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集邦咨询：DRAM均价受库存尚未去化完成影响，跌势恐将持续至下半年

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。

根据DRAMeXchange调查，DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。

进入第二季，受惠于1Ynm制程贡献，供给位元仍持续成长。在极力消化库存的考量下，DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售。与第一季相似，跌幅最大的产品别为PC与服务器内存，跌幅约两成。而行动式内存受惠于新机潮的拉货动能跌幅较小，约10~15%，预估DRAM均价在第二季将持续下跌近两成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收敛，则取决于需求端的回温以及第二季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年，因此，终端需求的回温是DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需预测来看，上半年供过于求的状况远高过下半年，预期价格跌幅在今年第三季与第四季可望逐渐收敛。

PC、服务器用DRAM 2Q跌价幅度未见收敛，行动内存跌幅趋缓

观察DRAM各应用别今年的价格走势，由于库存水位较高的关系，自去年第四季以来，以标准型内存与服务器内存的跌幅最为明显。以PC需求面来说，今年缺乏刺激出货量成长的因素，再加上Intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解，使得出货不振的状况在上半年特别显著。以主流标准型内存模组8GB解决方案来看，第一季度的价格已经下滑近三成，最低价已落在近40美元。展望第二季，均价持续下探35美元，年底恐怕要挑战30美元关卡。

服务器在经历连续两年的需求高峰后，第一季由于库存偏高，加上进入传统OEM的淡季，备货动能显著衰退。虽然三月开始，部分北美资料中心业者开始陆续洽单，但整体采购力道仍未明显复苏。再者，现阶段供需双方普遍库存偏高，在既有库存去化与需求动能恢复前，预估服务器内存价格将持续走跌。DRAMeXchange预估，第二季仍将有两成左右的跌幅，第三与第四季也会维持接近一成左右的降价空间。

在行动内存方面，第一季受到智能手机市场需求不旺，生产总量较去年同期衰退逾10%的影响，行动内存供应商库存无法有效去化，导致价格持续下探，discrete以及eMCP产品平均跌幅接近2成，市场报价混乱。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外，也同时受惠传统市场旺季，整体需求将转趋热络，预估合约价跌幅将较第一季收敛，不过考虑到今年智能手机总生产数量将呈现负成长，中、低阶手机平均搭载容量成长有限，第二、三季的合约价格依旧难以止跌。

而就利基型存储器价格走势来看，农历假期过后，中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求，然一次性标案结束后，整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下，预期今年第二季与三季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示，近期服务器用DRAM需求已经反弹，此举将帮助第二季DRAM市况优于首季，下半年转好。

李培瑛分析，去年前三季DRAM大好，很主要的一个原因是服务器需求所带动的，但自去年第三季底开始，服务器用DRAM需求急冻，致使整个DRAM产业面临供给过剩的窘境，连带DRAM报价也迅速下跌。

但自今年3月开始，服务器用DRAM需求开始加温，此举似乎也意味着，DRAM产业最差时间已经过去了，产业也开始出现触底反弹的契机；而李培瑛也透露，第二季DRAM产业景气会比第一季好些，下半年仍有产业旺季效应可期。

集邦咨询：2018年第四季DRAM产值正式反转向下，原厂获利能力衰退

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，DRAM报价于2018年第四季开始反转向下，造成DRAM整体产业营收下滑。由于需求端的库存水位普遍偏高，导致采购力道薄弱，连带使得DRAM供应商的位元出货(sales bit)多呈现大幅季衰退。在量价齐跌的压力下，2018年第四季DRAM总营收较上季下滑18.3%。

DRAMeXchange指出，2019年一月份合约价格持续走跌。就一线PC-OEM大厂定价来看，主流8GB模组一月均价已滑落至50美元，且二、三月在月合约(monthly deal)议定的情况下，价格持续下探，预估整体第一季跌幅约在20-25%。此外，DRAM供应商于2018年第四季的生产位元(production bit)远高于位元出货，导致库存压力加剧。因此为加速去化库存，厂商在报价策略上将更为积极。

从营收角度观察，厂商普遍难逃季衰退的命运。产业龙头三星在服务器内存出货大减的冲击下，第四季位元出货在三大原厂中下滑最多，营收较上季下滑25.7%，来到94.5亿美元，市占则跌至41.3%。而SK海力士的位元出货仅下滑约2%，因此营收下跌幅度较三星轻微，季减12.3%至71.4亿美元，市占突破3成来到31.2%。

美光仍旧维持第三，在出货策略较为弹性的帮助下，营收来到53.7亿美元，虽较上季下滑9.2%，但在三大原厂中表现最佳，市占率上升到23.5%。

DRAMeXchange预估，三星面对市占明显遭侵蚀且库存水位相对偏高的双重压力下，未来在报价策略上将更积极，避免市占持续遭压缩。

观察原厂获利能力，2018年第四季受到整体价格下跌影响，供应商的获利高点正式告终，营业利益率皆呈现衰退。龙头厂三星因降价求售的力道最小，且1Ynm比重逐渐提升，营业利益率仅由前一季的70%下滑至66%。然而，第四季即使报价反转，生产DRAM的毛利率仍有8成左右水平，显示三星仍有本钱做较为积极的价格策略。

SK海力士第四季出货量高，代价即为获利能力的侵蚀，本季度的营业利益率从第三季的66%下跌至58%。美光则因公司财报月份为9-11月，价格下跌幅度不如韩厂所结算的10-12月，因此营业利益率仅从上季的62%下跌至58%。

展望2019年第一季，在产业价格跌幅更剧烈的情况下，原厂获利空间将被进一步压缩。

由技术面观察，随着Line 17增加投片以及平泽厂二楼的DRAM产能陆续开出，三星于去年底已达到1X+1Ynm产出比重合计70%的目标。今年平泽厂虽计划不再增加投片量，但Line 17与平泽厂二楼仍将持续转换1Ynm，为顺应目前市况，转换速度并不快。

至于SK海力士，1Xnm良率已上轨道，中国无锡新建的第二座12英寸厂也已于今年上半年开始贡献产出。不过由于全球经济不确定性的影响，无锡厂扩增投片的进度不会太积极。

而美光方面，台湾美光内存（原瑞晶）已全数以1Xnm生产，下一步将直接转进1Znm，但实际贡献将落在2020年；台湾美光晶圆科技（原华亚科）已于去年第二季进行20nm往1Xnm的转换，今年上半年将开始转往1Ynm，并缓步提升比重。

台系厂商部分，南亚科第四季受到标准型内存市况不佳影响，位元出货下跌超过20%，营收表现较前一季大幅衰退30.8%。毛利较佳的DDR4产品出货比重低，加上整体产业报价向下，营业利益率由上一季的51.0%下跌至41.8%。在厂房设备折旧摊提费用提升，以及20nm所带来的成本效益越来越小的情况下，获利能力恐将持续萎缩。

力晶科技方面，本身DRAM营收较上季成长10.3%，若涵盖DRAM代工业务，营收则下滑近双位数。至于华邦DRAM营收下滑16.8%，产品价格跌幅不到5%，但位元出货仍因整体拉货动能疲弱而季减逾10%。

DRAM市场供过于求，第1季产品价格下跌逾2成，市调机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)预期，第2季产品价格可能再跌15%。

DRAMeXchange表示，因淡季效应影响，库存水位依然偏高，买方拉货意愿疲弱，冲击第1季DRAM价格下跌超过2成，其中，又以服务器存储器下跌幅度最大，跌幅逼近3成。

展望后市，DRAMeXchange预期，第2季需求虽可能略有回温，只是先前累积的库存仍需时间去化，第2季供过于求压力仍在，DRAM价格将再跌15%。

DRAMeXchange预估，服务器存储器最快要到第3季库存水位才可望有效降低，产品价格跌幅才会随着收敛。行动存储器则受惠新机效应，第2季需求可望转强，只是产品价格仍难以止跌。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)

随着 5G 明年步入商转，资料传输需求大增，可望显著刺激存储器景气。虽然近期存储器步入景气向下循环，但历经调整后，5G、人工智能与边缘运算等带动科技新浪潮，将带动 DRAM 与 NAND Flash 需求重回成长，南亚科、华邦电等台厂都将因此受惠。

DRAM 近年来受惠资料中心持续建置，服务器存储器出货量大幅攀升，伴随 5G 商转产生的大量数据，将需要建置更多资料中心来容纳。随着资料中心需求持续推升，未来服务器 DRAM 可望成为成长力道最强劲的存储器领域，研调甚至认为，未来 2 至 3 年内，服务器存储器将超越行动式存储器，成为供需主流。

为迎接服务器市场未来的强劲成长动能，南亚科今年正式重返缺席逾 5 年的服务器 DRAM 市场，8Gb DDR4 服务器产品已获美系资料中心大厂验证通过，第 4 季小量出货，并于明年放量，要全力抢攻服务器市场，盼明年底前服务器 DRAM 产品可占整体出货比重超过 1 成。

除南亚科积极布局以因应相关需求外，华邦电也不缺席。华邦电总经理詹东义认为，5G、人工智能与边缘运算需求增加，将使更多产品智慧化，成为驱动产业的新成长动能，因此对未来市场需求并不悲观，将持续耕耘质量要求较高的金字塔顶端客户。

而在 NAND Flash 方面，随着 5G 带动智慧家庭、自动驾驶等新兴领域持续发展，拥有运算能力的终端产品数量将会明显提升，可望带动中低容量 NAND Flash 产品出货量增加，后市需求动能同样乐观可期。