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“2020年注定是艰难的一年，经历了中美贸易紧张局势不断升级，疫情全球蔓延。对于身处疫情爆发最中心武汉的长江存储而言，种种磨难的感受尤为深刻。幸运的是在公司全体员工和合作伙伴的携手努力下，长江存储实现了疫情期间不停产、零感染的目标。”6月27日，在SEMICON CHINA 2020的开幕主题演讲中，长江存储联席首席技术官程卫华表示，“在积极复工复产的同时，我们也在思考，如何审时度势，加强企业自身的内功。”

虽然疫情对人们生活造成了很大影响，但是对半导体产业，尤其是存储产业而言，则带来了一些新需求趋势。程卫华指出，首先，疫情期间在家办公、远程会议成为常态化，使得各大企业需要升级服务器以确保远程办公的工作效率。其次，学校、培训机构停课，与此同时优质的网课、在线教育平台如雨后春笋不断涌现，消费者更愿意为优质的服务买单。最后，线下的影院经历了前所未有的寒冬，而短视频直播行业兴起；手机和电脑的消费出现了短期的放缓，但是手机游戏、新互联网应用和娱乐体感、健身、VR/AR等终端需求增长。这些都说明科技的发展不会因为疫情而停下脚步，新的生活方式和创新应用正在不断的走进我们的生活。

“一大批优秀的创新企业和新兴业务不断涌现，未来线上和线下的业务布局将得以重构，最终达到新的平衡。”他表示，“半导体技术存储行业作为全球科技产业链的必不可少的一环，将不断创新来支持和满足新的应用需求，通过产业链的协作，让科技创造更美好的生活。”

在这些新兴应用的驱动下，对3D NAND闪存技术和市场的需求变化也非常明显。首先是消费级市场的变化推动着闪存技术的需求，比如便携式体感游戏机对闪存市场的推动；索尼PS5将机械硬盘升级为固态硬盘，使得NAND闪存需求瞬间飙升。其次云业务对SSD的需求推动也非常明显。在武汉疫情期间，紫光集团旗下的新华三为雷神山、火神山医院建设捐赠了数千套网路设备，并协助在第一时间完成了测试调试，大数据技术和网络通讯技术的为远程会诊、远程医疗创造必要的条件，为两个医院抢救患者赢得了宝贵的时间。这些应用就云业务推动闪存需求一个很好的例子。

“在更多的云业务和数据信息服务高速发展的推动下，企业级SSD市场虽然在今年下半年会有一个小幅的波动，但总体仍会一路保持上涨的态势。”程卫华指出，“另一方面，随着QLC技术的成熟及其成本成本优势，大容量低成本的SSD产品将被广泛应用于海量数据服务。接下来，企业级SSD、个人电脑、智能手机将是未来NAND闪存市场的主要驱动力，预计到2024年，SSD需求将占整体闪存总量的57.7%，智能手机需求则占27%。”

长江存储3D NAND技术进展

对长江存储而言，市场容量足够大，机会也足够多，而且还有很多高速率低延时的应用还没有被充分开发出来。“长江存储的加入，一方面将通过技术创新为市场带来活力，另一方面对应全球数据存储需求的增长，贡献一份中国的力量，促进行业良性健康发展。”程卫华强调。

去年9月份，长江存储基于Xtacking技术的64层TLC闪存正式量产，成功的走出了一条从研发、设计、制造的高端芯片IDM创新思路。目前长江存储正在建立系统解决方案，通过投入系统解决方案的研发，提升对产能科技的理解，积累经验，将闪存产品的从研发到市场的需求各个环节一路大成。使用长江存储64层TLC产品的方案将于下半年陆续推出，包括SATA SSD、PCIe SSD、eMMC、UFS等产品。

除了上述64层TLC闪存和系统解决方案，长江存储按照既定规划，在今年4月份推出了128层TLC/QLC 3D NAND的两款产品。X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060，以满足不同应用场景的需求。两款产品均采用长存自主研发的Xtacking堆栈架构的2.0版本。

目前与长江存储合作的企业当中，包括了国科微、江波龙、威刚、群联、联芸科技、慧荣等优质合作伙伴，共同推动长江存储64层 TLC产品应用。随着产业链的日趋成熟、完善，各个品牌基于长江之处闪存芯片的产品将不断推出。

加强知识产权建设、致力构建IDM模式

程卫华强调，目前长江存储取得的成绩，一方面得益于全球产业链的协同和对知识产权体系的重视，另外一方面得益于致力成为国际化IDM企业。他指出，中国半导体产业的发展离不开全球产业链的合作、协同，国际合作的大趋势不可逆，没有任何一个国家，任何一个企业能够独善其身。如果没有当前这种全球规模的创新协作、协同，集成电路产业绝对不会有今天大家所看到的蓬勃发展。在国际合作的背景下，长江存储也十分重视知识产权体系的建立和保护。“截至目前为止，长江存储申请了超过2100个专利，同时也获得了业内超过1600项交叉授权，良性的竞争将带动持续的创新和研发投入。”

此外，长江存储还在从技术创新、质量及可靠性、量产和成本效益、全球化合作等方面致力构建IDM模式，形成核心竞争力。

“中国半导体产业的发展，IDM模式已经被证明是存储器企业发展的必由之路。因为存储器比较特殊，它的设计、工艺、测试和参数优化、系统解决方案都是相互影响的。所以必须在这个生态中进行协作，才能做出一个最佳方案来。”

程卫华指出，为了实现IDM这个目标，长江存储将从以下几个方面来努力。首先要打造先进的管理模式和智能制造体系，其中包括强化内部的制度流程建设，运用大数据分析和自动化提高研发效率，生产效率，供应链管理效益，以及客户；其次，加强自身的人才梯队建设，给团队中的年轻人机会，信任他，磨练他们，引导他们，让他们成长起来，形成敢打硬仗、能打胜仗的核心队伍；最后重视产业链的上下游合作和品牌建设，芯片制造企业扮演一个纽带的角色，把设备制造商和零部件制造商团结起来，可以把对设备工艺性能的需求，在项目启动阶段就充分的与设备供应商沟通，让他们做有针对性的研发和创新。“在形成创新的合作的商业模式，形成一套方法论之后，我们将它从注入到品牌内涵中，形成自己的特色。”他强调。

台系存储器模组厂宇瞻今日除息2.55元（新台币，下同），开盘参考价44.05元，股价开高0.15元为44.2元。公司第一季获利攀高，第二季受到全球疫情扩大、封城等影响，业绩动能趋缓。

宇瞻第一季受惠低价库存以及市场需求热络，第一季营收19.64亿元，毛利率年增6.31个百分点至21.63%，每股获利1.53元，创下单季新高。

但第二季以来，欧美疫情扩大、各地封城等阻碍销售通路，致业绩趋缓。4月营收6.11亿元，比3月高点月减15%，年减1.78%。5月营收降至5.06亿元，月减17.11%且年减17.35%。使得前5月营收转为比去年同期下滑。1-5月营收30.82亿元，较2019年同期减少3.03%。

展望下半年旺季效应是否展现，存储器制造厂南亚科表示，受惠于远端上班、视讯会议等带动，今年上半年DRAM需求成长，但下半年还得观察疫情及全球经济情况。

整体来看，存储器产业随着居家办公、虚拟教学与在线购物等趋势，带动的资料中心、网通及笔电需求动能，可望延续至第三季，合约价也有机会持续向上，不过，下半年不确定性仍高，仍须观察美中贸易战、肺炎疫情对总体经济环境的影响。

重庆市政府网消息显示，3月5日江津区举行招商引资项目“云签约”活动，共签约项目18个，协议投资额55.2亿元，涉及半导体制造、新能源汽车、消费品工业等多个领域。其中，大数据存储（中国）控股有限公司（以下简称“大数据存储公司”）将滚动投资20亿元，在江津综保区打造存储器半导体制造基地项目。

据大数据存储公司执行长郑翰鸿介绍，该公司由台湾精英电脑共同创始人许明仁先生及其团队联合发起，现拥有存储器领域各类发明专利100余项，具备包括芯片设计、封装测试、模块设计集成三方面的核心能力，拥有自有存储器品牌“芯智能”，重点关注物联网、大数据、人工智能应用等相关的芯片研发与生产。

报道称，大数据存储公司将在江津综保区打造的大数据存储器半导体制造+研发设计项目，项目滚动总投资20亿元，其中项目一期投资额不低于8亿元，开展内存颗粒、闪存颗粒、固态硬盘等存储器半导体产业链生产以及智能终端产品制造。同时，拟建设“大数据存储半导体”重庆总部和研发中心，落地各项专利不少于20个，研发并量产100%完全自主设计的固态硬盘主控芯片与智能终端产品。

格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁随机存取存储器（eMRAM）已正式投入生产。同时格芯正与多家客户共同合作，计划于2020年实现多重下线生产。格芯树立业界里程碑，证明了eMRAM的可扩展性在物联网、通用微控制器、边缘AI和其他低功耗应用在进阶制程节点上是经济有效的选择。

格芯的eMRAM，让设计师能够扩展现有的物联网和微控制器单元架构，以取得28nm以下技术节点的功耗和密度优势，并作为大容量嵌入式NOR快闪存储器的替代方案。

格芯的eMRAM是广泛使用且坚固的嵌入式非挥发性存储器（eNVM），已通过五项严格的实际回焊测试，在-40℃到125℃的温度测试范围，展现出10万次循环耐久性和资料保存期限高达十年。FDX eMRAM解决方案通过AEC-Q100质量等级2之验证标准。该解决方案的开发正在进行中，期望可以在明年通过符合AEC-Q100质量等级1解决方案之验证标准。

格芯汽车与工业多市场部门资深副总暨总经理Mike Hogan表示，格芯致力于透过稳定、功能多元的解决方案让FDX平台与众不同，进而让客户以高性能和低功耗之应用来开发创新产品。格芯的差异化eMRAM，部署在业界最先进的FDX平台上，为易于整合的eMRAM解决方案提供独一无二的高效能RF、低功耗逻辑和整合电源管理组合。让客户能够提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已连接的IoT应用。

格芯与设计合作伙伴今起提供客制化设计套件，其中包含可插式套件、4到48兆位硅验证的MRAM巨集以及可选式MRAM支援内建测试功能。

eMRAM是一项可扩充的功能，预计将在FinFET和未来的FDX平台上应用，是eNVM的进阶规划。格芯位于德国德勒斯登Fab1的先进12吋晶圆生产线，将会采用MRAM来支援22FDX的批量生产。

未来十年，存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同，但铠侠（原东芝存储器）对 3D XPoint 之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。在今年的国际电子设备会议（IEDM）上，该公司宣布了 BiCS 闪存系列和即将推出的 XL-Flash 技术，并且附上了一份展现未来愿景的幻灯片。

动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）和“存储级内存”（SCM），是当前市面上的三大发展方向，铠侠也对英特尔和美光的 3D XPoint 长期愿景进行了展望。

过去几十年，闪存的浮栅和电荷陷阱技术，已经历多次变化。新开发的存储器，其状态取决于单元中介质的电阻或自旋，而不是电压。

传统上很容易将每个单元视作不同值的“0”或“1”。但随着材料类型的发展，每个单元已能够容纳更多的状态（SLC、MLC、TLC、QLC 等）。

此举能够轻松获得倍增的容量，但也对检测电路的精准度提出了更高的要求，通常可增加单元大小、或降低总体密度来实现。

铠侠当前的 BiCS 闪存技术，依赖于在塔中堆叠多层浮栅单元，然后在 xy 方向重复该设计以增加容量。目前，该公司已大量推出 TLC 和 QLC 产品，并希望打造面向特殊应用的每单元 5 比特位产品。

BiCs 系列产品的设计层数也在不断增加，从 32 层增加到 48 层，再到 64 层和 96 层，预计将来会增加 128 层以上。与其它方法相比，层数的添加，还是相对更加容易的。

此外，铠侠还在开发一种名叫 XL-Flash 的新型闪存。传统闪存以“页面”和“块”的方式工作，而存储类内存以“比特位”的方式工作。

这意味着，尽管 DRAM 可访问每个比特位并对其进行修改，但在闪存中，这意味着任何写操作都需要一次写入整个页面，写入的损耗也成倍更大。

3D 堆叠式存储单元的工作方式与闪存有所不同，以 3D XPoint 为例，其使用相变材料来改变存储单元的电阻，并可以通过电子选择器开关进行访问。

通过交替改变字线和位线的方向来构建存储器，以保留 SCM 的比特位可寻址特性。如需堆叠更多的层数，也只需添加额外的字线和位线，以及其间的单元。

即便如此，铠侠仍不看好 3D XPoint 的前景。首先是相对于层数的每比特位成本，层数的增加会带来更高的复杂性，控制电路会损失一部分面积，产能损失的影响也更大。

相比之下，3D NAND 技术要成熟得多，市面上已大量上市 90 多层的产品，且无人否认层数堆叠是一种行之有效的方法，因其面积上的损失几乎为零、产量的损失也极低。

在制造过程中，3D NAND 的某些蚀刻和填充步骤，可一次覆盖很多层。相比之下，3D 堆叠 SCM 技术，仍未充分扩展到单层设备之外的市场。

铠侠数据显示，尽管其 BiCS 闪存在经过 10 层时会降低到每比特成本的渐近值，但与单层方案相比，3D 堆栈 SCM 最多只能将 4-5 的成本降低到每比特成本的 60％（之后就开始飙升）。

原因是后者未能受益于数十年改进的复杂工艺，导致每层的成本增加、面积的损失、以及产量的下跌。为构建 3D 堆栈存储器，这是一个艰苦的过程。每多一步骤，良率也就更低。

如上方公式所示：其中 n 为层数，Cf 为公共层的成本，Cv 是每增加一层的成本，A 是添加一层造成的面积损失，Y 是单层的产量损失。

有鉴于此，铠侠在会议上指出，在 3D SCM 的情况下，12 层左右的每比特位成本还是相当的。但若层数增加到 NAND 闪存一样多（以 64 层 SCM 为例），单层每比特位成本就暴增到 50 倍了。

即便强力推动对 3D 堆叠式 SCM 的支持，当今 4 层以上的堆叠预测成本也已经过高，且未考虑到潜在发展的这项技术在未来的变数。

综上所述，SCM 确实可在内存领域提供超大的数据池，每 GB 成本较 DRAM 低很多。但长期看来，在未来很长一段时间内，闪存仍将在行业内占主导地位。

2019年即将结束，在此辞旧迎新之际，我们将通过盘点热点事件共同回顾2019年半导体产业发展局势。受国际贸易环境影响，2019年上半年半导体产业仍处低迷，下半年逐渐呈现回暖复苏态势。纵观全球，中国半导体产业仍表现活跃，国产化持续大力发展，并取得阶段性成绩；国际方面，“贸易战”、“并购整合”等成为关键词……

围绕2019年半导体产业发展情况，全球半导体观察选出了十大重量级的代表性新闻事件，助业界人士回顾2019、展望2020——

日本加强对韩国半导体材料出口管制 

2019年，日本与韩国在贸易方面关系恶化。7月1日，日本政府宣布加强高纯度氟化氢、氟化聚酰亚胺、光刻胶这三种关键半导体材料对韩国的出口管制，要求日本企业向韩国客户出口上述三种半导体材料时需申请许可证

8月7日，日本再颁布政令，在简化出口审批手续的贸易对象“白名单”中删除韩国，该政令于8月28日起正式施行。韩国亦对于日本的做法作出回应，8月12日韩国政府决定将日本从本国“白名单”中剔除，9月生效。

虽然日本对韩国加强出口管制及两国相互将对方从“白名单”中剔除，都只是让相关厂商增加作业而并非禁止出口，但日本把持着全球过半的半导体材料市场，这次贸易纷争仍让韩国相关厂商十分担忧，同时亦向韩国及全球各国半导体产业敲响了警钟。

大基金二期成立，重点投资装备材料领域

大基金系为促进国家集成电路产业发展而设立，投资领域覆盖集成电路设计、制造、封装测试等全产业链。继2014年成立的首期基金投资完毕后，2019年迎来大基金二期。

国家企业信用信息公示系统显示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（大基金二期）于10月22日在北京市工商行政管理局正式注册成立。根据资料，大基金二期注册资本2041.5亿元人民币，楼宇光为法定代表人、董事长，丁文武为总经理。

大基金二期共27位股东，包括中华人民共和国财政部、国开金融有限责任公司、中国烟草总公司、上海国盛（集团）有限公司、浙江富浙集成电路产业发展有限公司、武汉光谷金融控股集团有限公司、重庆战略性新兴产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）、成都天府国集投资有限公司等。

作为国家级战略性产业投资基金，大基金对国内集成电路发展起到重要促进作用，在大基金的引导带动下，国内集成电路行业投融资环境明显改善。如今大基金二期成立，将有望进一步推动国内集成电路产业发展，据透露二期基金的投资布局重点在集成电路装备材料领域。

英飞凌斥资101亿美元收购赛普拉斯

2019年6月3日，英飞凌官方宣布，英飞凌与赛普拉斯双方已签署最终协议，英飞凌将会以每股23.85美元现金收购赛普拉斯，总价值为90亿欧元（约101亿美元）。该交易已获赛普拉斯董事会和英飞凌监事会批准，预计将在2019年底或2020年初完成。

英飞凌前身为西门子集团的半导体部门，1999年正式从西门子独立，在汽车电子、功率半导体、安全芯片等领域均处于全球前列位置；赛普拉斯成立于1982年，主要为汽车、工业、电子消费品等提供嵌入式解决方案。

英飞凌指出，双方在技术方面优势高度互补，这将进一步拓展其在汽车、工业和物联网等高速增长市场的市场潜力。“基于2018财年备考营收100亿欧元，此交易将使英飞凌成为全球第八大芯片制造商。在原来已具全球领先地位的功率半导体和安全控制器的基础上，英飞凌更将成为汽车电子市场首屈一指的芯片供应商。”

多年来半导体行业兼并整合不断，英飞凌和赛普拉斯两家老牌半导体企业的合并对行业的影响无疑是不小。业界认为，两者合并将影响汽车电子市场格局，催生新一家汽车电子巨头。

三国杀结束！英特尔出售智能手机调制解调器业务

2019年，苹果、高通、英特尔三者之间在调制解调器方面的纠葛，最后以苹果收购英特尔大部分智能手机调制解调器业务告终。

4月17日，历经了长达两年专利大战的苹果与高通联合宣布达成协议，解除双方在全球范围内的所有诉讼。根据和解协议，苹果将向高通支付一笔费用，双方还达成了一份为期六年的全球专利许可协议，该全球专利许可协议已在2019年4月11日起生效，包括两年的延期选择权和多年芯片组供应协议。

与此同时，此前为苹果供应智能手机调制解调器的英特尔宣布，将退出5G智能手机调制解调器业务。“对于智能手机调制解调器业务而言，显然已经没有明确的盈利和获取回报的路径。”英特尔公司首席执行官司睿博（Bob Swan）表示。

7月26日，苹果和英特尔宣布已签署协议，苹果将收购英特尔的大部分智能手机调制解调器业务，该交易价值10亿美元，预计于2019年第四季度完成。根据协议，大约2200名英特尔员工将加入苹果，包括知识产权、设备和租赁。英特尔则将保留为非智能手机应用开发调制解调器的能力，例如个人电脑、物联网设备和自动驾驶汽车。

紫光集团宣布进军DRAM产业

2019年6月30日，紫光集团微信公众号发布声明，宣布决定组建紫光集团DRAM事业群，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。 

事业群组建完成后，紫光集团开始落地DRAM工厂建设。8月27日，紫光集团与重庆市政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议，根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，在重庆建设DRAM总部研发中心、紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造，该工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。在芯片工厂建成前，紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线，进行产品生产工艺技术研发，待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。

中国两大存储厂商取得阶段性成果

近年来国内正在大力实现存储器国产化，2019年长江存储和长鑫存储均取得了阶段性成果，中国存储器企业正式踏上全球市场竞争舞台。

2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品亮相IC China 2019。长江存储表示，其64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度，计划推出集成64层3DNAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

2019年9月20日，在2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明当时表示，长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

科创板开板，大批集成电路企业IPO

2018年11月5日，习近平总书记宣布设立科创板并试点注册制，集成电路是其重点关注领域之一，吸引了大批集成电路企业奔赴科创板上市。

2019年7月22日，筹备8个月的科创板正式开板，包括安集科技、中微公司、澜起科技、华兴源创、睿创微纳、乐鑫科技等多家集成电路企业成为首批科创板挂牌上市企业。随后，晶晨股份、晶丰明源、芯源微、聚辰股份、华特气体、华润微电子、神工股份、硅产业、华峰测控等亦相继申请科创板上市并首发通过。这些企业涵盖了集成电路设计、材料、设备、IDM等产业链环节。

除了上述提及的已挂牌上市及过会企业外，芯原微、敏芯微、力合微等企业的科创板IPO申请已获受理；复旦微、华卓精科、苏州国芯、盛美半导体等企业亦拟申请科创板上市，现已进入上市辅导阶段，预计2020年仍将有一批半导体企业集中登陆科创板。

中芯国际成功量产14nm制程工艺

作为国内最大、最先进的晶圆制造代工厂，中芯国际的先进制程一直是业界关注焦点。经攻坚，2019年中芯国际的14nm制程迎来突破性进展。

2019年8月，中芯国际发布其第二季度业绩报告，报告中宣布其FinFET工艺研发持续加速，14nm进入客户风险量产，预期在2019年底贡献有意义的营收。随后，在中芯国际第三季度财报说明会上，中芯国际联合首席执行官梁孟松表示，14nm制程已经成功量产，流片数量持续增加，客户来自海内外。

梁孟松表示，2020年上半年14nm制程的需求很清晰，下半年则依据12nm制程和“N+1”的情况而定。中芯国际不会急于14nm制程产能爬坡，将按照既有计划和客户需求，初期月产能约在3000片，明年底前将扩大至15000片，谨慎经营以避免出现28nm制程毛利率低的情况。

尽管目前月产能尚小，但对于国内集成电路产业而言，中芯国际量产14nm制程具有重大意义，据悉中芯国际的12nm制程正在导入客户。

松下宣布退出半导体业务

11月28日，涉足半导体领域数十年的松下公司宣布将退出半导体市场，同意将旗下半导体业务相关工厂、设施及股份出售给中国台湾新唐科技公司（Nuvoton Technology Corp.），交易总价合计约2.5亿美元，预计于明年6月完成。

此外，松下也计划将其与以色列半导体企业高塔半导体合资的公司高塔松下半导体出售，包括富山县和新潟县的3家生产图像传感器等半导体产品的工厂。事实上，2019年4月松下已将其部分半导体业务出售给罗姆半导体。

据了解，松下于1952年与飞利浦成立合资公司正式进入半导体领域，1990年前后其半导体业务销售额上曾跻身世界前10强，但随着其他国家和地区半导体产业崛起，松下半导体业务经营业绩持续恶化，多年来一直致力于重组亏损业务。

业界认为，此次松下出售半导体业务是一个标志性事件，意味着日本将终结上世纪末的芯片制造龙头地位，转型成为供应半导体设备和材料的供应商，主要服务于中国和韩国的半导体公司，随着松下的退出，日本半导体产业的结构调整将告一段落。

中国5G商用正式启动

2019年被称为5G元年，全球5G部署进入关键阶段、商用建设加速。2019年6月6日，工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电发放5G商用牌照。紧接着，各运营商开始密集推进5G建设及测试；9月底，三大运营商开启5G套餐预约。

10月31日，在2019年中国国际信息通信展览会开幕式上，工信部宣布5G商用正式启动。随后，工信部与三大运营商、中国铁塔联合举行了5G商用启动仪式，标志着中国正式进入5G商用时代。11月1日，三大运营商正式上线5G商用套餐。

随着5G商用到来，全球智能手机或将迎5G换机潮，亦将促进人工智能、物联网、云计算等新兴应用快速落地，半导体产业将迎来新一轮景气。作为全球首批启动5G商用国家之一，中国在这场全球5G建设竞逐赛中处于领跑地位并成为，半导体国产化进程有望借此风口走上快车道。

紫光集团官方消息显示，9月27日，“成都紫光集成电路产业基金”设立启动会在四川省成都市天府新区举行。

活动上，西藏紫光投资基金董事长郑铂代表紫光集团与成都空港兴城投资集团、成都天府新区投资集团、成都产业投资集团先进制造产业投资公司、成都交子金融控股集团签署了《成都紫光集成电路产业股权投资基金（有限合伙）合伙协议》。

据介绍，成都紫光集成电路产业基金总规模580.02亿元、一期规模280.02亿元，采用“双GP”模式实施管理，将主要投资紫光成都存储器制造基地项目，用于支持芯片工厂一期的建设及运营，为紫光成都存储器制造基地项目发展按下“快进键”。

根据基金合伙人之一成都空港兴城投资集团官方发布的详细信息，该基金的一期280.02亿元，成都市（市、区两级）出资230亿元，紫光集团出资50亿元；二期300亿元由紫光集团于2020年启动募集、2021年底前全部到位。

具体而言，成都天府新区投资集团有限公司与成都空港兴城投资集团有限公司分别认缴出资额74.75万元，成都交子金融控股集团有限公司与成都先进制造产业投资公司分别认缴出资额40.25亿元，西藏紫光新业投资有限公司认缴出资额50亿元，西藏紫光投资基金有限责任公司与成都空港产业兴城投资发展有限公司分别认缴出资额100万元。

基金期限方面，合伙企业续存期限为10年，其中投资期5年，退出期5年；“双GP”管理模式即由成都空港产业兴城投资发展有限公司担任成都方GP，作为执行事务合伙人。西藏紫光投资基金有限责任公司担任紫光方GP，作为普通合伙人。

该基金的核心投资标的——成都紫光集成电路基地项目于2018年10月正式开工，该项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，预计在2022年实现一期10万片/月的达产目标。

据紫光集团联席总裁王慧轩表示，紫光已在成都落地多个项目。紫光展锐已在成都投资建设其全球三大总部之一及全球研发基地；紫光旗下新华三集团在成都布局云计算业务全国运营总部及研发中心；紫光芯云中心也已在成都落地。

现在成立的成都紫光集成电路产业基金，将进一步支持紫光成都存储器制造基地项目建设。