近日，康佳存储芯片封装测试项目传来新进展，目前项目正稳步推进，整个工程符合序时进度。
据盐城晚报报道，项目建设负责人表示，1号厂房总面积3.9万平方米，共有4层，5月4日封顶，现在正在进行外装修和门窗安装工作，预计6月30日基本结束，7月18日交付厂方进行内装修。
康佳集团存储芯片封测项目由康佳集团股份有限公司投资建设，报道指出，该项目计划总投资20亿元，占地100亩，分两期建设。建成投产后年可实现销售40亿元，封测产能达20KK/月，生产良率达99.95%以上，
3月18日，康佳集团存储芯片封测项目正式开工，康佳集团总裁周彬表示，项目建成后将成为国内唯一对第三方开放的无人工厂，将为盐城打造面向半导体的高科技产业集群起到标杆性示范作用。
据盐阜大众报5月份报道，由康佳集团投资20亿元建设的存储芯片封装测试项目已经建至三层，6月份主体即可竣工，年底前有望投产达效。
5月18日，陕西省委书记胡和平、省长刘国中在西安会见了三星电子副会长李在镕。
胡和平表示，当前，陕西疫情防控取得阶段性重要成果，经济社会秩序加快恢复，包括三星在内的外资企业保持良好运行态势。陕西将进一步加大对外资企业复工复产的支持力度，帮助解决物资流通、人员往来等方面问题，为企业在疫情防控常态化条件下生产经营创造良好环境。
胡和平还指出，愿与三星增进友谊、深化合作，全力服务和保障三星在陕项目建设，进一步加强闪存芯片、逻辑芯片、动力电池、生物医药等领域的合作，推动双方共同发展、互利共赢。
李在镕表示，三星在陕项目进展顺利、效益良好，愿继续拓展合作领域、深化交流交往，为谱写陕西新时代追赶超越新篇章作出积极贡献。
资料显示，西安三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段投资80亿美元。
今年3月10日，西安三星电子二期第一阶段项目产品正式下线上市，据西安新闻网此前报道，西安三星电子二期二阶段已经全面开工建设。三星西安二期项目建成后将新增产能每月13万片，占三星电子全球产量的40%，新增产值300亿元。
中潜股份公布，公司于2020年3月12日与合肥高新大唐产业投资合伙企业(有限合伙)(“合肥大唐投资”)、合肥亿超电子科技有限公司(“合肥亿超电子”)、合肥瑞瀚电子科技有限公司(“合肥瑞瀚电子”)、共青城海之芯投资合伙企业(有限合伙)(“共青城海之芯”)签署了股权收购意向书，拟通过现金购买合肥芯鹏技术有限公司(“合肥芯鹏”)100%股权、合肥大唐存储科技有限公司(“大唐储存”)9.05%股权。通过上述交易，公司谋求持有大唐存储超过80%的控股权。
标的公司大唐存储专注于存储控制芯片设计研发，团队由大唐微电子技术有限公司核心技术成员及固态存储控制芯片设计领域的专家组成，大唐存储致力于固态存储控制芯片开发、安全固件算法研发，并提供技术领先的安全存储产品解决方案。
大唐存储也是国内少数掌握商用最高安全等级国密商用算法芯片技术的公司，产品可应用于通信、电力、金融、铁路、教育、云计算及工业控制等领域，为不同行业客户数据安全存储提供安全保障。公司以高安全、高性能、技术创新为产品目标，为不同行业客户提供定制化、差异化安全存储解决方案。
此次交易的目的是为完善公司战略布局，提升公司盈利能力。大唐存储所处的存储芯片、安全存储产品等领域具有广阔的发展前景，也是国家大力支持的产业。通过本次交易，公司希望可以由此切入新的高科技产业领域，为公司增加新的利润增长点，有利于提升上市公司整体盈利水平，有利于增强公司的综合竞争能力。
由于基础薄弱、资金投入不够等因素，中国芯片发展常常受国外制约，而人才短缺更是国产芯片行业“缺芯少魂”的重要制约因素。据《中国集成电路产业人才白皮书（2018-2019年版）》统计显示，截止到2018年底，我国集成电路产业从业人员规模约为46.1万人，而2021年前后，我国集成电路行业人才需求规模预计为72.2万人左右，也就是说，至2021年，我国仍然存在26.1万的人才缺口。
作为国家大力扶持、不断更新迭代的行业，半导体尤其是存储芯片领域非常需要优秀人才不断加入。为了建设人才梯队，宏旺半导体ICMAX一直在主动加大研发投入，引进存储芯片行业各环节中专业、优秀的人才。
同时，为了提高人才培养质量，使教育及科研更好地服务于生产，2019年年底，宏旺半导体ICMAX与中南林业科技大学计算机与信息工程学院正式签订了“人才联合培养”的产学合作协议，致力于培养专业的集成电路以及存储芯片技术人才，实现校方、企业、人才的多方共赢。
本着互惠双赢、资源共享的原则，双方将共同制定专业人才培养方案、相应的企业学习方案以及满足人才培养基地建设与需要的保障机制，建设能满足学生学习与训练需要的学习场所和环境。
同时，ICMAX将与中南林业科技大学将在芯片的工业生产、技术改造、项目难题等方面建立长期、紧密的协作。在实践方面，ICMAX将与中南林业科技大学共建校外实践教育基地，为学生提供更多实习、实践的工作机会和发展平台。
众所周知，芯片产业是一个高技术密集的产业，一颗芯片从市场调研开始到产品下市，环节很多，每个环节都对技术与经验要求很高，因而半导体行业的门槛比一般产业要高，对专业型人才的需求也多。
为了培养更多存储芯片行业的专业人才，未来双方将发挥各自的资源优势，一方面联合培养存储技术实用型人才，覆盖存储芯片封装、软硬件开发、IC检测等领域，使双方更好地适应存储行业发展的新常态，将专业人才培养与产业转型升级和创新驱动发展相衔接；另一方面，通过将理论知识应用于技术实践，帮助学生进一步熟悉并掌握存储芯片的生产工艺与技术应用，缩小高校人才培养与企业用人需求间的差距，促使校企双方在专业人才、科研成果、行业数据等方面的资源得到共享，共同推动国产存储行业的进步与发展。
关于宏旺半导体ICMAX：
宏旺半导体ICMAX成立于2004年，是一家专注于存储芯片设计、研发、封装、测试、销售服务于一体的高科技企业。公司总部位于创新之都深圳，同时还在中国台湾、中国香港、韩国、美国、新加坡等地设立了分部。宏旺核心研发团队是以国立清华大学、交通大学、浙江大学，以及从事行业多年Memory开发设计的人才为班底打造的专家团队，并且拥有多项自主知识产权， 公司IC Design / HW / FW / SYS 等工程师人数超过全员一半。
作为国内存储芯片设计领域的资深企业之一，宏旺半导体ICMAX目前已打造了嵌入式存储、移动式存储、SSD、内存条为主的四条产品线，覆盖eMMC/eMCP/DDR/LPDDR/UFS/UMCP/SSD等多个产品，广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、电脑及周边、医疗、办公、汽车电子及工业控制等设备的各个领域，致力于为客户带来全方位、多元化的存储解决方案。
关于中南林业科技大学：
中南林业科技大学成立于1958年，坐落于我国历史文化名城长沙，是湖南省人民政府与国家林业和草原局重点建设高校。2012年入选国家中西部基础能力建设工程。中南林业科技大学涵盖理、工、农、文、经、法、管、教、艺等九大学科门类，具有博士后流动站、博士学位授予权和硕士生推免权，先后为国家培养了20多万名高级专门人才。
其中，计算机与信息工程学院现拥有信息与通信工程、软件工程2个一级学科硕士点，“计算机技术”工程硕士学位授权领域和“农业工程与信息技术”农业硕士学位授权领域各1个。并且拥有电子信息工程、计算机科学与技术、自动化、软件工程、通信工程和电子科学与技术6个本科专业。近五年来，学院共承担省（部）级以上科研项目45项，获授权发明专利60余项，实用新型专利100余项。学院坚持产、学、研结合的办学模式。
3月9日，珠海欧比特宇航科技股份有限公司（以下简称“欧比特”）发布《2020年度非公开发行股票预案》。
根据预案，欧比特本次拟非公开发行股票数量不超过2.1亿股（含2.1亿股），募集资金总额（含发行费用）不超过17.29亿元，扣除发行费用后，募集资金拟用于人工智能芯片研制及产业化项目、高可靠数据存储芯片项目和基于人工智能探测、检测设备研制与智慧排水管控平台产品化项目等项目建设及补充流动资金。
欧比特表示，公司拟研制面向高等级应用的新一代高性能嵌入式人工智能芯片，代号“玉龙”，面向航空航天、智能安防、机器人、AIoT、智能制造、智慧交通等应用场景。人工智能芯片研制及产业化项目总投资6.98亿元，拟投入募集资金5.97亿元，涵盖人工智能芯片研制、典型应用方案开发、方案商体系建设等三个方面。
高可靠数据存储芯片项目总投资4亿元，拟投入募集资金4亿元，将以自主知识产权的芯片设计及集成封装技术为技术支撑，根据航空、航天、国防领域的市场需求，开发系列化高可靠数据存储器产品。产品主要针对航空、航天、国防工业控制领域的计算机控制系统中的数据存储应用，主要包括高可靠数据存储器SRAM系列产品及超大容量NANDFLASH模块系列产品。
基于人工智能探测、检测设备研制与智慧排水管控平台产品化项目总投资3亿元，拟投入募集资金3亿元，将基于以人工智能为代表的新一代信息技术，结合排水行业管理现状及现代化治理要求，服务于市政管线和公路“管况和路况快速检测、数据诊断分析决策、养护工程设计、工程技术服务”四大领域，开展关键技术、高端装备、大型软件的开发、验证及产业化示范，将重点研究道路健康检测车、基于人工智能的地下检测车、智慧排水管控平台研发三个方面内容。
欧比特表示，随着本次募投项目的实施，公司将提升高可靠数据存储器芯片系列产品在业务中的比重，进一步提升竞争优势，实现具有自主知识产权、自主可控的高可靠数据存储器芯片设计和生产，将有助于促进公司的业务升级转型和适度多元化，增强公司的盈利能力、市场竞争能力和抗风险能力，为公司的可持续发展培育新的利润增长点。
资料显示，欧比特成立于2000年3月，主要从事宇航电子、微纳卫星星座及卫星大数据、人工智能技术的研制与生产，其中宇航电子业务包括宇航嵌入式SOC处理器芯片、SIP立体封装模块/微系统、EMBC宇航总线控制系统等。
三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款3纳米GAA制程技术，副会长李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
BusinessKorea、韩国先驱报(Korea Herald)报导，三星电子新开发的3纳米GAA制程技术，有望协助公司达成“2030年半导体愿景”(即于2030年在系统半导体、存储器芯片领域成为业界领导者)。GAA是当前FinFET技术的升级版，可让芯片商进一步缩小微芯片体积。
李在熔2日访问了华城芯片厂，听取3纳米制程技术的研发简报，并跟装置解决方案(device solutions, DS)事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。
跟5纳米相较，采用3纳米GAA制程技术的芯片尺寸小了35%、电力消耗量降低50%，但运算效能却能拉高30%。三星计画在2022年量产3纳米芯片。
三星去(2019)年发布了133万亿韩元(约1118.5亿美元)的投资计划，目标是在2030年成为全球顶尖的系统单芯片(SoC)制造商。
11月25日，深康佳A公布，因业务发展需要，公司拟以公司的控股子公司康佳芯盈半导体科技(深圳)有限公司(公司持股56%)为主体投资建设存储芯片封装测试厂。
项目拟选址盐城市智能终端产业园；计划2020年底试生产，固定资产投资金额为5.01亿元。
经友好协商，盐城高新技术产业开发区管理委员会拟与公司签署投资协议，投资协议的主要内容如下：
项目内容：投资建设存储芯片封装测试厂，开展存储芯片的封装测试及销售。
项目规模：计划总投入10.82亿元，其中购买设备等投资约5亿元。
项目占地：占地100亩(以国土部门最终出让面积为准)。
该项目有利于公司加强在半导体领域的布局，促进公司半导体及相关业务的长远发展，可充分发挥公司产业和科研优势并充分利用盐城高新技术产业开发区资源和政策优势，进一步提高公司核心竞争能力和盈利能力。
记者从国家企业信用信息公示系统获悉，国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”）于11月14日正式投资国产存储芯片公司深圳市江波龙电子股份有限公司（简称“江波龙电子”）。
股东及出资信息显示，大基金认缴江波龙电子出资金额428.57万元，实缴428.57万元，认缴出资日期为11月14日。华芯投资的投资二部总经理刘洋成为江波龙电子的董事，华芯投资是大基金的基金管理公司。同期，传音控股旗下的深圳市展想信息技术有限公司认缴出资额21.43万元，苏州上凯创业投资合伙企业（有限合伙）认缴出资额142.56万元，深圳力合新一代信息技术创业投资合伙企业（有限合伙）认缴出资额35.71万元。
资料显示，江波龙电子成立于1999年4月，注册资本6181.07万元，法定代表人为蔡华波，公司住所为深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地。
江波龙电子官网介绍，公司总部位于深圳，在北京、上海、重庆、香港、台北、圣何塞、伦敦、东京设立子公司或办事处，主要从事存储类产品的技术研发与销售。目前，江波龙电子全方位布局存储应用市场，旗下拥有2个存储品牌，专注高端消费的存储品牌Lexar（雷克沙）和深耕行业应用的嵌入式存储品牌FORESEE。
查阅股东榜，除了大基金，大基金的2只子基金早于2018年先行投资江波龙电子。具体来看，上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心认缴/实缴出资额142.86万元，深圳南山鸿泰股权投资基金合伙企业认缴/实缴出资额71.43万元。
展望全球，半导体行业，尤其是存储芯片行业，正经历着前所未有的挑战和机遇：一方面，全球经济放缓，市场周期进入下滑通道，存储市场的竞争异常激烈。加上行业有着较高的技术壁垒，并缺失核心人才等，都显示着国产存储芯片产业发展依然道阻且长。
另一方面，在全球信息化浪潮的推动下，大数据、云计算、物联网的应用不断扩展，5G的运用更是将带来整个产业结构的调整和重组，存储芯片行业的发展势必会迎来一波新的发展契机。在国家的支持和引导下，不少国产存储新势力发展迅猛，宏旺半导体股份有限公司就是其中的一员。
宏旺半导体股份有限公司（以下简称：宏旺半导体）成立于2004年，是一家专注存储芯片设计、研发、封装、测试、销售服务于一体的高科技企业。公司总部位于创新之都深圳，同时还在中国台湾、中国香港、韩国、美国、新加坡等地设立了分部。
在存储芯片国产替代化的道路上，宏旺半导体始终保持着自身的特色和优势。存储芯片的发展离不开技术的创新，因而宏旺半导体不断加大研发投入、造就核心技术、完善人才储备、引进先进管理制度等。
在占领技术话语权方面，宏旺半导体持续投入研发，研发团队占公司总人数的60%，并有独立的FW/HW 研发团队，同时，引进高新技术人才，研发中心leader均来自国立清华大学、国立交通大学等知名院校，充分整合了两岸的行业资源和优秀人才。在知识产权方面，截止目前，公司已申报获取了十多项专利，覆盖存储芯片多个产品线。
随着各种应用程序的越来越复杂，各种新兴场景的不断落地应用，对于存储芯片的开发与运用也越来越多样化。
宏旺半导体作为国内存储芯片设计领域的资深企业之一，目前已打造嵌入式存储、移动式存储、SSD、内存条四条产品线，覆盖eMMC/eMCP/DDR/LPDDR/UFS/UMCP/SLC/SSD/NAND-FlASH等多个产品，广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、电脑及周边、医疗、办公、汽车电子及工业控制等设备的各个领域。
为了保证存储芯片的良品率，宏旺半导体的芯片都要经过至少186项的可靠性测试，并与中兴、创维、TCL等国内知名品牌展开合作，严格遵照合作方要求的产品良率进行品控，并获得了充分的肯定。工欲善其事，必先利其器，为了精准完成测试，宏旺半导体自主研发了程序与应用平台模拟验证，并置办了大量仪器设备。
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）数据显示，2018年全球DRAM营收为996.55亿美元，DRAM市场依然呈现着美韩等企业寡头垄断的局面，存储芯片国产化迫在眉睫。宏旺半导体始终将“中国芯、宏旺梦”作为公司发展的愿景和使命。
为了更好地促进国内存储市场的发展，加强行业上下游的交流与互动，11月27日，宏旺半导体将在由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会”上，与业界一起探讨、交流存储产业宏观经济环境、细分市场动态以及技术演变趋势等话题，同时也希望行业内更多的企业参与峰会，共同商议、分析存储市场新的机遇与挑战！
【关于MTS2020】
11月27日，由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会（MTS2020）”将在深圳金茂JW万豪酒店举办。本次峰会将汇聚全球存储产业链重量级嘉宾以及集邦咨询内存和闪存核心分析师出席活动，共同探讨2020年存储市场新趋势、新变化。
近期，美光、三星、SK海力士、英特尔等多数存储厂商开始看好明年市场复苏前景，纷纷加大新技术工艺的推进力度，希望在新一轮市场竞争中占据有利地位。专家指出，随着云计算、人工智能对数据运算能力提出越来越严苛的要求，DRAM与NAND的存储能力正在成为瓶颈，开发新一代存储芯片将成为全球各大存储厂商角力焦点。
市场：多数存储厂商看好明年前景
在此情况下，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，试图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。
技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要集中在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。
技术：3D堆叠vs工艺微缩
3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D 堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。三星的第一代3D V-NAND只有24层，第二代为32层，随后是48层……目前市场上的主流3D NAND产品为64层。今年8月三星电子再次宣布实现第六代超过100层的3D NAND 闪存量产。
美光科技也于近期宣布流片128层的3D NAND，并有望于2020年生产商用化的3D NAND。在近日召开的“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。
SK海力士于年初宣布将投资大约1.22万亿韩元用于存储芯片的开发和生产。SK海力士目前的主流3D NAND闪存为72层。SK海力士表示，下一代3D NAND堆叠层数将超过90层，再下一个阶段为128层，到了2021年会超过140层。
与NAND闪存不同，因为DRAM比较难堆叠芯片层数，所以制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。
据报道，SK海力士在成功开发第二代10纳米级工艺(1y nm)11个月后，近日再度取得新进展，成功开发出第三代10纳米级工艺(1z nm)的16G DDR4 DRAM。SK海力士 DRAM开发与业务主管Lee Jung-hoon表示：“1z nm DDR4 DRAM提供了业界最高的密度、速度和能效，使其成为高性能、高密度DRAM客户适应不断变化的需求的最佳选择。”10纳米级的DRAM制程分为1代(1x)、2代(1y)与3代(1z)。1z nm生产效率比前一代高出27%，SK海力士将于明年开始量产并全面交付。
除SK海力士外，三星电子、美光也已成功实施1z工程。三星电子于3月完成1z DRAM的开发，并从9月开始量产。而且三星电子还表示将于今年年底前引入极紫外光(EUV)光刻技术。美光也在今年8月宣布开发1z工艺的16Gb DDR4。目前，美光已经开始量产1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。
焦点：新一代存储芯片开始量产
云计算与人工智能对数据的运算能力提出越来越严苛的要求，DRAM与NAND的存储能力正在成为瓶颈，越来越多的新一代存储芯片被开发出来。因此，新一代存储芯片的布局与开发也成为各大存储公司角力的焦点。
“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技正式宣布推出了基于3D XPoint技术的超高速SSD硬盘X100。这是美光产品系列中首款面向数据中心的存储和内存密集型应用程序的解决方案，利用新一代3D XPoint存储技术，在内存到存储的层次结构中引入新的层级，具有比DRAM更大的容量和更好的持久性，以及比NAND更高的耐用度和更强性能。
美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 表示：“美光是全球为数不多的DRAM、NAND和 3D XPoint解决方案垂直整合提供商，该产品将继续推动我们的产品组合向更高价值的解决方案发展，从而加速人工智能能力发展、推动更快的数据分析，并为客户创造新的价值。”
三星则重点发展新一代存储技术MRAM。今年年初，三星宣布量产首款可商用的eMRAM产品。三星计划年内开始生产1G容量的eMRAM测试芯片，采用基于FD-SOI的28nm工艺。
三星代工市场副总裁Ryan Lee表示：“在克服新材料的复杂挑战后，我们推出了嵌入式非易失性存储器eMRAM技术，并通过eMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合，三星晶圆代工继续扩大新兴的非易失存储器工艺产品组合，以满足客户和市场需求。”
台积电同样重视下一代存储器的开发。2017年台积电技术长孙元成首次透露，台积电已开始研发eMRAM和eRRAM，采用22nm制程。这是台积电应对物联网、移动设备、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新存储器。
台积电共同执行长刘德音日前在接受媒体采访时表示，台积电不排除收购一家存储器芯片公司，再次表达了对下一代存储技术的兴趣。
中国：争当与产业共进“贡献者”
目前，中国半导体厂商也在积极发展存储芯片事业。考虑到国际存储大厂仍在不断垒高技术门槛，中国的存储事业仍有很长一段路要走，技术与创新将是成败的关键。
对此，莫大康曾经指出，考虑到整个产业形势，在未来相当长的一段时间内，中国存储产业必须是一个踏踏实实的“跟随者”与“学习者”，同样又要争当一个与产业共同进步的“贡献者”。
2018年，长江存储在FMS(闪存技术峰会)上首次公开了自主研发的Xtacking架构，荣获当年“Best of Show”奖项。它可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
今年9月，长江存储宣布量产采用Xtacking架构的64层3D NAND。长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”长江存储还宣布正在开发下一代Xtacking2.0技术，Xtacking 2.0将进一步提升NAND的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等。
今年9月，合肥长鑫在2019世界制造业大会上，宣布DRAM内存芯片投产。合肥长鑫现场展示了8Gb DDR4芯片，采用19nm(1x)工艺生产，和国际主流DRAM工艺基本保持同步。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。
不过，中国存储芯片产业仍然处于刚起步阶段。根据集邦咨询的评估，2020年中国存储产量只相当于全球产能的3%。要想发展壮大，在国际市场中发挥影响力，自立自强始终是企业成败的关键。
