【一周热点】Q1全球前十大晶圆代工营收排名出炉;三星宣布推出1Z纳米制程DRAM;国内又一碳化硅项目将实现投产

【一周热点】Q1全球前十大晶圆代工营收排名出炉;三星宣布推出1Z纳米制程DRAM;国内又一碳化硅项目将实现投产

全球前十大晶圆代工营收排名

拓墣产业研究院在最新报告中指出,预估第一季全球晶圆代工总产值将较2018年同期衰退约16%,达146.2亿美元。其中市占率排名前三的分别为台积电、三星与格芯。尽管台积电市占率达48.1%,但第一季营收年成长率衰退近18%。

2019年第一季晶圆代工业者排名与去年相比变化不大,仅力晶因12英寸代工需求下滑而面临被高塔半导体反超的风险。

观察前十大晶圆代工业者第一季的表现,包括台积电(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、联电(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等业者,因12英寸晶圆代工市场需求疲软,第一季营收表现较去年同期下滑幅度均来到两位数。

反观以8英寸晶圆代工为主要业务的高塔半导体(TowerJazz)、世界先进(Vanguard)、华虹半导体(Hua Hong)、东部高科(Dongbu HiTek)等业者,尽管8英寸晶圆代工产能供不应求的现象已渐舒缓,年成长率表现仍不如去年同期亮眼。但相较于以12英寸为主力的晶圆代工厂第一季两位数的衰退幅度,可以说其在半导体市场相对不景气的第一季中稳住阵脚。

国内又一碳化硅项目将实现投产

近日,媒体报道,位于山东青岛莱西经济开发区的中科钢研碳化硅项目正在加紧建设,今年将实现投产。

据悉,该项目总投资10亿元,占地约80亩,建筑面积5万平方米,主要生产高品质、大规格碳化硅晶体衬底片。项目达产后,将实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片与5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

中科钢研表示,未来将把国家级先进晶体研究院设在莱西,专注碳化硅研发生产,力争在三年内接近欧美最高水平。

目前全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。国内市场,已初步形成了涵盖各环节的碳化硅产业链,在政策利好以及市场驱动下,国内企业在这一环节正努力跟跑与赶超。

Q2 NAND Flash市场展望

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。

展望第二季,DRAMeXchange分析师叶茂盛表示,历经第一季的需求低谷之后,智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。

另一方面,NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重,甚至透过减产压抑产出,虽无法立即扭转供过于求的态势,但对于市场环境确实有正面的帮助。

综上所述,第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等产品合约价仍将继续下跌,但跌幅相较第一季则是有所收敛,落在10~15%的水位。

闻泰科技收购安世半导体新进展

闻泰科技收购安世半导体迎来重大进展,3月21日,闻泰科技发布一系列公告,确定了发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书(草案),草案的公告意味着整个交易方案已经尘埃落定,走完股东大会审批流程后即可上报证监会。

闻泰科技的主要客户为国际知名电子品牌厂商,其产品包括智能手机、IoT、笔记本电脑等,安世半导体所生产的电子产品核心元器件虽然广泛应用于上述消费电子及计算机产品当中,但是40%客户和市场在欧美,40%以上的营收来自于汽车功率半导体。

熟悉全球市场的闻泰科技可将安世半导体的产品大量引入到全球知名的手机、平板电脑、笔记本电脑、智能硬件等品牌客户当中,帮助安世在消费电子、IoT、笔记本电脑市场领域扩大市场份额。双方的合作将为未来双方的发展发挥出“1+1>2”的协同效应。

如果顺利通过证监会审批,在5G正式商用的前一年完成这笔中国最大的半导体收购案,双方都迎来难得的发展良机。

厦门鑫天虹项目正式投产

日前,厦门火炬高新区的半导体设备项目鑫天虹公司正式投产。

2018年11月,鑫天虹项目正式落户厦门火炬高新区。据悉,该项目计划总投资2亿美元,落户后项目在短短三个月时间内完成了万级、千级无尘车间的建设,预计这个月底将可交付第一台半导体,随着产能逐步提升,预计投产后第五年营收可达3.8亿元。

厦门作为中国集成电路主要新兴城市之一,现已聚集了联芯、士兰微、星宸、美日光罩等一系列企业,逐渐形成集成电路产业链。报道称,鑫天虹是厦门首家半导体设备企业,该项目投产将弥补设备环节的缺失,进一步完善厦门集成电路产业链条。

近年来,国内正在大力发展集成电路产业,但最“卡脖子”的环节其实是材料设备业,国内大多制造设备仍依赖进口,不少地方政府亦正在努力补足这一环节,如无锡等城市亦大力推动设备业发展。

三星宣布推出1Z纳米制程DRAM

全球DRAM龙头三星21日宣布,首次业界开发第3代10纳米等级(1Z纳米制程)8GB高性能DRAM。这也是三星发展1Y纳米制程DRAM之后,经历16个月,再开发出更先进制程的DRAM产品。

三星表示,1Z纳米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生产时间将落在2019下半年,以应对下一代企业服务器需求,并有望能在2020年支援新高阶个人计算机。

随着1Z纳米制程产品问世,并成为业界最小的存储器生产节点,目前三星已准备好用新的1Z纳米制程DDR4DRAM满足日益成长的市场需求,生产效率比以前1Y纳米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

三星表示,1Z纳米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生产时间将落在2019下半年,以应对下一代企业服务器需求,并有望能在2020年支援新高阶个人计算机。

除了提供市场需求,三星还指出,跨入1Z纳米制程的DRAM生产,将为全球IT加快朝向下一代DRAM界面,包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等预做准备。

三星大规模生产下一代内存芯片MRAM,对半导体产业有何影响?

三星大规模生产下一代内存芯片MRAM,对半导体产业有何影响?

据韩国媒体报道,近日,三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,能够应用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。

报道指出,三星MRAM方案无需在数据记录期间擦除数据,并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示,由于它在断电时保存了存储的数据,并且不使用额外的备用电源,所以功耗也很优秀。

另外,这一方案结构简单,可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现,减轻了三星进行新设计的负担,并降低了生产成本。

随着三星大规模量产首款商用MRAM产品,业界开始猜测,具有低成本、更优速度和功率优势的MRAM是否会在未来取代DRAM与NAND,进而改变半导体产业格局?

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)认为,MRAM在电信特性上与现有的DRAM与NAND相似,但互有优劣。使用MRAM,需要改变平台的架构,因此未来MRAM可能会取代部分DRAM/NAND成为另一种分支型态的存储器解决方案,但不会完全取代DRAM/NAND。

此外,DRAMeXchange还看好MRAM与DRAM/NAND合作前景。一方面,MRAM与DRAM/NAND配合,可以取得省电以及性能的优势,另一方面,新的存储器加入,也能够避免原先存储器解决方案若有大缺货发生时的价格不稳定状况。

AI需求带动存储器运算架构崛起

AI需求带动存储器运算架构崛起

人工智能(AI)和机器学习正进一步展现硬件和硬件架构如何在成功部署中发挥关键作用;然而,关键的问题在于存储器应该要设计在哪里?

大数据(big data)应用持续推动存储器更密切结合运算资源的架构需求,但人工智能(AI)和机器学习更进一步展现了硬件和硬件架构如何在成功部署中发挥关键作用。然而,关键的问题在于存储器应该要设计在哪里?

根据美光科技(Micron Technology)最近委托Forrester Research进行的研究发现,有89%的受访者认为运算和存储器在架构上密切整合至关重要。Forrester Research的这项调查还发现,针对硬件限制使得AI与机器学习能力受限的讨论中,最常被提及的就是存储器和储存技术。超过75%的受访者认为目前的存储器与储存技术有必要进行升级或重新架构,才能突破应用上的限制。

特别是AI让大数据和分析原已面对的挑战更形复杂,因为机器学习经由神经网络在庞大的资料矩阵上执行乘积累加运算。这些运算不断地重覆执行,伴随更多的结果出现,同时从资料处理中学习,最终产生一种每次都能达到最佳路径和最佳选择的算法。

美光科技企业策略副总裁Colm Lysaght说,由于资料越来越庞大,取得足够可用存储器的常见解决方案就是增加更多的DRAM。这使得性能的瓶颈开始从原始运算转移到资料的所在位置。他说:「存储器和储存正是资料所在之处。由于这些庞大的资料组合必须处理,我们只得一再地将其传送至CPU进行处理后返回。」

只要找到让运算和存储器更紧密结合的方法,就意味着能够更加省电,因为资料不必再密集地来回传送了。Lysaght说,「它还提高了性能,因为更多的处理任务都可以在需要之处才发生。」

Lysaght指出,有许多不同的方法可以创建更好的架构。例如神经形态处理器,可在内部使用神经网络,并将内部核心数分解为更多的较小核心。他说:「由于必须处理大量的资料矩阵,因此,更理想的解决方案是让更多核心周而复始地执行相对简单的运算。」。

例如一家对开发新架构感兴趣的存储器公司Crossbar最近与Gyrfalcon Technology、mtes Neural Networks (mtesNN)和RoboSensing等公司合作,共同成立了一个名为‘SCAiLE’(SCalable AI for Learning at the Edge)的AI联盟,致力于开发一款加速、节能的AI平台。

Crossbar策略营销和业务开发副总裁Sylvain Dubois表示,该联盟将结合先进的加速硬件、可变电阻式存储器(ReRAM)以及最佳化的神经网络,共同打造具有免监督学习和事件辨识功能的节能解决方案。

Dubois表示,无论是智能音箱、智能相机还是智能电视,许多公司面临的挑战在于希望直接将AI导入装置上,但又不知道如何着手。该联盟的目标就在于提供一个将所有必要部份整合在一起的平台。

Crossbar的贡献在于存储器——特别是ReRAM,它将透过文本、关键字、GPS坐标以及来自传感器的可视资料(非结构化)等各种输入,以处理在机器学习系统中产生的资料。

Dubois还设计了一种存储器阵列架构,让特定处理程序码可在边缘装置中,以高度平行的方式针对每一个案例进行读取。他说:「如果彼此匹配,就会知道在边缘装置进行哪些处理。但如果无法顺利匹配,那么就成了我们所说的学习曲线。」

在云端执行更多分析

以相机传感器为例,他指出这种系统将会在ReRAM阵列的备用位置储存新事件或一组功能。Dubois说:「等到下一次在这台相机面前出现类似的事件时,相机本身就能检测到,而无需在云端进行任何训练。」。

因此,Dubois表示,如果出现了需要快速决策的意外事件,例如具有安全顾虑的交通现场时,这提供了一种全然不同的AI处理途径,因为它并不必依赖于云端中的大量训练能力。

Forrester Research的研究预期,更多的公司将在公共云和边缘进行分析,从而在边缘实现更多的机器学习。51%的受访者表示目前在公共云执行分析,这一数字预计将在未来3年增加到61%。此外,尽管目前约44%的人开始在边缘进行分析,但Forrester预测,这一比重将在2021年增加到53%。

在为美光科技进行这项调查期间,Forrester基础设施和营运产业资深分析师Chris Gardner一开始对于硬件产品大量「涌现」的程度备感惊讶,特别是储存和存储器。

Gardner说:「我本来预期会看到更多与硬件有关的软件可编程问题,以及管理等问题。当然,这些问题确实也出现了,但并不至于像其他事情的程度。」

Gardner表示,在该研究中衍生而出的是存储器本身如何完成大量的工作,同时又尽可能避免进行储存。但值得注意的是,对于存储器和储存的需求取决于实际的应用类型。据Gardner解释,训练模型需要相当庞大的存储器和储存能力,除此之外,你几乎不需要其他任何东西。

Gardner说,理想上,企业希望拥有一个容量高达数百GB或TB级RAM的储存环境。但现实上,他们必须自行打造或付费给供应商协助打造,他并补充说,目前业界亟需的是整个硬件典范的转型。

Gardner说:「我们需要更多以存储器为中心(memory-centric)的架构。」他进一步解释,运算需要以存储器为中心,并尽量减少储存的必要性,而不再是以运算为中心。

Gardner说:「但这并不表示当今的运算架构及其存取方式很糟糕,而只是强调在执行AI和机器学习方面,它可能不是最有效率的方式。」

Forrester的研究内容还涵盖了边缘运算。应用场景之一是内部架设摄影机的主要运动场馆,这些摄影机将产生大量需要快速处理的资料,以确定场是否存在危险情况。Gardner说:「目前虽然可以来回云端传送资料,但并没时间进行分析。他们需要的是尽可能迅速地进行处理。」

当然还有一些机器学习任务得在云端中完成,再将其发送回物联网(IoT)装置,但其中的一些装置将会变得越来越智能并自行执行机器学习,接着传回云端共享后再传送到其他装置。Gardner表示,对于存储器制造商来说,这意味着商品元件制造商正持续转型以及重新编译应用程序,以善加利用AI和机器学习工作负载所需的新式存储器架构。

但我们如今仍处于实验阶段,因为还没有任何真正的张量(tensor flow)——使用以存储器为中心的架构可以整合在一起;这种以存储器为中心的架构要走出实验室之前还得克服很大的延迟挑战。

Gardner说:「几十年来,我们一直抱持着以CPU执行的心态。如今这种极具革命性的想法,将有助于我们摆脱这种心态。」

去年秋天,美光科技宣布投资1亿美元于AI新创领域。该公司如今已在实验室中开发了一款类似DRAM的产品,目标是在2021年出样,同时,该公司的研究人员也正致力于研究业界新创公司积极探索中的存储器处理器(PIM)架构。

编译:Susan Hong

韩国芯片产业集群拟落脚龙仁市:SK海力士主导

韩国芯片产业集群拟落脚龙仁市:SK海力士主导

据韩国经济日报报道,韩国政府最快将在本月底前开会,通过由SK海力士主导的芯片产业集群计划,这一集群计划将落脚在龙仁市。

韩国政府去年宣布要发展新的芯片产业集群,以支持芯片制造业的未来,计划总价值预估将达120万亿韩元(1,068亿美元)。政府负责提供土地,企业则负责投资制造。

在半导体业面临减缓的同时,韩国政府为了维持该国在市场上的地位,做出了这项决定。半导体业对韩国来说极为重要,该产业占韩国总出口比重为所有产业中最大,达16%,两大主要企业三星和海力士在全球DRAM市场的市占率合计则超过73%。

据悉,为了争取这项中央政府支持的计划,许多地方政府早就开始积极运作,竞争相当激烈,不过最后韩国选择了首尔近郊的龙仁市。

SK海力士规划在龙仁市兴建四条新芯片生产线,并将会有约50家合作厂商和供应商一起进驻。SK海力士将在购地完成后大约2022年开始着手兴建,韩国政府也将为这个聚落放宽相关管制规定。

 

韩国芯片生产聚落拟落脚龙仁市:SK海力士主导

韩国芯片生产聚落拟落脚龙仁市:SK海力士主导

韩国经济日报引述产业人士报导,韩国政府最快将在本月底前开会,通过由韩国芯片大厂SK海力士主导的芯片生产聚落计划。

报导指出,这座聚落将落脚在首尔近郊的龙仁市,SK海力士规划在此兴建四条新芯片生产线,并将会有约50家合作厂商和供应商一起进驻,海力士将在购地完成后大约2022年开始着手兴建,韩国政府也将为这个聚落放宽相关管制规定。

为了争取这项中央政府支持的计划,许多地方政府早就开始积极运作,竞争相当激烈,不过最后中央选择了离首尔近的龙仁市。

韩国政府去年宣布要发展一座新的半导体产业聚落,以支持芯片制造业的未来,计划总价值预估将达120兆韩元(1,068亿美元)。政府负责提供土地,企业则负责投资制造。

在半导体业面临减缓的同时,韩国政府为了维持该国在市场上的地位,做出了这项决定。半导体业对韩国来说极为重要,该产业占韩国总出口比重为所有产业中最大,达16%,两大主要企业三星和海力士在全球DRAM市场的市占率合计超过73%。

 

国家队再起 韩国芯片生产聚落拟落脚龙仁市

国家队再起 韩国芯片生产聚落拟落脚龙仁市

韩国经济日报引述产业人士报导,韩国政府最快将在本月底前开会,通过由韩国芯片大厂SK海力士主导的芯片生产聚落计划。

报导指出,这座聚落将落脚在首尔近郊的龙仁市,SK海力士规划在此兴建四条新芯片生产线,并将会有约50家合作厂商和供应商一起进驻,海力士将在购地完成后大约2022年开始着手兴建,韩国政府也将为这个聚落放宽相关管制规定。

为了争取这项中央政府支持的计划,许多地方政府早就开始积极运作,竞争相当激烈,不过最后中央选择了离首尔近的龙仁市。

韩国政府去年宣布要发展一座新的半导体产业聚落,以支持芯片制造业的未来,计划总价值预估将达120兆韩元(1,068亿美元)。政府负责提供土地,企业则负责投资制造。

在半导体业面临减缓的同时,韩国政府为了维持该国在市场上的地位,做出了这项决定。半导体业对韩国来说极为重要,该产业占韩国总出口比重为所有产业中最大,达16%,两大主要企业三星和海力士在全球DRAM市场的市占率合计超过73%。

 

并购、扩产动作不断,2018存储产业大事件回顾

并购、扩产动作不断,2018存储产业大事件回顾

过去一年,存储产业并购、建厂、扩产、投产动作不断,哪些厂商的布局令你印象深刻?不妨跟着全球半导体观察的脚步,一同回顾2018年存储产业大事件。

Part 1、收购篇

Synopsys收购Kilopass

2018年1月11日,全球顶先的EDA和IP供应商Synopsys以非公开的价格收购了非易失性内存IP供应商Kilopass,通过收购继续构建其庞大的知识产权组合。

Synopsys公司表示,Kilopass是一次性可编程非易失性存储器IP的先驱,收购将进一步完善其公司汽车、物联网、工业和移动应用的现有非易失存储器IP产品组合。Kilopass IP将支持其现有DesignWare的非易失性存储器IP一次性和多次可编程,支持在180 nm至7 nm工艺技术中实现高达4 Mbit的一次性可编程实例。

兆易创新并购思立微

2018年1月30日晚间,北京兆易创新科技股份有限公司发布《发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金预案(摘要)》公告,公告表示,兆易创新拟通过发行股份及支付现金的方式购买上海思立微电子科技有限公司100%股权。

兆易创新目前是中国大陆领先的闪存芯片设计企业。思立微全名为上海思立微电子科技有限公司,于2011 年1月27日在上海成立,公司主营业务为智能移动终端传感器SoC芯片和解决方案的研发与销售,主要产品为电容触控芯片及指纹识别芯片,产品主要应用于手机及平板电脑。

贝恩资本收购东芝存储

2018年6月初,全球领先的存储解决方案提供商希捷科技公司宣布与贝恩资本为首的财团投资者完成了对东芝存储公司(Toshiba Memory Corporation)的收购,希捷出资12.7亿美元。这项收购计划此前就曾宣布,并特意为此次收购计划组建了名为K.K.Pangea的新公司。

在2017年,在贝恩资本所牵头财团收购东芝芯片业务的交易计划中,希捷科技公司表示将贡献12.5亿美元。关于被收购的事情,东芝表示,已签署协议将芯片业务以180亿美元价格出售给贝恩资本牵头的财团。东芝一直在努力筹措资金,以避免被摘牌的命运。除希捷外,贝恩资本财团中还包括苹果、韩国芯片商SK海力士、戴尔和金士顿。

联电并购三重富士通半导体

2018年6月29日,联电与富士通半导体有限公司共同宣布,联电将购买与富士通半导体所合资的12英寸晶圆厂三重富士通半导体股份有限公司(MIFS)全部股权,交易金额不超过576.3亿日元。为联电进一步建立多元化量产12英寸厂之生产基地。

三重富士通半导体(MIFS)前身为富士通股份有限公司三重工厂,自1984年开始运营以来,作为最先端存储器等产品的研发、量产据点,助力富士通半导体快速发展。如今,MIFS是日本为数不多的300mm晶圆代工厂之一,B1厂采用90nm工艺,B2厂初始采用65nm工艺,2016年初开始40nm商用生产,2016年下半年40nm正式进入量产阶段。

美光并购与英特尔合资的IM Flash

2018年10月19日,美光科技宣布,将收购与英特尔十多年前组建的一家闪存合资公司的股份。

美光同意斥资15亿美元收购英特尔持有的IM Flash Technologies股份,并预计将在明年1月1日行使购买选择权后6至12个月完成交易。该公司CFO戴夫·金斯纳(Dave Zinsner)在会议上表示,美光科技将通过自由现金流支付收购款项。

犹他州工厂不仅距离该公司爱达荷州的总部很近,而且是全世界唯一可以生产3D XPoint技术的工厂。这种非挥发性存储可以提升存储性能,还能降低服务器的存储成本。

Part 2 建厂、扩产、投产篇

江苏时代芯存相变存储器工厂启动运营

2018年3月底,总投资130亿元的江苏时代芯存半导体有限公司用时9个月实现厂房封顶,历时1年22天投入使用,同时完成所有设备采购,首台设备进厂。这标志着淮安已成为大陆地级市中唯一同时拥有两个12英寸高水准项目(另一个为德淮半导体项目)的地区。项目全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能,年可实现销售45亿元,利税3亿元,淮安将成为大陆集成电路产业发展的重要增长极。

东芝建新厂增产3D NAND

东芝旗下半导体事业子公司“东芝存储器(TMC)”2018年5月宣布,因3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中长期需求料将呈现扩大,因此为了扩增3D NAND Flash产能,决定将在2018年7月于岩手县北上市着手兴建新工厂,该座北上新厂厂房预计将在2019年完工。

TMC指出,上述北上新厂将采用耐震结构、最新的省能源制造设备,且将导入活用人工智能(AI)的生产系统,提升生产效能、改善良率。

东芝与西数合资厂量产96层3D NAND

日本存储器大厂东芝存储器与西数(Western Digital)2018年9月19日宣布,共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂(Fab 6)举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区,并设有存储器研发中心(Memory R&D Center)。

东芝存储器是自2017年2月开始兴建6号晶圆厂,为生产3D NAND Flash快闪存储器的专用生产厂区。东芝存储器与西数已针对沉积(deposition)与蚀刻(etching)等关键生产制程开始部署先进制造设备,新厂已经在9月初开始量产新一代96层3D NAND Flash。

三星西安NAND工厂3月底启动扩产

2018年3月,三星宣布,三星位于西安的NAND工厂3月底启动扩产。三星未来三年将斥资70亿美元,扩大西安厂区NAND Flash产能,西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片,增幅约67%。这是三星去年宣布增产DRAM之后,再次在存储器芯片领域砸下重金扩产,为全球存储器市场再次投下一颗震撼弹。

美光新加坡第三座3D NAND工厂动工

2018年4月,美光新加坡第三座3D NAND工厂动工,该新工厂是美光Fab 10扩建的第三期工程,占地165,000平方米,预计会在2019年中完工,在2019年第四季度投产。工厂的量产还需要几个季度的时间,因此预计大量的3D NAND存储器将在2020年底之前产出。目前,美光在新加坡有两座300mm 3D NAND工厂,分别Fab 10N和Fab 10X。 这些工厂目前生产美光的NAND Flash的大部分份额。

英特尔大连厂2期投产

继2015年宣布其总投资55亿美元的大连的Fab 68晶圆厂第2期工程改造为NAND Flash快闪存储器工厂之后,英特尔2018年5月宣布已经正式投产。未来,主要将生产96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器,积极追赶竞争对手的市占率。

SK海力士开建第7座工厂

2018年12月,SK Hynix正式开工建设第7座半导体工厂──M16厂,总投资不低于15万亿韩元(约133亿美元)。虽然还没确定最终生产NAND Flash还是DRAM,但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的EUV光刻技术。

此外,在2018年10月份,SK Hynix才刚完成最新的M15工厂兴建,已正式进入量产,且该工厂是2015年SK Hynix宣布将斥资的46万亿韩元投资计划中的一部分。

M15工厂位于韩国清州市,投资额高达15万亿韩元,以生产3D NAND Flash为主,初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash,2019年开始,就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。

动真格?!康佳半导体产业园落户合肥 拟建存储器事业总部

动真格?!康佳半导体产业园落户合肥 拟建存储器事业总部

此前高调宣布进军半导体产业的家电企业康佳集团,似乎开始动真格。

合肥经开区消息显示,日前康佳半导体产业园项目举行签约仪式。合肥市及经开区相关政府人员以及康佳集团总裁周彬、合肥康芯威存储技术有限公司总裁熊福嘉出席仪式并见证签约,工委委员、管委会副主任王亚斌与康佳集团副总裁李宏韬分别代表双方签约。

据介绍,该项目将于合肥经开区建设康佳存储器事业总部和科研创新中心,引入国内外半导体设计公司和集成电路产业链项目,这将加快该区集成电路及电子信息千亿产业发展,助力合肥市打造“IC之都”。

值得注意的是,这次签约的项目将建存储器事业总部,出席签约仪式的人员中包括合肥康芯威存储技术有限公司总裁熊福嘉。资料显示,合肥康芯威存储技术有限公司于2018年11月注册成立,注册资本5000万元人民币,由康佳集团全资子公司深圳康芯威半导体有限公司持股51%、深圳国鑫微电子有限公司持股49%。

2018年5月,康佳集团宣布正式进军半导体领域并成立半导体科技事业部,表示要用5-10年时间成为中国前10大半导体公司,跻身国际优秀半导体公司行列,实现年营收过百亿元。当时康佳集团表示其将重点投资存储芯片、封测等领域,重点产品方向包括存储芯片、物联网器件、光电器件等。

尽管业界对家电企业跨界半导体领域并不是很看好,但从康佳集团如今的举动看来,其进军半导体之言并未为虚,只是具体以何种方式仍未详知。不过,半导体产业需要长期资金投入,这将持续考验康佳集团的现金流、财务状况等各方面能力。

美光为 Mobileye 自驾车解决方案提供存储器,推进第 5 级自驾车

美光为 Mobileye 自驾车解决方案提供存储器,推进第 5 级自驾车

存储器大厂美光(MICRON)在 CES 2019 宣布,自驾车解决方案厂商 Mobileye 选择美光存储器,以推进第 5 代 EyeQ 5 系统单晶片(SoC)EPM5 平台发展,实现全自动驾驶。

美光表示,美光将是 Mobileye EPM5 平台的主要存储器供应商,提供业界最广泛的存储器与储存解决方案产品组合。两家公司将共同为美光的 LPDRAM、Xccela NOR 快闪存储器与 e.MMC 存储器解决方案产品组合进行测试及验证,以加速推出等级 1 至 5 自驾车的先进驾驶辅助系统(ADAS)功能。

美光指出,自驾车仰赖各种感应器技术,包括视觉、光学雷达与雷达,会在侦测和分类汽车所在环境时产生大量数据。能够快速处里取得数据是 ADAS 的重要条件,可以比人类驾驶员大脑快好几倍的速度回应。这种快速决策水平需要足够的存储器频宽来实现 ADAS 在自驾车所需的运算和数据处理。

此外,等级 5 自动驾驶汽车需要强化的主动安全及防撞系统,已超越当前可用的功能,如自动紧急煞车(AEB)和主动巡航控制(ACC)等。如此,增加了对高价值存储器解决方案的需求,它们能满足 ADAS 对数据输送量的性能需求。因此,透过美光提供存储器方面的专业,展现其实现性能与低功耗需求的能力,能够支援 EyeQ5 的等级 5「超级计算机」自驾车功能。

另外,Mobileye 正在开发 EyeQ5 系统单晶片(SoC)平台为中央计算机,执行视觉与感应器整合,这是努力于 2020 年达成全自驾车的一环。

经济放缓损及市场需求 三星财报公布前遭看衰

经济放缓损及市场需求 三星财报公布前遭看衰

据路透社报道,韩国三星电子季度营业利润料两年来首次下降,因关键市场–中国的经济放缓,损及对该公司产品的需求。

若全球最大的半导体及智能手机厂商–三星电子公布的业绩黯淡,将令投资者更加惴惴不安。此前,苹果已调降季度营收预估,将之归咎于中国市场的iPhone销售放缓。

三星定于1月8月发布第四季业绩初估,路孚特(Refinitiv)I/B/E/S数据显示,当季营业利润料较上年同期下降12%至13.3万亿韩元(118.5亿美元)。

“中国市场需求低迷,将进一步驱动三星电子在当地的芯片销售下降。而且,中国整体智能手机市场停滞并正在下滑,不仅苹果受影响,三星也是,”HI Investment & Securities分析师Song Myung-sup说。

第四季营收预计下滑5%,受到记忆体芯片出货下降拖累。三星电子在去年10月削减了2018年资本支出,结束两年来对芯片的大手笔投资,因全球智能手机市场放缓。

这股逆风持续在第四季打击整个行业。根据分析公司Counterpoint Research,第三季全球最大智能手机市场中国总销量下滑了8%。

关键在中国

三星电子的全球智能手机业务也没有幸免,路孚特数据显示,预计该部门第四季获利下降五分之一。

“你看,苹果iPhone在中国的销量已经下降。三星亦然,关键是中国手机市场的需求疲弱状态会持续多长时间,”HDC Asset Management的基金经理Park Jung-hoon称。该公司持有三星股份。

三星在中国智能手机市场份额不到1%,苹果占9%。但包括中国华为的手机在内,许多厂商的智能手机都采用三星的记忆体和处理器芯片,这些芯片业务占三星获利的四分之三以上,占营收的约38%。

由于智能手机市场形势欠佳,第四季三星芯片业务的整体营业利润预计较上年同期下滑3.7%至10.5万亿韩元。

据券商Eugene Investment & Securiteis,三星记忆体芯片出货量第四季平均下降10%。

前路将面临更多坎坷

分析师表示,苹果和三星的困境预示,随着中国经济增长减速以及中美贸易摩擦雪上加霜,全球性企业的处境将更加艰难。

中国12月制造业活动出现逾两年来首次萎缩。世界银行估计,2019年中国经济增长率将创近30年来最低。

韩国12月对中国半导体出口出现两年多来首次下滑。

中国是韩国芯片生产商的主要市场。2018年1-11月,以三星和SK海力士为主的韩国芯片生产商约41%的产品出口至中国。

Refinitiv数据显示,三星的获利预计在2019年下降,因上述疲弱态势持续。

据全球市调机构DRAMeXchange指出,第四季动态随机存取记忆体(DRAM)价格下降10%。NAND快闪记忆体(闪存)价格下滑了15%。

DRAMeXchange预计,第一季记忆体晶片(存储器芯片)价格将平均下滑10%。