集成电路设计、封装、测试和销售的集成电路设计企业,主要产品包括电源管理类芯片、LED控制及驱动类芯片、 MOSFET类芯片及其他芯片。