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晶圆代工龙头台积电先进制程又有新产品推出！根据国外科技媒体《anandtech》报导，台积电已悄然推出 7 纳米深紫外 DUV（N7）和 5 纳米极紫外 EUV（N5）制程的性能增强版本。两代号称为 N7P 和 N5P 制程技术，专门为需要 7 纳米设计运算更快，或消耗电量更少的客户所设计。

报导指出，台积电全新 N7P 制程技术采用与 N7 相同设计规则，但优化前端（FEOL）和中端（MOL）架构，可在相同耗能下，将性能提升 7%，或者在相同的性能频率下，降低 10% 的能耗。

全新的 N7P 制程技术，台积电最早是于今年在日本举办的 VLSI 研讨会透露相关讯息，不过没有广泛宣传。N7P 目前采用经验证的深紫外（DUV）光刻技术，与 N7 制程技术相比，没有改变电晶体密度。针对需要电晶体密度高出约 18%~20% 的客户，台积电预计建议使用 N7+ 或 N6 制程技术。N6 制程技术是透过极紫外（EUV）光刻技术进行晶圆多层处理。

报导进一步指出，除了 N7P 的新制程技术，台积电下一个有显着电晶体密度提升、改进功耗和性能的主要制程节点，就是 5 纳米 N5 制程技术。台积电为此特提供定名为 N5P 的性能增强版本，采用 FEOL 和 MOL 优化功能，以便在相同功率下使芯片运行速度提高 7%，或在相同频率下将功耗降低 15%。

尽管日韩贸易冲突持续延烧，但三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛依然将如期举行。届时三星将展示自家先进制程技术，并提供用于生产3纳米以下芯片、名为“环绕闸极”（GAA）技术的制程套件。三星称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一年，更超前英特尔（Intel）两到三年。

韩国媒体BusinessKorea报导，三星28日宣布，2019年“三星晶圆代工论坛”（SFF）将如期于9月4日在东京举行，且已于26日在网站上开始受理报名。在日韩贸易紧张不断升高之际，业界正怀疑这场论坛能否如期在东京举行，三星这项决定消弭了外界的疑虑。

产业专家分析，三星想要传达的讯息是，尽管面临日本的“断货”威胁，三星电子旗下的晶圆代工事业不受中断。

报导指出，三星将展示自家纳米制程技术，并提供名为“环绕闸极”（GAA）技术的制程套件。GAA技术将用于3纳米、甚至更精密的制程技术。

日本在4日加强管制三项重要半导体原料的出口，其中，日制光刻胶为极紫外光（EUV）微影技术的关键材料，让三星的晶圆代工部门首当其冲，也削弱与台积电在7纳米芯片的竞逐能力。

EUV制程是三星欲在2030年于全球存储器、无晶圆厂及晶圆代工业务稳坐龙头宝座的关键。在EUV制程与台积电旗鼓相当的三星电子，正快马加鞭量产7纳米芯片，希望能借此提前进度超车台积电。但日本本周非常有可能把韩国踢出“白色名单”，三星的高科技原料进口预料将更加受限。

三星预定未来几个月完成位于华城的第一条EUV芯片产线，并计划之后在京畿道平泽建设另一条EUV产线。如今，三星一名高端主管指出，“考量到当前情况，我们必须考虑投资新EUV产线的时机”。

三星电子自5月开始陆续在美国、上海及首尔举办晶圆代工论坛，待9月论坛落幕后，下一场将论坛于10月在德国慕尼黑登场。

据台湾地区《经济日报》报导，台积电供应链又有新消息指出，7纳米制程供不应求将紧急扩产。

此前曾有消息传出矿机龙头比特大陆向台积电下大单，如今消息更进一步显示，台积电将为此扩充供不应求的产能。传台积电高层近期已前往日本协商追加相关产能设备，预计自今年11月开始，每个月投片量增加1万片，以因应这些客户急单。

尤其是如比特大陆等特殊芯片应用厂商，传出直接用现金付款，砸大钱预订产能的消息，加上5G技术等热潮也即将来临，令台积电决定在年底前再度扩大产线。据估计，台积电今年资本资出将超过110亿美元。当然台积电仍旧不愿意对单一客户进行评论，不过相关资本支出的讯息将会在10月法说会中披露。

目前台积电已在董事会通过第3季资本支出预算，并加速设备采购作业，同时因应7纳米扩产及5纳米技术量产，台积电全台厂都扩大对外招募近3,000人。尤其台积电导入极紫外光等新技术的强化版7纳米制程，在功耗及性能表现都相当优异，已获得市场青睐。

且分析师估计，这些生产经验，将可以套用在下一个先进制程，令台积电能继续确保对三星等竞争对手的领先优势。尽管智能手机热潮不再，但苹果、高通甚至是华为等厂商都在冲刺7纳米产品，已塞爆台积电产线。

不过若消息属实，原本不被台积电看好的虚拟货币芯片业务，大胆的以相当优惠的交易条件，抢下了一定产能，值得持续关注。

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随着人工智能（AI）的深度学习及机器学习、高效能运算（HPC）、物联网装置的普及，巨量资料组成密集且复杂，除了在处理器上提供运算效能，也需要创新的存储器技术方能有效率处理资料。包括磁阻式随机存取存储器（MRAM）、可变电阻式随机存取存储器（ReRAM）、相变化随机存取存储器（PCRAM）等新型存储器，开始被市场采用，而AI/HPC将加速新型存储器更快进入市场。

据了解，台积电近年来积极推动将嵌入式快闪存储器（eFlash）制程改成MRAM及ReRAM等新型存储器嵌入式制程，与应用材料有很深的合作关系。联电也有布局ReRAM，旺宏与IBM合作PCRAM多年且技术追上国际大厂。再者，群联宣布采用MRAM在其NAND控制IC中。

半导体设备头龙大厂应用材料推出新的制造系统，能够以原子级的精准度，进行新式材料的沉积，而这些新材料是生产前述新型存储器的关键。应用材料推出最先进的系统，让这些新型存储器能以工业级的规模稳定生产。

MRAM采用硬盘机中常见的精致磁性材料。MRAM本来就是快速且非挥发性，就算在失去电力的情况下，也能保存软件和资料。由于速度快与元件容忍度高，MRAM最终可能做为第三级快取存储器中SRAM（静态随机存取存储器）的替代产品。MRAM可以整合于物联网芯片设计的后端互连层，进而实现更小的晶粒尺寸，并降低成本。

随着资料量产生呈现指数性遽增，云端资料中心也需要针对连结服务器和储存系统的资料路径，达成这些路径在速度与耗电量方面的数量级效能提升。ReRAM与PCRAM是快速、非挥发性、低功率的高密度存储器，可以做为“储存级存储器”，以填补服务器DRAM与储存存储器之间，不断扩大的价格与性能落差。

ReRAM采用新材料制成，材料的作用类似于保险丝，可在数十亿个储存单元内选择性地形成灯丝，以表示资料。对照之下，PCRAM则采用DVD光盘片中可找到的相变材料，并藉由将材料的状态从非晶态变成晶态，以进行位元的编程。

类似于3D NAND Flash存储器型式，ReRAM和PCRAM是以3D结构排列，而存储器制造商可以在每一代的产品中加入更多层，以稳健地降低储存成本。

台积电7纳米订单暴冲，不仅让第4季营收延续成长动能，也为预定明年量产的5纳米制程， 奠定客户更高接受度的基石。

台积电已在董事会通过第3季资本支出预算，并加速对设备厂采购作业，同时因应7纳米产能扩充以及5纳米明年量产，台积电已宣布竹科、中科和南科三大厂区今年再扩大对外招募3,000人。

据了解，台积电7纳米，因为导入极紫外光（EUV）和多种曝光搭配的7纳米强化版，在芯片功耗和效能都非常优异，因而获得芯片大厂青睐。

半导体业者分析，这些大客户大量投片的生产经验，可以让台积电可以利用这些先进制程产生的大数据，套用在下一个先进制程，让台积电在先进制程保持领先优势，确保客户不会轻易转单给目前制程远远落后的三星。

在晶圆代工龙头台积电日前的法说会中，台积电表示，目前7纳米制程产能几乎满载，而且未来5纳米制程也依照计划顺利进展的情况下，看好未来因5G与AI商机所带来的发展。

事实上，台积电除了7纳米与5纳米的发展情况积极之外，更加先进的3纳米制程也同样发展顺利，而且已经有相关的早期客户参与其中，这将使得台积电在先进制程为持续维持领先的位置。

根据外媒《anandtech》的报导，由于3纳米制程目前仍在研发中，使得其相较于5纳米制程的优势与具体生产流程目前都尚未公布。不过，台积电指出，目前的技术开发进展顺利，而且已经就电晶体各项的结构进行了评估，可以使得客户在未来获得最佳的方案，而且已经有早期的客户开始接触，甚至参与其中。

日前，在台积电法说会上，总裁魏哲家就指出，希望3纳米制程未来能进一步延续及扩展台积电的领先地位。

目前台积电主要竞争对手三星也宣布将在3纳米制程上推出全新的GAA(Gate-All-Around)技术，号称能降低使用能耗、缩小面积，提高效能，并且预计在2021年正式量产。因为三星预定的量产时间几乎与台积电相同，这使得台积电与三星的竞争，将从当前的7纳米制程，延续到未来的3纳米制程上。

而对于这样的情况，台积电先前也曾表示，从7纳米到5纳米，再到未来的3纳米，台积电在每一个节点是全节点的提升，不同于竞争对手每一个节点都仅是部分性能的优化而已，并非全节点的性能提升。因此，对于未来3纳米制程上的竞争，台积电对于自己的技术竞争力仍是信心满满。

报导进一步表示，对于台积电的3纳米制程，目前可以确定的将是深紫外光(DUV)及极紫外光(EUV)两种微影技术共同使用的情况。由于在5纳米制程上台积电使用了14个EUV层，预计未来3纳米将采用数量更多。而因为台积电目前对于使用EUV状况感到满意的情况下，未来EUV技术仍未扮演其关键的角色。

对于外传因为日韩贸易战，韩国三星因为受到日本原料管制的情况，导致晶圆代工业务可能受到影响，使得台积电将能受到转单效应的消息，台积电在18日法说会后与媒体的联访时表示，目前没有这样的情况。韩国客户即使真的要转单，也不会是这两三个月就能决定的事情。所以，台积电短期要有转单的效应，目前不可能。

在媒体联访一开始，就被问到日韩贸易战影响的台积电资深副经理暨财务长何丽梅表示，目前因为相关的变数太多，真的无法量化，也无法判断。所以，现在不给予任何评论。但是，针对外传台积电将会受惠于日韩贸易战下的转单效应，则何丽梅强调，客户即使要转单也都有一定的程序，不会有立即转单的情况，所以，短期内不会有转单的状况，长期就得看贸易战的持续时间有多长。至于，对于目前对华为的供货情况，何丽梅则指出目前一切正常。

而对于2019年第2季缴出优于预期的成绩，其中在毛利率方面较第1季有所成长，何丽梅直指是产能利用率提升所造成。而面对总裁魏哲家在法说会上所说，2019年全年全球半导体产业成长率将下滑3%，而晶圆代工产业将下滑1%的情况，何丽梅则是重申，在预计第3季营收将优于第2季，2019年下半年业绩又会优于2018年同期的情况下，台积电全年营收将有机会优于业界表现，对营收成长也可以预期。而至于能有甚么样幅度的表现，则是预计在10月份的第3季法说会上再跟大家说明。

由于台积电预估，2019年第3季的营收若以美金计价，将可达到91亿美元到92亿美元的金额，较第1季成长17%到18%，毛利率也将达到46%到48%的水准，成长幅度令人惊艳。对此，何丽梅表示，第3季包括智能手机、高效能运算、物联网及车用等平台销售将全面成长。其中，又以智能手机平台成长最强劲，物联网也将强劲成长。而且，这样强劲成长的趋势还将延续到2019年第4季，使得第4季的营收也预计能优于第3季。

另外，再从资本支出来看，何丽梅指出，原本预计2019年的资本支出将维持100亿到110亿美元之间的金额。但是，因为2020年的5纳米生产在即，再加上当前相关5G市场的需求正在增加中，包括美、中、日、韩等国家在积极发展中。所以，台积电在与客户进行讨论之后，发现目前市场的需求强烈。因此，会将相关的量产进度稍微提前，也就表示部分设备将提前运抵装机，所以相关的资本支出将会落到2019年度当中，使得相关资本支出的金额会些许的增加。

而对于竞争对手在5纳米技术上的竞争，何丽梅仍对台积电的技术充满信心表示，台积电从10纳米到7纳米，再到如今的5纳米制程上，每一个都是全节点(Full-Node)的进步，相较竞争对手仅是一小部分的提升有着很大的差别，这使得未来的竞争结果大家都能够想到其结果如何了。而以目前来说，7纳米制程中，包括7纳米+及6纳米等制程，目前的产能都很?忙?。另外，对于近期虚拟货币方面的业务，何丽梅则是表示要看7纳米产能的状况，如果有产能就会给予帮忙。而以2019年全年来说，7纳米制程占整体销售量将会达到25%左右。

至于，在其他消息方面，何丽梅指目前8寸厂的产能，再用于手机配件生产的0.18微米制程上确实有比较满的情况，不过并非全部的8寸厂产能都完全满载。而南京厂的方面，先前说明要暂缓扩展的计画，目前也回复到正常进行中。也就是2019年底之前在加5,000片，2020年则将再加5,000片，最终达到月产能2万片的规模。

最后，即将卸任财务长职务，准备转任起专职负责欧亚业务的何丽梅指出，会有转任的情况，完全是当时因为总裁魏哲家必须接受所有的业务报告，在忙不过来的情况下商请何丽梅帮忙，因此就有了这样的一个开始。而且这样的工作，自2019年的1月1日已经展开，至今也已经进行了一段时日。所以，相关的工作何丽梅也已经开始负责，也乐于做这样的工作。而根据日前台积电的公告，台积电副财务长黄仁昭将在9月1日正式接下财务长的职务。

根据台湾地区内政部的公告，晶圆代工龙头台积电在新竹宝山的都市变更计划，已经正式获得审议通过。这象征着继台积电在南科兴建的5纳米产线之后，更加先进的3纳米制程即将来到，将使得让台积电稳坐技术领先者的位置。

台湾地区内政部都委会在16日晚间的公告指出，已经审议通过台积电3纳米宝山厂都市计划变更案件，这对台积电预计投资超过新台币6000亿元兴建3纳米宝山厂，2020年动工，最快2022年底量产，具有重大进展与帮助。

内政部指出，科技部为因应政府积极推动“5加2”产业创新政策，协助解决产业五缺问题，透过筛选新竹园区周边可利用土地，评估适宜产业发展用地，期能发挥整体产业群聚效益，并经行政院2018年9月13日核定扩建计划，变更部分保护区为园区事业专用区约29.5公顷土地。

内政部表示，本次内政部都委会审议通过科技部所提台积电宝山都市计划变更案，将提供台积电3纳米厂投资建设计划。