标签：化合物半导体

6月19日，上海市金山区与中国科技金融产业联盟线上签约仪式在金山举行。仪式上，上海新金山工业投资发展有限公司与北京华通芯电科技有限公司就华通芯电第三代化合物半导体项目，上海金山科技创业投资有限公司与北京广大汇通工程技术研究院就汇通科创投资专项基金分别签订了合作协议。此次仪式的举行，标志华通芯电第三代化合物半导体项目正式落户金山。

资料显示，北京华通芯电科技有限公司成立于2016年，属中国科技金融产业联盟成员。据金山融媒消息指出，华通芯电第三代化合物半导体项目总投资29亿元，固定资产投资22.7亿元，计划用地50亩，将通过第三方代建的模式，在金山工业区购置土地并建设厂房和洁净车间，项目分为两阶段实施。

其中第一阶段计划投资6.5亿元，建设月产7000片GaAs（砷化镓）芯片生产项目；第二阶段计划投资22.5亿人民币，建设月产3000片GaN（氮化镓）射频芯片和20000片功率半导体芯片生产项目，其产品将广泛用于5G基站、雷达、微波等工业领域。

而汇通科创基金主要投资半导体、人工智能、物联网等相关产业，首个返投项目——华通芯电落地，通过小投入实现大投资，并储备、带动、集聚一批产业链企业在金山成团成链集聚，据悉，该基金已超过原计划募集金额，目前已储备20个总规模约80亿元的集成电路产业链上下游项目。

6月15日，三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署了《项目投资建设合同》，三安光电拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

公告披露，三安光电拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

据悉，该项目总投资额达160亿元，三安光电在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产；72个月内实现达产。

据了解，三安光电主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

三安光电表示，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

加码第三代半导体领域

资料显示，三安光电成立于2000年11月，主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。

2014年，三安光电开始涉足集成电路产业，投资化合物半导体市场，建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目。根据天眼查显示，三安光电全资控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，经营范围包括集成电路设计；工程和技术研究和试验发展；其他机械设备及电子产品批发等。

据悉，三安集成是国内化合物半导体代工龙头，业务涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域，已取得国内重要客户的合格供应商认证，各个板块已全面开展合作。

官方资料显示，2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。

三安光电表示，2022年项目建成后，三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

6月15日，三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署了《项目投资建设合同》，三安光电拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

公告披露，三安光电拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

据悉，该项目总投资额达160亿元，三安光电在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产；72个月内实现达产。

据了解，三安光电主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

三安光电表示，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

加码第三代半导体领域

资料显示，三安光电成立于2000年11月，主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。

2014年，三安光电开始涉足集成电路产业，投资化合物半导体市场，建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目。根据天眼查显示，三安光电全资控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，经营范围包括集成电路设计；工程和技术研究和试验发展；其他机械设备及电子产品批发等。

据悉，三安集成是国内化合物半导体代工龙头，业务涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域，已取得国内重要客户的合格供应商认证，各个板块已全面开展合作。

官方资料显示，2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。

三安光电表示，2022年项目建成后，三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

6月15日，太极实业发布公告称，公司控股子公司信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）与江苏仁奇科技有限公司（“江苏仁奇”，项目业主）就江苏仁奇发包的江苏仁奇科技有限公司芯片产业园项目签订了《EPC总承包工程同》。

公告指出，江苏仁奇科技有限公司芯片产业园项目拟利用2年时间，在江苏宿迁泗阳经济开发区建成一个涵盖芯片制造、封测、研发的产业化基地，形成年产6英寸0.25um芯片线60万片，年封测10亿颗的生产能力。

根据泗阳人民政府此前发布的公告称，同意江苏仁奇科技有限公司在拟定地点（江苏泗阳经济开发区太湖路东侧、浙江路北侧）年产18万片GaAs、年封测13亿片集成电路项目。由此看来，江苏任奇此次的投资布局应是瞄准化合物半导体砷化镓领域。

资料显示，江苏仁奇科技有限公司成立于2019年8月30日，注册资本5亿元，经营范围包括集成电路、光电子器件、电子元件研发、生产、研发、销售及技术服务等业务。

凭借成熟制程及成本较低的优势，第一代硅质半导体芯片已成为人们生活中不可或缺的重要器件。然而，硅质半导体受制于无法在高温、高频以及高电压等环境中使用的材料限制，让化合物半导体逐渐崭露头角。

衬底与外延质量成决定化合物半导体器件特性关键

化合物半导体主要指砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) 等第二、第三代半导体，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面较优。

全球知名研究咨询公司集邦咨询旗下拓墣产业研究院指出，现行化合物半导体的供应链关系，主要透过衬底厂商提供适当的晶圆，并由外延厂进行所需之反应层材料成长，随后再透过IDM厂或各自独立的代工厂进行加工，最终再由终端产品商加工统整后贩卖至消费者手中。

考虑到化合物半导体衬底在生长过程中产生部分缺陷，所以制作器件前需透过如MOCVD、MBE等外延程序，再次成长所需的反应层，借此降低并满足器件性能表现；在衬底方面，目前化合物半导体主要以6吋衬底为主，并试图满足GaAs、 SiC、GaN on Si / SiC等各类器件生产之需求。

由于化合物半导体属二元以上结构，在衬底及外延的制备上，相较于传统硅材料困难，因此，如何有效控制衬底与外延质量，是决定化合物半导体器件的特性关键。

新冠疫情席卷全球，化合物半导体应用受波击

化合物半导体并不是近年的产物，不过，直到近期化合物半导体才真正开始普及和兴起，尤其近年中国开始大规模投资，亦使得产业渐趋繁荣。然而，受到中美贸易摩擦及突如其来的新冠肺炎疫情影响，化合物半导体产业的应用也受到波及。

拓墣产业研究院指出，基于砷化镓或氮化镓的射频器件受到不小震荡。其中，砷化镓技术相较成熟，但由于市场仍以手机射频为主，以致受到影响较大，预估2020年营收将小幅下跌。而氮化镓器件仍处于开发阶段，目前主要应用于基站射频技术，预计2020年营收则呈现小幅增长。

功率器件方面，虽然受大环境影响，但其已是化合物半导体的发展重点，成长动能依旧显著。碳化硅材料因衬底生产难度大，功率器件成长幅度受限，后续有待衬底技术持续精进；氮化镓功率器件技术发展则相对成熟，虽大环境不佳导致成长放缓，但向上幅度仍明显。

中国厂商与国际大厂技术差距将逐渐缩小

虽然受到中美贸易摩擦和疫情影响拖累全球半导体产业发展，但化合物半导体凭借自身材料特性和新兴应用需求，各家IDM厂相继推出相关措施应对。科沃（Qorvo）、意法半导体、安森美以及中国三安光电和英诺赛科等厂商都纷纷通过新品、并购或新建生产线等方式积极参与市场竞争，以扩大影响力。

拓墣产业研究院分析，目前来看，在化合物半导体领域，中国厂商虽然和国际厂商相比仍有技术差距，但随着中国国家大基金的支持以及厂商的不断布局，技术差距将不断缩小。当前唯有真实掌握市场需求，厂商才有机会在竞争中当中成长及获利。

5月12日，国家发改委发布关于印发《中韩(长春)国际合作示范区总体方案》(以下简称“《方案》”)的通知。据国家发改委网站消息，通知指出，《中韩(长春)国际合作示范区总体方案》已经国务院批复同意(国函﹝2020﹞45号)。

《方案》指出，中韩（长春）国际合作示范区选址在长春市区东北部，近期开发面积约36平方公里，远期总面积约210平方公里，四至范围根据国土空间规划依法定程序确定。示范区按照总体规划、分期实施的原则进行建设，构建“一核、两翼、多园”的空间格局。

同时，《方案》还提出了推动产业链协同合作、建设开放合作平台载体、以及加强创新和人文合作三大重点任务。

其中，在信息技术产业方面，要加强与韩国企业以及国内外知名企业合作，支持人工智能、物联网、工业互联网、5G+VR/4K、软件开发等产业合作。积极推进化合物半导体、功率半导体（IGBT等）、芯片、新型显示配套材料、智能家电等领域合作。

高端装备和智能制造方面，将重点推进工业机器人、服务机器人、增材打印、智能装备制造、智能控制系统、智能仪器仪表、新能源汽车和智能网联汽车、节能环保和冰雪装备等产业国际合作，加快建设工业机器人制造产业园区，谋划建设智能环保装备产业园、智能农机装备产业园和冰雪装备制造产业园。支持在示范区布局新能源汽车、智能网联汽车关键零部件产业。

目前，碳化硅等第三代半导体是功率半导体的一个投资重点方向。同时，国家大基金也把半导体材料列为了重点投资方向之一。

近期，多个企业开始加紧布局和完善第三代半导体材料领域。那么，化合物半导体有哪些最新发展趋势？

本周五15:30，集邦咨询线上讲坛“需求在呼唤，化合物半导体风云再起？”为您在线分享！