山西将打造太原—忻州半导体产业集群

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

6月30日公布的《山西省电子信息制造业2020年行动计划》显示,推动中国电科(山西)电子信息科技创新产业园等重大项目建设,打造太原—忻州半导体产业集群。

以太原、忻州为核心,山西省将依托中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园等重点企业重大项目,围绕5G等关键领域,提升核心关键技术和工艺水平,形成芯片设计、芯片制造等产品体系,打造太原—忻州半导体产业集群。同时,实施产业链配套集聚工程,打造半导体“装备—材料—外延—芯片设计—芯片制造—封装—应用”全产业链条。

陕西省将依托联盟企业、重点院校,推动建立“山西省半导体产业研究院”,提供产业发展的技术支撑与创业环境,吸引相关领域高端人才集聚,带动上下游产业加速发展。

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

6月30日公布的《山西省电子信息制造业2020年行动计划》显示,推动中国电科(山西)电子信息科技创新产业园等重大项目建设,打造太原—忻州半导体产业集群。

以太原、忻州为核心,山西省将依托中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园等重点企业重大项目,围绕5G等关键领域,提升核心关键技术和工艺水平,形成芯片设计、芯片制造等产品体系,打造太原—忻州半导体产业集群。同时,实施产业链配套集聚工程,打造半导体“装备—材料—外延—芯片设计—芯片制造—封装—应用”全产业链条。

陕西省将依托联盟企业、重点院校,推动建立“山西省半导体产业研究院”,提供产业发展的技术支撑与创业环境,吸引相关领域高端人才集聚,带动上下游产业加速发展。

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

6月30日公布的《山西省电子信息制造业2020年行动计划》显示,推动中国电科(山西)电子信息科技创新产业园等重大项目建设,打造太原—忻州半导体产业集群。

以太原、忻州为核心,山西省将依托中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园等重点企业重大项目,围绕5G等关键领域,提升核心关键技术和工艺水平,形成芯片设计、芯片制造等产品体系,打造太原—忻州半导体产业集群。同时,实施产业链配套集聚工程,打造半导体“装备—材料—外延—芯片设计—芯片制造—封装—应用”全产业链条。

陕西省将依托联盟企业、重点院校,推动建立“山西省半导体产业研究院”,提供产业发展的技术支撑与创业环境,吸引相关领域高端人才集聚,带动上下游产业加速发展。

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

山西将打造太原—忻州半导体产业集群

6月30日公布的《山西省电子信息制造业2020年行动计划》显示,推动中国电科(山西)电子信息科技创新产业园等重大项目建设,打造太原—忻州半导体产业集群。

以太原、忻州为核心,山西省将依托中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园等重点企业重大项目,围绕5G等关键领域,提升核心关键技术和工艺水平,形成芯片设计、芯片制造等产品体系,打造太原—忻州半导体产业集群。同时,实施产业链配套集聚工程,打造半导体“装备—材料—外延—芯片设计—芯片制造—封装—应用”全产业链条。

陕西省将依托联盟企业、重点院校,推动建立“山西省半导体产业研究院”,提供产业发展的技术支撑与创业环境,吸引相关领域高端人才集聚,带动上下游产业加速发展。

半导体将拥抱2nm时代

半导体将拥抱2nm时代

目前,推动半导体行业发展的方式主要有两种,一个是尺寸缩小,另一个是硅片直径增大。由于硅片直径增大涉及整条生产线设备的更换,因此目前主要发展路线是尺寸的缩小。除此之外,利用成熟特色工艺及第三代半导体材料改进半导体产品的性能也被企业大量采用,这将开辟摩尔定律的另一片新的天地。

台积电、三星角力先进工艺

据悉,台积电3纳米工厂已经通过环境评测,依据原定时程,全球第一座3纳米工厂,可望在2020年动工,最快2022年年底量产。

此外,由于三星在台积电之前抢先公布它的3纳米将采用环栅FinFET的纳米片结构,两家3纳米制程战争一触即发。另有消息报道,台积电仍沿用升级版的FinFET架构,可能采用迁移率更高的材料,而非环栅纳米片结构。

两家在不同的工艺与架构问题方面各自大作文章,其中的关键是要找出性能瓶颈之所在,然后以最具成本效益的方式使用最佳工具来分别解决这些瓶颈。无论是I/O、内存接口还是过热的逻辑块,系统的运行速度都只能与该系统中最慢的组件一致。

其实,先进封装也是解决方案之一。在某些情况下,前道工艺的每一节点的进步都可能需要一个完全不同的体系结构与之配合。它可能是更多的软硬件协同设计,与整个设计优化为一个系统。如果有一种一致的方法来描述这些设备并将它们连接在一起,那么釆用chiplet等方法可以更节省时间。

目前至少有六种主流的芯片/小芯片组合方式,还有更多的正在进行中,不难想象每个芯片供应商会根据价格、功耗、性能甚至地区标准快速地提供定制解决方案。因此,虽然应用于高性能计算(HPC)及5G开发的芯片可能需要最新的2nm制程,但是与它配套的可能是16nm的SerDes、28nm电源模块和40nm安全芯片等,同时它们将集成在一体。

成本是关键因素

在半导体行业中,成本因素是非常关键的。有数据显示,7nm工艺的研发费用需要至少3亿美元,5nm工艺平均要5.42亿美元,3nm、2nm的工艺起步价大约在10亿美元左右。

据最新的消息,台积电原定于2020年6月试产的3nm工艺芯片,由于疫情原因可能将推迟到10月。台积电3nm工艺的总投资高达1.5万亿元新台币,约合500亿美元。目前在建厂方面至少已经花费200亿美元,可见投入之庞大。

近日台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,它的晶体管密度达到了前所未有的2.5亿个/mm2。与5纳米相比,功耗下降了25%~30%,并且功能提升了10%~15%。

台积电重申,从7nm到5nm,再到未来的3nm,每一个节点都是全节点的提升。这不同于竞争对手的每一个节点都仅是部分性能的优化,并非全节点的性能提升。因此对于未来3nm制程方面的竞争,台积电是信心满满。

台积电还谈到2nm工艺技术进展,公司采用FinFet第六代技术平台开发3nm技术的同时,也已开始进行2nm制程技术研发,并针对2nm以下技术进行探索性研究。

对于极紫外光(EUV)技术,要减少光刻机的掩膜缺陷及制程堆叠误差,并降低整体成本。台积电表示,今年在2nm及更先进制程上,将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

半导体尺寸缩小远非有EUV光刻机就能实现的。严格地说,到3nm时,可能釆用现有的FinFET架构也无法达到,需要从器件的架构、工艺变异、热效应、设备与材料等方面综合解决。

由于HPC及5G等市场的需求,半导体业向3nm过渡已成定局,台积电及三星两家已经承诺,至多时间上有可能推迟。2nm的现实可能性也极大。由于费用过高及许多技术上的难点无法解决,外加必须有高端设备及材料的支持,所以1nm能否实现目前尚无法预言。但是半导体尺寸缩小的终点迟早会来临。

南京经开区近期或将签约一个半导体IDM项目

南京经开区近期或将签约一个半导体IDM项目

近期,南京经济开发区或将签约一个半导体IDM项目。

据上海梧升电子科技(集团)有限公司(以下简称“梧升电子”)官微消息指出,该公司董事长张嘉梁于近日率代表团前往南京经济技术开发区进行考察交流,期间,双方就“半导体IDM项目”进行了深入交流和探讨。

消息指出,南京市栖霞区委书记、开发区党工委书记黎辉对半导体项目给予了高度肯定,要求项目加快落户,尽早开工。下一步,开发区将成立项目建设推进小组为项目进行服务,及时解决项目落地建设过程中的问题及难点。

尽管梧升电子并未透露该项目的投资金额等信息,但双方工作小组已经就落地协议的具体细节进行了充分沟通,项目拟于近期签约。

资料显示,梧升电子成立于2019年11月14日,注册资本约3.84亿元,主要从事电子科技领域内的技术咨询、技术开发、技术转让、技术服务,电子产品、电子显示屏制造、加工(以上限分支机构经营)、批发、零售,展览展示服务,文化艺术交流策划,企业管理咨询,商务信息咨询等业务。

为扩产做准备 粤芯半导体更先进光刻机已进厂

为扩产做准备 粤芯半导体更先进光刻机已进厂

近日有消息称,广州粤芯半导体更先进光刻机已进厂,为扩产做好最重要准备,南方网记者从投资方智光电气确认了该消息。

资料显示,粤芯半导体成立于2017年12月,粤芯半导体的注册资本为10亿元,其中科学城(广州)投资集团有限公司认缴出资2亿元,占股20%,广州华盈企业管理有限公司,出资认缴3亿元,占股30%,而广州誉芯众诚股权投资合伙企业(有限合伙)认缴出资5亿元,占股50%,而智光电气通过持有誉芯众诚30%股权间接持有粤芯半导体股权。

据悉,粤芯半导体是国内第一座以虚拟IDM为营运策略的12英寸芯片制造公司,拥有广州第一条12英寸芯片生产线,也是广东省及粤港澳大湾区目前唯一进入量产的12英寸芯片生产平台。

2017年12月,粤芯半导体项目一期奠基,2018年3月,桩施工,2018年10月主体结构封顶,2019年3月首批设备搬入,2019年6月生产设备调试完毕开始投片,2019年9月20日正式宣告投产。

今年2月28日,粤芯半导体二期扩产项目成功签约,二期建设将新增投资65亿元,专注于65-90nm模拟工艺平台,生产高精度数模转换芯片、高端电源管理芯片、光学传感器、车载及生物传感芯片等产品。预计到2022年,粤芯半导体一期、二期将共达到月产4万片12寸的产能,将进一步满足粤港澳大湾区芯片市场的需求。

募资200亿元 国产芯片“航母”叩响科创板大门

募资200亿元 国产芯片“航母”叩响科创板大门

距进入上市辅导期不到一个月时间,国内晶圆代工龙头中芯国际叩响科创板大门。

6月1日,上海证券交易所信息显示,中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称在“中芯国际”)科创板上市申请获受理,主承销商为海通证券和中金公司,另有4家联合承销商。

根据招股书,中芯国际本次拟初始发行的股票数量不超过16.86亿股,不涉及股东公开发售股份,不超过初始发行后股份总数的25.00%。本次发行可以采用超额配售选择权,采用超额配售选择权发行股票数量不超过初始发行股票数量的15.00%。

申请科创板上市进程火速

2000年4月,中芯国际在开曼群岛注册成立,至今已走过了20年,公司自设立以来一直以晶圆代工模式从事集成电路制造业务。招股书中将其发展历程分为三个阶段:奠基时期(2000年~2004年)、积累时期(2004年~2015年)、高速发展时期(2015年至今)。

2000年,中芯国际在上海浦东开工建设,是中国大陆第一家提供0.18微米技术节点的集成电路晶圆代工企业,现已发展成为全球领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业,主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。

2004年3月,中芯国际公司普通股在香港联交所上市,同时美国预托证券股份于纽交所上市,本次拟全球发售51.52亿股普通股,包括公司股东公开发售和新增发售。2019年6月14日,中芯国际的预托证券股份从纽交所退市并进入美国场外交易市场交易。

今年5月5日,中芯国际发布公告宣布了一个重磅消息——拟首次公开发行人民币普通股(A 股)股票并在科创板上市。随后,其科创板上市事宜便开始紧锣密鼓地进行,5月6日中芯国际与海通证券、中金公司签署了上市辅导协议,并于上海证监局进行了辅导备案登记。

如今,距离其辅导备案不到一个月,中芯国际科创板上市申请便获受理,可谓火速推进。至此,中芯国际科创板上市之路已迈出实质性的重要一步。

总资产超千亿、专利附表超500页

对于去年6月才开板的科创板而言,中芯国际的到来无疑使其迎来一个“巨无霸”。

作为已在境外上市的红筹企业,中芯国际选择的具体上市标准为:“市值200亿元人民币以上,且拥有自主研发、国际领先技术,科技创新能力较强,同行业竞争中处于相对优势地位。”根据招股书,按2020年5月29日的港元对人民币汇率中间价折算,中芯国际申报前120个交易日内平均市值为679亿元人民币。

招股书显示,2017年、2018年、2019年,中芯国际的资产总额分别为779.26亿元、988.45亿元、1148.17亿元;各期营业收入分别为213.90亿元元、230.17亿元及220.18亿元,扣除2019年转让LFoundry的影响后,各期收入分别为198.49亿元、215.45亿元及213.29亿元;各期归属于母公司股东的净利润分别为12.45亿元、7.47亿元及17.94亿元,净利润相对较低主要因为研发投入及新产线投产后的折旧费用较高。

截至2019年12月31日,中芯国际共有子公司37 家,其中境内子公司17家,境外子公司20家。中芯国际在中国上海、北京、天津和深圳拥有多个8英寸和12英寸生产基地。截至2019年末,上述生产基地的产能合计达每月45万片晶圆(约当8英寸),与近半数的2018年世界前50名知名集成电路设计公司和系统厂商开展了深度合作。

此外,中芯国际的专利数量非常可观,其本次招股书长达931页,其中在最后附表部分用了500多页罗列其主要境内外专利。招股书显示,截至2019年12月31日,登记在中芯国际及其控股子公司名下的与生产经营相关的主要专利共8122件,其中境内专利6527件,包括发明专利5965件;境外专利1595件,此外还拥有集成电路布图设计94件。

2017年、2018年、2019年,中芯国际的研发投入分别为35.76亿元、44.71亿元及47.44亿元,占营业收入的比例分别为 16.72%、19.42%及21.55%。

募资200亿元发力先进制程

招股书显示,中芯国际本次拟向社会公开发行不超过16.86亿股人民币普通股(行使超额配售选择权之前),拟募集资金总额200亿元,实际募集资金扣除发行费用后的净额计划投入以下项目:12英寸芯片SN1项目、先进及成熟工艺研发项目储备资金、补充流动资金。

中芯国际表示,本次募集资金投资项目符合国家有关产业政策和公司发展战略,有助于进一 步拓宽公司主营业务,扩大先进工艺产能规模,提升公司在晶圆代工行业的市场地位和核心竞争力;同时,募投项目的顺利实施将进一步增强公司的研发实力,推动工艺技术水平升级换代与新产品推广,丰富成熟工艺技术平台,更好地满足未来市场需求。

其中,12英寸芯片SN1项目拟投入募集资金投资额为80.00亿元。据介绍,该项目的载体为中芯南方,工艺技术水平为14纳米及以下,是中国大陆第一条FinFET工艺生产线,也是中芯国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。该项目规划月产能3.5万片,目前已建设月产能6000片,募集资金主要用于满足将该生产线的月产能扩充到3.5万片的部分资金需求。

中芯国际表示,本项目的实施将大幅提升中国大陆集成电路晶圆代工的工艺技术水平,提升 公司对全球客户高端芯片制造的服务能力,并进一步带动中国大陆集成电路产业的发展。

先进及成熟工艺研发项目储备资金拟投入募集资金金额为40.00亿元,计划用于14纳米及以下的先进工艺与28纳米及以上的成熟工艺技术研发。

中芯国际表示,继续完善14纳米工艺并开展14纳米以下工艺技术研发,对于进一步保持并提升公司在中国大陆集成电路晶圆代工领域的技术领先优势具有重要意义;28纳米及以上的成熟工艺研发,有利于增强公司适应市场变化的能力,进一步巩固并提升公司在成熟工艺集成电路晶圆代工领域的市场竞争力。

本次发行募集资金在满足上述项目资金需求的同时拟使用80.00亿元补充营运资金,以降低公司资产负债率、降低财务杠杆、优化资本结构,满足公司经营发展对营运资金的需求。

国产芯片“航母”任重道远

作为中国大陆最大的晶圆代工厂商,中芯国际获得了国家级产业基金的大力支持。

招股书显示,报告期内中芯国际任何单一股东持股比例均低于30.00%。截至2019年12月31日,公司第一大股东大唐香港持股比例为17.00%,第二大股东鑫芯香港持股比例为15.76%,公司无控股股东和实际控制人。其中,第二大股东鑫芯香港的间接控股股东为国家大基金一期。

2020年5月15日,中芯南方与中芯控股、国家大基金一期、国家大基金二期、上海集成电路基金一期、上海集成电路基金二期签订《增资扩股协议》,国家大基金二期、上海集成电路产业投资基金二期承诺分别向中芯南方注资注册资本15亿美元、7.5亿美。

值得一提的是,5月31日中芯国际发布公告称,针对此次人民币股票发行,大唐电信以及国家大基金均表示将放弃人民币股份发行的优先认购权,并表示大唐电信及国家大基金的联属公司正考虑以战略投资者身份参与其人民币股份发行。

中芯国际与国内集成电路产业链上下游众多企业密切合作,被媒体誉为国产芯片“航母”,对于其此番赴科创板上市,业界大多报以看好,期待着中芯国际回归A股后进一步发展壮大并带动上下游企业共同成长。

对于中芯国际而言,肩负推动国家集成电路产业发展重任,其与国际水平仍存在差异,不仅要奋力追赶先进水平,还可能要面对美国出口管制政策调整以及贸易摩擦等种种风险,其未来发展任重而道远。

中芯国际科创板IPO申请获受理

中芯国际科创板IPO申请获受理

6月1日,上交所已受理中芯国际集成电路制造有限公司科创板上市申请,保荐机构为海通证券和中金公司。

招股书显示,中芯国际本次初始发行的股票数量不超过168,562.00万股,不涉及股东公开发售股份,不超过初始发行后股份总数的25.00%,每股面值0.004美元,募集资金总额高达200亿元。实际募集资金扣除发行费用后的净额计划投入3个项目:12英寸芯片SN1项目、先进及成熟工艺研发项目储备资金、以及补充流动资金。

Source:公告截图

其中,“12英寸芯片SN1项目”的募集资金投资额为800,000.00万元,该项目载体为中芯国际的重要子公司中芯南方。中芯南方成立于2016年12月,该项目规划月产能3.5万片,已建设月产能6000片,是中国大陆第一条FinFET工艺生产线,也是中芯国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。

募集资金将用于将该生产线的月产能从6000片扩充到3.5万片。中芯国际表示,14纳米是中国大陆已量产、最先进的集成电路晶圆代工工艺,14纳米以下工艺目前在中国大陆尚处于研发阶段,继续完善14纳米工艺并开展14纳米以下工艺技术研发,对于进一步保持并提升公司在中国大陆集成电路晶圆代工领域的技术领先优势具有重要意义。

而先进及成熟工艺研发项目储备资金项目的募集资金投资额为 400,000.00万元,用于工艺研发以提升公司的市场竞争力。

莫大康:要早作准备

莫大康:要早作准备

美国对于华为新一轮的打击。它是经过一年时间的精心准备,此次实施了无边际的精准打击,初步估计未来华为、海思要自研芯片实现它的先进性及差异化,可能越来越困难。

对于中国半导体业的发展一定要有强烈的危机感,由于中国半导体业的日益强大,动了美方的奶酪。要警惕美方会错误地估计形势,低估中国半导体业的韧性及刚性,所以未来对于中国半导体业的打击会更加的严重,如可能实施“实体清单”的扩大化,或者进一步控制半导体设备与材料的出口等。

在危机感的思路下,中国半导体业要加速“备胎”的计划实施,主要包括以下两个方面:

1), EDA工具

中国的fabless业离不开EDA工具,尽管180nm/350nm以上的部分老工艺线是可以用破解版或国产替代版继续做下去,但是深亚微米级130nm/90nm开始就很难离得开正版授权了,越往下越难,到了22nm以下,就几乎完全不可能了。

国际上EDA的三巨头均是美系,而且成立时间久,如Synopsys 1986,Cadence 1988及Mentor1981。其中Synopsys在全球有13,200人,国内员工超过1,200人,年销售额超过30亿美元,Cadence有7,600人,国内400人及年销售额21.48亿美元,Mentor 有6,000人,国内员工 100人,年销售额为12.8亿美元。

除了EDA工具之外Synopsys, Cadence的另一个杀手锏级的垄断产品:接口类IP,这是每一颗SoC必不可少的东西,比如:高速SerDes, ethernet以太网,PCIE, CPRI, SATA,USB,Type-C,MIPI, HDMI,DP……还有DDR等目前Synopsys 的IP业务在总营收里占第二。

到了7nm,5nm下,能做到所有类型的接口IP都提供的,还是只有Synopsys或Cadence。

扶持本土EDA的发展,需要很长的路要走,技术壁垒、专利壁垒此类东西并不是砸钱就可以破掉的,华人工程师在美国本土被防得很死,尤其是在核心技术上;而且EDA这个行业很烧钱,未来回报远远比不上互联网行业,其总的市场规模也就100亿美元,这个只能靠国家政策的大力扶持及企业的坚持不懈努力。

从策略上没必要一开始就以彻底取代为目的,建立一个独有的体系,可以从局部突破,把某一类工具做到极致,比如现在华大九天的模拟产品仿真工具就是一个很好的突破口,像Ansys那样,成为工艺厂的金标准,人家想踢你都踢不掉,客户不答应啊。

EDA及IP是两件事,都需要与芯片制造厂协同发展,各司其职,让专业的人做自己最擅长的事,避免恶性竞争,才是效率最高的策略。在EDA还没起步的时候,就先为现有的能在世界上排上号的IP公司和代工厂,促成IP联盟,然后再带动国内EDA业的发展。

2),半导体设备与材料

半导体设备与材料是十分困难的事,要全盘国产化从理论上几乎是不可能的。

业内有人建议建条非美系设备的生产线,相信集日本、中国台湾地区加韩国的设备能连通线,由于工艺与设备紧密相连,成本很高,花费时间,而且其中如果日系设备占比太多恐怕也不是长久之计。

从现状观察中国的芯片制造业可分两大类,一类为12英寸芯片生产线,以进口设备为主,国产化率在15%左右。此类设备现阶段的困难尚离不开原厂的技术支持,包括软件升级等,所以如同福建“晋华”那样,一旦受阻,几乎无还手之力。另一类是8英寸及以下生产线,设备主体以翻新的二手设备为主,国内支持能力强,采用翻新加国产设备配套是理想方案,它表示即便在美国重圧下,国内至少在130纳米的8英寸生产线仍能生存支持下去。

国内如青岛芯恩,它的策略更为奏效。芯恩采用自行翻新二手设备的方法,聘请日本、中国台湾地区,韩国等多位有经验的设备维护工程师,自已采购二手设备,自已进行翻新。同时大力培养国内年青的设备维护工程师。如果坚持此法数年,可以实现芯片生产线运行的自主可控,而且待条件成熟,依靠这批维护工程师为主力可以自行生产制造设备,显然要注意知识产权保护等。

培养优秀人材是重中之重的大事。

半导体设备中最为困难是光刻机,而光刻机攻关中最困难的可能是镜头,它由德国、日本垄断,所以镜头部分必须集国内力量攻关早日解决。

要早作准备

贸易战下把中国半导体业逼到绝路上来,显然在任何情况下不能放弃全球化,但是别无选择必须马上执行“备胎”计划,以上EDA工具及半导体设备与材料等是首当其冲。尽管实际上的困难是前所未有,但是要相信自已,世上无难事,只怕有心人。

美国打圧中国半导体业此次是铁了心,几乎想要斩草除根,因此千万不能存侥幸心理,要早作准备,从可能“最坏”的地方着手,予以足够的重视。

对于中国半导体业必须从产业层面,以及若干骨干企业方面,要从两个角度同时作出相应的对策。

要看到现时美国的强大是暂时的,从另一方面反映它可能是走向衰落时的挣扎,对于中国半导体业,它的最坏结果已经清楚,因此也没有什么可以担忧与害怕,相信只有奋力去一搏,实际上命运是掌握在自己手中,及早动手才有打胜此仗的希望。

注:文中引用蜀山熊猫 真视界的 部分内容,表示感谢!