耐威科技8英寸GaN外延材料项目投产

耐威科技8英寸GaN外延材料项目投产

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,公司控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件,于2019年9月10日正式投产。聚能晶源于同日举办了“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”。从入驻到项目建成投产,聚能晶源仅仅用了一年多的时间。

国家企业信用信息公示系统显示,聚能晶源成立于2018年6月,注册资本5000万元,由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业,其中耐威科技持股40%,青岛海丝民和持股24%,袁理持股20%,青岛民芯持股16%。主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发和生产。

根据耐威科技此前公告,聚能晶源预计本项目投资总额不少于约2亿元人民币:2018年年底前投资总额不低于5000万元人民币,2020年底前投资总额不低于1.5亿元人民币。未来产品线将覆盖功率与微波器件应用,打造世界级氮化镓(GaN)材料公司,项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓(GaN)外延片,以及面向微波器件应用的氮化镓(GaN)外延片等。

耐威科技指出,聚能晶源项目已投资5,200万元人民币,项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆,既可生产提供标准结构的GaN外延晶圆,也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆,项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开拓第三代半导体材料市场,同时有利于公司GaN功率与微波器件设计开发业务的发展,最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。据了解,聚能晶源项目已经被评为青岛市重点项目。

耐威科技董事长杨云春介绍,耐威科技自上市以来,积极在物联网产业领域进行布局,重点发展MEMS和GaN业务;其中在GaN领域,耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司,专注GaN外延材料的研发生长;在崂山投资设立了聚能创芯公司,专注GaN器件的开发设计。

尹志尧: 要加大半导体材料与设备投资力度

尹志尧: 要加大半导体材料与设备投资力度

近日,中微半导体设备(上海)有限公司董事长兼CEO尹志尧表示,全球半导体设备市场,在2013年到2018年增长了两倍,从318亿美金的市场变了621亿美金的市场。而我国的半导体设备市场,2013年规模是34亿美元,2018年为128亿美元,增长了4倍。中国半导体设备厂商迎来了新的发展机遇。

尹志尧认为人类工业的革命只有两代,一是从五六百年英国开始的手工劳动变成机械化的工业革命。二是上世纪五六十年代从美国硅谷开始的用电脑替代人脑的工业革命,现在已经不仅仅是电脑,而是用各种各样的微观器件代替人的脑子和人的一切感官。

而在这个过程中有三个基本要素:微观的材料就是化学薄膜、物理薄膜等。微观加工即光刻、等离子体刻蚀等。新能源及节能包括核能、太阳能、LED等。美国最近有一个预测,到明年数码时代的产值相当于全世界企业总产值的41%,预计到2035年可能数码产业的产值会超过传统工业的产值。在这样一个巨大的数码产业市场里,是被芯片产业支撑的,所以芯片产业非常重要。而在芯片产业中,半导体设备是起了非常核心的作用。在如果建一条生产线,投资设备的百分比是刻蚀设备占20%,最高占到25%,薄膜占15%,最高占到15%,检测设备最高占到13%。

全球半导体设备市场,在2013年到2018年增长了两倍,从318亿美金的市场变了621亿美金的市场。而我国的半导体设备市场,2013年规模是34亿美元,2018年为128亿美元,增长了4倍。国内半导体设备和材料的增长远远高于国际市场。

最近五年半导体产业发展呈现了一些新的趋势也对设备市场带来了新的挑战和机会,比如存储器件从2D 到3D 结构的转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤,3D 闪存器件从64对到128对氧化硅/氮化硅层状结构,需要CVD多层沉积和极深宽比等离子体刻蚀,这样给CVD薄膜设备提供了新的机会,因为原来是两维的,光刻完了薄膜刻,3:1:1的次序,现在做非常深孔,现在要刻一个小时,很自然的薄膜市场就会涨得很快。5纳米器件总加工步骤是20纳米器件加工的2倍,等离子体刻蚀步骤是3倍。

尹志尧对中国发展半导体设备材料的产业发展提出了五点建议:一是我国在芯片生产线的投资和在设备和材料的投资严重的不对称。建议芯片生产线投资,芯片设计、应用公司、设备材料的投资要达到60:20:20 的比例,而不是设备和材料投资不到芯片生产线投资的二十分之一。

二是资金的投入,必须在股本金、长期低息贷款和研发资助上有合理的搭配。目前几乎全部是股本金的资本结构是很不健康的。最好的搭配是40%股本金,40%低息贷款,20%的研发资助。国内公司靠自己的销售支撑的研发费用,是很难迎头赶上的。

三是在我国的设备和材料公司一定要尽快的合并集中,统一步调,提高管理水平,提高研发能力,实现赶超和跨越发展。

四是集成电路和泛半导体产业链上的每一个环节和公司都要主动地推动本土化的进程,制定本土化率的指标,尽快的协助上下游企业提供本土化的解决方案。

五是愿意和国内设备和材料公司合作的国际设备材料公司,我们应该采取欢迎的态度,通过各种合作方式,包括代理,合作,合资,并购等方式,帮助他们本土化,使他们能积极参与我国集成电路产业链的发展。

耐威科技:聚能晶源8英寸GaN外延材料项目投产

耐威科技:聚能晶源8英寸GaN外延材料项目投产

9月10日,聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区公司厂区举行。据天眼查显示,耐威科技持有公司40%股份,耐威科技董事长杨云春也是聚能晶源董事长。

耐威科技业务板块有三,分别是MEMS、导航、航空电子,另外,公司也在布局第三代半导体、无人系统等潜力业务。而此次投产的聚能晶源,就是公司布局的第三代半导体业务。

杨云春现场表示,耐威科技自上市以来,积极在物联网产业领域进行布局,重点发展MEMS和GaN业务;其中在GaN领域,耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司,专注GaN外延材料的研发生长;在崂山投资设立了聚能创芯公司,专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产,聚能晶源仅仅用了一年多的时间。

杨云春称,耐威科技希望能以此为契机,积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇,在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心,继续为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。

盛世投资管理合伙人刘新玉介绍,第三代半导体材料具备独特性能,在半导体产业的国产替代进程中具有重要的战略意义,作为股东与战略合作伙伴,很高兴见到耐威科技在青岛即墨投资落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料项目能够迅速建成投产,希望该项目今后能够为产业发展、为地区经济发展做出贡献。

聚能晶源总经理袁理博士正式发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品,并对项目及产品做了相关介绍。

聚能晶源此次发布的相关产品包括8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆,可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求,为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。

聚能晶源项目掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域,产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时,聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域,开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外,聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线,满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是,聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性,根据标准TDDB测试方法,其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方小时,处于国际业界领先水平。

兴业证券一名通信行业分析师告诉证券时报.e公司,作为第三代半导体材料,与前两代相比,氮化镓具有诸多优势,应用前景较广。

聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月,是由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业。项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆。

“合肥造”高端硅零部件将填补国内空白

“合肥造”高端硅零部件将填补国内空白

2018世界制造业大会期间,合盟精密工业(合肥)有限公司集成电路配套产业园建设项目落户合肥经开区,为合肥“中国IC之都”再添新引擎。如今项目生产的半导体硅材加工制品已进入样品试制阶段,将填补国内高端硅零部件产品方面的空白。

走进合肥经开区集成电路产业园,一派如火如荼的建设景象映入眼帘。在合盟精密明亮整洁的生产车间内,硅原材料初始加工后,经过钻孔、抛光、清洗等一系列工艺流程,进入包装出货环节。“比如清洗等步骤要在无尘的洁净室内完成,对温度和湿度有着较高的要求。”合盟精密工业(合肥)有限公司总经理郑人豪告诉记者,相对于一般的自动化工厂,这里除了一流的高端机器设备,更离不开工程师的“匠人工艺”。

在半导体制程中,蚀刻是一道重要工序,硅环和硅片则是其中的关键部件。“目前国内高端硅零部件主要依赖进口,随着项目的落地推进,我们将填补这方面的空白。”郑人豪表示,合肥地理位置优越,交通四通八达,更重要的是近年来集成电路产业加速崛起,未来发展空间和潜力巨大。“在合肥,我们不只是新设基地,未来将深耕于此,就近服务客户并辐射全国。”

合盟精密由台湾半导体知名企业汉民科技与日本芝技研株式会社合资成立,后期世界500强企业——日本三菱材料也计划参与投资。项目总投资3000万美元,主要从事硅环和硅片的生产和制造,为全球第二大半导体设备公司日本东京电子配套。

“自签约以来,项目进展良好,其中一期占地2000平方米,目前处在样品试制验证阶段,计划今年四季度试生产。”汉民科技(上海)有限公司项目经理谢志坤说,根据规划,2022年项目产值将达到2亿元,生产的硅材料可满足一半国内市场的供货需求。

“该项目投产后,预计年内合肥半导体制造企业有望用上‘合肥造’的硅零部件。”在合肥经开区招商局副局长孙鸿飞看来,合盟精密落户合肥经开区,对全国半导体产业链是一个补链、强链的过程。近年来,我市持续完善“合肥芯”“合肥产”“合肥用”产业链条,其中,合肥经开区围绕存储芯片打造集成电路产业生态系统,已汇聚兆易创新、通富微电、韩国美科、康佳半导体等20余家知名企业集聚发展,助力合肥朝着“中国IC之都”阔步迈进。

替代日本半导体材料,三星已经行动

替代日本半导体材料,三星已经行动

韩国三星电子开始在量产半导体的生产线上使用韩国产氟化氢一事9月4日浮出水面。自日本政府7月加强3种半导体材料的出口管理以后,三星一直在反复测试日本以外的替代品。有分析认为将在一部分量产线上试用,确认是否存在问题。

据《日本经济新闻》网站9月5日报道,三星电子相关人士9月4日承认,“作为推进供给来源多元化的一环,正在一部分生产线上推进非日本造(氟化氢)的测试”。

行业相关人士透露,三星自8月下旬起,开始在一条生产线上使用韩国企业供应的氟化氢。氟化氢被用于晶圆的清洗等,三星将首先在对品质影响较小的工序上采用非日本造氟化氢。

据报道,此次投入量产线的是从中国进口、由韩国企业加工的氟化氢。不过,三星没有透露企业名等详细情况。SK海力士也在评估非日本造产品能否用于量产线。

报道介绍,韩国氟化氢的最大进口来源地是中国,但如果仅限于用于生产半导体的超高纯度产品,日本的Stella Chemifa和森田化学工业几乎掌握九成份额。日本企业从中国进口原料,在日本的工厂提高纯度之后向韩国出口。

另据台湾《经济日报》9月6日报道,三星主管表示:“除了从日本进口外,我们也试用国内供应商制造的氟化氢,开始用于生产流程……我们会持续分散采购来源,以防供应链受政治议题影响。”

报道称,半导体产品是韩国大宗出口商品,占出口比重约20%,为预防日本切断这些原料供应重创电子产业和国内经济,韩国科技企业已加快脚步改用国内自产的关键零件和材料。韩国上周提出预算案,明年研发预算提高17.3%,增幅破纪录,为的正是强化国内零件与材料产业竞争力。

此外,据韩联社报道,全球第二大显示器面板制造商LG显示器公司已开始采用韩国国产的蚀刻气体,SK海力士也正在测试以国内制品取代日本进口货。

据报道,三星电子9月4日在日本东京举行的2019年“三星晶圆代工论坛”上,向在场日本厂商展示三星的极紫外线(EUV)微影光刻技术,这在记忆体除外的半导体领域堪称最尖端技术。三星电子是韩国唯一具有EUV量产系统的公司。

三星电子在生产线上试用韩国企业加工的氟化氢

三星电子在生产线上试用韩国企业加工的氟化氢

9月5日消息,据国外媒体报道,三星电子开始在半导体生产线上试用韩国企业加工的氟化氢。

知情人士称,自8月下旬起,三星电子开始在一条生产线上使用韩国企业供应的氟化氢。氟化氢被用于晶圆的清洗等方面。

此次投入量产线的是从中国进口、由韩国企业加工的氟化氢。

在高纯度的氟化氢市场,日本厂商大约占据8至9成份额。三星电子对于是否全面采用日本造以外的氟化氢仍持谨慎态度。

今年7月,就有外媒报道三星电子在半导体工厂试验新材料的生产线上,开始投入日本以外厂商的氟化氢进行试验,这些产品被认为来自中国大陆、中国台湾和韩国厂商。

上月,外媒还报道,三星电子正在从总部位于比利时的公司采购用于制造半导体芯片的化学材料,以替代日本厂商。外媒未披露公司名称,但有分析认为,该公司应该是日本化学企业JSR和比利时研究机构IMEC2016年设立的合资公司EUV Resist。

中环股份上半年净利大增超5成 新品硅片陷尺寸之争

中环股份上半年净利大增超5成 新品硅片陷尺寸之争

近日,中环股份披露2019年半年度报告,报告期内实现营业总收入79.42亿元,较上年同期增长22.91%;归属于上市公司股东的净利润4.52亿元,较上年同期增长50.69%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3.54亿元,同比增加58.57%;经营性现金流量净额8.52亿元,较上年同期增长57.67%;报告期末总资产为450.6亿元,较期初增长5.53%;归属于上市公司股东的净资产为136.96亿元,较期初增长2.78%,资产负债率61.63%,同比上升5.99%。

营收持续增长 毛利率下跌

中环股份主要产品包括半导体材料、半导体器件、新能源材料、新材料的制造及销售;其主营业务围绕硅材料展开,专注单晶硅的研发和生产,以单晶硅为起点和基础,定位战略新兴产业,朝着纵深化、延展化方向发展。纵向在半导体制造和新能源制造领域延伸,形成半导体板块,包括半导体材料、半导体器件、半导体封装;新能源板块,包括太阳能硅片、太阳能电池片、太阳能组件。横向在强关联的其他领域扩展,围绕“绿色低碳、可持续发展”,形成光伏发电板块,包括地面集中式光伏电站、分布式光伏电站。

报告期内,中环股份实现营业总收入79.42亿元,分行业看,新能源行业实现营业收入72.74亿元,在公司总营收中占比91.6%,同比增长23.22%;半导体行业实现营业收入5.84亿元,在公司总营收中占比7.35%,同比增长19.39%;服务行业和其他占比较小,合计实现营收0.84亿元,占比1.05%。

新能源行业贡献了中环股份的绝大部分营收,其经营情况直接决定了中环股份整体的业绩。其在中环股份财报中按产品分为两类,第一类是占据绝对规模的新能源材料,第二类是电力,也就是太阳能发电。

2019年上半年,新能源材料录得营收70.06亿元,占营收比重88.21%,同比增加21.62%,带动中环股份整体营收同比大涨22.91%;电力录得营收2.69亿元,同比大幅增长87.73%。

数据来源:2019年半年度报告

不过营收增加的情况下,除半导体行业毛利率同比微增0.98%外,分行业其他业务毛利率同比全部下跌,其中新能源行业毛利率同比下跌2.78%,服务行业毛利率同比下跌8.65%,其他毛利率同比下跌20.69%。整体来看,中环股份报告期销售毛利率同比下跌2.56%。

新品硅片陷尺寸之争

值得注意的是,中环股份在新能源行业和半导体行业依然动作频频,不断在进行投入,扩大产能。

新能源行业,中环股份称“全球光伏行业即将进入平价上网时代,落后产能将被淘汰,全球新能源材料优质产能供给紧缺,资源进一步向拥有先进产能的企业集中”,公司重点在内蒙古地区扩张光伏材料产能,四期及四期改造项目已全部达产,2019年上半年太阳能级单晶硅材料年产能合计达到30GW,月产破万吨。中环协鑫五期项目已在内蒙古顺利开工建设,产能将达到25GW。五期项目预计2020年开始投产,2021年完全达产,届时其光伏硅片产能有望实现翻倍增长。  

半导体产业,中环股份天津工厂8英寸硅片扩产项目已实现设计产能;12寸试验线项目于2019年2月产出,并持续进行研发工作;宜兴工厂预计下半年1条8英寸产线投产,12英寸项目预计2019年第四季度实现设备搬入,2020年第一季度开始投产,按项目设计进度持续推进。

尤其值得关注的是中环股份新推出的12英寸硅片系列产品,中环股份称其为“夸父”。

8月16日,中环股份在天津召开新品发布会,推出了12英寸超大硅片“夸父”M12系列产品。此次发布的新产品M12为12英寸超大钻石线切割太阳能单晶硅正方片,边长为210mm,对角为295mm,表面积相比M2硅片提升了80.5%。新品发布会上,中环股份董事长沈浩平表示:“‘夸父’的发布将更大幅度的降低光伏电站的BOS(初始投资成本)和LCOE(平准化度电成本),在助力制造企业获得更高收益同时,也使更多地区的平价和竞价项目顺利实施,有效推动全球光伏市场进一步发展。”

中环股份相关资料显示,同样的144半片(72块切半)组件,电池按22.25%计算,M12(硅片边长210mm)P型PERC60片半片组件较M2(硅片边长156.75mm,直径210mm)72片半片组件功率高出200W,组件转换效率高0.91%,达到20%以上,叠加高效电池,功率可突破610W。新产品预计降低BOS(初始投资成本)0.4元/W以上,度电成本降低6.8%,有效推动全球光伏平价市场发展。

但是,与中环股份同样是国内单晶龙头的隆基股份,却在8月5日宣布主推166mm大硅片,并称之“大有所为、大势所趋”。隆基股份总裁李振国指出,不同的硅片规格标准,会导致整个供应链上所用的加工夹具,甚至运输标准都不统一。“如果每一个厂家在尺寸的定义上不一致,会制约行业的健康发展。”李振国称。因此,隆基股份提倡并推出新一代更优化的166mm硅片。

虽然大硅片是光伏行业的发展趋势,中环股份的“夸父”在技术能带来更低的BOS(初始投资成本),更低的度电成本,但正如相关媒体报道:在业内看来,目前210mm硅片仅仅停留在概念端,在电池、组件和电站终端都面临着重要挑战。首先,光伏制造设备厂商没有210mm尺寸的现成解决方案,量产会受限;其次,电池端的碎片和良率也是问题,基本不可能支持薄片化趋势;第三,基于210mm硅片的组件,重量大幅提升,可能拉升项目安装成本;第四,电站组件尺寸过大也会增加机械载荷和隐裂风险。

双龙头的尺寸之争,究竟是中环股份的“夸父”一鸣惊人,还是隆基股份的166mm硅片更胜一筹,还需时间与市场给出答案。

投资60亿元 中科北方鞍山12英寸芯片基底材料项目已开工

投资60亿元 中科北方鞍山12英寸芯片基底材料项目已开工

据鞍山日报报道,近日,总投资60亿元的中科北方芯片基底材料项目已经奠基开工。此外,中科北方鞍山项目指挥部和辽宁科兴半导体科技有限公司也已经揭牌,吹响了中科北方全面进军鞍山的号角。

鞍山日报指出,这是20多年来,在鞍山高新区落地投资规模最大、采用水平最高、技术创新能力最强的一个高新技术项目。

资料显示,中科北方投资发展有限公司此前在鞍山高新区注册了辽宁科兴半导体科技有限公司,注册资本30亿元,拟建设芯片基底材料(SOI)基地项目。

据了解,该项目预计总投资60亿元,征地9.4万平方米。建设年产12寸芯片基底材料(SOI)100万片,预计年销售收入60亿元。项目分两期建设,项目一期投资30亿元,建设年产12寸芯片基底材料(SOI)50万片。建筑面积3.5万平方米,其中洁净厂房3000平方米、研发办公楼5000平方米。

氮化镓市场风口来临 国内哪些企业在布局?

氮化镓市场风口来临 国内哪些企业在布局?

日前,华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野,引起业界重点关注。

事实上,随着半导体技术不断进步,对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高,传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求,碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能,早已成为当前世界各国竞相布局的焦点,我国在加速发展集成电路产业的同时,把发展第三代半导体技术列入国家战略。

如今5G时代到来,将推动半导体材料实现革命性变化。其中,氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域,其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临,我国目前有哪些企业在布局?下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。

GaN衬底企业

· 东莞市中稼半导体科技有限公司

东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京有大型研发中心,为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。

官网显示,中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。2018年2月,中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

· 东莞市中晶半导体科技有限公司

东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年,是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并进行全球产业布局。

· 苏州纳维科技有限公司

苏州纳维科技有限公司成立于2007年,致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。

据官网介绍,目前纳维科技GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用,正在提升产能向企业应用市场发展,重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。

· 镓特半导体科技(上海)有限公司

镓特半导体科技(上海)有限公司成立于2015年4月,主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长,以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备,并用以生长高质量的氮化镓衬底。

官网显示,借助自主研发的HVPE设备,镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示,未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地,以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用,并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。

GaN外延片企业

· 苏州晶湛半导体有限公司

苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发和产业化。2013年8月,晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片;2014年底,晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。

官网介绍称,截至目前,晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模,其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。

· 聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司

聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月,专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场,聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。

2018年12月,聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

· 北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月,经过多年发展,世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。

在碳化硅领域,世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通,氮化镓方面,官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。

· 聚力成半导体(重庆)有限公司

聚力成半导体(重庆)有限公司成立于2018年9月,是重庆捷舜科技有限公司在大足区设立的公司。2018年9月,重庆大足区政府与重庆捷舜科技有限公司签约,拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。

2018年11月,聚力成半导体(重庆)有限公司举行奠基仪式,项目正式开工。该项目占地500亩,计划投资50亿元,将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日,该项目一期厂房正式启用,预计将于今年10月开始外延片的量产。

GaN制造企业

· 成都海威华芯科技有限公司

成都海威华芯科技有限公司成立于2010年,是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解,海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建,2015年1月,海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权,并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东,从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示,海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺,发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

· 厦门市三安集成电路有限公司

厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年,是LED芯片制造公司三安光电下属子公司,基于氮化镓和砷化镓技术经营业务,是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂,服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场,具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。

三安集成项目总规划用地281 亩,总投资额30亿元,规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示,三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线,在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

· 华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业,亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业,其聚焦于模拟与功率半导体等领域,业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件,目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家,为国内拥有完整半导体产业链的企业。

2017年12月,华润微电子完成对中航(重庆)微电子有限公司(后更名为“华润微电子(重庆)有限公司”)的收购,重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产,并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线,具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。

· 杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年,专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造,2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线,现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体(IDM)企业。

近年来,士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年,士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月,士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工,其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元,定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企业

· 苏州能讯高能半导体公司

苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年,致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化,为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术,目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓(GaN)电子器件工厂,厂区占地55亩,累计投资10亿元。

· 江苏能华微电子科技发展有限公司

江苏能华微电子科技发展有限公司成立于2010年6月,是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。

能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年,能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。

· 英诺赛科(珠海)科技有限公司

英诺赛科(珠海)科技有限公司成立于2015年12月,该公司采用IDM 全产业链模式,致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月,英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产,成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线,主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。

2018年6月,总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工,今年8月30日项目主厂房封顶,预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品,将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

· 大连芯冠科技有限公司

大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月,该公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

官网介绍称,芯冠科技已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月,芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。

· 江苏华功半导体有限公司

江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月,注册资本为2亿元人民币,一期投入10亿元人民币。官网介绍称,目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。

根据官网显示,华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品,并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造,提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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新需求助推 国内半导体企业“磨刀霍霍”

新需求助推 国内半导体企业“磨刀霍霍”

在日前召开的“第二届全球IC企业家大会暨第十七届中国国际半导体博览会”(IC China2019)上,多位业界专家认为,在技术持续进步的驱动下以及5G、智能网联汽车、人工智能(AI)等潜在市场海量需求的带动下,预计全球半导体市场的高景气度仍将持续。

记者另注意到,紫光集团、中芯国际、长电科技、华天科技、博通集成等国内知名企业纷纷亮相同期展会。在业内人士看来,在细分和新兴技术领域,国内一些半导体企业已经具有了与国际领先争锋的能力,但产业链整体尤其是在上游的设备材料领域仍需努力。

技术和需求助推半导体高景气度

半导体行业是宏观经济的晴雨表,在维持近10年的高景气度后,半导体产业未来将会是怎样的发展趋势?

在本次大会上,中国半导体行业协会理事长周子学、工信部电子信息司司长乔跃山等认为,随着科学技术的不断进步,且在5G、智能网联汽车、人工智能等新兴应用的带动下,全球集成电路(IC)产业的市场需求仍将不断增长,而作为全球最大半导体市场的中国,未来发展潜力依旧可期。

美国半导体行业协会轮值主席、美光科技公司总裁兼CEO Sanjay Mehrotra(桑杰·梅赫罗特拉)则以交通领域为例,介绍了自动导航系统如何实现道路更安全、无人驾驶有望降低20%交通事故死亡率等案例,而借助半导体技术,上述愿景有望在20年内实现。此外,知名企业美光也希望通过半导体技术找到针对癌症的解决方案,造福人类。

多位国内外半导体公司人士也在本次大会上指出,中国半导体销量已占全球的三分之一,高速增长的中国市场已成为全球集成电路产业发展的主要动力之一。

对于中国半导体产业下一步发展,工信部电子信息司司长乔跃山在致辞中提出四点建议:一是坚持提升创新能力,推动产业高质量发展;二是坚持激发市场活力,推动产业融合发展;三是坚持完善产业链建设,全面提升产业综合竞争力;四是坚持优化营商环境,构建良好产业发展秩序,对各类所有制企业一视同仁。

中科院院士、复旦大学校长许宁生则建议,未来可集聚全产业链的力量,构建开放的共性技术研发平台,由此培育出符合产业与市场发展规律的创新能力。

事实上,上海已走在了IC“共性平台”建设的前列。上海市副市长许昆林在本次大会上介绍,上海去年启动建设集成电路设计产业园,今年启动建设智能传感器产业园,并正在筹备建设集成电路装备材料产业园。同时,上海还在积极推进国家集成电路创新中心、国家智能传感器创新中心建设。

国内企业各显神通

记者注意到,在本次大会同期的展会上,紫光集团(包括旗下长江存储、紫光展锐)、中芯国际、长电科技、华天科技、博通集成等国内知名企业均到场出席,多家公司的掌门人也在此期间发表了主题演讲。

“5G是人类历史上最野心勃勃的网络连接计划,AI则是人类历史上最野心勃勃的科技革命。未来的科技浪潮中,5G和AI是智能互联时代的关键,相辅相成,缺一不可。”紫光展锐CEO楚庆介绍,面对着市场广阔的发展前景,紫光展锐已对外推出了虎贲T710和春藤510芯片。

同样,在ETC这一新兴应用领域,博通集成已经迅速崛起。“中国ETC推广速度不断加快,到今年底用户有可能超过1.8亿,甚至2亿。”博通集成董事长兼总经理张鹏飞预测。

张鹏飞在演讲中介绍,博通集成在ETC领域有完整的芯片产品平台,ETC设备所需要的所有功能,公司都有芯片支持,包括微波收发器、非接触读卡芯片、EMS的商密和国密加密芯片,博通集成提供对应的芯片产品及ETC常规方案,以及完全集成的芯片OBU。

为了迎接即将开启的汽车前装市场,张鹏飞表示,博通集成已经对平台所有产品完成了符合车规的升级。记者了解到,按照交通部规划,明年7月1日起所有ETC设备从现有的后装市场转成前装市场,即所有新车都要预装ETC设备。

在业内人士看来,在细分市场和新兴技术领域,国内诸多半导体企业已经具有了与国际领先争锋的能力,但产业链整体尤其是在上游的设备材料、存储等领域尚需继续努力。

而为加快国产存储追赶步伐,紫光集团旗下的长江存储在本次大会前夕发布了中国首款64层3D NAND闪存。据长江存储介绍,其64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。