中芯国际11月12晚发布未经审核的2019年第三季度业绩。2019年第三季度，公司实现营业收入8.16亿美元，同比减少4.0%，环比增长3.2%；公司拥有人应占溢利为1.15亿美元，同比增长333.5%，环比增长521.0%。中芯国际联合首席执行官赵海军和梁孟松表示，公司将全面受惠于市场向5G标准迁移带来的广泛商机，走出调整，重启成长。
公司预计，2019年第四季收入环比增加2%至4%，不含阿韦扎诺200mm晶圆厂将环比增加4%至6%；毛利率介于23%至25%。
赵海军和梁孟松表示，经过两年的积累，公司不仅进一步缩短先进技术的差距，也同时全面拓展新的成熟工艺技术平台，有信心随着5G终端应用发展的浪潮步入新的发展阶段。
赵海军和梁孟松表示，公司预计四季度公司营收将保持成长态势。同时，FinFET技术研发不断向前推进。第一代FinFET已成功量产，第四季度将贡献有意义的营收；第二代FinFET研发稳步推进，客户导入进展顺利。
境外媒体报道称，韩国三星电子在半导体代工领域向台积电发起正面挑战。三星将每年花费巨额投资，确定采用新一代生产技术“EUV（极紫外光刻）”的量产体制，用10年左右挑战台积电世界首位的宝座。三星与台积电这两强展开竞争，将促进行业的技术革新。
三星誓言成为“世界第一”
据《日本经济新闻》网站11月12日报道，三星近日发布的财报显示，2019年7月至9月的合并营业利润同比大幅减少56%，销售额减少5%。主力半导体业务的营业利润同比大幅减少78%，不过环比减少10%，减幅收窄。
报道称，SK海力士、原东芝存储器等全球半导体存储器企业的业绩恢复迟迟没有进展，而三星呈现出复苏的迹象，这得益于三星年销售额可观的代工生产业务。7月至9月，该业务的销售额比上季度增长14%，持续保持两位数增长。在存储器价格下跌背景下，代工生产业务支撑了三星的业绩。
三星高层强调，“继存储器之后，在包括代工生产在内的系统半导体业务领域也必将成为世界第一”。这名高层称，每年会在该领域的生产设备和研发上投入巨额资金。作为比肩半导体存储器业务的收益支柱，三星计划把代工生产业务打造为世界第一。
报道称，代工生产的尖端竞争正迎来新的局面。能够使半导体性能飞跃性提升的全新生产技术EUV进入普及期，三星可以应用通过存储器业务培育的技术。另外，预计今后为应对5G，高性能半导体的需求将急剧扩大，三星认为这是良机。
在位于首尔郊外三星华城工厂的新厂房内，EUV曝光设备的投产准备工作正在推进之中。三星计划向半导体设备投入大量资金，最早将于2020年初正式投产。据业内相关人士透露，预计将量产美国高通的最尖端智能手机用CPU（中央处理器）。
报道称，三星已在自身智能手机的CPU上使用EUV技术，还将把该技术应用于代工生产。据称，和现有生产方法相比，使用EUV技术后，CPU处理速度和省电性能将提高两至三成左右。
台积电倾尽全力守王者地位
不过，报道同时指出，在代工生产领域，台积电握有世界一半市场份额，将量产活用EUV技术、电路线宽为7纳米的半导体。近日，台积电还宣布把2019年内的投资额增加50亿美元（1美元约合7元人民币），这正是对自身技术有信心的表现。此外，台积电还确定获得美国苹果新一代iPhone用尖端半导体订单。
台积电总裁兼副董事长魏哲家表示，公司的下一代半导体在行业内最先进，能够更加吸引顾客。透露出扩大市场份额的自信。
另据台湾中时电子报11月12日报道，抓住三星生产半导体材料受到日韩贸易战影响，以及先进制程采用（EUV）技术发展不如预期，台积电靠着7纳米（EUV）技术的强效版制程（N7+），协助客户产品大量进入市场。
报道称，台积电倾全力支持联发科发展，就是要超越三星在5G芯片制程的时程，只要能抢到大陆中端5G手机市场，就有机会扩大市占率。
《日本经济新闻》网站认为，台积电的强项不仅只有量产技术。该公司还拥有几千名技术人员，这些人为客户设计线路提供支援，起到了确保量产的桥梁作用。另一方面，三星以存储器为主力业务，缺少的是应对多品种的设计技术。
报道称，三星把成为世界第一代工企业目标的实现时间设定在2030年。计划用10多年培育设计技术，目前正以美国硅谷的基地为中心招募技术人员。
另一个令三星不安的因素是日本政府加强对韩国的出口管制。成为限制对象的3种产品中，EUV用光刻胶不可缺少且难以找到替代采购地。虽然目前仍能够稳定采购，但是未来采购可能变得困难。
报道认为，三星和台积电均主张“自身用EUV技术实现7纳米半导体的量产”，显示出对自身技术实力的强烈信心。半导体两强火花四溅的竞争将持续下去。
华虹半导体发布2019年第3季度业绩，该集团于期内销售收入2.39亿美元，同比下降0.9%，环比增长3.9%。毛利率31.0%，同比下降3.0个百分点，环比持平。期内溢利4440万美元，同比下降12.8%，环比下降11.0%。
母公司拥有人应占溢利4520万美元，同比下降6.4%，环比上升4.3%。基本每股盈利0.035美元。
公司总裁兼执行董事唐均君，对第三季度的业绩评论道：“尽管上季度经济环境存在挑战和不确定性，华虹半导体仍精准贯彻落实战略部署、推动业绩持续增长。第三季度公司的销售收入达2.39亿美元，环比增长3.9%，同比基本持平。收入方面的强劲表现主要得益于中国和亚洲其他国家及地区对公司产品需求的增加，尤其是MCU、超级结、IGBT、通用MOSFET、电源管理芯片和模拟产品。这再次凸显了公司特色工艺产品的实力和质量。面对不尽理想的市场环境，公司迎难而上、交出了一份亮眼的成绩单。毛利率维持在31%，取得这一业绩并非一蹴而就。总体而言，市场变化使产品面临价格下行压力，与此同时硅片成本却显着上升。这些不利因素被整体产能利用率上升至96.5%所抵消。此外，上季度收到的大量政府补贴，抵消了部分折旧成本。”
“华虹无锡300mm晶圆厂(七厂)本季度开始投入生产。公司团队已经在七厂产线上验证通过了若干个客户的产品，其中有两个产品，良品率已达到90%。作为整体扩产计划的一部分，该晶圆厂将在未来几年里为公司提供巨大的发展机会。管理团队深知在最短时间内使该晶圆厂实现盈利的重要性和紧迫性，这无疑将是公司下阶段的工作重点。”
“对公司的发展方向和战略方针，公司仍保持非常积极乐观的看法。公司相信5G将成为下一个浪潮，为半导体企业带来新的机遇。对半导体器件的需求会相应激增，包括微控制器、传感器、射频、电源管理和存储器。作为特色工艺的领先者，华虹半导体将在5G创新中扮演不可或缺的重要角色。”
此外，该公司预计2019年第四季度销售收入约2.42亿美元左右，毛利率约在26%到28%之间。
晶圆代工龙头台积电近日公布2019年10月份的营收状况，营收金额为1,060.4亿元（新台币，下同），较9月份的1,021.7亿元成长3.8%，也较2018年同期的1,015.5亿元成长4.4%，创单月次高纪录。累计，2019年前10个月的营收为8,587.88亿元，较2018年同期的8,432.54亿元成长1.8%。
根据台积电上一季法说会时的表示，第4季合并营收预计介于102亿美元到103亿美元之间，若以新台币30.6元兑1美元汇率假设，则营收约为新台币3,121.2亿元到3,151.8亿元之间，将较2019年第3季再成长6.5%到7.5%之间，而毛利率预计介于48%到50%之间，营业利益率预计介于37%到39%之间。而以10月份1,060.4亿元的营收金额来估算，2019年剩下的2个月平均营收只要超过1,030.4亿元，即可达到先前财测预期，机率也相当大。
台积电财务长暨发言人黄仁昭在日前法说会上指出，台积电2019年第3季营收受惠于客户采用领先业界的7纳米制程，推出其高端智能手机新产品及高效能运算应用的新产品。预期在高端智能手机、5G的初始布建、以及高效能运算应用相关产品的驱动下，客户对于台积电7纳米制程的需求将持续强劲。而在此原因下，市场需求将会持续，也使得台积电接下来的业绩也将会被进一步带动。
此外，台积电2019年的资本支出预估将介于140亿美元到150亿美元之间，较之前预估的增加约40亿美元，也创下台积电史上最高资本支出金额。其中15亿美元将花费在7纳米的部分，而25亿美元将花费在5纳米的部分。而增加的资本支出部分，将自2020年第2季开始运用。
才与台积电进行专利诉讼官司和解，并签订10年交互授权协议的晶圆代工大厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器（HBM2E）运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案，以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务，可加速人工智能（AI）应用上市时间。
格芯表示，为了实现资料密集AI训练应用的容量和频宽，系统设计师面临在同时保持合理的功率标准下，将更多的频宽压缩到较小区域的艰钜挑战。因此，格芯的12LP平台和12LP+解决方案，搭配SiFive的定制化高频宽存储器介面，能使高频宽存储器轻松整合到系统单芯片（SoC）解决方案，从而在运算和有线基础设施市场中，为AI应用提供快速、节能的数据处理。
另外，作为合作的一部分，设计人员还能使用SiFive的RISC-V IP产品组合和DesignShare IP生态系统，运用格芯12LP+设计技术协同优化（DTCO），大幅提高芯片的专门化，改善设计效率，在迅速又具成本效益的情况下提供差异化的SoC解决方案。
格芯进一步指出，旗下的12LP+是一款针对AI训练和推理应用的创新解决方案，为设计人员提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取单元，支持处理器与存储器之间快速、节能的数据传输。此外，用于2.5D封装的新中介层有助于将高频宽存储器与处理器整合在一起，以实现快速、节能的数据处理。
目前，格芯正在位于美国纽约州马尔他的8号晶圆厂，进行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解决方案的开发。客户将可在2020年上半年开始进行优化芯片设计，开发针对高性能计算和边缘AI应用的差异化解决方案。
台积电、英特尔和三星为打造体积更小、效能更强的处理器，纷纷导入极紫外光（EUV）技术，相关设备所费不赀，3家大厂资本支出直线攀升，ASML等设备厂则成为受益者。
华尔街日报报导，晶圆代工大厂以最新制程挑战物理极限，需要EUV微影技术当帮手。与常用光源相比，采用EUV的系统能让芯片电路更加微缩，但先进晶圆厂建造成本也跟着水涨船高，台积电两年前宣布的新厂建造费用达200亿美元。
关键在于EUV光刻器具价格高昂。ASML公布，第3季光售出7套EUV系统就进帐7.43亿欧元，等于每套系统要价超过1亿欧元。这还不含半导体制程控管与测试设备成本。
台积电深耕晶圆代工先进制程，10月表示强效版7纳米制程导入EUV技术，今年第2季开始量产，良率已相当接近7纳米制程；6纳米制程预计明年第1季试产，并于明年底前进入量产。
与此同时，晶圆代工龙头厂商资本支出大增成为趋势。
台积电10月宣布今年资本支出达140亿至150亿美元，高于原先设定目标近40%。英特尔（Intel）随后宣布加码3%，今年资本支出目标达160亿美元，创公司成立以来新高，比两年前高出36%。三星（Samsung）上周宣布，今年半导体事业资本支出约200亿美元。
三星公布的金额略少于去年，但业界分析师预期，三星今年大幅减少投资存储器生产，以便将更多资源投入次世代晶圆代工厂。
在EUV技术带动下，半导体设备厂获益良多。ASML第3季接获23套EUV系统订单，创单季订单金额新高；半导体制程控管设备制造商科磊（KLA-Tencor）上周公布，会计年度第1季营收年增率达29%，并表示EUV投资是业绩成长主要动能。
今年以来，ASML与科磊股价涨幅分别达76%、94%。报导指出，明年EUV需求预料更加旺盛，半导体设备厂前景一片光明。
三星电子31日发布的最新财报显示，由于芯片价格持续下跌，第三季度营运利润同比下降近56%，不过仍略优于市场预期。
三星第三季度营收为62万亿韩元，营业利润为7.78万亿韩元，同比下降近56%，营业利润率为12.5%。净利6.29万亿韩元，同比减少52.3%。这已是连续第4个季度，三星获利同比下滑，但仍优于此前市场预估的5.8万亿韩元。
且三星认为，接下来的第四季存储器芯片需求将比第三季回温，2020年也将稳健，预期第四季仍能实现低个位数成长。
（Source：三星）
目前最受关注的还是智能手机和资料中心所使用的存储器行情，也是三星主要获利来源。三星对此相当乐观的表示，由于5G技术的发展，存储器需求将会持续扩展，明年将会触底反弹。且目前旗舰机Galaxy Note 10的出货强劲，也带来更好的盈利能力，其行动部门的收入成长近17.4%。
值得一提的是，证券分析师指出，这是受益于美国华为禁售令，三星将因华为禁售令而在除中国大陆外的5G手机竞争中获胜。还有IBK证券近期也有分析师报告提到，预计到明年第三季DRAM价格将开始复苏，其中服务器芯片需求将会大幅增加，且认为折叠屏幕手机未来也将成为一个新亮点。
但《彭博社》的研究则没有那么看好，尽管市场似乎对存储器态度转趋乐观，但三星至明年初营利还是会持续下滑。简单来讲，尽管明年三星可望改善中小尺寸显示器的产能利用率，但竞争也会更加剧烈，甚至可能在第四季就将恶化，而同样手机出货预估也会下修，零组件需求将受到季节因素影响而趋软。
（Source：三星）
三星自身其实也表示，今年资本支出与去年差不多，不过受到行销费用增加影响，获利并不是很稳定，其强调，在大环境风险高的情况下，仍谨慎看待2020年。
还有需注意的是，在晶圆代工方面，三星表示，今年第四季将开始大量生产EUV 7纳米产品，EUV 5纳米即将流片，已获得新订单，并将建立4纳米设计的基础设施。三星强调，将藉由扩大新兴科技应用订单来加速其客户多元化，并致力完成GAA 3纳米制程的开发。
联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。
联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。
日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。
联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。
联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。
联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。
日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。
联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。
联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。
联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。
日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。
联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。
