发生了什么?这次,日韩半导体厂商来中国寻求“突围”

发生了什么?这次,日韩半导体厂商来中国寻求“突围”

据韩国KBS新闻8月12日报道,韩国政府决定将日本从本国“白名单”中清出,将于9月生效。新加坡媒体报道称,日韩半导体爆发贸易纠纷,韩国半导体制造商开始在中国寻求替代厂家,日本相关原料生产商也计划在中国设厂,满足韩国厂商需求。

新加坡《联合早报》网站8月12日报道,自从7月1日日本宣布对韩国加强显示面板和半导体芯片所需的关键材料的出口管制后,韩国芯片制造商正在寻找积极应对方案,部分日本供应商也在想办法规避管制。

以高纯度氟化氢为例,该原料在半导体的生产过程中至关重要,其主要是用来切割半导体基板。而在半导体产品制程的600多道程序中,使用氟化氢的次数可能多达10多次。

报道称,专门以生产高纯度氟化氢等原料为主的日本森田化学担心营收受出口管制影响。公司社长森田康夫指出,公司2018财年向韩国出口的高纯度氟化氢贡献了30%以上的营收,而韩国有约60%的高纯度氟化氢来自于日企。

他担心,此次日韩贸易冲突或导致日企在韩国市场的份额有所下降。鉴于此,森田化学宣布不排除将在2019年内,在设在中国的工厂启动高纯度氟化氢生产。

事实上,森田化学在看到中国半导体生产崛起之后,便在两年前开始规划在中国生产的计划。

报道介绍,森田康夫透露,自己早前看到半导体生产将从韩国转移至中国的趋势,因此在两年前开始推进在浙江设合资厂的计划。此次日韩冲突后,将趁机在中国工厂启动高纯度氟化氢生产,今后可从中国向韩国供货。

韩国9月起把日本移出“白名单”

韩国9月起把日本移出“白名单”

综合日媒报道,韩国政府决定,自9月起,把日本从现有的29个出口管理优惠国名单中移除,列入新增的第三类出口国。日本外务省干部表示,“我们将在确认韩方采取本次措施的理由,及具体内容等详细情况之后,再决定如何应对。”

日本外务省的另一位干部指出,“我们认为,韩国的这一措施不会立刻给日本造成严重影响,目前需要静观其变”,以此表示,将对今后的状况做出冷静的判断。

据报道,韩国取消日本出口优惠国待遇的决定,是韩国产业通商资源部部长成允模,于当地时间12日下午2时举行记者会时公布的。成允模表示,对日出口将采取更加严格的审批标准。鉴于此,韩国对日出口时的审查文件将有所增加,审批时间也将有所延长。

8月2日,日本决定,将韩国从可享受出口管理优惠待遇的“白名单国家”移出后,韩国也开始研究加强出口管理体制。

关于此次移除日本的背景,成允模表示:“对于那些不遵守出口管理体制基本原则的制度运作、或者持续发生不正当运作情况的国家,我们很难密切开展合作。有鉴于此,需要对制度进行调整。”成允模还透露,计划在之后的20天内征集国内的公众意见,从9月份开始实施新的制度。

在此之上,成允模还表示:“在征求公众意见期间,如果日本要求进行磋商,我们随时随地做好应对磋商的准备。”

不过,韩国《中央日报》也表示,韩国把日本剔除出口白色清单,能否给日本带来冲击还是未知数。由于钢铁、金属、尖端科技材料等战略性物资,韩国对日本出口的比率微乎其微,韩国严管对日出口,反会给韩国企业带来更大打击。

意料之中!日韩贸易战反转走势解读

意料之中!日韩贸易战反转走势解读

近期,全球存储器产业因为日韩贸易战的原因,市场上出现了关于价格走势的不同声音。

起因是,日本经济产业省在7月1日突然宣布,将限制对韩国出口用于OLED和半导体产业的三种关键材料,包括“氟聚酰亚胺”“光刻胶”“高纯度氟化氢”等。另外,日本政府着手将韩国从“白色国家”清单中删除,这意味着将取消韩方进口日本产品所获优待。

随后,韩国方面除了积极斡旋之外,也在准备反击。韩国产业通商资源部修订产略物资出口分类,在原本的出口优待国“A地区”和“B地区”基础上增加“C地区”,并计划将日本列入“C地区”。

此外,韩国政府还宣布,今后7年将投入7.8万亿韩元(约合64.7亿美元)用于研发工业材料、零部件和设备,以降低对日本进口产品的依赖。

一时间,双方剑拔弩张,贸易气氛紧张。

抛开两国之间政治和历史遗留问题不论,如果日本真就三种材料的出口做出严格限制,那么作为存储器产品生产大国的韩国,势必受到影响,三星、SK海力士存储器产品的产能稳定性将面临考验。

鉴于此,不少产业链厂商和产业人士对全球存储器产品能否稳定供应表示担忧,甚至有媒体借机渲染全球存储器产品价格将会出现暴涨。

最新的消息显示,日本并没有像之前一样对韩国保持施压状态,其新版的《出口贸易管理令》施行细则,也没有针对韩国新增“个别许可”品类。

此外,据韩联社报道,韩国国务总理李洛渊8月8日透露,日本7日批准了日企提出的向韩国出口光刻胶的“个别许可”,这是日本对韩采取限贸措施以来,时隔34天,首次对受限货品给予出口许可。

众所周知,存储器产品具有很强期货属性,其价格随着全球供求关系的不断变化而变化。此次日韩贸易摩擦虽未对大宗的存储器合约价价格走势造成反转性的改变,但体量较小的现货市场出现波动的情况还是比较明显。

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韩媒:三星拟替换所有日产半导体材料防患于未然

韩媒:三星拟替换所有日产半导体材料防患于未然

据韩媒援引业界6日消息称,随着日本出口管制对半导体生产造成影响的可能性不断增大,三星计划在生产过程中,将220余种日本原材料和化学药品全部替换为本国产品或其他国家产品,不再使用日本生产的材料,以防患于未然。

报道称,三星已成立旨在推进这一计划的特别工作组(TF),特别工作组将与生产半导体制造材料的国内外企业进行接触,对其他企业生产的产品品质等进行综合评估。

三星半导体合作公司相关人士表示,三星电子目前正与多家半导体原材料生产企业进行联系,对这些公司的产品能否替代日产材料展开调查。目前,三星与部分半导体企业的协商已取得一定进展,部分产品已进入实际生产线测试阶段。

报道指出,三星对替换产品的把控十分严格。有消息称 ,曾有欧美地区的材料企业提出“从日本进口原料,在韩国加工后向三星供应”的建议,以提高生产效率。但三星表明了不使用日本产品的原则,拒绝此项提议。

还有消息称,三星电子副会长李在镕在日本实施出口管制后,为确保获得原材料立即前往日本,但日方甚至阻断了日本半导体材料经由第三国进入韩国的路径,这样强硬态度也使其最终下决心替换所有日本产品。

分析称,虽然在寻找替代材料的过程中,三星可能会出现生产量减少等短期损失,但从保证生产线稳定等长远观点来看,这一决断或更有利于三星未来发展。

全球半导体业界预测,三星等韩国半导体制造企业更换材料的作业短则需要6个月,长则需要1年以上的时间。即使找到新的材料,仍需要一定时间确保生产线稳定,相关企业将在这一时间内承受生产量减少等损失。

三星电子相关人士表示,自日本实施对韩出口管制以来,三星从多方面推进材料进口路线的多元化,但具体的范围和阶段还不便透露,目前替换工作最终在何时结束还难以确定。

日韩贸易战升温,三星与海力士相关原料库存恐仅剩1.5个月

日韩贸易战升温,三星与海力士相关原料库存恐仅剩1.5个月

根据韩国媒体报导,自7月初日本宣布半导体材料管制出口韩国,韩国主要半导体厂商至今已一个月未能从日本进口高纯度氟化氢及光阻剂等材料。市场预计,韩国三星电子与SK海力士原料库存仅能维持2.5个月,目前剩下1.5个月库存,日本对韩国原料管制出口措施影响力,预计将在第3季末开始发酵。

由于日本对韩国的外销审查已实施一个月,韩国业界推测,SK海力士剩下的高纯度氟化氢与光阻剂库存只剩下1.5个月分量,三星电子的情况也大致相同,虽然三星电子副会长李在熔曾于7月中旬访日,当时传出已取得相关原料供应管道。不过,如今库存仍不足,显见当时并未顺利解决原料取得问题。

尽管如此艰难,韩国半导体制造公司也仍在寻求其他国家相关原料进口,不过,寻找另外供应商还要一些时间,即便找到合适的外部供应商,半导体公司还要测试这些原料,并花时间转换生产线。这对半导体行业影响极巨大。

《科技新报》日前曾独家报导,这次日本控管3项高科技原物料出口韩国,并非完全针对韩国的经济制裁,而是日本政府担心,这些原物料有可能非法出口到朝鲜或伊朗受管制的国家或地区,因此要求严格控管查核申报的内容。此前的审核流程是一次查核后就可多次进口产品,如今每次进口都要查核,三星也证实的确没有受日本政府刁难进口原料。并非日本禁止这些原物料出口韩国,而是查核时间拉长,导致出口时间延后。

不过8月2日,日本宣布将韩国踢出简化出口手续的白名单,为了应对日本,韩国也将日本移出白名单,贸易战开始升温。日本会不会因此收紧控管出口韩国,目前不得而知。

目前日本每批原物料出口查核时间约45天,以日本政府自7月初开始严格控管出口韩国计算,预计8月中若第一批产品可出口,则状况就能解决。反之,韩国半导体生产恐将面临压力。

即使最坏的情况下,也就是日本最后决定禁止相关原物料出口韩国,存储器厂商部分也还有海外工厂生产可解套,如三星在中国有西安存储器厂,SK海力士在无锡也有存储器生产线,海外工厂都有办法生产存储器以满足市场的需求。

就晶圆代工方面来说,用于7纳米以下EUV制程的光阻剂遭日本管制,未来发展先进制程就会遭遇困难。因此,日韩双方贸易问题要如何解决,还有待后续观察。

江丰电子停牌筹划重组拟收购溅射靶材同行

江丰电子停牌筹划重组拟收购溅射靶材同行

8月5日晚间,江丰电子发布公告称,公司正在筹划发行股份及支付现金购买Silverac Stella(Cayman)Limited(下称“标的公司”)100%股权。本次交易预计构成重大资产重组,亦构成关联交易。

据披露,上述标的公司间接持有Soleras Advanced Coatings等三家经营实体100%的股权,主要从事磁控溅射镀膜靶材及镀膜设备的研发、生产、销售、升级和维护。宁波共创联盈股权投资基金(有限合伙)是标的公司的唯一股东。

证券时报·e公司记者登录Soleras Advanced Coatings官网了解,公司致力于在改善镀膜设备生产率,提高膜层性能等方面为客户提供独一无二的产品和相关配套服务,并且专注于旋转溅镀技术的大面积镀膜应用;已在多个行业提供创新可靠的设备和材料解决方案,其中包括:节能Low-E玻璃、电致变色玻璃、先进触摸屏玻璃、薄膜光伏面板、光学卷绕工具镀膜和薄膜电池。其由贝卡尔特(江阴)镀膜工业有限公司和梭莱有限公司合并成立于2012年。

本次公司拟采用发行股份与支付现金相结合的方式购买共创联盈持有的标的公司股份,预计在不超过10个交易日的时间内披露本次交易方案,即在8月19日前披露相关信息。

江丰电子自成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务,主要产品为各种高纯溅射靶材,包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等,这些产品主要应用于半导体(主要为超大规模集成电路领域)、平板显示、太阳能(3.040, 0.00, 0.00%)等领域。超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一,目前,公司的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界著名半导体厂商的先端制造工艺,在7纳米技术节点实现批量供货。

今年6月28日,公司还与武汉临空港经济技术开发区管理委员会签订了《战略合作框架协议》,拟约定公司未来在临空港经济开发区设立公司以及投资建设高世代平板显示产业用溅射靶材及设备关键零部件研发及产业化项目。公司认为,如合作签订并履行正式协议,在临空港经济开发区投资建设高世代平板显示产业用溅射靶材及设备关键零部件研发及产业化项目,将实现优势互补、互利共赢。

南大光电拟收购飞源气体57.97%股权  后者为台积电、中芯国际供应商

南大光电拟收购飞源气体57.97%股权 后者为台积电、中芯国际供应商

日前,电子材料企业南大光电发布公告称,为进一步优化资源配置,提高公司盈利能力,拟采用现金收购及增资方式取得山东飞源气体有限公司(以下简称“飞源气体”)57.97%股权。

公告显示,本次交易分为两个部分,总金额约2.47亿元人民币。其中。第一部分为南大光电以3685万元的价格受让山东桓台鲁泰道路工程有限公司持有的飞源气体本次交易前17.07%的股权(对应本次交易前飞源气体的注册资本数额为1100万元);第二部分为南大光电以2.1亿元的价格认购飞源气体新增注册资本6268.66万元。本次增资款中,6268.66万元计入飞源气体注册资本,其余计入飞源气体资本公积。 

本次交易完成后,飞源气体注册资本变更为1.27亿元,南大光电将持有飞源气体57.97%的股权(对应飞源气体本次交易后注册资本数额为7368.66万元), 飞源气体成为南大光电的控股子公司。

资料显示,飞源气体成立于2019年7月,系由山东飞源科技有限公司(以下称“飞源科技”)通过分立方式设立。分立前的飞源科技成立于2015年4月,主要产品包括三氟化氮、六氟化硫、六氟化钨、四氟化碳、五氟化碘、六氟丁二烯、八氟环丁烷等,其中三氟化氮(NF3)和六氟化硫(SF6)为主要产品。

据介绍,NF3具有优异的蚀刻速率和选择性、对表面无污染,是电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体,主要应用于集成电路行业与面板显示行业;SF6具有良好的电气绝缘性能及优异的灭弧性能,电子级高纯SF6是一种理想的电子蚀刻剂,被大量应用显示面板、半导体加工过程中的干刻(Etch)。

公告指出,飞源科技总资产3亿元、固定资产1.8亿元,已建成年产1000吨三氟化氮项目及年产2000吨六氟化硫项目,分别于2016年3月、5月量产。该公司在电子行业已成为台积电、京东方、华星光电、龙腾光电、重庆惠科等大型半导体、显示面板厂商的核心NF3供货商。

2019年7月,飞源科技为明确主业方向,将包括NF3、SF6在内的含氟电子特种气体板块分立为飞源气体(即本次收购的标的公司)。飞源气体专注并以高纯NF3、SF6等含氟特种电子气体为主业,未来将致力于更多含氟电子特种气体的研发、生产、销售、服务。

南大光电表示,飞源气体作为国内NF3重要供应商中唯一民企,在NF3产品的制备、充装、安全生产、质量控制、安全运输等方面已取得了全面突破,并通过为国内国际多家电子行业领军企业批量供货,积累了丰富的市场和客户服务经验。

南大光电发布的可行性研究报告显示,台积电在2017年即完成认证,并开始批量采购飞源气体的NF3产品,中芯国际2018年已完成飞源气体样品测试工作,并开始供货。

南大光电成立于2000年,是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的企业,主要有MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料和光刻胶四大业务板块。

南大光电认为,其与飞源气体双方在客户、技术、管理、资本等领域均存在较强的协同性。本次交易,一方面将大幅增强飞源气体的核心竞争力, 同时也对南大光电电子特种气体业务的布局与发展具有重要的战略价值。

通过投资并购飞源气体,南大光电将快速切入氟系电子特气市场,为其完成电子特气产业布局走出坚实的一步。

总投资114.8亿元的12个半导体及ICT产业项目签约徐州

总投资114.8亿元的12个半导体及ICT产业项目签约徐州

日前结束的中国·徐州2019半导体集成电路产业金龙湖峰会取得丰硕成果,总投资114.8亿元的12个半导体集成电路及ICT产业项目现场签约。这是我市聚力主导产业、加大招商引资取得的又一重要成果,也是我市加快发展半导体集成电路产业、打造淮海经济区中心城市产业高地的有力举措。

此次签约的12个项目主要集中在半导体产业的投资、研发和制造领域,涉及半导体设备材料、第三代半导体、下游终端、产业基金、研发实验等,包括中科芯韵半导体产业投资基金、加拿大UBC大学ADAMIST(艾达米斯特)联合实验室、天和通讯第三代半导体产业基地、先导高效太阳能电池片生产及智能装备制造、国人通信5G小基站研发生产等一批重大项目。

集成电路与ICT产业是我市重点发展的战略性新兴产业。近两年来,我市坚定不移推动产业集群发展、创新发展,全力打造具有示范性、引领性的产业集聚“芯”高地,一批投资体量大、科技含量高、带动能力强的半导体集成电路产业项目洽谈招商取得了突破性进展。此次峰会优选了12个产业项目现场签约,是我市在集成电路及ICT产业领域取得的最新成果,对于进一步丰富全市半导体集成电路产业发展前景广阔、未来可期。

如先导高效太阳能电池片生产及智能装备制造项目,一期总投资13亿元,生产2GW单晶PERC高效电池,计划今年底前投产;二期总投资15亿元生产2GW单晶TOPCon高效电池,计划明年中期投产;一期、二期项目投产后预计年产值约30亿元,利润约两亿元。天和通讯第三代半导体产业基地项目投资30亿元,用于大功率硅基LED芯片大规模制造,重点打造以硅基氮化镓为核心的第三代半导体产业集聚园区。

近两年来,我市始终坚持工业强市、产业强市,先后落地了鑫晶半导体大硅片、英国NBL电子束光刻机、飞纳半导体高速激光影像设备等材料设备项目,华进半导体、爱矽半导体、联立半导体等封装测试项目,台湾正崴高端手机供应链、徐工信息国家级工业互联网研发中心、南京点盈网络游戏等下游应用项目,台湾捷笠氮化镓外延片、中科汉韵碳化硅功率器件、天科合达碳化硅晶片等第三代半导体项目;填补国内空白的鑫华半导体电子级晶硅实现量产,具有完全独立自主知识产权的芯思杰5G高端光芯片项目签约入驻,一大批半导体集成电路行业领军企业迅速集聚。

韩宣布投资64.8亿美元研发高科技材料 减少对日依赖

韩宣布投资64.8亿美元研发高科技材料 减少对日依赖

韩国周一宣布,计划未来7年投资约7.8万亿韩元(约合64.8亿美元)进行研发,以促进高科技材料和设备的国产化,减少对日本进口产品的依赖。

上周五,日本正式宣布将韩国从出口优惠“白名单”中移除,加剧了两国之间因战时劳工赔偿问题引发的纠纷。

今年7月,日本收紧了对用于制造芯片的材料的出口管制。芯片是韩国最大的出口产品,此举有可能扰乱全球半导体供应。

韩国政府表示,计划提高生产芯片、显示器、电池、汽车和其他产品的100个关键部件、材料和设备的“自给自足”,目标是在今后五年内实现稳定供应。

韩国政府在一份声明中表示,该计划旨在“解决韩国在材料、零部件和设备领域严重依赖特定国家的结构性弱点。”

在这份长达51页的声明中,韩国还制定了一系列措施来促进当地供应,包括为海外收购提供超过2.5万亿韩元的融资支持。

日韩贸易战牵动7纳米竞争 台积电狠甩三星

日韩贸易战牵动7纳米竞争 台积电狠甩三星

日韩贸易战加剧,日本管制关键高纯度氟化氢等应用在极紫外光(EUV)原料输韩,直接打乱三星冲刺7纳米以下先进制程布局,预料受原料管制趋严下,三星要藉冲刺先制程抢食台积电晶圆代工大饼的难度大增,并加速台积电拉大和三星差距。

日本限制光阻剂、高纯度氟化氢及聚醯亚胺等关键半导体原料输韩,虽然南韩半导体厂仍可透过专案审查程序申请,但进口时程将由过去简化程序拉长至90天(专案审查期),包括三星和SK海力士除均对外收购既有三项原料存货外,也透过专案申请、加速他厂认证双管齐下,希望将冲击降至最低。

半导体业者表示,由于目前三星和SK海力士存储器库存仍高,日本管制光阻剂等三项半导体原料输韩,韩厂可将生产快闪存储器(Flash)的原料转去支援利润较高的DRAM,并趁机抬高价格、消化库存,对三星和全球DRAM供给,短期还不会构成太大影响。

不过,日本厂商生产用于先进制程的高纯度氟化氢,目前替代厂商占比极低,将直接冲击三星在半导体先进制程布局。

据了解,三星稍早也曾透过中国台湾厂商转手卖给三星,不过台厂担心台韩出口高纯度氟化氢,将遭日本原厂发现异常,拒绝这项交易,让三星吃到闭门羹。

高纯度氟化氢是在采用极紫外光(EUV)进行光罩制程时,要让积体电路精准对位的蚀刻材料,而三星也靠着7纳米制程导入EUV微影设备并成功抢下高通和辉达等前往下单的重要利器。

如今日本管制这项原料输韩,虽然三星正自行生产这项关键化学品,但这又等于让制程良率增添变数,而且三星也是领先全球把EUV设备导入生产更先进的DRAM产品的大厂。

半导体业者分析,三星发展7纳米以下制程受阻,未来要追赶台积电,得花费更大的财力和物力 ,日韩贸易战其实反而助攻台积电拉大和三星差距。