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4月22日，格芯官网宣布将其位于美国纽约州East Fishkill的300mm (12英寸) Fab 10晶圆厂卖给安森美半导体。

安森美4.3亿美元收购格芯Fab 10

格芯与安森美半导体宣布，他们已就安森美半导体收购格芯位于纽约East Fishkil的300mm晶圆厂达成最终协议。这次收购总代价为4.3亿美元，其中1亿美元已在签署最终协议时支付，并且将在2022年底支付3.3亿美元。

交易完成后，安森美半导体将获得该工厂的全面运营控制权，该工厂的员工也将过渡到安森美半导体。该交易的完成须经监管部门批准和其他惯例成交条件。

此外，该协议允许安森美半导体在几年内在East Fishkill工厂增加300mm的生产，并允许格芯将其众多技术转移到该公司另外三个规模的300mm工厂。格芯将为安森美半导体生产300mm晶圆，直至2022年底。安森美半导体首批300mm晶圆生产预计将于2020年开始。

收购协议还包括技术转让和开发协议以及技术许可协议，这提供了经验丰富的300mm制造和开发团队，使安森美半导体晶圆工艺从200mm转换为300mm。安森美半导体还将立即获得先进的CMOS功能，包括45纳米和65纳米技术节点。这些流程将成为安森美半导体未来技术发展的基础。

对于这次收购，安森美半导体总裁兼首席执行官凯斯杰克逊表示，收购格芯East Fishkill 300mm晶圆厂是格芯在电源和模拟半导体领域取得领先地位的又一重大举措。他表示，这起收购将增加未来几年的额外容量，以支持公司电力和模拟产品的增长，实现增量制造效率，并加快实现目标财务模式的进程。

“我对这次收购为两家公司的客户、股东和员工创造机会感到非常兴奋，并期待在未来几年与格芯成功合作。”

格芯进一步精简版图、优化资产

自去年以来，格芯开始了一系列的收缩性调整。

2018年8月，格芯宣布将搁置7纳米FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。 格芯副总裁兼大中华区总经理白农后来在活动上表示，在搁置7nm研发后，格芯的新发展方向是将研发注重于提供有差异化和特色的专项工艺平台和产品。

2018年10月，格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案，宣布将取消对成熟工艺技术（180nm/130nm）的原项目一期投资。同时将修订项目时间表，以更好地调整产能，满足基于中国的对差异化产品的需求，包括格芯的22FDX技术。

2019年1月，世界先进与格芯宣布，世界先进将购买格芯公司位于新加坡Tampines的Fab 3E 8英寸晶圆厂厂房、厂务设施、机器设备及MEMS智财权及业务。此交易金额总计2.36亿美元，预计2019年12月31日交割。格芯表示，这是格芯全球制造蓝图优化策略的一部分。

对于新加坡Fab 3E厂的出售，格芯表示这是基于战略转型做出的决策，以持续关注技术投资，为客户提供最大的价值，可使格芯能够精简在全球制造业的版图，将新加坡业务的重点放在拥有明显差异化的技术上，如射频、嵌入式储存器和高级模拟功能。

如今再将纽约300mm晶圆厂出售，格芯方面表示，这是将格芯打造成世界领先专业代工厂的的一个变个性步骤，能够进一步优化格芯的全球资产，加强对差异化技术的投资、推动增长。

格芯这一连串调整，有业内人士认为这或是意味着格芯的财务状况不太乐观，业界亦猜测格芯接下来仍有可能出售。不过，前不久格芯曾公开否认将出售新加坡Fab厂，并严正声明称，“任何关于出售Fab 7厂和出售格芯的传闻均为无稽之谈”，并强调其目前财务状况稳定。

而格芯大股东的阿布达比穆巴达拉投资公司主事者阿布达比王储穆罕默德(Sheikh Mohamed bin Zayed)亦曾在参访格芯新加坡厂区后表示，格芯将一如既往地是穆巴达拉核心投资组合中不可或缺的一部分。

从数据上看，台积电遥遥领先，但格芯与联电的市占率差距已不大，格芯可谓前有王者后有强敌，其最终凭借收缩战线、精简版图、专注差异化以实现破局，或是逐渐退出晶圆代工市场，则有待时间验证了。

根据 《美联社》 的报导，全球晶圆代工大厂格芯 （GlobalFoundries)22日晚间宣布，与半导体大厂安森美 (ON Semiconductor) 达成最终协议，将格芯位于美国纽约州 East Fishkill 的 12 寸晶圆厂 Fab 10 出售给卖给安森美半导体，其出售的最终价格价格为 4.3 亿美元 。

根据报导指出，在 4.3 亿美元的出售金额中，1亿美元将以立即支付，其余的 3.3 亿元则是在 2022 年底之前支付，届时安森美将获得该工厂的完全控制权，同时完成所有相关员工的转移。格芯表示，随着 12 寸晶圆厂 Fab 10 的出售，格芯除了可以获得 4.3 亿美元的现金之外，还可以将技术和精力转移到其他剩余的 3 座 12 寸晶圆厂上，以优化全球资产布局，强化差异化技术。

另一方面，从格芯手中取得这座 12 寸晶圆厂之后，安森美半导体将获得 12 寸晶圆的制造能力，提升过去只有生产 8 寸晶圆的技术，同时立即从格芯获得相关的制成技术和授权协议，尤其是 65 纳米、45 纳米等制程技术，将成为该公司其未来发展的重要基础。

据了解，格芯出售给安森美半导体的这座位于纽约州 12 寸晶圆厂，过去曾经属于 IBM。2014 年 10 月，格芯收购了 IBM 的全半导体技术业务之后，这座工厂和位于佛蒙特州 Essex Junction 的另一座工厂都在此时归属格芯。只是，格芯没想到的是，该工厂不过易主短短 4 年多的时间，此时又再度出售。而对于此工厂，格芯则将于 2020 年开始，为安森美生产制造 12 寸晶圆，一直到 2022 年底交易全部完成之后，届时就完全由安森美半导体自己负责营运。

事实上，自 2018 年 6 月份开始，格芯就启动全球了撙节计划，其中包括了大规模的裁员。另外，包括兴建中的中国成都 12 寸晶圆厂的第 2 期兴建计划暂时停止之外，格芯也在 2018 年 8 月份宣布，无限期停止 7 纳米及其以下先进制程的投资研发，转而专注现有 14/12 纳米 FinFET 制程和 22/12 纳米 FD-SOI 制程的发展。

另外，在 2019 年 2 月初，格芯又以 2.36 亿美元 (约新台币 72.9 亿元) 的价格，将位于新加坡的 12 寸晶圆厂 Fab 3E 卖给世界先进之后，市场又传出格芯正在为其位于新加坡伍德兰的 12 寸晶圆厂 Fab 7 寻找买家。不过，随后格芯否认了该传闻。只是，在一连串出售旗下资产的动作之后，市场开始传言格芯有意整体打包出售。

一直以来，格芯现金流不佳的情况，退出晶圆代工市场的传闻始终不断，甚至点名韩国三星有意接手。只是，日前格芯大股东的阿布达比穆巴达拉投资公司主事者阿布达比王储穆罕默德 (Sheikh Mohamed bin Zayed)  在参访格芯新加坡厂区后表示，将会对格芯鼎力支持以破除出售的谣言。不过，在当前格芯于市场上获利艰难，而且其他竞争对手又几乎瓜分大部分市场的情况下，格芯还能维持多久，也引起市场的持续关注。

4月18日，全球晶圆代工龙头台积电2018年业绩报告出炉。台积电表示，2018年是公司达成许多里程碑的一年，营收、净利与每股盈余连续七年创下纪录，并成功量产7纳米制程，并领先其他同业至少一年。

数据显示，2018年台积电全年合并营收为新台币10314.7亿元，同比增长5.5%；税后净利为新台币3511.3亿元，同比增长2.3%。若以美元计算，台积电2018年全年合并营收为342亿美元，同比增长6.5%；税后净利为116.4亿美元，同比增长3.3%

毛利率方面，台积电2018年毛利率为48.3%，前一年为50.6%；营业利益率为37.2%，前一年为39.4%；税后纯益率为34.0%，较前一年的税后纯益率35.1%减少了1.1个百分点。台积电在报告中有提及，硅芯片价格上涨对其2018年的毛利率产生了负面影响。

台积电表示，2018年主要成就包括：晶圆出货量同比增长2.9%，达1080万片12吋约当晶圆量；先进制程技术（28纳米及以下更先进制程）的销售金额占整体晶圆销售金额的63%，高于前一年的58%；提供261种不同的制程技术，为481个客户生产10436种不同产品；连续9年在专业集成电路制造服务领域之占有率持续成长，已达到56%。

在工艺制程方面，台积电表示其7纳米制程在2018年快速量产，已完成超过40件客户产品设计定案，并预计于2019年取得超过100件新的客户产品设计定案。第二代7纳米制程技术（N7+）亦于2018年8月进入试产阶段，预计将于2019年进入量产，N7+将成为业界第一个商用极紫外光（Extreme Ultraviolet, EUV）微影制程技术。

同时，台积电还表示其5纳米制程技术的开发进度十分符合预期，预计于2019年第二季进入试产，客户产品设计定案计划于2019年上半年开始进行，且预计将在2020年上半年达成量产目标。台积电预期看到很多的客户采用其5纳米制程技术来为他们的产品建立领导地位。此外台积电还提及，其3纳米制程技术也已进入全面开发的阶段。

展望2019年，台积电表示面对全球经济疲软及国际间贸易紧张局势所带来业务上的逆风，公司将致力于强化业务的基本体质并加速技术的差异化，也将强化网络安全以及机密信息保护措施。台积电看好5G及AI持续的产业大趋势，将会驱动未来半导体业的成长。

就在16日一早，韩国晶圆代工厂三星宣布发展完成 5 纳米制程，并且推出 6 纳米制程，并准备量产 7 纳米制程的同时，晶圆代工龙头台积电也在傍晚宣布，推出 6 纳米 (N6) 制程技术，除大幅强化目前领先业界的 7 纳米 (N7) 技术之外，还协助客户在效能与成本之间取得高度竞争力的优势，同时藉由 N7 技术设计的直接移转而达到加速产品上市的目标。

根据台积电的指出，藉由目前试产中的 7 纳米加强版 (N7+) 使用极紫外光 (EUV) 微影技术所获得的新能力，台积电的 N6 技术的逻辑密度较 N7 技术增加 18%。同时，N6 技术的设计法则与台积公司通过考验的 N7 技术完全兼容，使得 7 纳米完备的设计生态系统能够被再使用。因此，N6 提供客户一个具备快速设计周期，且只需使用非常有限的工程资源的无缝升级路径，支援客户采用此项崭新的技术来达成产品的效益。

台积电进一步指出，延续 7 纳米家族在功耗及效能上的领先地位，支援多样化的产品应用，包括高阶到中阶行动产品、消费性应用、人工智能、网通、5G 基础架构、绘图处理器、以及高效能运算。台积电预估， N6 技术预计于 2020 年第1季进入试产，提供客户更多具成本效益的优势。

台积电业务开发副总经理张晓强表示，台积电的 N6 技术将会比目前的 N7 进一步延续台积电的领先地位，提供客户更高的效能与成本效益。另外，台积电建立于在 7 纳米技术广泛成功的基础之上，使得台积电深具信心使客户也能够藉由现今完备的设计生态系统，迅速的从此项新技术之中获取更高的产品价值。

虽然，目前三星目前也宣称已经完成 5 纳米制程的研发，并准备好对客户提供样品，同时在 6 纳米制程上已经成功流片，7 纳米制程则即将进入量产阶段。但是相比之下，台积电 5 纳米制程脚步更快，目前已经进入试产阶段，加上现在有6纳米制程将在 2020 年第 1 季加入阵容，所以台积电与三星在  5，6，7 等制程节点上的竞争，似乎进入白热化状态。不过，有市场人士表示，三星之前在 2018 年就已经宣布完成 7 纳米的量产准备，但是却是直到 2019 年才因为产线完成，能够真正进入生产的阶段。如今的 5 纳米，6 纳米制程是不是也有这样的情况，也值得后续观察。

4月10日，全球晶圆代工大厂台积电发布其3月营收报告。报告显示，台积电3月合并营收约为新台币797.22亿元，环比增长30.9%、同比下降23.1%；累计1-3月，台积电营收约为新台币2187.40亿元，同比下降11.8%。

起初，台积电预计2019年第一季度合并营收预计介于73亿美元至74亿美元之间；毛利率预计介于43%至45%之间。不过后来受光阻原料事件影响，台积电下调第一季度业绩，预估第一季度营收将介于70亿美元至71亿美元之间（折合新台币营收介于2156～2186亿元之间），毛利率将介于41％至43％之间。

从公布的数据来看，台积电2019年首季营收虽然较去年有所下降，但仍达成了下调后的业绩目标。由于第一季度报废的晶圆将于第二季度补足，此外传闻华为第二季度向台积电追加订单，业界预测台积电第二季度的营收和毛利率有望回升。

晶圆代工龙头台积电计划在今年启动全球首座5纳米晶圆厂，近日宣布制程进入试产阶段，虽然因景气状况传出厂房投片速度可能放缓，供应链相关人士表示，台积电仍在全力推动5纳米晶圆厂生产状态。

据《MIT科技评论中文网》引述供应链透露，随着全球半导体环境增长放缓，台积电5纳米厂之后投片速度可能会因此放慢，然而，尽管受到2019年半导体行业放缓，以及智能型手机市场需求日渐疲软等因素影响，导致台积电放缓今年营收预期，其对于先进工艺的投资却没有停止。

台积电的5纳米晶圆厂计划自2018年启动后，动员5000多名工作人员赶工，目前已建置完成并进入安装机台阶段，宣布正式进入试产，符合公司在第2季进行风险试产的目标，计划2020年进入量产。

供应链相关人士表示，「5纳米制程的机台几乎以平均1.5小时搬入一台的速度进场」，显示台积电正全力推动5纳米晶圆厂进入生产状态。

另外，负责5纳米制程「关键18厂」的内部人事安排也是明显征兆。厂长由曾任中科15厂长，负责7、28纳米制程的刘晓强担任，两位副厂长则由曾任南科14厂，专注12、16纳米制程技术的杨怀德、林俞谷出任，盼能借镜7纳米以及16纳米的量产经验，有效提升制程的效益。

台积电表示，在开放创新平台(Open innovation Platform, OIP)下推出的5纳米设计架构完整版本，目标锁定5G、人工智能领域，盼未来能在相关应用的带领之下，将潜在客户应用范围延伸至苹果、华为、Nvidia、AMD等公司。

台积电积极推动高端工艺技术。尽管三星(Samsung)在导入EUV技术至7纳米制程的速度领先全球，其量产速度却不如预期，加上关键客户数量掌控的不足，成为三星在晶圆代工业务上的致命伤。

而近期台积电5纳米晶圆厂的启动，驱使三星加速5纳米制程布局，宣布携手ARM并协议共同优化7纳米以及5纳米的技术，其中5纳米LPE制程将带来更小的芯片及更低的功耗。

作为晶圆代工的两大龙头，台积电与三星在先进工艺制程的缠斗也持续延伸至3纳米技术上。

2018年底，台积电宣布其斥资将近200亿美元的3纳米晶圆厂正式通过环评标准，预计2020年开工兴建、隔年试产，并在2022至2023年间进入量产，成为第一座为3纳米工艺而建造的厂房。

尽管三星宣布已完成3纳米性能验证，并积极将量产目标设置在2020年，但依其过去放话领先7纳米量产的经验，外界对于该公司实际的进度仍存有疑惑。

随着晶圆代工厂的投片量回升，加上韩国SK海力士无锡厂第二期自4月开始进入量产阶段，硅晶圆第二季需求明显止稳，下半年将进入成长复甦阶段。

硅晶圆大厂环球晶圆上半年依长约出货，调整产品组合后平均出货价格仍略高于去年下半年，由于半导体生产链中的硅晶圆库存维持在4周的正常水平，第二季硅晶圆价格无跌价压力，下半年营运优于上半年，乐观看待今年会比去年好。

环球晶去年合并营收年增27.8%达590.64亿元（新台币，下同），营业利益年增137.1%达175.78亿元，归属母公司税后净利年增158.4%达136.31亿元，同步创下历史新高纪录，每股净利31.18元，赚逾3个股本。环球晶董事会决议今年每普通股拟配发25元现金股利，稳坐半导体类股股利王宝座，以3日收盘价330.5元计算，现金殖利率高达7.6%。

虽然第一季半导体市场需求降温，硅晶圆市场不免受到影响，但包括日本、韩国、台湾等硅晶圆供应商仍对今年抱持乐观看法。日本大厂SUMCO日前出席美系外资投资论坛时指出，全球硅晶圆去年库存水位降至2周新低，今年以来虽上升至4周水平，但仍是正常季节性水平，至于大陆业者开出的8吋硅晶圆产能仍未见到获得半导体厂认证通过，对市场供需影响十分有限。

环球晶圆第一季虽面临客户库存修正导致出货放缓，但并没有立即性的降价压力，目前出货仍依长约维持稳定。环球晶圆80～85%产能已被客户长约包下，其中包括90%的12吋硅晶圆、80%的8吋硅晶圆以及低于50%的6吋硅晶圆。且因为近年来签订的长约有不错的价格保证，所以预估今年全年平均出货价格仍会较去年高出3～5%幅度。

环球晶圆公告2月合并营收仅月减9.0%达47.27亿元，较去年同期成长10.1%，累计前2个月合并营收99.25亿元，较去年同期成长9.9%，并为历年同期新高。环球晶董事长徐秀兰日前指出，虽然今年订单热度较去年降温，但因长约在手所以产能利用率维持满载，第一季营运成果不会让大家失望，第二季展望不差，下半年需求将回升。

业界指出，美中贸易纷争对半导体生产链的负面影响已明显降低，晶圆代工厂第二季投片量已见回升，约较第一季增加10～15%幅度。存储器厂虽有减产动能，但SK海力士无锡厂第二期将在4月开始投片量产，下半年又是存储器市场旺季，投片量预估会在第二季回升。整体来看，硅晶圆需求第二季止稳，下半年将见回升。

3月31日，国内晶圆代工大厂中芯国际宣布出售其意大利8英寸晶圆厂LFoundry。

公告显示，3月29日，中芯国际全资附属公司SMIC Shanghai (Cayman) Corporation拟向江苏中科君芯科技有限公司（以下简称“中科君芯”）出售目标公司中芯国际香港（国际）有限公司100%股份，出售代价为1.13亿美元。

目标集团包括目标公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目标公司为于香港注册成立有限公司，主要从事摄像头芯片的开发及生产，其拥有占LFoundry70%已发行及流通在外企业资本的限额。该公司于2016年7月收购LFoundry 70%的企业资本。

资料显示，LFoundry是一家专业晶圆代工厂，总部位于古欧洲的中心意大利阿韦扎诺，主要提供最先进的模拟制造服务，晶圆月产量超过4万片。该工厂拥有先进的200mm生产线和150nm和110 nm工艺制程，提供MPW和MLM服务。

SMIC Sofia 为设计服务中心，开发汽车相关知识产权平台，由目标公司全资拥有；LF Sofia EOOD从事开发设计及技术解决方案，专注于生产感测器及集成电路，由LFoundry全资拥有。Consorzio Delta Ti Research从事纳米技术板块的研发，LFoundry拥有其50%权益。

甩掉包袱，聚集先进制程及特色工艺

事实上，LFoundry是中芯国际前两年收购而来。

2016年7月，中芯国际以4900万欧元的价格收购LFoundry 70%的企业资本。当时中芯国际表示，这是中芯国际在全球战略上迈出的重要一步，双方将实现在技术、产品、人才、市场方面的优势互补。彼时业界亦认为收购LFoundry对中芯国际而言可增产增量，是个不错的选择。

那么如今时隔不过两年多，中芯国际为何要出售LFoundry？对于这次交易的理由，中芯国际表示，本公司基于自身运营与未来整体发展的考虑，决定出售目标集团。该交易的好处在于使管理层可以集中着眼于公司的未来发展，以及从该业务投资中获得正面投资回报。

业界认为，对于中芯国际而言，这或是甩包袱减负。某不具名的业内人士表示，一来欧洲市场并不是中芯国际的主场、占比较小，二来LFoundry持续亏损，数据显示，2018年度及2017年度分别亏损810万美元及1490万美元，出售LFoundry的行为并不难理解。

在他看来，如今全球半导体市场不景气，中芯国际适当收缩一下或是好事，而且目前主战场国内仍有很多产能急需填满，还不如把LFoundry卖掉然后押注到主战场来。

中芯国际称，目标集团于2018年12月31日的未经审核资产总值为256.2百万美元，基于扣减净资产账面值的代价，这次交易预期将录得交易收益77.0百万美元（未经审核）。经计及相关交易成本约2百万美元后，交易的所得款项净额将约为174百万美元，本公司有意将其用于先进制程工艺技术及特色成熟工艺。

根据刚发布的2018年业绩报告，中芯国际现已完成了28纳米HKC+以及14纳米FinFET技术的研发，并开始相关客户导入的工作，预计于2019年内实现生产。此外，中芯国际也成功开发出了国内第一套14纳米级光罩，具备了国内最先进的光罩生产能力，今年可为客户 提供14纳米光罩制造服务。

在持续推进先进制程的同时，中芯国际在特色工艺方面亦在不断布局，其中芯宁波特种工艺N1项目已于2018年11月正式投产，N2项目亦已开工建设；此外，聚集微机电（MEMS）和功率器件等特色工艺的中芯集成（绍兴）项目亦预计将于今年设备搬入。

中科君芯转型IDM

这次的买方——中科君芯成立于2011年，是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。

据了解，中科君芯是国内率先国内率先开发出沟槽栅场截止型（Trench FS）技术并真正实现量产的企业，其IGBT芯片、单管和模块产品从600V至6500V，覆盖了目前主要电压段及电流段，已批量应用于感应加热、逆变焊机、工业变频、新能源等领域。

上述业内人士指出，中科君芯此番收购LFoundry，无疑是为了从芯片设计向IDM转型。该人士指出，在国内IGBT芯片设计领域，中科君芯的设计能力较强，LFoundry在这方面原本就有所积累，收购LFoundry可助其大幅提升竞争力，并进一步提升工艺技术、积累经验。

不过，该人士亦认为，中科君芯的主要客户在国内、LFoundry工厂位于欧洲，后续若能将LFoundry搬回国内或是更好。

但无论如何，这起交易若最终得以实现，中国IGBT产业将诞生一家新的本土IDM厂商。根据公告，该交易预计于今年6月底完成。

3月31日，中芯国际公告，2019年3月29日，公司全资附属SMIC Shanghai (Cayman) Corporation作为卖方，拟向江苏中科君芯科技出售卖方全资附属中芯国际香港(国际)100%股本，代价为约1.13亿美元。

目标集团包括目标公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目标公司为于香港注册成立有限公司，主要从事摄像头芯片的开发及生产，其拥有占LFoundry 70%已发行及流通在外企业资本的限额。

公司于2016年7月收购LFoundry 70%的企业资本。LFoundry为根据意大利法律注册成立的有限公司，主要从事摄像头芯片的开发及生产。Marsica及ISAR各自拥有占LFoundry 15%已发行及流通在外企业资本的限额。SMIC Sofia为设计服务中心，开发汽车相关知识产权平台，由目标公司全资拥有。LF Sofia EOOD从事开发设计及技术解决方案，专注于生产感测器及集成电路，由LFoundry全资拥有。Consorzio Delta Ti Research从事纳米技术板块的研发，LFoundry拥有其50%权益。

目标集团截至2018年12月31日止财政年度及2017年12月31日止财政年度的除税前或除税后亏损净额(未经审核)分别为810万美元及1490万美元。目标集团于2018年12月31日的未经审核资产总值为2.56亿美元。

基于扣减净资产帐面值的代价，预期公司将录得交易收益7700万美元(未经审核)。经计及相关交易成本约200万美元后，交易的所得款项净额将约为1.74亿美元。公司有意将交易的所得款项净额用于先进制程工艺技术及特色成熟工艺。

公告称，公司基于自身运营与未来整体发展的考虑，决定出售目标集团。该交易的好处在于使管理层可以集中着眼于公司的未来发展，以及从该业务投资中获得正面投资回报。

3月38日，华虹半导体发布2018年度业绩报告。在被业界认为市场不太景气的“艰难”一年里，华虹半导体却交出了一份不错的成绩单。展望2019年，华虹半导体将迎来无锡工厂的量产，进入新的发展阶段。

回顾2018年：需求旺盛，业绩创新高

数据显示，2018年华虹半导体销售收入、毛利率、年内溢利和净资产收益率均再创历史新高。其中，销售收入9.3亿美元，同比增长15.1%；年内溢利创1.86亿美元，占销售收入的20%，同比增长27.8%；毛利率33.4%，同比增长0.3%。

华虹半导体表示，2018年度的优秀业绩来源于全球消费电子、工业电子和汽车电子等半导体市场对本公司差异化技术需求的持续增长、技术的创新、技术组合的持续优化以及公司产能的扩充。

从技术类型看，2018年嵌入式非易失性存储器技术是华虹半导体的第一大营收来源，营收占比38.7%，营收同比增长15.8%，主要来自智能卡芯片和MCU两大类。智能卡芯片方面，90纳米嵌入式非易失性存储器技术是国内新一代银行IC卡技术，其2018年度银行卡芯片出货量同比增长超100%，创历史新高，是该技术平台营收的主要增长点，也是未来几年营收的主力点，MCU方面则利润丰厚。

分立器件是华虹半导体技术平台的第二大营收来源，营收占比33.4%，营收同比增长40.5%，出货量同比增长16%，其中中高压分立器件技术营收占比超过50%，是该公司营收和研发的重点。

从客户类型看，2018年华虹半导体来自无厂芯片设计公司和系统公司的营业收入占比为77.5%，同比增长16.0%，营收增长主要来自中国区的无厂芯片设计公司客户群；来自整合器件制造商的营业收入占比为22.5%，同比增长12.3%。

从区域市场看，2018年中国区仍然是华虹半导体营收最大的市场，营收占比为56.4%，营收同比增长17.7%；其次为美国区，营收占比17.4%，营收同比增长14.2%；亚洲其他区域的营收增长最快，同比增长23.1%；欧洲区营收同比增长9.1%；日本区营收则同比下滑8.5%。

从终端市场看，2018年华虹半导体的营业收入中最大的是消费电子市场，营收占比64.3%，营收同比增长7.1%；工业和汽车电子市场是其2018年第二大终端市场营收来源，营收占比20.2%，营收同比增长78.7%。

在产能方面，2018年华虹半导体现有三个厂区产能均略有提升，晶圆制造月产能合计17.4万片，产能利用率达99.2%；运营晶圆201.6万片，同比增长7.9%，是其营收增长的重要原因。华虹半导体表示，2018年度晶圆出货量首次突破200万片，实现了自2014年上市以来出货量140万片至今9.5%的年复合增长率。

对于华虹半导体这一份漂亮的成绩单，一位不愿具名的业内人士表示并不意外。在他看来，一方面是8英寸晶圆代工需求旺盛、订单一直在排队中，而且华虹半导体去年还新增了产能；另一方面华虹半导体在特色工艺领域的技术和工艺均很强，就纯晶圆代工厂而言，华虹半导体在该领域的竞争对手并不多。

该人士预估，2019年华虹半导体的成绩将依旧优秀。

展望2019年：继续聚焦差异化 迎无锡工厂量产

展望2019年，华虹半导体认为，基于更多终端应用衍生的需求、更多集成电路设计公司的蓬勃发展与IDM公司持续委托晶圆代工的趋势，全球晶圆代工产业预期将持续健康的增长，增速高于同期全球半导体产业的增速。

对于2019年的发展计划，华虹半导体表示将继续聚焦8英寸差异化技术的研发和优化，聚焦物联网、汽车电子、5G以及其他新兴市场，进一步优化现有95纳米和90纳米等嵌入式非易失性存储器平台，追求更高效低耗的新型IGBT技术，完善0.13微米RF-SOI射频技术，并致力研发90纳米BCD技术。

此外，华虹半导体还表示，由于全球分立器件需求旺盛，公司计划未来一到两年扩充每月约2万片200mm晶圆产能，进一步满足客户和市场需求。

值得一提的是，2019年华虹半导体还将迎来无锡工厂的量产。华虹无锡已于2018年底主体结构全面封顶，预计将于2019年第二季度末完成厂房和洁净室的建设，下半年开始搬入设备，并于2019年第四季度开始300mm晶圆的量产。

为加快实现华虹无锡的顺利投产、风险量产和上量，华虹半导体在2018年就启动了55nm逻辑工艺及相关IP的研发，预计2019年下半年开始导入客户，同时开始研发55纳米嵌入式闪存工艺的存储单元，功能验证已通过，为未来55纳米嵌入式闪存技术量产打下坚实的基础。

华虹半导体表示，华虹无锡是公司产能的升级，也是公司发展的新阶段和新的里程碑。