北方华创募资20亿 投资高端集成电路产业和高精密电子元器件

北方华创募资20亿 投资高端集成电路产业和高精密电子元器件

7月6日,北方华创科技集团股份有限公司(以下简称“北方华创”)发布关于调整非公开发行股票方案的公告称,公司拟对2019年1月4日和1月21日通过的非公开发行议案进行调整,调整对象包括发行对象、发行数量、募集资金金额及用途,目前该调整方案已经通过北方华创第六届董事会第二十二次会议审议。

根据原方案,北方华创拟非公开发行募集资金总额不超过21亿元,发行对象包括国家集成电路产业投资基金股份有限公司(以下简称“国家集成电路基金”)、北京电子控股有限责任公司(以下简称“北京电控”)、北京京国瑞国企改革发展基金(有限合伙)(以下简称“京国瑞基金”)、以及北京集成电路制造和装备股权投资中心(有限合伙)(以下简称“北京集成电路基金”)。

其中,国家集成电路基金认购金额为9.2亿元、北京电控认购金额为6亿元、京国瑞基金认购金额为5亿元、北京集成电路基金认购金额为8000万元。

扣除发行费用后,本次非公开发行股票的募集资金总额将全部用于高端集成电路装备研发及产业化项目以及高精密电子元器件产业化基地扩产项目。

方案调整前募集资金用途如下:

不过,北方华创最新公告显示,方案调整之后,本次非公开发行募集资金总额不超过20亿元,发行对象也由此前的4名符合中国证监会规定的特定对象减少至三名,主要包括国家集成电路基金、北京电控、以及京国瑞基金,北京集成电路基金则退出了此次认购。

其中,国家集成电路基金认购金额为9.1亿元、北京电控认购金额约5.9亿元、京国瑞基金认购金额为5亿元。

尽管北方华创此次定增对象少了北京集成电路基金成,但定增募资的用途并没有改变,依然用于投入高端集成电路装备研发及产业化项目和高精密电子元器件产业化基地扩产项目。

方案调整后募集资金用途如下:

其中高端集成电路装备研发及产业化项目预计总投资20.1亿元,拟投入募集资金17.8亿元,计划为28纳米以下集成电路装备搭建产业化工艺验证环境和实现产业化;建造集成电路装备创新中心楼及购置5/7纳米关键测试设备和搭建测试验证平台;开展5/7纳米关键集成电路装备的研发并实现产业化应用。

项目设计产能为年产刻蚀装备30台、PVD装备30台、单片退火装备15台、ALD装备30台、立式炉装备30台、清洗装备30台。项目完全达产后,预计达产年年平均销售收入约26.4亿元,项目达产年平均利润总额约5.4亿元。

高精密电子元器件产业化基地扩产项目预计总投资2.4亿元,拟投入募集资金2.2亿元,项目建设内容包括厂房建设、生产设施、辅助动力设施、环保设施、安全设施、消防设施、管理设施等。项目设计产能为年产模块电源5.8万只。项目完全达产后,预计达产年年平均销售收入约1.6亿元,项目达产年平均利润总额3223万元。

北方华创表示,通过本次非公开发行,公司将进一步提升现有高端集成电路设备的产业化能力,并将积极布局集成电路设备的下一代关键技术,为公司集成电路设备的持续技术升级提供必要条件。

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总投资6.7亿元的半导体芯片承载基带和半导体芯片项目落户宁波慈溪

总投资6.7亿元的半导体芯片承载基带和半导体芯片项目落户宁波慈溪

7月2日,深圳市澄天伟业科技股份有限公司(以下简称“澄天伟业”)发布公告称,拟在宁波慈溪高新技术产业开发区投资研发和生产半导体芯片承载基带和半导体芯片项目。澄天伟业公告指出,公司近日收到与慈溪高新技术产业开发区管理委员会签订的《投资合作协议》,就公司在慈溪高新技术产业开发区投资研发和生产半导体芯片承载基带和半导体芯片项目的有关事项达成协议。

该项目总投资6.7亿元,土地面积:50亩(含现有厂房15,645平方米)。固定资产投资18,700万元,达产后年销售80,565万元,年亩均税费60万元以上。此次拟建研发和生产的半导体芯片承载基带和半导体芯片,主要应用于电信和金融支付领域。主要功能定位包括:技术和产品研发,产品生产和供应,综合技术服务和行业供应链服务。

澄天伟业指出,本协议约定的“研发和生产半导体芯片承载基带和半导体芯片项目”实施主体是全资子公司澄天伟业(宁波)芯片技术有限公司,系公司募集资金投资项目“半导体芯片承载基带及芯片生产项目”,该项目建设资金来源于公司自有资金、自筹资金及募集资金。

资料显示,深圳市澄天伟业科技股份有限公司是一家集智能卡行业集研发、生产、销售及服务一体的高新技术企业,并在深圳证券交易所创业板挂牌上市。澄天伟业指出,公司此次与慈溪高新技术产业开发区管理委员会签订本协议,有助于公司与慈溪市实现优势互补、互惠互赢、共同发展的目标。本协议的顺利实施将有利于公司进一步延伸公司产业链,优化公司产品结构,增加公司综合竞争实力,为公司持续稳健发展奠定坚实的基础。

应用材料预计23亿美元收购日本同业Kokusai Electric

应用材料预计23亿美元收购日本同业Kokusai Electric

半导体并购风再起!这次轮到全球最大的半导体设备供应商美商应用材料(Applied Materials Inc),预计将以不高于2,500亿日元(约23亿美元)的金额,收购日本同业国际电气(Kokusai Electric),而该项收购案预计将在几天内公布,并且最快2019年底完成。

根据《日本经济新闻》的报导,在目前5G与人工智能当红,全球半导体业积极开发相关芯片的当下,为了扩大其产品线,应用材料决定进行收购日本同业Kokusai Electric的计划,藉此以增加许多半导体生产的专门技术。

不过,应用材料曾在2013年提出收购同样是半导体设备供应商,日本东京威力科创(Tokyo Electron Ltd.)的计划,但是那一次的收购引发了市场垄断的疑虑,最终撤销收购计划。有了之前的例子,预计应用材料这次也将会受到各国反垄断审查单位的关注。

报导进一步指出,因为Kokusai Electric拥有用于薄膜沉积设备的技术,这是一种在硅晶圆上添加薄膜以形成电路的技术,这对于未来生产半导体芯片时有很大的提升效果,也是应用材料希望能购并Kokusai Electric的原因。而国际半导体协会SEMI表示,预估到2020年为止,球半导体设备的市场将达到584亿美元。

另外,Kokusai Electric原本属于电信设备制造商Hitachi Kokusai Electric的一部分。2017年私募基金KKR收购了Hitachi Kokusai Electric之后,在隔年将其拆分独立成Kokusai Electric。

应用材料预计23亿美元收购日本同业Kokusai Electric

应用材料预计23亿美元收购日本同业Kokusai Electric

半导体并购风再起!这次轮到全球最大的半导体设备供应商美商应用材料(Applied Materials Inc),预计将以不高于2,500亿日元(约23亿美元)的金额,收购日本同业国际电气(Kokusai Electric),而该项收购案预计将在几天内公布,并且最快2019年底完成。

根据《日本经济新闻》的报导,在目前5G与人工智能当红,全球半导体业积极开发相关芯片的当下,为了扩大其产品线,应用材料决定进行收购日本同业Kokusai Electric的计划,藉此以增加许多半导体生产的专门技术。

不过,应用材料曾在2013年提出收购同样是半导体设备供应商,日本东京威力科创(Tokyo Electron Ltd.)的计划,但是那一次的收购引发了市场垄断的疑虑,最终撤销收购计划。有了之前的例子,预计应用材料这次也将会受到各国反垄断审查单位的关注。

报导进一步指出,因为Kokusai Electric拥有用于薄膜沉积设备的技术,这是一种在硅晶圆上添加薄膜以形成电路的技术,这对于未来生产半导体芯片时有很大的提升效果,也是应用材料希望能购并Kokusai Electric的原因。而国际半导体协会SEMI表示,预估到2020年为止,球半导体设备的市场将达到584亿美元。

另外,Kokusai Electric原本属于电信设备制造商Hitachi Kokusai Electric的一部分。2017年私募基金KKR收购了Hitachi Kokusai Electric之后,在隔年将其拆分独立成Kokusai Electric。

首台设备搬入!燕东微电子8英寸线将年底出产2万片晶圆

首台设备搬入!燕东微电子8英寸线将年底出产2万片晶圆

6月25日,北京燕东微电子科技有限公司(以下简称“燕东微电子”)8英寸生产线建设项目迎来首台设备搬入。

燕东微电子官方消息显示,6月25日其8英寸生产线建设项目现场举行了首批设备搬入仪式,北方华创制造的芯片刻蚀机作为首台设备在仪式上搬入厂房,标志着燕东8英寸线项目从建设期向生产运营期迈出重要一步,为年底出产2万片晶圆打下了坚实基础。

官网资料显示,燕东微电子成立于1987年,隶属北京电子控股有限责任公司(以下简称“北京电控”)旗下,是一家涵盖集成电路设计、制造、销售于一体的IDM企业、模拟集成电路及分立器件制造商,已拥有一座月产6英寸晶圆3万片的制造厂房、一条年产能80亿只的超小型塑封生产线、一条年产2.4亿只的射频MCM/SIP集成电路封测生产线。

2016年9月,燕东微电子正式启动8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目。该项目总投资48亿元,以研发自主可控的8英寸LCD驱动IC、?LDMOS、IGBT等产品为主要目标,建成后将形成月产5万片晶圆芯片、年封装超过23亿只集成电路产品的产业化能力。

2018年6月,燕东微电子8英寸生产线项目主体结构FAB1厂房封顶,同月燕东微电子亦宣布该项目完成融资工作。此次融资完全采用市场化方式,引入了国家集成电路产业投资基金、亦庄国投、京国瑞基金等4家外部战略投资者,共募集资金40亿元。

北京电控董事长王岩表示,燕东微电子8英寸线首台设备搬入这一工作节点具有里程碑式的重要意义,而该项目不仅仅对燕东,也对北京电控乃至北京的集成电路发展都具有十分重要的意义。

光刻机的蜕变及专利分析

光刻机的蜕变及专利分析

近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来,十年间,芯片都是我国第一大宗进口商品,进口额远超于排名第二的石油。2018年我国进口集成电路数量为4175.7亿个,集成电路进口额为3120.58亿美元,这组数据清晰的反映出我国中高端芯片技术能力的缺失及对外依赖的严重程度。

我国生产芯片的技术水平与国外先进企业相比存在较大的差距,且生产芯片的工具及工艺也被国外几个公司垄断。其中光刻机,被誉为人类20世纪的发明奇迹之一,是集成电路产业皇冠上的明珠,研发的技术门槛和资金门槛非常高。当今能够制造出光刻机的国家仅有荷兰、美国、日本等少数几个国家,荷兰的ASML是该领域绝对的龙头老大,它的光刻机占据全球市场的80%左右。

光刻机用途广泛,除了前端光刻机之外,还有用于LED制造领域投影光刻机和用于芯片封装的后道光刻机,在此只介绍前端光刻机。

1.背景技术及工作原理

光刻(lithography)设备是一种投影曝光系统,由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中,光刻设备会投射光束,穿过印着图案的光掩膜版及光学镜片,将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽,然后再进行沉积、蚀刻、掺杂,架构出不同材质的线路。

此工艺过程被一再重复,将数十亿计的MOSFET或其他晶体管建构在硅晶圆上,形成一般所称的集成电路。

光刻工艺在整个芯片制造过程中至关重要,其决定了半导体线路纳米级的加工度,对于光刻机的技术要求十分苛刻,对误差及稳定性的要求型极高,相关部件需要集成材料、光学、机电等领域最尖端的技术。因而光刻机的分辨率、精度也成为其性能的评价指数,直接影响到芯片的工艺精度以及芯片功耗、性能水平。

因此光刻机是集成电路制造中最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备。

光刻机的分辨率决定了IC的最小线宽。想要提高光刻机的成像分辨率,通常采用缩短曝光光源波长和增大投影物镜数值孔径两种方法。

根据所述光源的改进,光刻机经历了第一代是436nm g-line;第二代是365nm i-line;第三代是248nm KrF;第四代193nm ArF;最新的是13.5nm EUV。

其中,193nm ArF也被称为深紫外光源。使用193nmArF光源的干法光刻机,其光刻工艺节点可达45/40nm,由于当时光源波长难以进一步突破,因此业界采用了浸没技术等效缩小光源波长(193nm变化为134nm)的同时在液体中镜头的数值孔径得以提高(0.50-0.93变化为0.85-1.35)、且应用光学邻近效应矫正(OPC)等技术后,193nm ARF干法光刻极限工艺节点可达28nm。

到了28nm工艺节点之后,单次曝光图形间距已经无法进一步提升,业界开始采用Multiple patterning(多次曝光和刻蚀)的技术来提高图形密度但由此引入的掩膜使得生产工序增加,导致成本大幅上升,且良率问题也如影随行。

据悉,业内巨头台积电及英特尔的7nm工艺仍然在使用浸入式ArF的光刻设备,但沉浸式光刻终于7nm之后的下一代工艺节点,难以再次发展,EUV成为了解决这一问题的关键,目前EUV光刻机光源主要采用的办法是将准分子激光照射在锡等靶材上,激发出13.5nm的光子,作为光刻机光源。

各大Foundry厂在7nm以下的最高端工艺上都会采用EUV光刻机,其中三星在7nm节点上就已经采用了。而目前只有荷兰ASML一家能够提供可供量产用的EUV光刻机,国内的光刻机技术从20世纪70年代开始就先后有清华大学精密仪器系、中科学院光电技术研究所、中电科45所投入研制,目前国内厂商只有上海微电子(SMEE)及中国电科(CETC)旗下的电科装备,其中SMEE目前量产的性能最好的为90nm(193 ArF)光刻机与国际水平相差较大。

另一方面投影物镜是光刻机中最昂贵最复杂的部件之一,提高光刻机分辨率的关键是增大投影物镜的数值孔径。随着光刻分辨率和套刻精度的提高,投影物镜的像差和杂散光对成像质量的影响越来越突出。浸没式物镜的轴向像差,如球差和场曲较干式物镜增大了n倍,在引入偏振光照明后,投影物镜的偏振控制性能变得更加重要。在数值孔径不断增大的情况,如何保持视场大小及偏振控制性能,并严格控制像差和杂散光,是设计投影物镜面临的难题。

传统光刻机的投影物镜多采用全折射式设计方案,即物镜全部由旋转对准装校的透射光学元件组成。其优点是结构相对简单,易于加工与装校,局部杂散光较少。然而,大数值孔径全折射式物镜的设计非常困难。

为了校正场曲,必须使用大尺寸的正透镜和小尺寸的负透镜以满足佩茨瓦尔条件,即投影物镜各光学表面的佩茨瓦尔数为零。透镜尺寸的增加将消耗更多的透镜材料,大大提高物镜的成本;而小尺寸的负透镜使控制像差困难重重。

为了实现更大的数值孔径,近年来设计者普遍采用折反式设计方案。折反式投影物镜由透镜和反射镜组成。反射镜的佩茨瓦尔数为负,不再依靠增加正透镜的尺寸来满足佩茨瓦尔条件,使投影物镜在一定尺寸范围内获得更大的数值孔径成为可能。

数值孔径是光学镜头的一个重要指标产业化的光刻物镜工作波长经历了436nmG线,365nm线,248nmKRF,193nmArF和13.5nm极紫外,相应的物镜设计也在不断的提高数值孔径。

以现在世界主流的光刻机深紫外浸入式光刻机紫外光线来说要想达到22纳米的水平,那么物镜的数值口径要达到1.35以上,要达到这个口径很难,因为要加工亚纳米精度的大口径的镜片,用到的最大口径的镜片达到了400毫米。目前只有德国的光学公司可以达到,另外日本尼康通过购买德国的技术也可以达到。

虽然目前国内国防科大精密工程团队自主研制的磁流变和离子束两种超精抛光装备,实现了光学零件加工的纳米精度,但浸没式光刻物镜异常复杂,涵盖了光学、机械、计算机、电子学等多个学科领域最前沿,二十余枚镜片的初始结构设计难度极大——不仅要控制物镜波像差,更要全面控制物镜系统的偏振像差。因此,在现阶段国内物镜也无法完全替代进口产品。

2.专利分析

从国内外市场格局来看,ASML占据了全球主要的市场份额,而日本尼康其先进光刻机由于性能问题并未受到半导体制造商的青睐,目前主要经营为面板光刻机;佳能保留低端半导体i-line和Kr-F光刻机,退出了高端光刻机的角逐,从2019年ASML和尼康的财报可以进一步看出。

根据ASML的2019年第一季度财报,虽然其较2018年第四季度收益有所下降,但仍然有16.89亿欧元的营收,其中ArF Dry占据4%,KrF占据9%;i-line占据2%;Metrology&inspection占据3%;EUV占据22%;ArF Immersion占据60%。而尼康2019年财报,半导体光刻业务临时利润为15亿日元,约为9105万人民币,与ASML相距甚远。

国内光刻机虽与ASML相距甚远,但在曝光系统及双工作台系统也取得了一些成就:如2017年中科院院长春光精密机械与物理研究所牵头研发“极紫外光刻关键技术”通过验收;北京华卓荆轲科技股份有限公司成功打破了ASML在工作台上的技术垄断。

通过incopat工具对光刻机相关专利进行检索分析,得到该领域2000年至今的年申请趋势图,重点申请人申请数量排名,EUV光刻机重点申请人申请数量排名。

图1光刻机全球申请量趋势

数据来源:incopat,2000-2018年

从图1可以看出,2000-2004年迎来了光刻机专利申请的第一次快速增长,这一时期Intel、VIA及IBM等企业设计的半导体芯片性能快速提升,对半导体制程提出了越来越高的要求,光刻机技术不断提升,使得申请量也随之攀升。

而在光刻机研发到193nm时遇到瓶颈,ASML联手多家芯片巨头将193浸润式光科技树延伸至15nm,在此期间专利申请量下滑,但沉浸式光刻在7nm之后难以发展,EUV光刻机成为了解决这一问题的关键,因此近些年光刻机的相关技术专利申请呈现在此增长的趋势。

图2光刻机专利申请地域分布图

数据来源:incopat,2000-2018年

从地域分布来看,在光刻机领域,日本的专利申请量最多,日本企业除了在本国大量布局之外,比较重视在美国、韩国、中国台湾和中国大陆的专利布局,说明日本作为传统的光刻机领头羊,在中低端光刻机的研发投入了大量精力,布局了大量相关专利,其在中低端光刻技术上的实力雄厚。但在高端光刻机领域,日本技术仍有待提升。与之相比,中国相关专利申请量较少,说明光刻机技术门槛高,且国内没有过多的技术积累,发展较慢。

图3左图为光刻机重点申请人申请量排名;右图为EUV重点申请人申请量排名

数据来源:incopat,2008-2018年

图3为近几年关于EUV专利重点申请人排名与光刻机重点申请人申请排名比较,其中关于EUV光刻机重点申请人申请数量,ASML位列第二名,排名第一的光学仪器企业卡尔蔡司(Carl Zeiss)及排名较为靠前的海力士及三星均为ASML的合作伙伴,日本尼康及佳能分别位列第四及第六位。

对比光刻机重点申请人专利申请数量及EUV光刻机重点申请人专利申请数量,不难看出日本佳能及尼康在EUV光刻机研究上已经与ASML拉开较大差距,逐渐退出高端光刻机额角逐,究其原因为:

(1)ASML无上下游企业,专注研发,且核心技术绝对保密;

(2)ASML的特殊规定:想获得ASML光刻机的优先使用权的企业,需入股ASML,台积电,三星,英特尔,海力士纷纷入股,以寻求互惠互利。如在光刻机进入193nm节点时,ASML与台积电联合开发的浸润式光刻机是奠定ASML绝对霸主的关键一步。

(3)ASML每年将营业额的15%用于研发,高额的研发费用,让尼康和佳能望而却步,逐步退出高端光刻机的角逐。

3.结论

光刻机在芯片制造过程中起着至关重要的作用,随着器件特征尺寸的不断缩小,对光刻机的精度要求越来越高,作为芯片制造业巨头:三星、台积电、因特尔已纷纷入股ASML,以谋求其高端光刻设备共同开发与优先采购权,国内光刻机领域虽然取得一些进展,但仍然与国际水平差距巨大,仅仅依靠进口,国内的芯片制造行业势必受制于人,加快光刻机的研制步伐,刻不容缓。

参考文献:

[1]http://www.sohu.com/a/213887254_468750

[2]徐明飞.2017.高数值孔径投影光刻物镜的光学设计[D]

[3]http://blog.sina.com.cn/s/blog_bde252a80102woqm.html

[4]程建瑞.2015.EUV光刻技术的挑战[J].电子工业专用设备.

[5]张金颖.2019.荷兰光刻巨头崛起对我国发展核心技术的启示[J].中国工业和信息化.

[6]王龙兴.2018.全球半导体设备的市场分析[J].上海市集成电路行业协会.

● 作者:超凡知识产权数据与咨询事业部检索分析师 王辉

北方华创:14nm设备在评估验证 多款设备进入存储器生产线应用

北方华创:14nm设备在评估验证 多款设备进入存储器生产线应用

近日,北方华创总经理赵晋荣,副总经理张国铭等接待了上百家投资机构的调研。

作为国内知名的半导体设备企业,近年来北方华创半导体装备新产品开发与市场拓展在集成电路、先进封装、LED、新型显示、光伏等细分领域均取得了显著进步,以集成电路和先进封装为例。

在集成电路领域,由北方华创自主研发的14nm等离子硅刻蚀机、单片退火系统、LPCVD已成功进入集成电路主流代工厂;28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD设备已率先进入国际供应链体系;12英寸清洗机累计流片量已突破60万片大关;深硅刻蚀设备也于去年一举告捷东南亚市场。

北方华创表示,公司多款14nm设备在生产线评估验证,多款10nm设备处于研发中。

在先进封装领域,北方华创表示,在公司集成电路各细分领域中,先进封装占比最高,功率器件占比次之,逻辑与存储等先进制程领域占比较低。

据悉,北方华创应用于Bumping制程的Descum设备于2016年一经推出便收获了市场的积极关注。此外,目前北方华创微电子开发的刻蚀机和PVD设备已在全球主要先进封装企业中得到了广泛应用;先进封装PVD机台也在全球CIS封装企业中名列前茅;所开发的TSV刻蚀设备在大陆地区最近几年的新增市场中亦实现了较高的市场占有率。

尽管逻辑与存储等先进制程在北方华创集成电路领域中占比较较低,但值得注意的是,当前国内存储器厂商产能扩张提升了对集成电路设备采购,而北方华创已经有多款设备进入存储器生产线应用。

对于下游晶圆厂扩建的进度和规模预期,北方华创表示,外资厂在国内建线,一般是按原厂设备拷贝方案进行配置,对国产设备采购比例相对较低;

对于国内晶圆厂成熟技术节点的扩产,由于海外晶圆厂设备折旧基本完成,导致国内厂家成本压力较大,评估和采购国产设备的意愿较强;

对于国内先进制程扩产,能采用多少国产设备,需要看国产设备的成熟程度,还需要时间去突破;

国内存储晶圆厂,初期验证的时候采用进口成熟设备比例较大,待其技术突破产能爬坡时,会逐步增加国产设备的配置比例以降低整线采购成本。

北方华创认为,存储器产品工艺单一,追求更低成本,不受设计公司约束,因此比较适合国产厂商切入。

北方华创预期,公司元器件业务将保持平稳增长;电子专用设备业务总体保持增长态势,其中锂电设备领域竞争比较激烈,增幅较小;真空设备,受到客户扩产影响,业务量应该和去年相仿;LED设备,最近行业扩产明显放缓,后续随着新技术出现,可能带来机会;光伏设备发展势头良好,订单增长将较快;集成电路设备,总体保持增长。

总投资100亿美元!华虹无锡6月5日首批光刻机搬入

总投资100亿美元!华虹无锡6月5日首批光刻机搬入

日前,华虹半导体(无锡)有限公司12英寸生产线建设项目(以下简称“华虹无锡项目”)迎来了首台工艺设备搬入。根据计划,该项目将于6月5日进行首批光刻机搬入,这将是整个项目建设新的里程。

华虹无锡项目联合体总包单位十一科技官方消息显示,5月24日,华虹无锡项目举行第十一次推进会暨首台工艺设备搬入仪式,并进行了华虹七厂授牌仪式。

值得一提的是,华虹宏力总裁、党委书记唐均君提到,华虹无锡项目将于6月5日迎来首批光刻机搬入,“在项目建设新的里程——6月5日光刻机搬入后,整个项目即将达到新的高度。”

华虹无锡的第一台设备正式搬入标志着华虹无锡项目进入一个新阶段,为6月5日光刻机的搬入奠定了基础。

根据此前官方介绍,华虹无锡项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期投资25亿美元,新建一条工艺等级90~65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线,支持5G和物联网等新兴领域的应用。

该项目于2018年3月正式开工建设,计划将于2019年上半年完成土建施工,下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产。自开建以来,华虹无锡项目一直加速前进,主要工程节点均提前完成。

今年3月,华虹半导体在其年报上表示,华虹无锡已于2018年底主体结构全面封顶,预计将于2019年第二季度末完成厂房和洁净室的建设,下半年开始搬入设备,并于2019年第四季度开始300mm晶圆的量产。

如今首台设备已搬入,在时间上较计划又有所提前,项目推进看来颇为顺利。随着接下来下个月首批光刻机的搬入,如无意外,华虹无锡项目很快将迎来量产,业业界预计设备搬入后3个月左右。

据悉,为加快实现华虹无锡的顺利投产、风险量产和上量,华虹半导体在2018年启动了55nm逻辑工艺及相关IP的研发,预计2019年下半年开始导入客户,同时开始研发55纳米嵌入式闪存工艺的存储单元,功能验证已通过,为未来55纳米嵌入式闪存技术量产打下坚实的基础。

对于华虹半导体来说,华虹无锡的量产意义重大,将是其产能的升级以及发展的新阶段、新里程碑。某不具名业内人士分析认为,目前华虹的产能已然满产,如今正值国产替代化大潮将至,华虹无锡带来的产能将有望解其产能燃眉之急以及提升竞争力。

上述业内人士还指出,由于下游需求的快速增长,8英寸产能已经连续多季处于供应紧张的状态,在目前8吋产线由于设备较少新开和扩建难度较大的情况下,8英寸产品或将加速向12英寸转移,同时12英寸的经济效应也比8英寸好、单颗成本更低。

随着国内2015年以来新建的8英寸和12英寸特色工艺产线如华虹无锡项目等相继投产,相关产品晶圆制造产能供应紧张的局面会得到缓解。

至纯科技拟募资3.56亿元 投建半导体湿法设备及晶圆再生基地

至纯科技拟募资3.56亿元 投建半导体湿法设备及晶圆再生基地

5月7日,至纯科技发布《公开发行A股可转换公司债券预案》,拟公开发行总额不超过人民币3.56亿元的可转换公司债券,募集资金投资建设半导体湿法设备制造项目和晶圆再生基地项目。

根据可行性分析报告,半导体湿法设备制造项目计划投资总额1.8亿元,拟投入募集资金金额1.2亿元。该项目主要开展批次式半导体湿法清洗设备和单片式半导体湿法清洗设备的生产制造,建设周期为2年,达产后将实现年产批次式半导体湿法清洗设备30台,单片式半导体湿法清洗设备10台的生产能力。

据介绍,湿法清洗是芯片制造过程中最频繁的步骤,通过化学药液或去离子水去除制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、金属污染、抛光残留物等物质。

晶圆再生基地项目计划投资总额为3.2亿元,拟投入募集资金金额2.36亿元,建设内容主要包括生产车间建设及设备购置。该项目主要开展再生晶圆的加工服务,建设周期为2年,达产后将实现年产12英寸硅再生晶圆168万片的产出能力。

晶圆再生是对晶圆制程所需测试片和挡控片进行回收加工,使得晶圆能循环再利用。晶圆厂为缩减成本通常会将使用过的控片、挡片委托给开展晶圆再生服务的外部公司进行加工,实现其循环再利用。

资料显示,至纯科技长期从事于提供高纯工艺系统的整体解决方案,主要产品广泛应用于泛半导体产业。2015年,至纯科技开始湿法工艺设备的研发,并于2017年成立半导体湿法事业部,致力于打造高端湿法设备制造开发平台。

至纯科技分析认为,我国不断新建并逐步投产的晶圆厂拉动了对半导体清洗设备需求的强劲增长,该市场规模存在着广阔的发展空间;基于降低不必要的损耗以及减少运输在途时间考虑,晶圆厂通常优先选择本地供应商,进一步刺激了国内晶圆再生市场的持续增长,我国晶圆再生的市场规模亦较为可观。

由于缺乏相关工艺技术,目前半导体湿法设备制造及晶圆再生的国产化率较低,产业替代市场空间广阔。随着国家对半导体产业发展的各项政策顺利落地实施,越来越多资本将逐渐参与到半导体湿法设备制造及晶圆再生服务领域,弥补市场空缺。

长沙高新区:集成电路成套装备国产化项目于2021年投产

长沙高新区:集成电路成套装备国产化项目于2021年投产

近日,中国电科党组成员、副总经理黄兴东一行来到湖南长沙高新区调研。他们实地走访了集成电路成套装备国产化集成及验证平台项目现场,了解项目建设情况。电科装备副总经理、48所所长龚杰洪,长沙高新区党工委书记周庆年、管委会副主任陈大庆参加调研。

集成电路是国民经济和社会发展的先导性、支柱性产业,近年来我国集成电路产业实现了快速发展。集成电路成套装备国产化集成及验证平台项目,位于青山路与雷高路交会处的东北角,占地183亩,总建筑面积为12.7万平方米,总投资25亿元。

该项目于2018年11月28日开工建设,主要建设一条8英寸集成电路装备验证工艺线,打造国家集成电路装备创新中心,建立并提供装备技术标准。该项目建成后将为国内提供标准化集成电路装备,并为军民用芯片提供可信代工。据了解,该项目主要成果为集成电路装备、整线集成和军民用芯片。

据该项目建设方介绍,集成电路成套装备国产化集成及验证平台项目将在2021年竣工并投产,达产后预计年产值超过10亿元,年创税收1.2亿元。