衢州将打造省级集成电路产业基地  实现12英寸生产线零突破

衢州将打造省级集成电路产业基地 实现12英寸生产线零突破

日前,浙江省衢州市政府印发《衢州市工业数字化转型三年行动计划(2019-2021年)》(以下简称“行动计划”),计划到2021年全市数字经济核心产业制造业营业收入超230亿元。

《行动计划》中提及,通过3年努力,打造“一区一基地”,其中“一区”指全省产业数字化转型示范区,“一基地”指省级集成电路产业基地。

省级集成电路产业基地将重点发展集成电路材料和高纯电子化学材料,完善集成电路产业规划,出台专项政策,加大支持力度。积极引进软件及大数据、云服务、物联网、人工智能等相关制造企业,做大做强数字经济核心产业。

在《行动计划》制定的重点任务中,提出要壮大信息技术基础产业,积极引进集成电路先进工艺生产线、等重大项目和行业龙头企业,着力补齐产业链条,完成产业配套。推动集成电路、元器材及电子化学材料等基础产业迈向价值链中高端,实现做大做强。

《行动计划》将集成电路材料、电子化学材料、新型元器件及材料、网络安全、软件和信息服务等列为基础产业发展重点领域。

其中,集成电路材料领域将实现12英寸生产线零突破,带动封装测试、关键装备和材料配套发展,推进省级集成电路产业基地建设;电子化学材料领域将发展电子级氢氟酸等各类湿化学品及电子级硅烷等各类电子特气,以及液晶显示材料。

10亿美元扩产碳化硅  Cree宣布迄今最大的生产投资

10亿美元扩产碳化硅 Cree宣布迄今最大的生产投资

随着汽车电子、工控等应用领域蓬勃发展,市场对碳化硅(SiC)的需求持续增长,国内外碳化硅企业陆续扩产,日前碳化硅大厂Cree(科锐)也宣布将投资10亿美元扩大碳化硅产能。

5月7日,Cree发布新闻稿中表示,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大碳化硅产能,在美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。

这是Cree有史以来最大的生产投资,将为Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)业务提供动能。这次产能扩大在2024年全部完工后,将带来碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和碳化硅材料生产的30倍增长,以满足2024年之前的预期市场增长。

5年的投资将充分利用现有的建筑设施North Fab、并整新200mm设备,建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂,其中4.5亿美元用于North Fab,4.5亿美元用于材料超级工厂(mega factory),1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。

Cree首席执行官Gregg Lowe表示:“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是现有的供应却远远不能够满足对碳化硅的需求。”,他相信这次扩产大幅增加的产能将满足Wolfspeed 碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。

Cree旗下Wolfspeed是全球领先的碳化硅晶圆和外延晶圆制造商,整合了从碳化硅衬底到模组的全产业链生产环节,在市场占据主导地位。据悉,Cree的碳化硅衬底占据了全球市场近40%份额,在碳化硅器件领域的市场份额亦仅次于英飞凌。

此前,Cree相继与英飞凌、意法半导体等厂商签署多年供货协议,为这些厂商长期供应碳化硅晶圆,以满足工业和汽车等应用领域持续增长的市场需求。

目前除了Cree,罗姆前不久也宣布将扩大用于电动车等用途的碳化硅电源控制芯片产能,日本昭和电工近两年来曾三度宣布对碳化硅晶圆投资扩产,国内山东天岳等企业亦在进行产能升级,下游代工厂也在加速布局,碳化硅市场正在持续升温。

总投资3.65亿元!宜昌一集成电路材料项目开工

总投资3.65亿元!宜昌一集成电路材料项目开工

5月6日,电子化学品企业兴发集团旗下兴力电子3万吨/年电子级氢氟酸项目在兴发集团宜昌新材料产业园举行开工奠基仪式。

据了解,该项目由湖北兴力电子材料有限公司(以下简称“兴力电子”)投资兴建。兴力电子成立于2018年,是湖北兴发化工集团股份有限公司(以下简称“兴发集团”)和Forerunner Vision Holding Limited(以下简称“Forerunner”)出资设立的中外合资企业,主要从事电子级氢氟酸、氟化铵、无水氟化氢、缓冲氢氟酸蚀刻液的生产、研发、销售。

合作方Forerunner成立于2017年,自成立以来尚未开展实质性业务,其关联企业侨力化工股份有限公司(以下简称“侨力化工”)1972年成立于台湾,专注于氟化学品的贸易、研究、开发和生产,是少数100%自主拥有纯化10ppt(G5)氢氟酸技术的企业。

兴发集团是中国大陆主要电子化学品生产企业之一,其将通过与Forerunner合资成立兴力电子,引进侨力化工的电子级氢氟酸等技术,建设3万吨/年电子级氢氟酸项目。

该项目位于兴发集团宜昌新材料产业园,占地面积5.498hm2,总投资3.65亿元,建成后总生产规模为电子级氢氟酸3万吨/年,电子级氟化铵1.2万吨/年,BHF1.2万吨/年。项目分两期建设,一期投资2亿元,具备年产1.5万吨电子级氢氟酸、6千吨电子级氟化铵、6千吨BHF、6千吨工业级氢氟酸生产能力。

氟化氢(HF)是现代氟化工的基础,是制取元素氟、含氟新材料、无机氟化盐、各种有机氟化物等的最基本原料。电子级氢氟酸是微电子行业制作过程中的关键性基础化工材料之一,主要应用于集成电路和超大规模集成电路芯片的表面清洗,还可用作分析试剂和制备高纯度的含氟化学品。

据悉,中国大陆电子级氢氟酸长期依赖进口、国产化率较低,随着集成电路产业的迅速发展,电子级氢氟酸的市场需求不断提升,高端电子级氢氟酸进口替代愈显重要。兴发集团电子级氢氟酸项目的开工建设,将有望加速高端电子级氢氟酸国产化进程。

深圳先进电子材料国际创新研究院正式落户宝安

深圳先进电子材料国际创新研究院正式落户宝安

日前,第一届粤港澳大湾区先进电子材料高峰论坛(2019)暨深圳先进电子材料国际创新研究院落户宝安的签约仪式在深圳举行。

活动现场,深圳市宝安区政府与深圳先进技术研究院双方签订共建“深圳先进电子材料国际创新研究院”(以下简称“电子材料院”)协议书,电子材料院正式落户宝安并进入筹建期。该电子材料院是经深圳市政府常务会议审定同意、中国科学院深圳先进技术研究院承担建设的深圳市十大基础创新平台之一,与宝安区的产业结合度非常紧密。

据介绍,电子材料院作为首家落户宝安的应用型基础研究机构,将重点针对宝安企业的人才培养、检验检测设备共享、科技成果转化等精细化服务,并依托深圳集成电路设计和集成优势,提升装备材料、先进电子封装测试等配套服务能力,构建协同联动的产业生态系统。

此外,“粤港澳大湾区先进电子材料技术创新联盟”在论坛上正式揭牌。经该联盟第一届理事会选举表决,深圳先进电子材料国际创新研究院为联盟第一届理事长单位,江阴长电先进封装有限公司、深南电路等5家企业为副理事长单位,另有20余家企业、高校和科研院所成为第一届理事会理事成员单位。

该联盟将依托电子材料院,旨在利用粤港澳湾区的电子信息产业特色优势,汇聚全球顶尖人才,实现高端电子材料突破,形成先进电子材料企业聚集高地。

江丰电子2018年营收6.50亿元  产品已批量供货7纳米制程

江丰电子2018年营收6.50亿元 产品已批量供货7纳米制程

4月26日,国产半导体材料厂商江丰电子发布其2018年业绩报告。数据显示,2018年江丰电子实现营业收入6.50亿元,同比增长18.12%;归属于上市公司股东的净利润5880.86万元,同比下降8.16%。

江丰电子从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务,主要产品为各种高纯溅射靶材,包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等,这些产品主要应用于半导体(主要为超大规模集成电路领域)、平板显示、太阳能等领域。

报告指出,超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一,目前公司的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界著名半导体厂商的先端制造工艺,在7纳米技术节点实现批量供货,钽靶材及环件在台积电7纳米芯片中已量产。

江丰电子表示,2018年公司突破了7纳米技术节点,进入国际靶材技术领先行列,先进制程的产品不断进入客户端。在半导体领域,溅射靶材销售持续增长,市场份额得以保持和进一步提升,已成为台积电、海力士、中芯国际、联华电子等客户的主要供应商。

江丰电子表示,未来将继续聚焦半导体集成电路、平板显示和太阳能等 领域高纯溅射靶材业务,通过技术创新,提升产品性能和质量,通过管理创新,降低产品成本,提升客户满意度,全方位开拓国内国际市场。

氮化镓、感光材料等三大半导体项目落户山东泰安

氮化镓、感光材料等三大半导体项目落户山东泰安

4月25日,中国泰山第五届国际高洽会暨“双招双引”项目集中签约仪式举行,活动共签约项目22个,其中包括3个半导体产业项目。

这次签约项目涉及新一代信息技术、医养健康、高端装备制造等多个领域,涵盖了外国高端人才团队合作项目,以及中科院半导体研究所、国家千人计划专家技术合作项目等,其中泰山芯片制造联合实验室建设项目、中韩高端芯片材料制备半导体单晶衬底和外延研发生产项目、功能性感光材料研发及产业化项目等与半导体相关。

泰山芯片制造联合实验室建设项目主要以光电芯片制造技术为研究方向,重点开发化合物半导体材料光电芯片制备技术,深入开展第三代半导体材料氮化镓外延片、氮化镓LED及光电芯片制备的研发与生产。

该项目依托中国科学院半导体研究所,建设芯片制造技术联合实验室,加强氮化镓外延片、氮化镓LED及芯片制备开发。以实验室为基地,托特半导体(山东)有限公司与中国科学院半导体研究所双方将共同申请科研项目和重大课题基金,联合开展前沿基础性、关键性、重大性科学研究和人才培养。

中韩高端芯片材料制备半导体单晶衬底和外延研发生产项目以中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室主任宋国峰为技术研发带头人、韩国明知大学物理学教授金英镐等外延工程师专家组成核心技术的科研团队,专注于氮化镓芯片、MOCVD/LPE/HVPE装备设计制造、外延工艺等方面的研发。

该项目计划总投资15亿元,建设10台套4〞×31MOCVD和30台套4〞×12HVPE生产线,项目建成后月生产氮化镓2万片,实现年产值26亿元。项目一期占地约2300平方米、二期产业化生产基地约100亩。

功能性感光材料研发及产业化项目由康文兵教授团队带领,研发多种功能性感光材料,应用于半导体芯片、显示器制造、芯片封装、印刷版材制造等多个领域。项目落地后,预计3-5年内产品将大规模替代进口、填补国内高端感光材料及关联材料的空白,5年内预计实现销售收入2亿元。

上述项目涉及第三代半导体等新材料领域,近年来山东省正在推进新材料发展,2018年10月山东省政府正式印发《山东省新材料产业发展专项规划(2018—2022年)》,除了泰安外,济南、德州等地也正在发力第三代半导体,随着这些项目落户,山东的新材料产业再添新动力。

神工股份冲刺科创板,募投8英寸抛光片项目

神工股份冲刺科创板,募投8英寸抛光片项目

4月19日,科创板受理企业名单再添一家半导体企业。国内半导体级单晶硅材料供应商锦州神工半导体股份有限公司(以下简称“神工股份”)申请拟在科创板首次发行股票不超过4000万股,占发行后总股本比例25%。

打入国际供应链体系

招股书显示,神工半导体成立于2013年7月,主要业务为半导体级单晶硅材料的研发、生产和销售,核心产品为大尺寸高纯度半导体级单晶硅材料,产品形态包括硅棒、硅筒、硅环和硅盘。

据介绍,半导体级单晶硅材料指纯度达到9至11个9的单晶硅材料,是集成电路制造的基础材料,按应用领域主要可分为芯片用单晶硅材料和刻蚀用单晶硅。神工股份目前主要生产刻蚀用单晶硅材料,产品主要应用于加工制成半导体级单晶硅部件,是晶圆制造刻蚀环节所必需的核心耗材。

刻蚀用单晶硅材料全球范围内已实现商用的最大尺寸可达19英寸,神工股份产品尺寸范围已覆盖8英寸至19英寸,其中14英寸以上产品占比超过90%,已可满足7nm先进制程芯片制造刻蚀环节对硅材料的工艺要求。

神工股份在招股书中表示,目前公司已成功进入国际先进半导体材料产业链体系,产品主要销往日本、韩国、美国等国家和地区。经其调研估算,目前全球刻蚀用单晶硅材料市场规模约1500吨-1800吨,公司2018年全球市场占有率约13%-15%。

具体而言,神工股份的主要客户包括三菱材料、SK化学、CoorsTek、Hana、Silfek、Trinity、Wakatec、WDX等,2016年-2018年其对前五大客户的销售收入合计占总营收的比例分别为95.51%、96.14%、88.78%,客户集中度较高。

业绩方面,神工股份2016年-2018年度营业收入分别为4419.81万元、1.26亿元、2.83亿元,2017年、2018年的营收复合年均增长率达152.83%;归母净利润分别为1069.73万元、4585.28万元和1.07亿元,2017年、2018年净利润的复合年均增长率达到215.64%。

报告期内,神工股份的主营业务毛利率水平较高,2016年-2018年其产品综合毛利率分别为43.73%、55.10%和63.77%,呈现逐年提升之势。神工股份表示报告期内其销售毛利率高于可比上市公司的毛利率水平。

根据自身条件,神工股份本次发行上市申请选择《上市规则》第2.1.2条第一款第(一)项规定的标准,即预计市值不低于人民币10亿元,最近两年净利润均为正且累计净利润不低于人民币5000万元,或者预计市值不低于人民币10亿元,最近一年净利润为正且营业收入不低于人民币1亿元。

募资11.02亿元投建两大项目

神工股份本次拟发行不超过4000万股、募集资金11.02亿元,资金扣除发行费用后,拟全部用于8英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目和研发中心建设项目。

其中,8英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目拟使用募集资金投入金额8.69亿元。该募投项目建设期计划为两年,目前正在推进项目环评工作,建设完成并顺利达产后,神工股份将具备年产180万8英寸半导体级硅单晶抛光片以及36万半导体级硅单晶陪片的产能规模。

神工股份表示,芯片用单晶硅材料行业的新产品研发对资金实力要求较高,报告期初公司尚不具备开展大规模新产品研发的资金实力,但随着公司盈利能力和资金实力不断增强,现逐步启动新产品研发项目,2018年末已开始重点布局芯片用单晶硅产品研发项目。

研发中心建设项目拟使用募集资金投入金额2.33亿元,项目建设期计划为两年,目前正在推进项目环评工作。该研发中心建成后将主要围绕超大直径晶体研发、芯片用低缺陷晶体研发、硅片超平坦加工和清洗技术研发和硅片质量评价分析技术研发等研发工作。

神工股份表示,未来将继续依托自身的技术优势及丰富的半导体市场经验,增加技术研发投入,提高生产管理效率,并紧密围绕“半导体材料国产化”的国家战略,成为中国乃至世界半导体硅材料领域的领先者。

围绕上述发展战略,神工股份将在刻蚀用半导体单晶硅材料领域进一步提升产品性价比水平、维护现有市场份额的同时进一步开拓新市场、提升产品美誉度和市占率,巩固全球市场竞争地位;此外,神工股份计划持续增加在芯片用半导体级单晶硅材料领域的研发投入。

摩尔定律限制硅半导体发展,化合物半导体材料成新解?

摩尔定律限制硅半导体发展,化合物半导体材料成新解?

传统硅半导体因自身发展侷限和摩尔定律限制,需寻找下一世代半导体材料,化合物半导体材料是新一代半导体发展的重要关键吗?

化合物半导体材料的高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性,恰好符合未来半导体发展所需,终端产品趋势将由 5G 通讯、车用电子与光通讯领域等应用主导。

手机通讯领域带动砷化镓磊晶需求逐年提升

根据现行化合物半导体元件供应链,元件制程最初步骤由晶圆制造商选择适当特性的基板(Substrate),以硅、锗与砷化镓等材料做为半导体元件制程的基板,基板决定后再由磊晶厂依不同元件的功能需求,于基板上长成数层化合物半导体的磊晶层,待成长完成后,再透过 IDM 厂或 IC 设计、制造与封装等步骤,完成整体元件的制造流程,最终由终端产品厂商组装和配置元件线路,生产手机与汽车等智慧应用产品。

元件产品依循化合物半导体材料特性(如耐高温、抗高电压、抗辐射与可发光)加以开发,将终端市场分为 5 个领域:电源控制(Power Control)、无线通讯(Wireless)、红外线(Infrared)、太阳能(Solar)与光通讯(Photonics)。

近年手机通讯领域蓬勃发展,带动无线模块关键零组件滤波器(Filter)、开关元件(Switch)与功率放大器(Power Amplifier)等元件需求成长;而砷化镓材料因具有低噪声、低耗电、高频与高效率等特点,已广泛应用于手机通讯并占有重要地位,带动砷化镓磊晶需求逐年提升。

化合物半导体磊晶厂未来发展

针对化合物半导体未来的终端市场需求,依照不同元件特性可分为传输和无线通讯的 5G 芯片、耐高温与抗高电压的车用芯片,以及可接收和回传讯号的光通讯芯片三大领域。藉由 5G 芯片、车用芯片与光通讯芯片的元件开发,将带动未来磊晶厂营收和资本支出,确立未来投资方向。

由化合物半导体发展趋势可知,未来元件需求将以高速、高频与高功率等特性,连结 5G 通讯、车用电子与光通讯领域的应用,突破硅半导体摩尔定律限制。

(Source:拓墣产业研究院,2019.3)

硅半导体元件因受限于电子迁移率(Electron Mobility)、发光效率与环境温度等限制,难以满足元件特性需求,因此当化合物半导体出现,其高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性,为元件发展的未来性提供新契机。

随着科技发展,化合物半导体的元件制程技术亦趋成熟,传统硅半导体的薄膜、曝光、显影与蚀刻制程步骤,皆已成功转置到化合物半导体,有助于后续半导体产业持续发展。

在无线通讯领域,现行厂商逐渐由原先 4G 设备更新至 5G 基础建设,5G 基地台的布建密度将更甚 4G,且基地台内部使用的功率元件,将由宽能带氮化镓功率元件取代 DMOS(双重扩散金氧半场效晶体管)元件。

由于砷化镓射频元件市场多由 IDM 厂(如 Skyworks、Qorvo与Broadcom)把持,因此只有当需求超过 IDM 厂负荷时,才会将订单发包给其他元件代工厂,对其他欲投入元件代工的厂商而言则更困难。由于中国手机市场对射频元件的国内需求增加,且预期 5G 手机渗透率将提升,或许中国代工厂商的射频制程技术提升后,可趁势打入砷化镓代工供应链,提高射频元件市占率。

车用芯片部分,由于使用环境要求(需于高温、高频与高功率下操作),并配合汽车电路上的电感和电容等,使得车用元件体积较普通元件尺寸占比大,透过化合物半导体中,宽能带半导体材料氮化镓和碳化硅等特性,将有助实现缩小车用元件尺寸。

藉由氮化镓和碳化硅取代硅半导体,减少车用元件切换时的耗能已逐渐成为可能。以氮化镓和碳化硅材料作为车用功率元件时,由于宽能带材料特性,可大幅缩减周围电路体积,达到模块轻量化效果,且氮化镓和碳化硅较硅半导体有不错的散热特性,可减少散热系统模块,进一步朝车用轻量化目标迈进。

此外,车用芯片对光达(LiDAR)传感器的应用也很重要,为了实现自驾车或无人车技术,先进驾驶辅助系统(ADAS)的光达传感器不可或缺,透过氮化镓和砷化镓磊晶材料满足元件特性,成为光达传感器所需。

光通讯芯片方面,为了解决金属导线传递讯号的限制和瓶颈,因而开发以雷射光在光纤中为传递源的概念,突破原先电子透过金属缆线下容易发生电阻和电容时间延迟(RC Delay)现象,且藉由雷射光快速传递和讯号不易衰退特性,使得硅光子技术(Silicon Photonics)逐渐受到重视。

由于光通讯芯片对光收发模块的需要,PD(光侦测器)与 LD(雷射侦测器)等模块需求上升,带动砷化镓与磷化铟磊晶市场。

近年手机搭配 3D 感测应用有明显成长趋势,带动 VCSEL(垂直腔面发射激光器)元件需求增加,砷化镓磊晶也逐步升温,未来 3D 感测用的光通讯芯片,应用范围除了手机,亦将扩充至眼球追踪技术、安防领域(Security)、虚拟实境(VR)与近接辨识等领域。

瞄准第三代半导体材料产业,总投资10亿元的海外项目落户南京

瞄准第三代半导体材料产业,总投资10亿元的海外项目落户南京

南报网报道,近日,总投资10亿元、其中外资到账不低于1亿美元的海外项目——“SMCD”项目正式落户中国(南京)软件谷。

项目首个注册公司——江苏桑德斯半导体技术有限公司领取了营业执照,预示着项目正式启动。

“SMCD”项目主营半导体材料产业,重点打造第三代半导体材料及器件研发中心、基于新硬件设备的软件研发平台,将在软件谷开建SMCD(南京)新型半导体材料应用研发中心及在线制造(MadeInNet)电子产业互联网综合服务平台。

报道指出,中电集团和中科院半导体研究所将会参与项目运营,负责线上线下平台并提供技术及科技成果转化支持。

半导体材料是芯片制造的关键,目前在该领域,软件谷已聚集了包括南瑞微电子等在内的一批“大咖”。“SMCD”项目的落户,为软件谷半导体材料产业集群新添了“重量级成员”。

总投资3.4亿元,弘硕科技封装材料项目开工奠基

总投资3.4亿元,弘硕科技封装材料项目开工奠基

宁波北仑芯港小镇建设管理中心显示,3月27日弘硕科技(宁波)有限公司(以下简称“弘硕科技”)锡球、锡条等半导体集成电路材料生产项目(以下简称“封装材料项目”)在芯港小镇举行开工奠基仪式。

据介绍,弘硕科技由台湾恒硕科技股份有限公司100%出资建立。台湾恒硕公司成立于1998年,为全球领先的芯片级封装材料供应商,是台积电唯一的锡球供应商。

弘硕科技封装材料项目占地18.2亩,预留40亩,总投资3.4亿元,主要生产产品为用于集成电路装配的重要材料锡球,预计项目达产后年产值10.7亿元,计划于2020年第一季度竣工验收,并完成生产设备安装及开始试生产。

根据弘硕科技规划,在2020年2条产线投产后,将陆续增资新建10条产线,预计锡球月产能达到1500亿颗以上,目标在2025年成为全球最大锡球供货商基地。