存储器需求将回温 传三星提早启用新厂

存储器需求将回温 传三星提早启用新厂

「韩国先驱报」报导,今年第一季DRAM和NAND存储器芯片价格重挫,但三星电子并未停止投资,甚至预期明年存储器需求将会回温,拟提早启用位于平泽市(Pyeongtaek)的存储器二厂,以因应目前的市况、率先出击。

明年3月启动平泽二厂

报导指出,外界原先预期平泽二厂会到2020年6月才开始营运,但三星电子考虑到目前市场低迷和明年需求可望回温,近期积极与平泽市各方开会讨论存储器二厂的水电供给细节,似乎计划将平泽二厂营运的时间提前至明年3月份;业界人士透露,平泽二厂将用于生产最高科技的DRAM芯片,可被应用于折叠式智能手机等高端设备。

生产最高科技DRAM芯片

一名三星内部人士表示,新厂的启用时程尚未正式宣布,将根据市场情况进行调整,当初的时程是去年年初时为平泽二厂破土动工时设定的,但现在的市场状态已截然不同。一名三星高阶主管表示:「公司预期市场需求将在下半年反弹,明年将继续快速成长。即将营运的新工厂将在供需平衡上发挥关键作用,三星希望率先采取行动。」

平泽区将再打造2间工厂

三星平泽厂区占地广大,总面积达289万平方公尺,约相当于400个足球场。紧邻平泽二厂的「平泽一厂」是当今世界上最大的存储器工厂,未来三星还打算在厂区内再打造两间存储器工厂,预计接下来很快就会宣布两座新厂动工的时间。

正在考虑收购恩智浦? 三星否认传闻

正在考虑收购恩智浦? 三星否认传闻

日前,三星电子被传有意收购汽车电子供应商恩智浦。

韩国媒体InvestChosun报道称,三星电子内部正在评估对恩智浦发起收购,由副会长李在镕助手、总裁Chung Hyun-ho和副总裁Ahn Joong-hy领导的团队正审核该项目,收购金额将高达50万亿韩元(约合443亿美元)。

对此,今日彭博社消息称,三星电子方面否认关于考虑收购恩智浦的报道。

现金储备充足,被传收购半导体大厂

今年年初,市场分析指出,截至2018年年底,三星电子现金保有额超过100万亿韩元(885.3亿美元),创下该公司成立以来新高,投行伯恩斯坦分析师预测,到2019年年底,三星的现金储备将突破119万亿韩元(约合1050亿美元)。业界认为,三星电子或将动用手上这笔庞大的现金,以实现公司的对外投资和并购。

三星电子副会长李在镕曾表示,三星电子目标2030年成为全球半导体产业龙头,业界认为其有高度可能积极并购。报道称,三星电子将考虑收购海外非存储器半导体企业,潜在收购名单包括恩智浦、赛灵思、英飞凌。近日由于格芯传出正在考虑出售,亦被认为是三星电子收购备选对象之一。

值得一提的是,李在镕曾表示将汽车芯片等业务列为关键战略。近两年,三星电子在汽车电子领域动作频频,2017年以80亿美元收购了世界音响巨头哈曼,当时三星电子表示,哈曼对三星的吸引力在于汽车互联业务,该交易将帮助三星电子进军汽车电子领域;2018年10月,三星电子发布两大汽车芯片品牌Exynos Auto和ISOCELL Auto。

若三星电子欲通过收购进一步扩大汽车电子业务,那么恩智浦作为全球最大的汽车电子供应商,确实有可能成为收购对象。

存储器跌价,寻找市场新出路

尽管三星电子目前已否认了收购传闻,但业界认为其后续仍有可能对半导体大厂展开收购,因为其最大的收入来源存储器业务正面临着价格不断下滑的挑战,三星电子有必要考虑新的战略发展出路。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,DRAM整体合约价自去年第四季开始下跌,由于供过于求的市况,DRAM产业大部分交易已经改为月结价,2月份更罕见出现价格大幅下修。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%,是继2011年以来单季最大跌幅。

三星电子作为全球最大的存储器厂商,存储器价格下跌对其的影响在业绩报告中已有所反映。数据显示,2018年第四季度三星电子营业收入同比下降10%、营业利润同比下降29%,三星电子表示主要受存储芯片需求下降的影响。

一方面面临着存储器需求不振、价格大幅下跌的市况,另一方面面临着SK海力士、美光等对手的竞争,业界认为三星电子在保持存储器市场地位的同时,亦开始强调晶圆代工、汽车电子等非存储器半导体领域的发展。

去年底,李在镕曾与韩国总统文在寅见面,就三星芯片战略问题进行会谈。当时,李在镕表示,当前的芯片市场已不同往日,但他表示对三星电子在芯片市场的领导地位充满信心。业界认为,三星电子为寻找存储器、手机以外的业务增长点,今年将有较大可能积极进行企业并购。

集成电路入列湖北省十大重点产业  将设立专项基金

集成电路入列湖北省十大重点产业 将设立专项基金

日前,湖北省政府新闻办召开《湖北省十大重点产业高质量发展意见》(以下简称“《意见》”)政策解读发布会,会上针对十大重点产业提出具体实施举措,并制定年度行动计划。

湖北省十大重点产业包括集成电路、地球空间信息、新一代信息技术、智能制造、汽车、数字、生物、康养、新能源与新材料、航天航空等,每个重点产业又涵盖若干细分领域。会议指出,由于湖北省此前已先后出台多项政策,为避免重复,《意见》在产业选择上不搞面面俱到,而是突出特色和重点,在实施举措上强调可操作性。

《意见》对十大重点产业发展目标作了明确规划,集成电路方面提出要重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片;以武汉为核心发展区,建设武汉国家存储器基地、国家先进存储产业创新中心、武汉光谷集成电路产业园,筹建长江芯片研究院等。力争到2022年,主营业务收入1000亿元以上。

根据《意见》,推进十大重点产业高质量发展共有十大实施举措,包括抓专项规划编制、抓支持资金筹措等。《意见》出台后,目前湖北省已经开展和正在推进的有六项专项工作,如专项推介、专项基金等,将按照“一个产业一个专项基金”的要求,努力推动形成十大重点产业基金群,还要建立十大重点产业项目库,五年内十大重点产业的储备项目投资总规模力争超过10万亿元。

围绕着十大重点产业,《意见》提出要着力打造一批新兴产业集群,壮大光谷“芯屏端网”等现有优势产业集群等。湖北省经济信息化厅党组成员陶红兵表示,湖北省“芯屏端网”世界级产业集群建设得到较快发展,目前拥有“芯屏端网”相关企业近400家,产业规模3000多亿元,“芯”方面包括有长江存储、武汉新芯等一批拥有自主知识产权的研发生产企业。

湖北省2019年政府工作报告中亦指出,要大力实施“一芯驱动、两带支撑、三区协同”区域和产业发展战略,推动集成电路等十大重点产业发展,全力推进国家存储器基地项目建设,加快打造“芯屏端网”等世界级先进制造业产业集群,集中力量推进武汉新芯二期等重大产业项目。

BIWIN佰维携工控SSD等产品亮相德国纽伦堡国际嵌入式展

BIWIN佰维携工控SSD等产品亮相德国纽伦堡国际嵌入式展

2019年2月26日-28日,BIWIN佰维携全系列工控SSD等产品闪耀亮相德国嵌入式展Ebedded World 2019纽伦堡会议中心3号馆519展位。德国纽伦堡国际嵌入式展是嵌入式系统业界重要的年度盛会之一,也是全球规模最大的嵌入式展会,今年也是佰维的第5年连续参展。此次展会上佰维主要为业界带来了面向宽温级工业应用、轨道交通、网络安全、加固型工业应用等不同场景下的存储解决方案,产品类型涉及工控级SSD,存储芯片,存储卡、内存以及客制化存储服务。

宽温场景下,畅享高速
-40℃~85℃读速仍可达3000MB/s

BIWIN 佰维宽温级M.2 PCIe SSD集成温度传感器,在数据高吞吐情况下自动检测SSD温度是否正常,动态温度调节功能可在维持SSD较小降低性能的同时降低SSD的发热,从而实现宽温工作环境下的高速读写。

BIWIN M.2 PCIe SSD为2280规格,采用高品质闪存颗粒,数据传输通道为PCIe 3.0 x4,理论带宽高达32Gbps,连续读写速度分别为3000MB/s(读取)、1700MB/s(写入),随机读取IOPS可达150K,高速的读写性能可满足工业和医疗等数据密集型领域的需求。

轨道交通系列SSD
支持异常断电保护20000次!

佰维轨道交通系列SSD通过内置电源侦测芯片实时监控供电情况,一旦发现异常立即启用断电保护模块,利用钽电容储存的电量持续供电,为 DRAM 中缓存的数据可靠地传输到闪存提供充足的时间,从而有效避免因意外断电造成无法认盘或固件丢失等重大故障发生,确保固件程序安全,进而确保存储数据安全,为车载监控、车载多媒体、车载控制系统等提供了可靠性保障,支持异常断电保护20000次。

同时,针对轨道交通应用特点,BIWIN佰维采用耐插拔的SSD连接器,通过算法优化,可保持高密度工作的情况下兼具平稳与持续高速的读写,从而支持更高像素的多个高清摄像头录制,并提供高达1TB的容量选择。

优化Firmware算法
持续安全读写,助力网安应用

针对网安市场的应用环境,客户的摄像机和录像存储设备往往就近部署在道路附近,由于主干道路面车流量较大,容易产生灰尘与振动,针对于此,不仅要求存储硬盘抗震、防尘、稳定性好,更要有7*24小时的持续工作能力。

佰维通过优化FW,均衡“写入优化”、“垃圾回收”、“磨损均衡”等SSD主要内部工作的效率,并学习、适应不同流数据的特性,调整这些“均衡”。从而达到稳定满盘写入性能和减小碎片搬移(降低写放大)的目的适用于视频监控系统。有效降低写入放大系数,提高了SSD在7*24小时使用压力下的耐用度,同时保证读写效率和数据安全。

多重加固型防护设计
让数据存储固若汤金

不同于消费类SSD的设计思路追求性能,节约成本,能省的物料绝不多用一颗,工业级SSD则把可靠性放到首位,能用10层板绝不会减少到8层板。正是基于这样的思路,BIWIN佰维针对有强固型需求的工业级应用,从芯片开始加固,使用底部填充胶对芯片底部进行完全填充,然后加热后固化,底部填充胶不仅可以起到PCB和芯片之间牢固粘连的作用,还能把芯片管脚之间的空气完全排出,防止芯片管脚氧化,同时也可以起到防水的作用.

有了坚固的机身还不够,SATA连接器亦采用特殊定制的加固SATA接口,使其不管受到任何方向的冲击或震动后,都不会出现接触不良;最后再对外壳进行加固,多管齐下,满足客户工业级强固型存储方案的需求。

完整的产品线布局
迅速为客户匹配最适合的工业级存储方案

边缘计算以及存储容量增加是不争的事实,随着行业变革开始向工业物联网(IIoT)和工业 4.0发展,这一趋势将会更加明显,储存行为也变得多样且复杂,衍生出云存储和边缘存储等,单一的存储产品线已难以概全、通用于所有设备系统。

BIWIN佰维维持产品线的完整度以满足客户不同的需求,同时,针对不同应用领域的需求我们梳理出相对应的存储解决方案方案。从而满足不同应用领域在断电保护,加密支持,写入保护,安全删除以及长期供应等需求,无论是高宽带要求的数据采集还是高IOPS的在线应用,或者极端高温或低温等恶劣环境下的应用,均可为客户提供有效的存储解决方案。

更多讯息请访问:www.biwin.com.cn
商务合作:sales@biwin.com.cn

三星开始量产512GB的eUFS 3.0手机储存芯片

三星开始量产512GB的eUFS 3.0手机储存芯片

三星电子(Samsung Electronics)宣布开始量产全球首批基于eUFS 3.0的512GB手机储存芯片,它的连续读取速度达到每秒2,100MB,是1TB eUFS 2.1的2.1倍,为STAT固态硬盘(SSD)的4倍,更是寻常microSD卡的20倍。

联合电子装置技术协会(JEDEC)在去年1月公布了通用快闪存储器UFS 3.0标准,每通道最高的传输速率为每秒11.6Gb,三星继之于去年发表了嵌入式UFS(eUFS)解决方案,但直至二月底才宣布量产。

三星的512GB eUFS 3.0嵌入了8个第五代512Gb V-NAND芯片,亦整合了高效能控制器,提供每秒2100MB的连续读取速度及每秒410MB的连续写入速度,更胜今年1月量产的1TB eUFS 2.1模块,该模块的连续读取速度为每秒1,000MB,连续写入速度则是每秒260MB。

三星表示,以512GB eUFS 3.0传送一部Full HD画质的电影到PC上大概只需3秒钟,而它的写入速度则与SSD相当。

除了在二月开始量产512GB及128GB的eUFS 3.0储存芯片之外,三星亦预计于今年下半年开始生产1TB及256GB的eUFS 3.0芯片。

WD 发布UFS 3.0 iNAND EU511 闪存产品

WD 发布UFS 3.0 iNAND EU511 闪存产品

最近存储芯片也推出了最新的规格由 UFS 2.0 /2.1 提升到 UFS 3.0,SEQ 读写速度堪比 SSD。Western Digital(WD)宣布推出新一代 iNAND 嵌入式闪存 EU511,支持最新的 UFS 3.0,最大容量 512 GB,使用了 96-Layer 3D NAND 闪存,写入速度达到 750 MB/s,足足比上代快了一倍。宣称为未来的 5G 设备提供更好的体验。

Western Digital 官方没有公布具体的芯片类型,但估计不会是 QLC,3D TLC 的机会比较大,因为今年 1 月底 Toshiba 也同样推出了 UFS 3.0 闪存,而且是 96-Layer 3D TLC 闪存,按常理两家推出的产品步伐都大致相约。

Western Digital EU511 闪存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 规范,而 UFS 3.0 单通道双向频宽为 11.6 Gbps,因此双通道的理论最高值就是 23.2 Gbps,约为 2.9GB/s。

容量方面,iNAND EU511 最低提供 64 GB,最高可达 512 GB,而且凭借自家的 Smart SLC Generation 6 技术,提供最高 750MBps 的 Turbo 写入速度,较现行技术提升 75% 随机读取与 25% 随机写入,同时符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。而目前 Western Digital iNAND EU511 闪存已经开始给OEM客户出样。

避开与大厂正面交锋  南亚科、华邦电攻利基型产品

避开与大厂正面交锋 南亚科、华邦电攻利基型产品

全球第二大存储器芯片大厂SK海力士昨天宣布2022年起将在未来10年内投资120兆韩圆扩建存储器规模,震撼全球存储器产业。据台湾经济日报称,台系南亚科、华邦电等存储器芯片厂不投入扩产军备竞赛,而是扩大利基型存储器布局,避开与大厂正面交锋。不过未来价格动向,仍得密切注意韩国业者增产进度。

SK海力士已打算在龙川在增设存储器厂,聚焦在 DRAM 和次世代存储器。近期三大厂包括三星、美光及SK海力士都考量DRAM价格急跌,决定缩减今年资本支出,SK海力士再度宣布大手笔扩建案,业界高度关注。

首颗国产40nm工业级嵌入式存储主控芯片小批量生产

首颗国产40nm工业级嵌入式存储主控芯片小批量生产

1月21日,南通广播电视台主办的江海明珠网发布新闻称,江苏华存电子科技有限公司(以下简称“江苏华存”)的40纳米工业级嵌入式存储主控芯片已开始小批量生产。

两个月前(2018年11月21日),江苏华存正式对外发布其国内自研首颗嵌入式40纳米工业级存储主控芯片HC5001及应用存储解决方案,重点面向是在机器人、人工智能、机顶盒、汽车电子等应用市场。

据介绍,HC5001兼具高兼容性和高稳定度,支持第5.1版内嵌式存储器标准等,40纳米工艺制程亦满足了高效能低功耗的嵌入式存储eMMC装置硬盘,在纠错率、连续读取速度、待机电流等核心指标均达到国际水平,可使国内该类主控芯片成本下降20%,操作功耗下降15%。

江海明珠网消息显示,目前江苏华存的研发及测试生产线已搭建完成,其HC5001芯片已于陆续开始下线,目前产品已开始小批量生产,并打入十多家厂商。

从2014年嵌入式存储eMMC装置硬盘的第5.1版规格公布以来,eMMC装置硬盘在2017年已经占据消费型移动存储市场超过90%的规模,基本被美日韩厂商所垄断,国内eMMC高阶存储主控芯片仍处于一片空白,江苏华存成功完成了国产率为零的突破。

资料显示,江苏华存正式注册成立于2017年9月,是一家专注于存储芯片设计和存储解决方案研发生产的公司,并致力于高阶存储产品主控芯片的设计与制造。该公司获得政府性基金投资扶持,南通招商江海基金、南通科创投基金分别投入6000万元、2000万元。

江海明珠网报道称,江苏华存围绕存储器主控设计申请了184项专利,有10项已获得授权,其中美国专利8项,目前正在投入研发大数据与计算机级存储器12纳米固态硬盘(SSD)主控芯片,其董事长、总经理李庭育表示这款芯片将于2020年初面世。

近期,工信部发布2018年工业强基工程重点产品、工艺“一条龙”应用计划示范企业和示范项目(第一批)公示名单,江苏华存的存储主控芯片设计被列为快闪存储器(3D NAND Flash)产业链制造环节示范企业。

迎接人工智能与大数据带来商机,应材:材料工程突破为关键

迎接人工智能与大数据带来商机,应材:材料工程突破为关键

在人工智能 (AI) 已经成为产业不可逆的趋势下,就连台积电前董事长张忠谋都表示,未来 AI 的发展将成为带动台积电营运发展的重要关键。因此,市场上大家都在期待,藉由 AI 发展所带来的新应用与商机。只是,在 AI 需要大量运算效能与能源,而整个半导体结构发展也面临极限发展的情况之下,材料工程技术的突破就成为未来 AI 普及化前的其中关键。

材料工程解决方案大厂应用材料 (Applied Materials) 指出,根据《经济学人》表示,当前数据之于这个世纪的重要性,犹如石油之于上个世纪,是成长与变革的动力,而透过科技也为许多产业带来改变。因此,藉由人工智能与大数据的结合,给市场带来无限的机会,却也带来空前的挑战。所以,而是否能掌握 AI 与大数据带来的庞大商机,关键在于新技术和新策略上。

应用材料台湾区总裁余定陆日前在于媒体的聚会中表示,AI 与大数据的结合带动了 4 个主要的趋势与挑战,这也是企业是否能在 AI 与大数据时代掌握致胜先机的关键。其中,包括了物联网普及和工业 4.0 产生超大量的数据资料、现有的空间不足以应付快速增加数据量的处理及储存、靠着新的运算模式及架构,以及边缘运算、云端技术和低功耗的每瓦效能,才能将数据成功转换成价值、以及 AI 与物联网快速汇流,连接性是最大关键,也是决定运作是否流畅的重要因素等。

而因为有了 4 个趋势与挑战,使得在 AI 与大数据时代中启动了「硬件复兴」的各种资源投入,不但使得论是传统科技领导大厂、新创公司或软件公司,都投入大量的资源、押宝不同的技术领域、聚焦应用的客制化及最佳化,专注于硬件的设计以及投资发展。另外,在在计算机运算处理器部分,人工智能需要大量、快速的存储器存取及平行运算,才能提升巨量资料处理能力,这时绘图处理器(GPU)及张量处理器(TPU)会比传统运算架构更适合处理人工智能的应用。而且,为了使人工智能潜力完全开发,其效能 / 功耗比即运算效能需达到目前 的1,000 倍 ,已成为现阶段技术层面亟需突破的关键。

再加上 AI 与大数据需要边缘及云端创新,大量的资料储存+高效能运算因运而生。而且在是当传统摩尔定律下的 2D 微缩越来越慢的情况下,材料工程的创新就成为解决问题的其中一项关键。余定陆进一步表示,材料工程的创新未来将建构在 PPAC(效能、功耗与单位面积)的 5 个面向革新上,包括新架构、新结构 / 3D、新材料、微缩的新方法以及先进封装等。

余定陆举例表示,原有 2D NAND 的技术应用在实体和成本上已达到极限,为了能让每储存单元(cell)的容量再往上增加, 3D NAND 技术采用层层堆栈的方式,来减少 2D NAND 储存单元距离过近时,可能产生的干扰问题。此外,3D NAND 有倍增的容量与可靠度,更是过去的 2D NAND 无法比拟的 。

此外,先进封装可以优化系统级的效能。过去 DRAM 封装是采用印刷电路板(PCB)的方式,目前则采用硅通孔封装技术(TSV),可将逻辑和存储器的同质和异构集成紧密地结合在一起,垂直堆栈的 3D 储存器芯片显著减小了 PCB 级的电路板尺寸和布线复杂性,大大降低成本、节省一半的电力及延长芯片使用寿命。另一种系统级封装,运用小芯片(chiplet)多元模块整合,可提供时间、成本与良率的效益。

余定陆还表示, 传统计算机架构的冯诺伊曼(Von Neumann)思维有一个主要问题,当处理大量资料运算,单一中央处理器与存储器间的资料运算规则和传输速度,限制了整体效率与计算时间,无法满足实际实时应用情境。但利用神经形态(Neuromorphic)思维,进行网络分散架构及平行运算与学习,可加速人工智能计算,达到传统计算机架构无法达成的连接性。

在 AI  与大数据的结合将带来无限机会的时代中, 因应复杂性、应用性和在时间方面都面临很大的困难,而且互连性和材料创新速度上面临的挑战,也需要新的策略来克服的情况下,需要藉由材料工程创新、硬件的复兴以及产业生态间深度连结来解决。

500亿元项目落户!湖南益阳将添20条存储芯片测封装生产线、一座晶圆厂

500亿元项目落户!湖南益阳将添20条存储芯片测封装生产线、一座晶圆厂

日前,湖南省益阳市赫山区迎来“开门红”,成功签约总投资超500亿元的五夷·万微科技生态芯城项目,这是益阳市赫山区今年引进的第一个项目,也是其近年来投资金额最大的一个项目。

据了解,五夷·万微科技生态芯城项目由湖南五夷实业投资有限公司和湖南南粤基金管理有限公司投资,项目总规划用地约4215亩,将打造成为半导体和芯片研发的集散地,具有科技特色的产业园,集半导体研发、生产、销售于一体的产业核心区,以及产业互联、场景互联、智慧互联、生态互联、交通互联的5S智慧城市。

该项目的建设内容包括产业、公共建设配套、城镇化三部分,其中该产业部分将分两个阶段完成,其中第一阶段为核心产业建设,总投资500.5亿元、总占地约800亩,拟建成工业生产区、产品研发区、行政办公区、居住休闲区、仓储保税区等五大功能区,建设期限为7年,建成投产后最低年产值可达433.4亿元;第二阶段为上下游产业入驻及军民融合产业园等建设。

第一阶段核心产业建设也将分两期实施:一期计划投资276亿元,规划用地400亩,主要建设约20万平方米厂房、20条存储芯片测封装生产线以及5万平方米配套设施,建设时间3.5年;二期计划投资224.5亿元,规划用地400亩,主要建设约30万平方米厂房(一座晶圆工厂),建设时间为3.5年。

益阳市委副书记黎石秋表示,该项目作为先进制造产业,是支撑益阳市未来经济高质量发展的核心驱动力,必将对赫山乃至益阳优化产业结构、培育新的经济增长点提供强劲支撑、注入强劲动能。