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当地时间7月1日，日本经济产业省宣布从7月4日起，修订对韩国进口管理的政策，对OLED材料氟聚酰亚胺、半导体材料光刻胶和高纯氟化氢气体3种产品实行进口限制。此举对日韩两国半导体产业造成怎样的影响？对整个半导体产业产生哪些影响？

对日韩两国半导体产业都将带来伤害

据了解，在此次日本限制出口的三种材料中，日本占全球氟聚酰亚胺总产量的90%产能，高纯氟化氢气体占全球70%产能，而韩国三星电子、LG和SK等厂商所需的大多数氟聚酰亚胺和高纯度氟化氢都是从日本进口的。此外，光刻胶行业也长年被日本、欧美专业公司垄断，其中，日本JSR、东京应化、日本信越与富士电子材料市占率加起来达到72%。

中船重工718所副所长王少波在接受《中国电子报》记者采访时分析说，日本之所以要对韩国进行贸易制裁，真实原因是报复韩国不断向日本讨要二战时对韩国劳工的赔偿金。不过，也有业内人士认为，日本之所以出台这个限制令，其实是在刻意打压韩国的面板及半导体产业。

宁波南大光电材料有限公司总经理许从应告诉《中国电子报》记者，日本限制对韩国的出口，肯定导致两败俱伤。在和平和友好的环境下理应协同合作，日本不考虑自己在材料方面的损失，限制对韩国的国家支柱产业即半导体制造的材料出口，实行精准打击，其背后的政治原因不言而喻。

王少波认为，日本一旦开始限制对韩国的核心材料供应，会对三星电子和SK海力士等韩国半导体企业产生非常大的影响。毕竟日本半导体材料行业在全球范围内长期保持着绝对优势，占据极高的全球市场份额，即便韩国厂商能从其他国家供应商那里获得供应，也难以满足自身需求。更何况，在一些高规格材料上，短时间内很难找到替代品。

据韩国媒体透露，被日本列入限制范围的半导体核心材料，韩国只有1～3个月储备量。若3个月之后日本仍不供货，将面临停产风险。他同时表示，如果日本政府采取限制出口或征收高额关税等对抗措施，不仅韩国会受冲击，日本自身也会受影响。

日本半导体相关原材料厂商的高管对媒体表示出自己的担忧：“日韩的产业属于水平分工关系。韩国‘倒下’了，日本也会‘倒下’，而且还会对全球供应链造成严重影响。”有分析师指出，消息公布后，日本相关半导体材料企业的股票暴跌超过3%。

驱使韩国半导体产业寻找替代供应商

业内专家告诉记者，生产半导体芯片需要几十种必需材料，且大多数材料具备极高的技术壁垒，因此材料企业在半导体行业中占据着至关重要的地位。王少波介绍说，日本企业在硅晶圆、合成半导体晶圆、光罩、光刻胶、药业、靶材料、保护涂膜、引线架、陶瓷板、塑料板、TAB、COF、焊线、封装材料等14种重要材料方面均占有50%及以上的份额。

因此，他们在半导体产业链上游的材料领域有绝对的话语权。“日本限制对韩国的出口影响很大，势必造成各主要半导体生产国培养或者扶持本国半导体材料生产商，完善上下游产业链，避免未来发生更严重的供应危机。”王少波说。

他认为，高纯度氟化氢用于集成电路（IC）和超大规模集成电路（VLSI）芯片的清洗和刻蚀，是微电子行业制作过程中的关键性基础化工材料之一。目前，其高端市场也被日本占领，UPSS级别是当下最先进的级别。

在光刻胶方面，核心技术KrF（248nm）和ArF（193nm）主要被日本和美国企业所垄断。国内光刻胶还处于从中低端向高端逐步过渡的时期。“因此，国内半导体材料企业若想突破高端技术壁垒，依然任重道远。”王少波强调说。

“这件事的发生打破了有些人存有的日本不会限制关键材料出口的幻想。这件事会驱使韩国半导体产业在全球寻找替代供应商。”许从应告诉《中国电子报》记者。赛迪顾问副总裁李珂表示，材料不像芯片可以备1年的货，因为材料是有保质期的，有的材料3个月以后就不能用了。

因此，在这种形势下，发展国内半导体材料产业显得至关重要，这对保证本土半导体产业安全十分必要。他同时表示，发展中国半导体材料产业对全球也将起到积极的促进作用，目前国际半导体制造商都希望每个环节至少有两个供货商，这些供货商最好来自不同国家，以保证供应链的安全。

半导体产业链应协同合作

半导体是整个电子产业的心脏，全球半导体产业的博弈已经涉及各个国家的经济命脉。

王少波分析说，目前而言，美国是当之无愧的半导体霸主，拥有90多家半导体上市公司，覆盖设计、制造、设备、材料、封测等全产业链。日本半导体产业在近二三十年间明显衰落，从DRAM领导者逐渐走下神坛，被美韩两国压制，日本Fabless和IDM企业的影响力也越来越小，但日本长期把控14种关键半导体材料超过一半的市场份额，有10种半导体设备的市场占有率超过50%。

韩国在全球DRAM内存芯片市场高居榜首，三星和SK海力士几乎垄断了全球2/3的市场份额。中国大陆拥有最大的半导体应用市场。我国台湾地区则在制造和封测方面优势相对明显。王少波强调，在目前“你中有我，我中有你”的大环境下，自由贸易对全球半导体产业链至关重要。

王少波告诉记者，从近期全世界范围内发生的一系列与半导体相关的制裁来看，掌握核心技术、标准、设备和原材料是产业不受制于人的根本。从长远角度来看，用核心环节来卡脖子，非但不利于产业发展，还会导致双输局面的出现。但在技术竞赛中，出于对国家安全和领先地位的保护，这可能又是一种不得不进行的博弈。为此，他认为各国在产业竞争中应尊重贸易自由，减少贸易制裁，通过沟通协商解决冲突问题。

李珂也表示，材料科学是一个经验学科，只有在用的过程中不断试错，才能慢慢改进，逐渐提升稳定性、均匀性。从目前的形势来看，会有越来越多的企业尝试拓展新材料的来源，这为国内材料厂商打开市场带来很好的机会，他希望更多的资本投入到半导体材料行业。

“国内大部分半导体材料企业都还很小，提供的产品也主要是中低端产品，因此国内半导体材料企业需要进一步发展壮大，开发先进的高端产品。”许从应告诉记者。

近日，杭州立昂微电子股份有限公司再传佳报，浙江省第一根拥有完全自主知识产权的量产型集成电路用12英寸硅单晶棒在衢州拉制成功。

7月2日上午，在立昂微子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司宽阔明亮的现代化标准单晶厂房内，一根长1.5米、两头呈锥形，重达270公斤，通体如乌金般发亮的12英寸半导体级硅单晶棒在经过100多个小时的连续超高温融化生长后顺利出炉，这标志着立昂微半导体硅材料业务板块的12英寸大硅片产业化布局取得了初步成效，在最核心最关键的拉晶环节取得了重大技术突破。

可以说，立昂微在半导体硅材料领域即将迎来一次质的飞跃，12英寸硅片产业化进程跨上一个新的台阶。

硅单晶棒是生产硅片的关键性步骤，拉晶过程是硅片制造的重中之重，核心技术中的核心，对工艺、材料和设备的要求极高，之后再经切割、研磨、清洗、抛光以及外延等数十道工序制备成硅抛光片或硅外延片，然后成为芯片的“地基“。硅片直径越大对材料和技术的要求越高，制造难度也越大。长期以来，12英寸半导体硅片由日本、德国、韩国等国家的公司占据全球97%以上的市场份额。目前为止，我国集成电路用12英寸硅片正片几乎全部依赖进口。

据了解，立昂微是我国少有的具有硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片及芯片制造的完整产业链的集成电路企业,涉及半导体硅材料、半导体功率器件、集成电路制造三大业务板块，其中半导体硅材料作为立昂微最核心的业务板块之一，早在2016年底就在浙江衢州投资建设了除宁波以外的第二个半导体硅片生产基地，先后成立了金瑞泓科技（衢州）有限公司和金瑞泓微电子（衢州）有限公司。

该基地经过近一年的建设，8英寸硅外延生产线在2018年4月建成投产并实现批量销售，8英寸的单晶、切、磨、抛厂房也将在2019年三季度建成投产，届时将全线拉通8英寸硅单晶、硅抛光片、硅外延片生产线。而今，随着12英寸半导体级硅单晶的技术突破，将有效带动立昂微向高端产品发展，逐渐提升在半导体硅材料上的竞争新优势，也将形成良好的产业生态，推动行业不断进步，共同推进我国集成电路产业国产化加快发展。

据外媒日本共同社报道，日本经济产业省于今天宣布，以“经过相关部门的讨论，认为日韩之间的信赖关系明显受到了损害”为由，将对用于智能手机及电视机的半导体等制造过程中需要的3种材料加强面向韩国的出口管制。外界认为日本突然对韩国进行“贸易制裁”，真实原因可能是为了报复韩国不断向日本讨要战时劳工赔偿。不过，也有业内人士分析认为，日本是在刻意打压韩国的面板及存储产业。

对于日本的突然发难，韩国产业通商资源部长官成允模今天表示，韩国将就日本限制对韩出口采取应对措施，包括诉诸世贸组织。

三星/SK海力士/LG或受较大影响

根据新规，日本将改变对韩出口管理范畴，并从7月4日起对特定项目实行出口审查、要求单独申请出口许可。这意味着对于特定产品而言，日本供应商向韩国客户销售的每一份合同都需要申请韩国政府批准。

即便是最终合同获得批准，新规也势必将延长日本对韩的出口流程。据韩媒评估，单独申请产品出口许可的过程每次大约需要90天。

根据日本经济产业省公布的资料显示，此次将加强对韩国出口管制的材料主要是：用于半导体制造过程中“清洗”所需的高纯度氟化氢、涂覆在半导体基板上的感光剂“光刻胶”、用于制造电视和智能手机显示面板的氟化聚酰亚胺，这3种材料都是显示面板及半导体芯片制造过程当中所需的关键材料。

资料显示，由于日本占全球氟聚酰亚胺和光光刻胶总产量的90%，且全球半导体企业70%的氟化氢需从日本进口。

显然，针对韩国的“出口限制”可能会对三星电子、SK海力士和LG电子等韩国科技巨头的显示面板及半导体芯片的生产产生非常大的影响。

毕竟日本在这些材料上占据了极高的全球市场份额，即便是韩国厂商能够从其他国家的供应商那里获得供应的话，可能也难以满足自身的需求量。更何况，在一些高规格的材料上，甚至可能在短时间内难以找到替代。

不过，同样，日本本国的相关供应商的出口业务也将受到较大影响。毕竟韩国厂商对于这些材料的需求远高于其他国家。

日本：曾经的全球半导体老大

众所周知，目前在显示面板、存储芯片等领域，韩国是当之无愧的霸主，因此也带动了韩国智能手机及电视产业的发展。相比之下，旁边的日本就显得落寞了许多。然而在20多年前，日本可是全球半导体市场的老大。

根据此前的一份全球半导体产业统计报告显示，2017年，日本IC市场份额（不包括Foundry）只有7%，但在1990年，这个数字竟高达90%。

曾经的日本半导体产业，是何等辉煌，从以下几组数据可见一斑：

1986年， 日本的半导体产品占世界45%，是当时世界最大的半导体生产国；

1989年， 日本公司占据了世界存储芯片市场53%的份额，而美国仅占37%；

1990年，全球前10大半导体公司中，日本占6家，NEC、东芝及日立高居前3大半导体公司，英特尔仅居全球第4，三星尚未能进入前10。

但是，自1990年之后，日本的半导体市场影响力和份额就开始极剧下降。

在过去的二十多年里，日本曾经非常重要的半导体供应商，包含NEC、日立（Hitachi）、三菱（ Mitsubishi） 等，有的将半导体业务剥离，有的合并整合，一番洗牌后，这些曾经的半导体巨无霸，现在皆已不是全球半导体主要供应商。

特别值得一提的是，虽然在显示面板市场，三星和LG拿下了大部分的OLED市场，但是其OLED面板生产的关键设备——真空蒸镀机，却被日本厂商Canon TLKKI所垄断。虽然韩国的Sunic System、YAS、SFA似乎也能够提供真空蒸镀机，但是在品质、良率等方面仍有较大差距。

此外，还有大量日本企业在OLED生产链条中扮演着举足轻重的角色，比如OLED生产必须的蒸发掩膜大多由Dai日本印刷公司生产，还有日本电气玻璃公司制造的玻璃基板，日本出光兴产的OLED发光材料等。

对于此次日本宣布限制相关材料对韩国的出口，也不得不让外界怀疑，日本这是在刻意打压韩国的面板及存储产业。

同时，此次事件也不得不引起国产厂商的重视，若日本未来在半导体材料及设备领域对中国实施“限制出口”（顺便提一句，此前韩国政府就曾计划限制向中国出口OLED屏幕生产设备），同样也将会对国产芯片及面板产业造成非常大的影响，其破坏力甚至可能不低于美国的“禁运”。

近日，Ferrotec(中国)集团与铜陵市人民政府举行了长江半导体增值服务和新材料产业园项目签约仪式。

此项目落户铜陵市义安经济开发区，预计总投资10亿元，将极大的带动当地的经济发展及人口就业，带动地区产业升级，力争将义安区金桥工业园区打造成国际一流的半导体产业集聚区。

铜陵市市委书记、市人大常委会主任李猛表示，这次战略合作框架协议和相关项目协议的正式签订，既与长三角产业布局、安徽“一核一弧”半导体产业规划高度契合，也与铜陵市产业转型升级路径深度融合，必将有力促进铜陵市半导体产业链、价值链、创新链扩展延伸，助推产业转型升级，开创市企合作新篇章。

据悉， Ferrotec(中国)始创于1992年，是由日本Ferrotec株式会社在华设立的多家工厂企业的总称，总部设在杭州。目前，Ferrotec已经在上海、杭州、宁夏等多地均有布局，而此次是Ferrotec(中国)与铜陵市的第二次合作。

此前，Ferrotec（中国）在铜陵市投资2.03亿元建设安徽富乐德项目，主要从事半导体洗净、TFT洗净、陶瓷溶射和半导体部品维修等，该项目占地面积为35000平方米，于2018年3月28日开工建设，2019年1月竣工投产。

TFT、半导体设备修复项目一期建成投产后年生产规模达180万件，可实现年销售收入10000万元，年利润1300万元，年税收1200万元，增加就业岗位250个。

二期投资4500万元，投产后年生产规模达100万件，可实现年销售收入6000万元，年利润900万元，年税收1000万元，解决60人就业。

全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。

Cree收回Wolfspeed事业部，加码扩厂开发功率及射频元件

以LED材料与元件起家的Cree，近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由，可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略，已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体，期望借由此次并购案，使Infineon成为车用SiC元件上的领先霸主；但事情发展并非如此顺利，2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后，以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案，迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。

此后Cree于2018年2月及3月时，提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议，并向Infineon收购其射频功率半导体事业部，试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失，保持与Infineon之合作关系。

2019年5月Cree又提出扩厂计划，说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上，持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升，藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。

各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同，后续发展仍需持续观察

现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中，Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上)；根据官网资料，目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸，主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中，少量使用于通讯射频领域上；未来扩厂计划完工后，预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。

另外，Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术)，其使用的SiC基板最大尺寸为4寸，借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后，形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构，目标开发高频通讯功率元件。

因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形，各家厂商瞄准的目标市场皆不同，该技术仍处于发展阶段，有待后续持续关注。

近日，上海经信委发布2019年上海市产业转型升级发展专项资金（首批次新材料）拟支持项目。

据悉，上海市本次拟支持新材料项目达26个，拟支持金额合计达1970万元。包括安集微电子科技（上海）股份有限公司承担的28nm技术节点集成电路制造用铜抛光（AEPU3060B）及铜阻挡层抛光液（TCU2000-H6S）项目、以及上海新阳半导体材料股份有限公司承担的芯片铜互连电镀液SYSD2110项目等。

上海经信委表示，此次产业转型升级发展专项资金主要是为为加快实现上海市新材料产品首批次业绩突破，促进新材料产业快速健康发展。

以下为《2019年上海市产业转型升级发展专项资金（首批次新材料）拟支持项目一览表》

日前，浙江中晶科技股份有限公司（以下简称“中晶股份”）披露首次公开发行股票招股说明书，申请在深圳证券交易所上市，本次拟公开发行股票数量不超过2494.70万股，占发行后总股本的比例不低于25%。

资料显示，中晶股份成立于2010年，注册资本7481.30万元，是一家专注于半导体硅材料的研发、生产和销售的高新技术企业，主要产品为半导体硅片及硅棒，定位于半导体分立器件和集成电路用硅材料市场。

据了解，中晶股份曾于2014年10月21日挂牌新三板，自2017年8月31日起终止其股票挂牌，并于2017年12月在中国证监局进行上市辅导备案。时长一年多的上市辅导结束后，日前中晶股份递交招股书，正式迈向A股。

根据招股书，2016-2018年，中晶股份分别实现营业收入为1.60亿元、2.37亿元、2.53亿元；分别实现净利润3271.75万元、4879.83万元、6648.15万元；主营业务毛利率分别为34.06%、37.67%、44.07%，呈逐年上升趋势。

中晶股份目前的主要产品为半导体硅材料，包括半导体硅片和半导体硅棒，广泛应用于各类分立器件的制造，产品规格涵盖3~6英寸、N型/P型、0.0008Ω·cm~100Ω·cm阻值范围的硅棒及研磨片、化腐片、抛光片等。2016-2018年，中晶股份单晶硅片在主要业务收入中的营收占比分别为55.23%、57.05%、64.71%，单晶棒的营收占比分别为44.77%、42.95%、35.29%。

半导体硅片方面，中晶股份以3-6英寸的硅研磨片为主，其中主要规格为3英寸和4英寸，2016-2018年两类产品合计占研磨片销售收入的比例分别为89.14%、95.29%、90.11%，主要应用于各类功率二极管、功率晶体管、大功率整流器、晶闸管、过压/ 过流保护器件等功率半导体器件以及部分传感器、光电子器件的制造。

半导体硅棒方面，中晶股份生产的单晶硅棒为3-6英寸，除自用于生产硅片产品外，同时销售给其他半导体硅片制造商，经后续加工形成的硅片主要应用于分立器件等领域。其中，单晶硅棒产品对外销售的主要规格为3英寸和4英寸，2016-2018年两类产品合计占单晶硅棒销售收入90%左右。

2016-2018年，中晶股份前五大客户销售收入合计占总销售收入的比例分别为43.41%、42.75%、41.12%，占比较为稳定。2018年其前五名客户依次为四川晶美硅业、山东晶导微电子、济南科盛电子、杭州赛晶电子、中电集团第四十六研究所，其主要竞争对手则主要包括环欧半导体、上海合晶、昆山中辰、成都青洋等。

本次首次公开发行股票，中晶股份拟募集资金用于投资三个项目，分别为高端分立器件和超大规模集成电路用单晶硅片项目、企业技术研发中心建设项目和补充流动资金项目。上述募集资金投资项目的总投资额为7.15亿元，拟使用募集资金6亿万元。

其中，高端分立器件和超大规模集成电路用单晶硅片项目预计总投资为6.15亿元，拟使用募集资金5亿元。项目达产后，中晶股份将新增年产1060万片单晶硅片的生产能力，其中包括4-6英寸研磨片600万片/年、4-6英寸抛光片400万片/年、8英寸抛光片60万片/年。

中晶股份表示，公司经过多年发展，在业务规模、产品质量、研发能力等方面的综合实力不断提升，目前在半导体分立器件用硅材料领域尤其是硅研磨片细分市场已占据领先地位。但从国际行业竞争格局来看，公司的规模仍较小，在集成电路用抛光片、外延片领域的技术研发、创新能力等方面与国际大型厂商相比仍存在较大差距。

这次中晶股份将以本次发行新股和上市为契机，通过募集资金投资项目的顺利实施，在巩固分立器件用硅研磨片行业地位的前提下，未来将加大产品深加工，提升半导体单晶硅抛光片的研发和制造能力，拓展高端分立器件和集成电路用硅材料市场，进一步深挖细分领域产品应用，开发新的增长点。

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