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芯片被喻为“工业粮食”，是所有整机设备的“心脏”，更是高端制造业的“皇冠明珠”。而粤港澳大湾区拥有最大的芯片需求市场。全球将近1.4万亿元的半导体芯片市场份额，实际上近60%的芯片市场在中国，中国近60%是在珠三角。9月20日，随着粤芯12英寸晶圆项目在黄埔区、广州开发区投产，广州第一条、广东省唯一一条量产的12英寸芯片生产线横空出世，标志着广州先进制造业“缺芯”成为历史。

目标：带动形成千亿元产值规模

“一般芯片企业投产需要36个月时间，而‘广州第一芯’粤芯12英寸晶圆项目仅18个月就投产，这是世界级的速度。”据粤芯半导体副总裁李海明介绍，过去一年，粤芯实现了从无到有的突破，自2018年3月打桩到今年9月正式投产，并快速赶超海内外业界同行。

“项目总投资288亿元，分两期建设，目前投产的是第一期的上半段，产能2万片。我们正考虑加速第二期的计划，第二期投产后产能将扩大到8万片。”粤芯12英寸晶圆项目坚持自主创新，在国内首创了虚拟IDM(Virtual IDM)运营模式，粤芯半导体联合芯片设计客户进行工艺平台的订制开发，成为国内首个可为客户“定制芯片”的芯片企业，将极大提高客户生产效率、降低成本。

随着粤芯量产，粤港澳大湾区将形成芯片“一日产业群”，助力粤港澳大湾区发展：“我们可以直接服务广东、粤港澳大湾区的产业群。这些大湾区的企业用的芯片之前有可能来自其他地方，大湾区内很难形成芯片‘一日产业群’。随着粤芯量产，芯片从设计到制造、封装都在大湾区内完成，形成完整产业链，将带动广州乃至粤港澳大湾区新一代信息技术、消费电子、人工智能等产业发展。”

李海明告诉记者：“未来粤芯将以高端模拟芯片、汽车电子、生物医疗检测、5G前端模块等国内较为稀缺的产品为主要方向，预计实现百亿级的销售目标，进一步带动上下游企业形成千亿元产值的规模。”

政策扶持吸引企业人才纷至沓来

之所以粤芯能在如此短的时间内投产，广州综合城市功能不断完善、不断出新出彩是重要原因。“综合城市功能不断完善，才能汇集高端产业和人才。”据李海明介绍，省市区各级政府大力支持，制定了产业方面大量优惠措施、扶持政策，开发区为粤芯进行“信任审批”，各项审批工作并联进行，节省了大量时间。

人才是第一资源，芯片是人才密集型产业，引进人才才能带来技术。不仅是粤芯，集成电路产业创新园区内的其他企业也看中了广州的市场需求、人才资源，以及开发区的营商环境和企业扶持政策等，拿脚投票，纷至沓来。

紫光集团官方消息显示，9月27日，“成都紫光集成电路产业基金”设立启动会在四川省成都市天府新区举行。

活动上，西藏紫光投资基金董事长郑铂代表紫光集团与成都空港兴城投资集团、成都天府新区投资集团、成都产业投资集团先进制造产业投资公司、成都交子金融控股集团签署了《成都紫光集成电路产业股权投资基金（有限合伙）合伙协议》。

据介绍，成都紫光集成电路产业基金总规模580.02亿元、一期规模280.02亿元，采用“双GP”模式实施管理，将主要投资紫光成都存储器制造基地项目，用于支持芯片工厂一期的建设及运营，为紫光成都存储器制造基地项目发展按下“快进键”。

根据基金合伙人之一成都空港兴城投资集团官方发布的详细信息，该基金的一期280.02亿元，成都市（市、区两级）出资230亿元，紫光集团出资50亿元；二期300亿元由紫光集团于2020年启动募集、2021年底前全部到位。

具体而言，成都天府新区投资集团有限公司与成都空港兴城投资集团有限公司分别认缴出资额74.75万元，成都交子金融控股集团有限公司与成都先进制造产业投资公司分别认缴出资额40.25亿元，西藏紫光新业投资有限公司认缴出资额50亿元，西藏紫光投资基金有限责任公司与成都空港产业兴城投资发展有限公司分别认缴出资额100万元。

基金期限方面，合伙企业续存期限为10年，其中投资期5年，退出期5年；“双GP”管理模式即由成都空港产业兴城投资发展有限公司担任成都方GP，作为执行事务合伙人。西藏紫光投资基金有限责任公司担任紫光方GP，作为普通合伙人。

该基金的核心投资标的——成都紫光集成电路基地项目于2018年10月正式开工，该项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，预计在2022年实现一期10万片/月的达产目标。

据紫光集团联席总裁王慧轩表示，紫光已在成都落地多个项目。紫光展锐已在成都投资建设其全球三大总部之一及全球研发基地；紫光旗下新华三集团在成都布局云计算业务全国运营总部及研发中心；紫光芯云中心也已在成都落地。

现在成立的成都紫光集成电路产业基金，将进一步支持紫光成都存储器制造基地项目建设。

近日，科锐在官网宣布扩产计划进展，表示将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂。

通过与纽约州州长（Andrew M. Cuomo）办公室以及其他州立与当地机构和实体的战略合作，科锐决定在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。

作为该合作的一部分，科锐将投资近10亿美元，用于在纽约州fab的建造、设备和其它相关成本。纽约州将提供来自Empire State Development 的5亿美元资金，同时科锐可以享受额外的当地激励政策和减税以及来自纽约州立大学的设备和工具。

这一新制造工厂旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务的产能，将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。

新工厂计划将于2022年实现量产，完工面积达到480,000平方英尺，其中近1/4将是超净间，提供未来所需产能扩充。这些扩展计划，将进一步提升科锐在市场竞争的领先地位，加速碳化硅（SiC）在一系列高增长产业中的采用。

科锐指出，公司将继续推进从硅（Si）向碳化硅（SiC）技术的转型，满足公司开创性Wolfspeed技术日益提升的需求，支持电动汽车（EV）、4G/5G移动和工业市场的不断增长。

从行业基本面来看，虽然自2018年下半年开始半导体行业景气度波动下行，但最新销售额以及设备等出现了企稳迹象，并且大陆半导体厂商在存储、晶圆制造等传统薄弱环节屡获重要进展，不少A股公司担纲重要角色，推动芯片自主国产化。

存储项目获进展

据统计，在半导体品类中存储产品占比最大，并且随着市场和产业发展，销售额持续扩大。但长期以来，国际存储领域在三星、美光、海力士垄断的背景下，中国大陆存储逐步形成国产化布局，长鑫存储进展成为最新破冰之举。

安徽省政府官网资讯显示，日前总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在2019世界制造业大会上签约，其中长鑫存储12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元。

据介绍，长鑫存储技术有限公司是中国第一家投入量产的DRAM芯片设计制造一体化企业，项目由合肥市产业投资（控股）集团有限公司和兆易创新(180.290, 16.39, 10.00%)合作投资，长鑫存储负责管理和运营，系中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。其中，兆易创新与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》，约定以可转股债权方式投资3亿元。

长鑫存储项目将建设3座12英寸DRAM存储器晶圆工厂，打造研发、生产、销售于一体的存储器芯片国产化生产基地，预计三期满产后，产能达每月36万片。基地建成后，预计可形成产值规模超2000亿元。

对于长鑫存储项目，资本市场市场反响热烈。自8月中旬以来，兆易创新股价持续上扬，9月23日再度涨停，报收180.29元，创历史新高。值得注意的是，当初与兆易创新竞购国际存储标的ISSI的北京君正(62.530, 2.56, 4.27%)，9月以来公司股价累计涨幅超过36%，目前该项收购已获证监会受理。

昨日，兆易创新披露股价异动公告称，经自查，公司拟筹划非公开发行股份事项，募集资金总额约43亿元，主要用于公司DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。目前，公司接到较多投资者有关合肥12英寸晶圆存储器研发项目的咨询。公司与合肥产投于2017年10月26日签署合作协议，约定合作开展该项目，项目预算约为180亿元，公司负责筹集约36亿元。公司正在筹划的定增项目与该项目投资无关。

集团化推进

作为主打NorFlash类型存储公司，兆易创新也在该领域刷新国际排名。有研究报告显示，在NOR Flash领域长久以来位居第五位的兆易创新，超越美光首度站上第四名的位置，创下中国存储产业的新里程碑。

对于其中原因，兆易创新代理总经理何卫在媒体采访中介绍，主要得益于市场回暖速度比较快，以及以TWS为代表的穿戴市场高速成长。

证券时报记者注意到，在8月接受机构调研时，兆易创新高管曾指出，NorFlash在国内需求状况还是挺旺盛的，主要受到可穿戴装置以及物联网模块等新型应用的拉动；现在市场需求已经超过了公司的供应能力。从今年第二季以来，供应端的去库存非常迅速，导致了局部供应比较紧张的状态，另一方面，第三季度也是行业旺季。

另外，在闪存产品领域，紫光集团旗下长江存储也在9月宣布，该公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256GB TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代到来，闪存市场有望持续增长；长江存储64层3D NAND闪存产品量产将为全球存储器市场发展注入动力。

紫光集团还对人事方面进行了配套调整。7月份紫光集团宣布组建DRAM事业群，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，高启全担任紫光集团DRAM事业群CEO，完善“从芯到云”产业链建设。其中，刁石京曾担任工信部电子信息司司长等职位，高启全现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO，有“台湾存储教父”之称。

同时，自主存储厂进展也为半导体设备、建造等产业链营造机会。北方华创董秘办人员向记者表示，长鑫存储是否为公司客户尚待核实，但目前长江存储已经是公司的重要客户。

国际局势危与机

除了存储方面进展，在传统薄弱的芯片生产制造环节，日前也现重大进展。

智光电气最新披露，公司通过投资认购广州誉芯众诚股权投资合伙企业有限合伙人份额从而间接持股广州粤芯半导体技术有限公司50%股权。粤芯半导体建设的12英寸芯片生产线项目（一期）已达到投产条件，并于2019年9月20日实现量产。9月23日，智光电气斩获涨停。

据介绍，作为国内第一座以虚拟IDM为营运策略的12英寸芯片厂，粤芯半导体生产包括微处理器、电源管理IC、模拟芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、人工智能及5G等创新应用的模拟芯片与分立器件需求。

同时，芯片制造厂商对产业链也有强大的聚集效应。据官方披露，自2017年12月粤芯半导体在广州开发区中新知识城设立以来，已经有14个产业项目和规模超过50亿元的集成电路产业落地本地创新园区。

广州市半导体协会秘书长潘雪花曾向媒体指出，广东省是芯片需求大省，但另一方面芯片制造产能显得尤为不足；随着粤芯半导体的到来，广州半导体产业得到了全面激活，广州将能够以粤芯半导体为支点，带动上下游产业链形成全新的千亿级产业集群。

兴业证券研究指出，基于韩国厂商的生产风险，中国相关产业链可能受益，并影响全球分工布局。长期来看，中国与韩国将追求关键制程的自给能力，加速重构现有的区域分工格局。

另一方面，在贸易摩擦背景下，芯片产业链自主自控成为长期话题。

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在出席2019世界制造业大会时表示，打造一个自主控股集成电路产业链供应体系，每个环节要与用户有机地结合起来，尤其是国产装备、材料这些方面。现在用户单位会主动和芯片企业对接，共同研讨方案，这是非常好的事情，促进了企业自身的发展，同时也实现了企业对国产芯片的支持。

当前，先进制程仍是半导体产业趋势的重点之一，尤其在业界龙头台积电对于其先进制程布局与时程更加明确的情况下，增加主要供应链厂商对纳米节点持续微缩的信心，势必也将带来更多元的设备与材料需求；然而，连带对于设备与材料规格提升的需求，也考验供应链厂商在产品竞争力上的表现。

台积电7nm表现持续亮眼，持续增添发展先进制程的信心

台积电在7nm的卓越成果为先进制程后续发展打下稳固基础，也让鳍片式(FinFET)结构晶体管能有更多应用。从台积电目前表现来看，7nm节点在技术与产能上的规划已超过2019年初时对量产产能的预估，除了既有的7nm加强版囊括众多产品线外，7nm EUV产能受惠于客户的加量投片下，预估在2019年第四季能有1.5倍左右成长。

加上在6nm制程方面，由于6nm制程与现行7nm制程共享生产机台与流程，缩短不少开发时间，包括海思、Qualcomm、Broadcom、Apple、AMD及联发科等主要客户对前进6nm制程展现高度兴趣，积极投入测试，相信原订2020年第一季风险试产的6nm规划将如期落实，因此预估整体7nm(包括7nm第一代、7nm第二代加强版、7nm EUV、6nm)产能在2020上半年前将持续扩产20～25%以上。

台积电下一阶段纳米节点微缩计划更加明确，2nm时程有谱

在5nm制程方面，已建构出具可靠性的前段制造流程架构，预计2019年第四季或将进入拉抬良率阶段，凭借丰富的数据库与制程调整经验快速提升新品良率，能大幅缩短产品学习曲线，因此在量产时程上目前仍处于业界领先位置；再继续做纳米节点微缩，3nm开发目前还在「寻找路径(Path-Finding)」阶段，且由于线宽间距极小，在漏电方面的问题难度提升，也催生晶体管结构改变的可能。

目前GAA(Gate-All-Around)是Samsung主要采用在3nm制程架构，藉由闸极全面包覆来增加与硅的接触面积，达到良好的漏电控制；而台积电目前除了GAA技术的研究外，仍有在评估FinFET的最大应用限度，毕竟从7nm与5nm得到的宝贵经验中发现，FinFET确实还有延续的可能性，且由于晶体管结构一脉相成，在性能表现与可靠度上或将比新的结构来得可掌握，相信也能增加客户的采用意愿。

此外，台积电也确认2nm的相关建厂与开发计划，以目前技术的研发时程推断，2nm出现的时间点预估落在4年后，虽然届时势必面临晶体管结构的改变与挑战，但此举也为相关厂商带来纳米节点微缩仍具有获利的可能性与技术必须性，将持续推动半导体产业供应链发展。

先进制程为设备与材料供应商带来新挑战，相关厂商积极推出解决方案

先进制程面临的挑战不仅在制程微缩方面，也同样存在于半导体设备与材料厂商。主要是在微缩过程中，对Particle的容忍度越来越低，由Particle产生缺陷(Defect)的机率提升，不管在清洗晶圆的化学药液或制程用水，亦或是光阻剂、CMP研磨液及蚀刻液或气体等，要求的质量与洁净度越来越高。
 
业界主要的化学品及制程用水过滤滤芯供应美商Entegris与美商Pall，就针对不断微缩的制程持续开发新型过滤滤芯，不仅在滤膜表面的孔洞微缩至1nm程度，也持续研究各种化学吸附或离子交换膜等方式优化过滤效果，对应不同种类的化学药液与制程用水的过滤需求。

另外，在先进制程中扮演重要角色的EUV光刻机供应商ASML，除了现有主要厂商采用的EUV光刻机NXE:3400B外，也预计2019下半年出货下一世代的EUV光刻机－NXE:3400C，具有更高的NA(数值孔径)值提升分辨率，以及更快的Throughput(单位时间晶圆处理量，WPH)，能进一步提升EUV在显影表现与晶圆处理效率，是先进制程发展不可或缺的重要设备。

值得一提的是，有鉴于台积电在先进制程方面成为业界领导厂商，除了确保未来先进制程对设备与材料的需求外，也让有意进入先进制程的设备与材料厂商，以台积电的认证为首要目标。

而就台积电规格要求来看，即便供应链厂商技术到位，仍需不断根据制程需求做更新，包括机台改造与高规格材料的导入，才能在先进制程发展下保有各自的产品竞争力。

今日（9月20日），广州粤芯半导体技术有限公司（以下简称“粤芯”）在广州举行“粤芯12英寸晶圆项目投产启动活动。

资料显示，粤芯成立于2017年12月，位于广州中新知识城。粤芯12英寸晶圆项目是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM)为营运策略的12英寸芯片厂，也是广州第一条12英寸芯片生产线，列入广东省、广州市重点建设项目。

该项目一期投资100亿元，达产后将实现月产40000片12英寸晶圆的生产能力，产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。二期投资额约约188亿元，月产能将达4万片12英寸晶圆芯片。

据了解，粤芯12英寸晶圆项目于2017年12月奠基，2018年3月打桩施工，2018年10月主体结构封顶，2018年12月洁净室正压送风，今年3月首批设备搬入，6月15日开始投片，今日（9月20日）正式宣告投产，从打桩施工到投产只用了一年半时间。

南方网报道称，粤芯12英寸晶圆项目吸引了一大批半导体企业聚集广州，在该项目动工前一天就有15家企业签约落地广州开发区，包括14个产业项目和一支规模达50亿元的集成电路产业基金，建设期间已吸引了数十家半导体上下游企业汇聚。

此外，粤芯牵头成立广州市半导体协会，联席成立粤港澳大湾区半导体产业联盟；与中山大学、华南理工大学、广东工业大学建立产学研合作关系，合力培养半导体产业发展的人才；前不久，粤芯还联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目。

作为广州首条12英寸生产线，粤芯12英寸晶圆项目为广州带来产业集聚效应，该项目的正式投产将进一步加快广州集成电路产业发展融合，并立足广州辐射珠三角地区甚至全国，对国内进一步探索虚拟IDM模式亦将起到积极意义。

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台积电副总经理黄汉森表示，摩尔定律还是活跃存在，未来30年半导体制程新节点将带来益处，强调存储器、逻辑元件和感测元件的系统整合。

黄汉森指出，半导体产业透过芯片特性界定每一个世代，现在7纳米和5纳米制程已无法形容未来半导体科技的核心，他认为半导体产业应该要采用新制度，衡量科技新进展，预测科技进步的方式。

他表示，7纳米晶圆制程去年开始量产，5纳米制程相关生态圈已准备就绪，未来将有3纳米制程，随着晶圆制程节点进步，未来也有可能发展2纳米甚至是1纳米。

黄汉森指出，摩尔定律还是活跃存在，随着元件密度越高，成本效益越好，不过若要预测下一个世代半导体科技发展，可能要提出新的方式。

展望未来30年半导体产业技术指标，黄汉森表示，新的节点出现将带来益处，透过半导体创新达到目的地，他预期未来30年新指标，可能是存储器、逻辑元件和感测元件整合，带动电晶体效能和存储器进展，系统高度整合，透过新的节点获益。

摩尔定律（Moore’s law）是指积体电路上可容纳的电晶体数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也提升一倍，近年，由于电晶体尺寸缩小速度趋缓，业界对于摩尔定律是否已到尽头的争论不断。

台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）探讨后摩尔定律极限，对于外界对于现今科技疑虑，台积电副总黄汉森指出，未来摩尔定律仍存在，未来30年透过新节点出现而从中获益更多，半导体创新核心将聚焦于逻辑与存储结合、系统之间的连结、电晶体密度与效能提升。

黄汉森表示，台积电5纳米有最好的性能、最高得电晶体密度，并大量使用EUV（极紫外光），不仅生态圈已准备就绪准备量产，在未来还会有3、2纳米推出。然而随着节点不断进步，未来先进制程纳米节点到哪里会停下，外界对现今科技产生疑虑，他表示未来摩尔定律依旧存在，不仅在电晶体，在DRAM及NAND也有一样的曲线。

摩尔定律在每一个世代都有一甜蜜点，成本及数量达到最完美境界，因此，随着元件密度越来越高，成本效益就越好，当时摩尔提出理论时，并没有明确目标可达到，直到1993年摩尔提出微缩方式，体积缩小又同时提升性能，而微缩方式是每个科技世代重要节点。

相信未来30年半导体将有许多创新，有些是现在无法预见，单位元密度将是重要特质，不仅可降低成本，并可以增加效能，当电晶体数量及密度更高时，可以建立多核心芯片及加速器，让深度学习效能更好。

当初从250微米一路微缩下来，每个世代微缩0.7倍，非常规律，闸极与节点数之间关系，大约在0.35微米时候，已经不再具有绝对关连，现在微缩比例已经当初不一样，最后节点计算约略为98，而目前节点仅成为一种行销手法，跟科技本身特性已不太有关连。

电晶体微缩不仅是节点概念，电晶体密度提升是很多创新整合而成，他举例：NAND未来趋势上，单位元密度会不断增加，不单纯是微缩，更有密度提升，透过多层单元方式，从2D到3D让趋势可延续下去。