北京时间4月28日，《日经亚洲评论》(Nikkei Asian Review)援引两位知情人士的消息称，华为正与芯片制造商意法半导体（STMicroonics）合作，共同设计移动和汽车相关芯片。
报道称，此举有助于华为更好地利用其自动驾驶汽车技术。在此之前，意法半导体只是华为的一家芯片供应商。此外，这一合作还有助于华为摆脱对特定芯片供应商的依赖。
报道还称，与意法半导体的合作将使华为能够获得Synopsys和Cadence Design Systems等美国公司的软件产品。
加速布局氮化镓 意法半导体收购Exagan多数股权
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
据意法半导体介绍，Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变，研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。
双方的交易条款没有对外公布，等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。据披露，现已签署的并购协议还规定，在多数股权收购交易完成24个月后，意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。
意法半导体表示，Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。
意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery称，收购Exagan的多数股权是对意法半导体目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。
据了解，2018年意法半导体宣布与CEA Tech旗下研究所Leti合作研发硅基氮化镓功率切换元件制造技术。前不久，意法半导体宣布与台积电携手合作加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。
意法半导体汽车产品和分立器件部总裁Marco Monti曾指出，意法半导体在氮化镓制程技术的加速开发与交付看到了庞大的商机，将功率氮化镓及氮化镓集成电路产品导入市场。
三大IDM厂商2018年全年营收出炉，谁的表现更亮眼？
随着NXP（恩智浦）公布2018年第四季营收，ST（意法半导体）与英飞凌等欧系三大IDM厂商在2018年的全年度财报表现也已确定，三大IDM厂商在2018年皆缴出不错的成绩单。
NXP在2018年全年度营收为94.07亿美元，ST为96.65亿美元，英飞凌则为92亿美元；相较于2017年，年度成长率(YoY)分别为：1.6%、15.8%与13.3%，不论是营收或成长率，ST皆居于三大IDM厂商之首。
ST三大事业群皆为成长主力
ST等三大IDM厂商皆是全球主要车用半导体供应商，车用市场是支撑这3家厂商营收在2018年能有出色表现的重要主力。
但若进一步来看，ST能在营收与成长率皆居于首位的关键，在于ST其他两大产品事业群AMS (Analog, MEMS and Sensors Group)与MDG (Microcontrollers and Digital ICs Group)有着相当优异的成长表现，而且占整体营收也有相当程度的比重。
相较于NXP与英飞凌以车用市场为成长主力的特色，ST成长动能来源显然较为平均，不会特别依附在单一应用市场。
毛利率表现则由NXP居冠
尽管ST在2018年全年度营收与营收成长率表现居首，不过在毛利率方面，仍然是NXP独领风骚，2018年毛利率为52.9%、ST为39.9%、英飞凌则为38.7%。最主要原因在于NXP有不少以28nm为主的嵌入式处理器，涵盖车用、消费性电子与网通基础建设等应用场景。
然ST与英飞凌毛利率表现相较于2017年也略有提升，究其原因，是高毛利的车用领域成长带动所致。
SiC热！意法半导体收购Norstel 55%股权
SiC功率器件大势所趋，国际巨头竞相布局，如今意法半导体拟通过并购整合进一步扩大SiC产业规模。
日前，意法半导体宣布，公司已签署协议，收购瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB（“Norstel”）的多数股权。交易完成后，意法半导体将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链。
根据协议，意法半导体此次将收购Norstel 55%股权，并可根据某些条件选择收购剩余的45%股权，如果行使这些条件，收购总额将达1.375亿美元，并以现金支付。
意法半导体总裁兼CEO Jean-Marc Chery表示，意法半导体是目前唯一一家大规模生产汽车级SiC的半导体公司，公司希望在工业和汽车应用的数量和广度上建立在SiC方面的强劲势头，以继续保持在市场上的领先地位，收购Norstel的多数股权是加强公司SiC生态系统的又一步，将增强公司的灵活性、提高产量和质量，并支持公司的长期碳化硅路线图和业务。
资料显示，Norstel总部位于瑞典诺尔雪平，成立于2005年，是全球SiC衬底及外延片的主要供应商之一。而意法半导体原已是全球少数SiC IDM企业之一，如今通过收购Norstel进一步布局SiC产业。2019年1月，意法半导体与科锐签署多年供货协议，Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。
SiC作为新一代材料备受瞩目，国际企业多年前就已开始提前布局，英飞凌、科锐等巨头已逐步完成了从材料、器件、模组到系统解决方案的全产业链贯通，SiC产业的并购整合动作并不算十分明显，但近年来亦时有发生，最近似乎更为活跃。
2016年，英飞凌曾试图收购科锐旗下主营SiC、GaN业务的Wolfspeed，但由于SiC、GaN均为制造有源相控阵雷达等军事装备的关键器件，该收购案被美国政府以危害国家安全为由予以否决而宣告失败。为此，英飞凌向Cree付了1250万美元分手费。
前不久，英飞凌再度针对SiC展开收购，宣布以1.39亿美元收购初创企业Siltectra，获得后者创新技术ColdSpilt以用于碳化硅晶圆的切割上，从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番，进一步加码碳化硅市场。
如今，意法半导体也动手收购Norstel，SiC产业链企业相继着手扩产，中国企业对SiC的投资热度持续升温，SiC器件的大规模商用可期。
SiC商用提速！科锐与意法半导体签署2.5亿美元供货协议
近日Cree科锐宣布，其与意法半导体签署了一份多年供货协议，为意法半导体生产和供应其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆。
按照协议规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。协议将加速SiC在汽车和工业两大市场的商用。
Cree首席执行官Gregg Lowe表示，这是去年以来Cree为支持半导体工业从硅向碳化硅转型而签署的第三份多年供货协议，Cree将不断扩大产能，以满足持续增长的市场需求，特别是在工业和汽车应用领域。
Cree旗下Wolfspeed是全球领先的碳化硅晶圆和外延晶圆制造商，其整合了从SiC衬底到模组的全产业链生产环节，在市场占据主导地位。据悉，Cree的SiC衬底占据了全球市场近40%份额，在SiC器件领域的市场份额亦仅次于英飞凌。
2016年，英飞凌曾试图收购Wolfspeed，但由于Wolfspeed的主营业务SiC、GaN均为制造有源相控阵雷达等军事装备的关键器件，该收购案被美国政府以危害国家安全为由予以否决而宣告失败。为此，英飞凌还向Cree付了1250万美元分手费。
SiC材料及器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，体积、重量以及成本的大幅减低，适用于汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备等领域。英飞凌CEO雷哈德·普洛斯曾表示，Wolfspeed生产的SiC芯片在未来数年将逐渐取代传统芯片，尤其是在电动和混合动力汽车市场。
尽管性能优越，但由于产能不足、价格较高等各方面原因，SiC器件目前尚未得到大规模商用，近两年来随着新能源汽车等蓬勃发展，市场对SiC的需求亦显著提升，越来越多的汽车制造商纷纷考虑使用SiC器件，这次Cree与意法半导体签订供货协议，将有望加速SiC在汽车和业应用领域的商用。
意法半导体是全球著名的半导体供应商，在工业和汽车电子领域均占有较高的市场份额，其产品涵盖了工控、汽车电子、智能家居等各大领域的方方面面，如今斥巨资与Cree签下SiC晶圆及外延片供货长约，即意味着其将持续支持SiC器件的商用。
在2018年2月，Cree亦与英飞凌达成了SiC晶圆长期供应协议，将向英飞凌长期供应150mm SiC晶圆，以满足当前高增长的光伏逆变器、工业和汽车等市场。
随着意法半导体、英飞凌等国际大厂的持续推进，SiC器件的大规模商用将越来越近。