扩产、升级 台积电核准新一轮资本预算

扩产、升级 台积电核准新一轮资本预算

5月12日,晶圆代工龙头企业台积电召开董事会,核准新一轮资本预算以及一项人员职位调整。

台积电公告显示,5月12日董事会核准资本预算约57.4亿美元,内容包括:1. 厂房兴建及厂务设施工程;2. 建置及升级先进制程产能;3. 建置特殊制程产能;4. 2020年第三季研发资本预算与经常性资本预算。

此外,台积电董事会这次还核准资本预算约6475万美元,以支应2020年下半年之资本化租赁资产;核准募集不超过新台币600亿元(约20亿美元)无担保普通公司债,以支应产能扩充及/或污染防治相关支出之资金需求。

今年2月,台积电董事会核准67.421亿美元资本预算,亦表示将用于厂房兴建及厂务设施工程;建置及升级先进制程产能;建置特殊制程产能;建置先进封装产能;以及2020年第二季研发资本预算与经常性资本预算。

根据台积电管理层此前预估,台积电2020年的资本预算将在150亿美元至160亿美元之间。

在先进制程方面,台积电的5纳米制程预计将于今年量产。近日,媒体曝光一份台积电5纳米制程工艺的客户名单,苹果和华为海思将是台积电5纳米制程的首批客户,产品分别为苹果A14处理器、华为海思麒麟1000。3纳米制程方面,台积电预计2021年进入风险试产阶段、2022年量产;台积电近日还表示,2纳米制程进入寻求技术路径。

此外,本次台积电董事还核准一项人员职位调整,擢升公司研发组织技术发展副总经理侯永清为资深副总经理。近期,有媒体称台积电启动中生代接班计划,此前已调整了业界视为下一梯队接班人选的两名资深副总经理秦永沛和王建光的执掌项目。

台积电官网介绍称,侯永清于1997年加入台积电,主要负责公司的设计技术与设计生态系统开发,2011年8月至2018年7月担任设计暨技术平台副总经理,2018年8月起担任研发组织技术发展副总经理。

最新!中芯国际已接受上市辅导

最新!中芯国际已接受上市辅导

5月5日,中芯国际发布公告,拟于科创板上市。时隔两天,中芯国际科创板进程便迎来重大进展。5月7日,上海证监局官网发布的信息显示,中芯国际已接受上市辅导。辅导机构为海通证券与中金公司。

具体来看,海通证券、中金公司依据中国证监会《证券发行上市保荐业务管理办法》和《中芯国际集成电路制造有限公司与海通证券股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导协议》及《中芯国际集成电路制造有限公司与中国国际金融股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市之辅导协议》的有关规定,对中芯国际进行辅导工作。上海证监局披露的中芯国际首次公开发行股票辅导备案情况报告表的落款日期为5月6日。

根据公告,中芯国际此次发行不超过16.86亿股股份,扣除费用后,约40%的募集资金将用于12英寸芯片SN1项目,剩余的募集资金则用于先进及成熟工艺研发项目的储备资金以及用于补充流动资金,资金投入比例分别为40%、20%、40%。

据了解,12英寸芯片SN1项目由中芯国际旗下专注于14nm及以下先进工艺的中芯南方负责建设运营,中芯国际合计间接持有中芯南方50.1%股权。按照此前规划,中芯南方厂将建成两条月产能均为3.5万片的集成电路先进生产线(即SN1和SN2)。

12英寸芯片SN1项目位于上海浦东新区张江高科技园区,主要包括生产厂房、CUB动力车间、生产调度及研发楼等,主要生产14nm及更先进制程芯片。该项目入列2020年上海市重大建设项目,项目从规划、设计、建设到生产运营得到了国家及上海市政府的高度重视。

中芯国际成立于2000年,是中国内地技术最先进、规模最大的集成电路制造企业,2004年3月分别在美国纽约证券交易所和香港联合交易所上市。集邦咨询旗下拓墣产业研究院发布的2020年第一季全球前十大晶圆代工厂营收排名显示,中芯国际排名全球第五,占总市场份额4.5%,仅次于台积电、三星、格芯与联电。

国内晶圆代工龙头来了!中芯国际拟进军科创板

国内晶圆代工龙头来了!中芯国际拟进军科创板

2019年5月,中芯国际宣布将其美国预托证券股份从纽约证券交易所退市,业界曾猜测其将寻求登陆A股,如今终于迎来官宣!这次,中芯国际瞄准的是科创板。

拟发行人民币股份并于科创板上市

5月5日晚间,中芯国际发布公告,4月30日公司董事会通过决议案批准建议进行人民币股份发行、授出特别授权及相关事宜,待股东特别大会批准以及必要的监管批准后,公司将向上海证交所申请人民币股份发行。

根据公告,上海证交所形成审核意见后,中芯国际将向中证监申请人民币股份发行的注册。在人民币股份发行经中证监同意注册及完成股份公开发售后,公司将向上海证交所另行申请批准人民币股份于科创板上市及交易。人民币股份将不会在香港联交所上市。

根据公告,中芯国际此次人民币股份的面值为每股0.004美元,拟发行的人民币股份的初始数目不超过16.86亿股股份。人民币股份将全为新股份,并不涉及现有股份的转换。

中芯国际表示,扣除发行费用后,本次人民币股份发行的募集资金计划用于12英寸芯片SN1项目、公司先进及成熟工艺研发项目的储备资金以及补充流动资金,资金投入比例分别为40%、20%、40%。

据了解,12英寸芯片SN1项目由中芯国际旗下专注于14nm及以下先进工艺的中芯南方负责建设运营,中芯国际合计间接持有中芯南方50.1%股权。按照此前规划,中芯南方厂将建成两条月产能均为3.5万片的集成电路先进生产线(即SN1和SN2)。

12英寸芯片SN1项目位于上海浦东新区张江高科技园区,主要包括生产厂房、CUB动力车间、生产调度及研发楼等,主要生产14nm及更先进制程芯片。该项目入列2020年上海市重大建设项目,项目从规划、设计、建设到生产运营得到了国家及上海市政府的高度重视。

去年从纽交所退市 现寻求“A股+H股”

中芯国际成立于2000年,是中国内地技术最先进、规模最大的集成电路制造企业,2004年3月分别在美国纽约证券交易所和香港联合交易所上市。集邦咨询旗下拓墣产业研究院发布的2020年第一季全球前十大晶圆代工厂营收排名显示,中芯国际排名全球第五,占总市场份额4.5%,仅次于台积电、三星、格芯与联电。

在技术水平上,中芯国际已具备从0.35μm到14nm不同技术节点的芯片制程工艺。2019年,中芯国际在先进制程研发方面取得突破性进展,其第一代14nm FinFET技术进入量产,在2019年第四季度贡献约1%的晶圆收入,预计在2020年稳健上量。此外,第二代FinFET技术平台持续客户导入。

值得一提的是,2019年5月,中芯国际申请自愿将其美国预托证券股份从纽约证券交易所退市,并撤销该等美国预托证券股份和相关普通股的注册。不过据中芯国际相关人士当时回应,严格来说,中芯国际是从纽交所退市但不是从美国退市,而是退到美国场外交易市场,不影响交易。

对于从纽交所退市原因,中芯国际表示出于一些考虑因素,包括中芯国际美国预托证券股份的交易量与其全球交易量相比有限,以及为维持美国预托证券股份在纽约证券交易所上市及在美国证券交易委员会注册并遵守交易法的定期报告和相关义务中所涉及的重大行政负担和成本。

自从纽交所退市后,业界一直猜测中芯国际将寻求在境内上市。如今,该传闻终于得到证实。

对于此次人民币股份发行并将于科创板上市的理由,中芯国际董事会认为这将使公司能通过股本融资进入中国资本市场,并于维持其国际发展战略的同时改善其资本结构。董事会认为,人民币股份发行符合公司及股东的整体利益,有利于加强公司的可持续发展。

一位不愿具名的业内人士表示,一方面,在海外上市的国内公司回归A股是一个趋势,另一方面,中芯国际的主要目的亦是为了融资。他认为,中芯国际是全球少数追求先进制程的晶圆代工厂之一,在先进制程的加持下,中芯国际在A股应该会获得合理的溢价从而拥有较高的估值。

晶圆代工是典型的资本密集、人才密集和技术密集产业,中芯国际正处于追赶国际晶圆代工先进技术水平阶段,资本支出巨大,科创板上市将进一步加大其融资力度,亦利于中芯国际进一步加大技术研发投入。

中芯国际此前表示,2020年将启动新一轮资本开支计划,产能扩充将逐步展张。据披露,中芯国际2020年计划资本开支为31亿美元,其中20亿美元及5亿美元将分别用于拥有大部份权益的上海300mm晶圆厂及拥有大部份权益的北京300mm晶圆厂的设备及设施。

该人士进一步指出,中芯国际若成功在科创板上市,其购买国产设备、材料等将更为便利,这对于国内设备厂商而言将是个利好消息。国内晶圆代工龙头中芯国际回归A股,获得国内资本平台支持,对于整个国内半导体产业而言,此举亦具有重大意义。

中芯国际拟科创板IPO 40%募资投向12英寸芯片SN1项目

中芯国际拟科创板IPO 40%募资投向12英寸芯片SN1项目

5月5日,中芯国际发布公告称,公司于2020年4月30日,董事会通过决议案批准建议进行人民币股份发行、授出特别授权及相关事宜,惟需取决并受限于市况、股东于股东特别大会批准以及必要的监管批准。人民币股份的上市地点为科创板。

公告称,建议将予发行的人民币股份的初始数目不超过约16.86亿股股份,占不超过2019年12月31日已发行股份总数及本次将予发行的人民币股份数目之和的25%。就不超过该初始发行的人民币股份数目15%的超额配股权可被授出。人民币股份将全为新股份,并不涉及现有股份的转换。

中芯国际表示,目前科创板募集资金总额未能确定,在扣除发行费用后,约40%用于投资于12英吋芯片SN1项目、约20%用作为公司先进及成熟工艺研发项目的储备资金、约40%用作为补充流动资金。

中芯国际12英寸芯片SN1和SN2厂房建设项目位于上海浦东新区张江高科技园区,主要内容包括SN1生产厂房、CU8动力车间和SO8生产调度及研发楼三个大的单体建筑物及一些配套设施。

据中芯国际官网显示,公司是中国内地技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业集团,提供0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。根据市场调研机构拓墣产业研究院统计,2020年一季度全球十大晶圆代工厂营收排名中,中芯国际排名第五,占总市场份额4.5%。

【直播预告】后疫情时代下,全球半导体市场的变局|限时免费观看

【直播预告】后疫情时代下,全球半导体市场的变局|限时免费观看

由于新冠肺炎疫情持续扩大,冲击全球经济与消费力道。韩国、欧美日及台湾地区实施入境限制或远距上班的防疫措施,掌握关键设备与原料的欧美日系供应链状态皆受到影响。在疫情的蔓延和中美贸易摩擦的影响下,IC设计环节、晶圆代工、封测产业将产生哪些变局,营收状况又会呈现什么样的趋势?

集邦咨询将推出限时免费直播:【后疫情时代下,全球半导体市场的变局】,5月6日15:30~16:10,集邦咨询资深分析师徐韶甫为您在线分享最新行业资讯,欢迎前来观看!

疫情导致旺季效应递延,2020年晶圆代工产值或现个位数成长

疫情导致旺季效应递延,2020年晶圆代工产值或现个位数成长

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院最新调查,受新冠肺炎疫情影响,若导致供应链断裂将增加半导体业者的营运难度,而商业活动及社会活动力的下降将引发旺季效应递延或弱化的可能,使得2020年全球晶圆代工产值的成长幅度将面临修正。

有别于在疫情爆发前业者提出的双位数成长预估,考量疫情受控时程递延及需求复苏不明朗,我们认为2020年全球晶圆代工市场产值可能下修至5%~9%的个位数成长,中位数目前预估为6.8%。

首先分析晶圆代工业者2020上半年的订单状况:在第一季客户端保留对疫情趋缓后市场出现需求反弹的可能性,为避免缺料而并未出现订单大幅缩减情形,加上承接自2019年第四季末的库存回补,基本上支撑晶圆代工业者2020年第一季营收表现。

第二季,我们预估疫情对订单的影响较前一季略为显著,部分消费性产品订单或将进行调整,而从疫情催生出如远距办公、医疗应用的相关芯片需求则有增加,因此第二季订单状况虽有变动但幅度不大,加上去年同期基期低,即便业者第二季的营收出现季度衰退,尚能维持年度成长。

不过,对晶圆代工业者而言,第二季的订单在芯片产出后虽有部分营收认列进第三季,但比重相对有限,此外,考虑疫情受控时程递延与需求复苏时程不明朗,客户可能在第三季评估较大幅度的订单缩减以避免累积库存,旺季效应或有递延或弱化可能,恐将对业者下半年的营收造成冲击。

回归市场需求面分析,消费力衰退恐难以避免,即便晶圆代工业者冀望由5G基础建设、远端通讯推升之服务器或资料中心需求,以及工业物联网自动化等中长期支撑动能,然而新应用的营收贡献比例仍不足以取代传统大量的消费性电子产品,故晶圆代工业者需视供应链与市场受疫情冲击的程度,动态调整营运策略与营收预估。

拓墣产业研究院认为,考量旺季效应递延或弱化的可能性,并以疫情不易在下半年即获得稳定控制为前提,对2020年的晶圆代工产值表现抱持审慎保守的态度,后续仍需视疫情的可控时程与消费市场的复苏状况而定。

三星电子与台积电再掀晶圆代工工艺之争

三星电子与台积电再掀晶圆代工工艺之争

据韩国《亚洲经济新闻》报道,中国台湾晶圆代工厂商台积电继三星电子后也宣布6nm半导体制程量产,两家晶圆代工厂商再次打响工艺之争。

三星电子上月宣布其位于华城的多层极紫外光刻(EUV)半导体生产线V1已开始批量生产。V1生产线目前正采用7nm和6nm工艺技术。据中国IT媒体透露,华为面向中端5G市场的移动设备处理器麒麟820将交由三星电子6nm生产线代工,并计划在2020年下半年完成4nm工艺开发及产品设计。另据美国IT媒体AnandTech报道,中国集成电路设计公司紫光展锐近期推出了面向5G智能手机的T7520八核系统芯片(SoC),该芯片集成5G调制解调器,将使用台积电6nmEUV工艺制程,预计将于今年开始出货。

据悉,三星电子已领先台积电成功开发了业界首个3nm制程工艺,预计将于2022年开启大规模量产。目前三星电子已经成功攻克了3nm工艺所使用的GAA(Gate-All-Around,环绕式栅极技术)工艺技术,而台积电在近期公布了将投资150亿美元用于研发3nm工艺。

台积电首度提及2纳米进度 去年已启动制程研发与探索性研究

台积电首度提及2纳米进度 去年已启动制程研发与探索性研究

4月21日,晶圆代工龙头台积电上传股东会年报,年报中首度提到2纳米制程技术进展,去年领先半导体产业进行2纳米制程技术研发,针对2纳米以下技术进行探索性研究;至于EUV专案,去年也取得持续性进展,可加快先进技术学习速度与制程开发,将逐步迈向全面生产制造就绪。

台积电表示,每2年半导体运算能力增加1倍的摩尔定律,技术挑战日益困难,研发组织努力让台积电能够提供客户率先上市、且先进的技术和设计解决方案,帮助客户取得产品成功。

随着2019年7纳米强效版技术量产,及5纳米技术成功试产,台积电研发组织持续推动技术创新,以维持业界的领导地位。台积电表示,当公司采用三维电晶体第六代技术平台开发3纳米技术时,也已开始开发领先半导体业界的2纳米技术,并针对2纳米以下的技术进行探索性研究。

5纳米方面,台积电表示,虽然半导体产业逼近硅晶物理极限,5纳米制程仍遵循摩尔定律,显著提高芯片密度,在相同的功耗下,提供更好效能,或在相同效能下,提供更低功耗。目前静态随机存取(SRAM)存储器及逻辑电路良率均符合预期,已达成去年进入试产的目标。

相较5纳米制程技术,台积电3纳米制程技术大幅提升芯片密度及降低功耗,并维持相同芯片效能,今年研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善,及可靠性评估,将持续进行3纳米制程技术全面开发。

微影技术方面,台积电去年研发重点在5纳米技术转移、3纳米技术开发与2纳米以下技术开发的先期准备。5纳米技术已顺利移转,研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对3纳米技术开发,极紫外光(EUV)微影技术展现优异光学能力,与符合预期的芯片良率,研发单位正致力于极紫外光技术,以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差,并降低整体成本。台积电表示,今年在2纳米及更先进制程上,将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

台积电表示,去年极紫外光专案在光源功率及稳定度上,有持续性进展,光源功率稳定与改善,得以加快先进技术学习速度与制程开发。此外,极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关光罩基板,也都展现显著进步,极紫外光技术正逐步迈向全面生产制造就绪。

产品需求增长超预期 中芯国际上调Q1业绩指引

产品需求增长超预期 中芯国际上调Q1业绩指引

2月13日,晶圆代工厂商中芯国际发布其2019年第四季度业绩报告,并对2020年第一季度业绩作出指引,预计其2020年第一季度收入环比增加0%~2%,毛利率介于21%~23%的范围内。4月7日,中芯国际宣布上调今年第一季度业绩指引。

公告显示,公司上调其最初于2月13日公告内发布的截至2020年3月31日止三个月的收入和毛利率指引。截至2020年3月31日止三个月的收入增长指引由原先的0%~2%上调为6%~8%。截至2020年3月31日止三个月的毛利率指引由原先的21%~23%上调为25%~27%。 
 
中芯国际首席财务官高永岗博士表示:“自从我们最初公布第一季度收入和毛利率指引后,我们看见产品需求的增长及产品组合的优化,这些都超过了我们早前的预期。因此,我们现在上调我们第一季度的收入和毛利率指引。”

公告指出,公司仍在落实其截至2020年3月31日止三个月的第一季度业绩。此次公告所载之资料乃公司管理层根据公司最近期截至2020年3月31日止三个月未经审计合并管理账目而作出的初步评估,其尚未经公司核数师审计或确认,并可能会作出调整。

2020年半导体成熟制程重点解析

2020年半导体成熟制程重点解析

在新型冠状病毒疫情的影响下,已有部份晶圆代工厂调降对2020年市场成长性的预估,不过为把握5G、AI、车用与物联网带来的新兴需求,晶圆代工厂仍持续进行必要性的制程转移与产品规划。

28nm需求复苏时间或延后,新兴产品支撑力道目前无损

28nm节点由于过去产能规划量大与产品转进先进制程,目前市场呈现供过于求情形,加上中国晶圆代工厂为提升芯片自给率仍持续扩建自有28nm产能,使得目前28nm节点的平均稼动率仅约70~75%,相较其他制程节点低。

除了陆系厂商既有的扩产计划外,包括台积电、联电等一线厂商对于28nm制程稼动率的复甦时程仍保守看待。

然而,自2019年底开始,受惠于OLED驱动IC、高画素CMOS Sensor的ISP(Image Signal Processor)、部份网通RF IC与物联网芯片逐步转进28nm,可望为该节点稼动率提供稳定且长期的支撑力道。

在制程优化方面,台积电与联电推出的22nm制程,以超低功耗与超低漏电率的特点适合广泛使用在穿戴式装置与物联网相关应用,目前陆续有产品完成制程开发并进入验证阶段,部份客户也在2020年进行投片规划,未来有望为提升28nm稼动率增添动能。

虽然新型冠状病毒的影响为终端制造与市场需求增添不确定性,或将使得原本预期提升28nm稼动率的时间点延后,不过基本上新兴产品对22/28nm制程的采用度相对较重要,即便未来市场需求走势减缓,也不致影响上述产品对28nm节点的支撑力道,仍有机会在2020年实现提升28nm稼动率目标。

化合物半导体GaN在8寸晶圆的发展备受瞩目

分析8寸晶圆成熟制程产品,除产能吃紧需持续关注外,化合物半导体氮化稼(GaN)元件在8寸晶圆上的发展也备受瞩目。

化合物半导体在5G、电动车与高速充电等应用兴起后重要性大幅提升,吸引众多厂商投入开发,不过受限材料具有不同的热膨胀系数(CTE),目前量产品多以6寸晶圆制作。

然而,为因应日后GaN在多方应用领域的元件需求,并提升GaN-on-Silicon取代Silicon功率元件的成本竞争力,发展8寸晶圆的GaN产品仍有其必要性。

此外,发展8寸GaN晶圆技术,也有利于现行以12寸与8寸晶圆为生产主力的晶圆代工厂商,包括2020年2月20日台积电与STMicroelectronics宣布合作加速GaN功率产品开发与量产,以及世界先进在2019年第四季法说会上提到的8寸GaN晶圆计划。

因此,即便IDM掌握较多GaN的相关技术,但考量到降低量产成本和提高整合度需求,与晶圆代工厂合作不失为双赢选项,加上针对客制化元件开发,对晶圆代工厂商的依赖度将提升,助益晶圆代工厂商在成熟制程节点的产品需求。