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2月28日，浙江省举行扩大有效投资重大项目集中开工仪式，宁波分会场共有63个项目参与，其中包括中芯宁波特种工艺（晶圆-芯片）N2项目（以下简称“N2项目”）。

N2项目位于宁波市北仑区柴桥，项目用地面积192亩，建筑面积20万平方米，项目总投资39.9亿元，建设单位为中芯集成电路（宁波）有限公司，建设工期2019年-2021年，2019年计划投资5亿元，主体施工，将新建特种工艺芯片光刻、蚀刻、薄膜、扩散等无尘车间及动力设备等附属设施。

根据规划，N2项目建成后将形成年产33万片8英寸特种工艺芯片产能，同期开发高压模拟、射频前端、特种半导体技术制造和设计服务。

中芯宁波于2016年11月正式揭牌，由中芯晶圆（中芯国际全资投资基金）与宁波胜芯、华创投资等联合成立。2018年3月，中芯国际宣布其全资附属中芯控股向国家大基金出售其所持有的中芯宁波28.17%股权，股权转让完成后中芯控股所持中芯宁波的股权由66.76%减少至38.59%。目前国家大基金为中芯宁波的第二大股东，持股32.97%。

该公司将通过对相关知识产权和技术的收购、吸收、提升和发展，在高压模拟半导体以及包括射频与光电特色器件在内的模拟和特色工艺半导体技术领域，开发、建立新的核心器件及技术平台，以支持客户面向智能家电、工业与汽车电子、新一代射频通讯以及AR/VR/MR等专用系统应用的芯片设计、产品开发。

成立两年有余，中芯宁波现已取得了阶段性成果。2017年初，中芯宁波完成了对日银IMP全套高压模拟工艺及产品知识产权收购；2017年5月，中芯宁波首款600V BCD高压模拟工艺及产品5-8英寸转换成功，良率达到99%；2018年11月2日，中芯宁波N1项目正式投产。

今年1月，中芯宁波和宜确半导体联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组，封装尺寸仅为2.5×1.5×0.25立方毫米，是目前该领域内最紧凑的射频前端器件，可满足5G市场对于射频前端模组的微型化需求，首批产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产。

随着N2项目的开工建设，中芯宁波的特种工艺布局进一步加速，将助推器件供给国产化。

当前世界主要汽车强国纷纷开展智能汽车应用示范，国内外IT巨头纷纷布局车载计算，打通智能汽车上下游产业，汽车智能化发展趋势已成必然，智能计算平台成为竞争制高点。

在车联网、智能汽车等新技术大发展的背景下，以及汽车保有量上升、电子器件占比提升等因素作用，国内汽车电子市场规模正迅速增长。无论是汽车的安全系统、舒适系统，还是动力总成、车身控制系统，都离不开半导体技术。

汽车和电子制造业，作为重庆工业经济的两大支柱产业，经过几十年的发展，重庆汽车产业正以长安汽车为龙头，搭载东风小康、众泰、力帆等自主品牌，长安福特、上汽通用五菱、北京现代等合资品牌，以及上千家配套企业，一举成为国内四大汽车生产基地之一，支撑起“1+10+1000”的汽车产业集群。而如今汽车行业正在进行一场浩大的转型，新能源汽车的快速崛起，重庆作为电子和汽车发展的老牌工业城市，便是一座很好的试验田。而在这个试验田的背后，承载的是重整个汽车产业的发展。

GISE全球半导体展携手中国汽车工业协会联合主办2019半导体与智能化汽车技术革新论坛，就业界和社会普遍关心的“新能源汽车动力系统”和“汽车半导体的竞争格局和未来发展趋势”进行详细解读，配合国家半导体发展战略引导汽车企业做好未来技术路径规划。详细的剖析半导体产业同时，结合与汽车行业的融合属性，使汽车行业和半导体行业尤其是中国自主品牌得到长远发展。

电气与电子工程师协会（IEEE）主席周孟奇；中国汽车工业协会副秘书长姚杰； 中国科学院院士、中国科学院微电子研究所刘明；中国半导体行业协会副理事长于燮康；第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山；重庆大学微电子与通信工程学院副院长周喜川；华润微电子（重庆）有限公司总经理李虹等将作为发言嘉宾出席活动，为我们带来有关行业发展现状以及未来展望、技术发展与系统解决方案的专业演讲，预计300多位汽车领域人士将参与会议。

论坛邀请了全球知名的协会参加分享经验，参与者与观众能得到更多的知识与交流成果。且论坛名额非常有限，加大了观众与展商之间的零距离接触的机会，能够做到和行业大咖一对一的沟通，了解企业的个性化问题，为决策者提供个性化咨询方案和沟通解决方案。有助于各个企业之间彼此的全面细致的深入了解，为后期的战略合作选择最合适的伙伴。

本次论坛的宗旨为给行业内的大咖优质买家能有一个轻松的面对面的交流的机会，省去天南海北跑的麻烦的同时共同展望行业的未来发展趋势，旨在打造成为我国西南地区首个半导体汽车发展技术推广交流平台。

本次论坛将在2019年5月8日在重庆博览中心盛大开办

再次诚挚邀请您莅临论坛，共话产业未来！顺颂商祺！

在台积电宣布明年将进行5纳米制程试产、预计2020年量产的同时，国产设备亦传来好消息。日前上观新闻报道，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。

据了解，在晶圆制造众多环节中，薄膜沉积、光刻和刻蚀是三个核心环节，三种设备合计可占晶圆制造生产线设备投资总额的50%~70%，其中刻蚀技术高低直接决定了芯片制程的大小，并且在成本上仅次于光刻。而5纳米相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，方寸间近乎极限的操作对刻蚀机的控制精度提出超高要求。

虽然我国集成电路产业在设备领域整体落后，但刻蚀机方面已在国际取得一席之地，中微半导体成绩尤为突出。

中微半导体是中国大陆首屈一指的集成电路设备厂商，2004年由尹志尧博士与杜志游博士、倪图强博士、麦仕义博士等40多位半导体设备专家创办，主要深耕集成刻蚀机领域，研制出中国大陆第一台电介质刻蚀机。

目前，中微半导体的介质刻蚀设备、硅通孔刻蚀设备、MOCVD设备等均已成功进入海内外重要客户供应体系。截至2017年底，已有620多个中微半导体生产的刻蚀反应台运行在海内外39条先进生产线上。

在目前全球可量产的最先进晶圆制造7纳米生产线上，中微半导体是被验证合格、实现销售的全球五大刻蚀设备供应商之一，与泛林、应用材料、东京电子、日立4家美日企业为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。

作为台积电长期稳定的设备供应商，据悉中微半导体在台积电量产28纳米制程时两者就已开始合作并一直延续至如今，这次5纳米生产线将再次采用中微半导体的刻蚀设备，足见台积电对中微半导体技术的认可，可谓突破了“卡脖子”技术，让国产刻蚀机跻身国际第一梯队。

中微半导体首席专家、副总裁倪图强博士向媒体表示，刻蚀机曾是一些发达国家的出口管制产品，但近年来已在出口管制名单上消失，这说明如果中国突破了“卡脖子”技术，出口限制就会不复存在。

目前看来，台积电将于明年率先进入5纳米制程，中微半导体5纳米刻蚀机现已通过验证，预计可获得比7纳米生产线更大的市场份额。数据显示，第三季度中国大陆半导体设备销售额首次超越韩国，预计明年将成为全球最大半导体设备市场，中微半导体也有望迎来更大的发展。

但整体而言，大陆刻蚀设备国产化率仍非常低，存在巨大的成长空间，对于设备厂商来说，“革命尚未成功，同志仍需努力”。