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6月4日，武汉新芯集成电路制造有限公司透露，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产。

目前，在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。

据了解，武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破，随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升，武汉新芯用了18个月。

Flash指非易失性存储介质。此次量产产品为宽电源电压产品系列XM25QWxxC，容量覆盖16兆到256兆。性能测试显示，在1.65伏至3.6伏电压范围内，该系列NOR Flash存储芯片的工作频率可达133兆赫，即使在零下40℃或105℃这种极端温度下，依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达10万次，数据保存时间长达20年。

研发人员介绍，作为NOR Flash存储芯片中的“闪电侠”，该芯片在连续读取模式下，能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期，即可读取24位地址。不仅如此，它还可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上，令用户通过宽电压功能实现更好的库存管理。

“对此次研发而言，最难的挑战是速度、功耗和可靠性。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏说，随着50纳米NOR闪存的重大突破，武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力，针对快速发展的物联网和5G市场，持续研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线。

近期，武汉新芯与业内领先的物联网核心芯片和解决方案平台乐鑫科技达成长期战略合作，双方将围绕物联网应用市场，在物联网、存储器芯片与应用方案开发上展开合作。乐鑫科技CEO张瑞安表示，武汉新芯NOR Flash存储芯片，支持低功耗、宽电压工作，能满足该平台全系物联网芯片、智能家居及工业模组的应用要求。

武汉新芯成立于2006年，专注于NOR Flash存储芯片的研发制造，并以全球领先的半导体三维集成制造技术，在图像传感器、射频芯片、DRAM存储器等产品上，不断实现性能和架构突破。

2020年4月8日零时起，武汉市解除离汉离鄂通道管控措施，稳步推动复工复产复市，有序恢复全省正常生产生活秩序。

根据武汉新芯官方消息，在70多天的防疫战中，武汉新芯厂内员工、厂商人员及所有后勤保障人员无一感染。在过去两个多月的战“疫”中，坚守在一线的武汉新芯员工和供应商协同作战，联防联控，互帮互助，稳定生产，综合产能利用率始终保持在70%以上。

值得注意的是，随着武汉防疫形势的好转，武汉新芯从3月28日开始，产能利用率达到100%，并从4月6日开始，连续创出日运载率指数历史新高。

资料显示，武汉新芯于2006年在武汉成立，是一家领先的集成电路研发与制造企业，专注于NOR Flash与晶圆级XtackingTM技术，作为紫光集团旗下核心企业，武汉新芯自2008年开始向客户提供专业的300MM晶圆代工服务，在NOR Flash领域已经积累了十多年的制造经验，是中国乃至世界领先的NOR Flash晶圆制造商之一。2017年武汉新芯开始聚焦IDM (Integrated Device Manufacturer)战略，发布了集产品设计、晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌，致力于开发高性价比的SPI NOR Flash产品。

1月18日，湖北省半导体三维集成制造创新中心在武汉揭牌，它是全国半导体三维集成制造领域首个省级创新中心，为以国家存储器基地为核心的湖北芯片产业，提供了更加坚强的创新驱动力。

该中心是我省落实国家“制造强国、网络强国”建设重大部署，加强半导体制造创新平台建设，提升半导体产业基础能力和产业链水平，应对国际竞争的重大举措。省制造强省建设领导小组组织专家认真评估，批准长江存储公司和武汉新芯公司为主体，在全国率先创建省级创新中心。

据介绍，该中心自筹备开始，就对照国家级制造创新中心建设要求，高标准推进共性技术研发、产业综合服务、成果转化育成等三大平台建设工作，将着力推进半导体工程化技术研发，突破多晶圆堆叠等半导体行业关键共性技术，积极探索三维集成制造技术商业化应用，不断加强行业影响力和辐射带动效应，全力争创国家级创新中心。

该中心还与北京大学、清华大学等多所大学及湖北省半导体行业协会等单位，在人才培养、知识产权、产业孵化等方面开展全方位合作，共建半导体产业生态。

为助推湖北“一芯两带三区”区域和产业发展布局，国家开发银行等12家银行与长江存储公司签订相关协议，为该公司扩规模、扩产能、促发展提供资金支持。

1月7日，武汉市第十四届人民代表大会第五次会议开幕，武汉市市长周先旺作政府工作报告。

报告指出，2019年，武汉高新技术产业增加值占经济总量比重达24.5％，数字经济占比40％左右，“芯屏端网”产业规模不断壮大，五大产业基地建设全面提速，构筑起高质量发展强大支撑。

报告提出，2020年，武汉将围绕产业升级，加快实施一批“芯屏端网”重大项目，推动光谷生物创新园二期、汉江湾科创总部基地、阿里巴巴武汉产业社区等265个投资亿元以上产业项目开工。

此外，针对半导体存储器领域重大项目，政府工作报告在“2020年重点工作任务”部分还提出，确保武汉新芯二期等项目投产量产。

资料显示，武汉新芯成立于2006年，2008年建成投产，是中部地区第一条12英寸集成电路生产线。2016年，在武汉新芯的基础上，紫光集团、大基金、湖北集成电路产业投资基金、以及湖北省科投共同出资成立了长江存储，武汉新芯也成为了长江存储的全资子公司。

2018年8月28日，武汉新芯在武汉东湖高新区召开二期扩产项目现场推进会。武汉新芯表示，实施武汉新芯二期扩产项目，主要是为了抢抓物联网和5G应用为半导体领域带来的重要机遇。

武汉新芯二期扩产项目总投资17.8亿美元，将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，相当于再造一个武汉新芯。

2019年12月18日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”），宣布推出业界先进的50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供应商更快更强的性能，在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢。其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。

SOURCE：武汉新芯

XM25QWxxC系列支持SOP8和USON8封装，协助客户开发小尺寸的产品。

“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上。此外，客户可以通过宽电压功能实现更好的库存管理。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“该系列产品的发布是武汉新芯自主品牌战略的关键里程碑，未来公司也将针对持续发展的IoT市场不断开发出创新产品，以此扩展高性能存储产品组合。”