标签：氮化镓

今年以来，氮化镓(GaN)快充成为“网红”产品，受到小米、OPPO、魅族等手机厂商的“热捧”。氮化镓在消费电子领域迅速起量的同时，其应用范围也在持续扩展，正向新基建所涉及的5G、数据中心、新能源汽车等领域渗透。新基建将如何赋能氮化镓，我国企业该如何抓住氮化镓的成长契机，利用好市场窗口?

5G可率先打开商用空间

由于氮化镓具备高频率、高功率密度、损耗小等优势，射频器件成为氮化镓最有前景的应用领域之一。5G时代，氮化镓将加速渗透基站所需的射频功率放大器(PA)。

集邦咨询指出，由于硅材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等特点，RF CMOS已经不能满足要求。GaN材料凭借高频、高输出功率的优势，将逐步替代Si LDMOS，大幅运用于PA。市场研究机构指出，5G商用宏基站以64通道的大规模阵列天线为主，单基站PA需求达到192个。2019年全球GaN射频器件市场规模达到5.27亿美元，预计2023年将达到13.24亿美元。

“5G对氮化镓的需求增长是非常明显的，5G基站所需的PA，为氮化镓带来了绝佳的市场机遇。随着硅的性能开发逼近极限，氮化镓替代硅切入更大带宽、更高频率的工作场景，使氮化镓的优势能充分发挥出来，这是一个技术换代带来的市场机会。”苏州能讯高能半导体有限公司董事总经理任勉向《中国电子报》记者表示。

今年3月，工业和信息化部在《关于推动5G加快发展的通知》中指出，将适时发布部分5G毫米波频段、频率使用规划。任勉表示，毫米波基站对射频功率器件的需求，比当前的宏基站市场更为可观，将为氮化镓带来更加庞大的市场增量。

当前，我国企业已经在5G氮化镓射频功率器件有所布局。苏州能讯高能半导体已建成4英寸氮化镓芯片产线，产能达到25000片4英寸氮化镓晶圆，以迎接5G无线通信对氮化镓射频芯片的市场需求。海特高新在5G宏基站的射频GaN已实现突破，在流片工艺上，已可实现代工制造。英诺赛科、赛微电子等企业也在积极开展相关布局。

高效率特性赋能数据中心

在电力电子领域，氮化镓充电器的市场热度不减。除了追求高频率、小体积的快充市场，氮化镓在数据中心服务器电源、高端工业配电系统电源等领域也有着应用潜能。

对于数据中心，服务器运行所需的电能往往占据运营成本的“大头”,如何提升能效比成为现代数据中心的关键课题。任勉指出，相对快充等体积敏感的应用领域，服务器电源将更好地发挥氮化镓高效率、低功耗的优势。

“氮化镓最大的特点是功率转化效率高。尤其在数据中心等高能耗的使用场景下，氮化镓凭借高效率的优势，将带来显著的节能效果。”任勉说。

根据数据中心运营商GaN Systems测算，GaN器件用于从AC(交流电)到DC(直流电)的电源转换，以及转换负载的DC电源，可以将整体效率从使用硅器件的77%提高到84%，使数据中心的功率密度增加25%以上，并将单个机架的电力成本降低2300美元以上。

新能源汽车应用进入研发期

在车规级市场，同为第三代半导体的碳化硅已经实现应用，但氮化镓还处于研发阶段。

目前，用于新能源汽车的功率器件主要有三个领域：一是电机控制器，用于驱动及控制系统;二是OBC(车载充电器)，将交流电转化为可以被新能源汽车动力电池使用的直流电;三是DC-DC直流转换器，将动力电池的直流电转换为低压直流电，给仪表盘、显示屏、监控系统等车载设备供电。专家表示，以当前的技术水平来看，氮化镓用于DC-DC直流转换器这个细分领域有着较为明显的优势。

安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳向《中国电子报》记者表示，电动汽车对高效率、高功率密度有着严苛的要求。通过节约零组件对车内空间的占用，让乘坐空间更加舒适。针对高功率密度、强续航能力等需求，目前的硅功率半导体材料器件已经发展到瓶颈期。氮化镓器件的开关速度比硅MOSFET快很多，在高效率和高功率密度方面更能符合电动汽车的需求。

当前，头部厂商对车规氮化镓多处于研发阶段。安世半导体正在研发用于高压DC-DC直流转换器、OBC等车用氮化镓产品;意法半导体看好氮化镓在OBC及48V直流转换器的潜力，并于今年宣布与台积电合作，共同推进氮化镓在汽车电气化领域的应用;纳微半导体在去年路演中表示，其GaN FET相关产品和技术可用于电动汽车和混合动力车的OBC和DC-DC转换器，可以降低能量损耗并提升开关速度，使车辆实现更快的速度和更长的里程。

“车规功率器件的认证，从A Sample到B Sample到C Sample，不管是可靠性还是方案的成熟度，都需要一定的验证时间。目前氮化镓在车规领域的应用还处于初级阶段，但未来几年预计会呈现递进式的增长。”李东岳说。

GaN应用多项挑战待解

虽然氮化镓在多个新基建领域具备应用前景，但其仍处于发展初期，在技术开发、产品验证、市场渗透等方面，还有待进一步催熟和突破。

任勉指出，在5G射频领域，射频的技术壁垒比电力电子高得多。电力电子工艺主要涉及材料、器件设计、前道工艺和后道封测。但射频器件多了一个电磁波的技术维度，涉及射频电路、射频功放以及微波电子等，技术门槛更高。

在车用领域，李东岳表示，主要存在四方面的挑战：一是车用领域的功率要求波动较大，需要在所有工况下，保持器件参数的长期稳定;二是车规功率器件长期处于高振动、高湿度、高温度的工作环境，要求器件在应对热应力和机械应力的过程中有着极高的可靠性;三是车在装备的过程中，在体积重量和制造成本上都有严格的要求，功率器件必须契合汽车装备本身的需要;四是车规器件需要做到15年到20年的使用寿命，技术门槛很高。

对于我国企业该如何利用好5G等新基建领域为氮化镓带来市场机遇，集邦咨询分析师王尊民表示，在5G基站及数据中心服务器等使用场景，相关技术仍受国际大厂控制，因此我国厂商在其中参与的机会比较少。

“目前，我国厂商若要紧随新基建的发展趋势，首先要强化自身的制造与技术研发能力，例如RF通讯、电力传输的制造实力，才会逐步在相关应用领域站稳脚跟。”王尊民说。

任勉指出，面向5G等领域的需求，我国氮化镓相关企业要提前三到五年布局，进行五年左右的技术积累和三年左右的产能建设。

“市场窗口往往稍纵即逝，一旦市场格局成形，企业再想进入并获得市场主动权，就会比较困难。要提前准备技术、产能、人才，提升布局效率，抓紧时间切入。”任勉说。

6月4日，三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）发布公告称，6月3日，公司收到中国证券监督管理委员会（以下简称“中国证监会”）出具的《关于核准三安光电股份有限公司非公开发行股票的批复》（证监许可[2020]989号）文件，核准公司非公开发行不超过400,916,380股新股，发生转增股本等情形导致总股本发生变化的，可相应调整本次发行数量。

根据此前的公告，三安光电本次非公开发行募集资金总额不超过70亿元，因此，公司本次非公开发行股票的发行数量由不超过398,633,257股（含398,633,257股）调整为不超过400,916,380股（含400,916,380股）。

其中，长沙先导高芯投资合伙企业（有限合伙）拟认购金额为50亿元，拟认购股份数量由284,738,041股调整为286,368,843股；珠海格力电器股份有限公司拟认购金额为20亿元，拟认购股份数量由113,895,216股调整为114,547,537股。

据了解，三安光电本次非公开发行募集资金总额扣除发行费用后的募集资金净额拟投入半导体研发与产业化项目（一期），本次募集资金投资项目计划总投资金额约138亿元，拟使用募集资金投入金额为70亿元。

项目将建设主要包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓业务板块、砷化镓业务板块、特种封装业务板块。本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片；高端砷化镓LED外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。

其中，各业务板块具体的产能规划如下：

1、氮化镓业务板块：（1）年产氮化镓芯片769.20万片，其中：第五代显示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60万片/年、超高效节能芯片530.80万片/年、紫外（UV）芯片30.80万片/年、大功率芯片46.00万片/年；（2）PSS衬底年产923.40万片；（3）大功率激光器年产141.80万颗。

2、砷化镓业务板块：（1）年产GaAs LED芯片123.20万片，其中：第五代显示芯片（Mini/Micro LED）17.60万片/年、ITO红光芯片34.90万片/年、RS红光芯片19.10万片/年、高功率红外产品14.20万片/年、植物生长灯芯片14.40万片/年、大功率户外亮化芯片7.20万片/年、车用级芯片7.00万片/年、医疗健康芯片8.80万片/年；（2）年产太阳电池芯片40.50万片，其中：商用卫星电池13.50万片/年、临近空间装置27.00万片/年。

3、特种封装业务板块：（1）UV LED封装81.40kk/年；（2）Mini LED芯片级封装8,483.00 kk/年；（3）车用级LED封装57.80kk/年；（4）大功率LED封装63.20kk/年；（5）IR LED封装39.00kk/年。

近日，广西桂林高新区管委会与位于中国台湾的欣忆电子股份有限公司通过视频连线召开海峡两岸项目推进会，就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”。

据桂林日报报道，第三代半导体六英寸氮化镓项目一期总投资16亿元，计划用地120亩，拟将依托桂林电子科技大学科研与人才优势，在桂林国家高新区建设获利能力较强、国内外市场影响力较大的氮化镓集成电路生产线。

当前，多个半导体产业相关项目落户桂林，如桂林光芯片半导体工艺平台产业化项目、华为智能制造产业园项目、桂林军民融合电子生态产业园项目等。

如今，桂林或将再迎来一个第三代半导体产业项目。届时，桂林将借项目吸引高端技术人才引进，带动更多半导体上、下游及配套产业集聚，在桂林市乃至广西打造一个国内重要的特色集成电路产业基地。

桂林日报指出，欣忆电子股份有限公司为台商独资高新技术企业，总部设在中国台湾新竹，主要从事半导体封装测试设备的研发、生产、销售,为亚太地区半导体设备商三大厂商之一。

4月8日，华为举行P40系列国行版线上发布会。发布会上，除了发布了P40系列三款新机等，余承东带来了GaN（氮化镓）双口超级快充充电器，最大充电功率为65W，5月下旬开卖，售价为249元。

据介绍，这款华为氮化镓充电器支持Type-A和Type-C双口充电，能给手机、平台和PC充电，其中USB-C接口支持标准的PD协议，折叠插脚设计，具体细节官方尚未公布。

氮化镓技术趋于成熟，并且在USB PD快充领域的应用已经非常普遍，氮化镓技术让充电器的功率越做越大，体积却越做越小，保证了产品的便携性。

氮化镓（GaN）接连被手机厂商们“翻牌”

2019年10月，OPPO Reno Ace正式发布，标配65W超级闪充GaN充电器，这宣告了氮化镓技术正式进入手机原装充电器市场。OPPO因此成为了全球首家在手机充电器中导入氮化镓技术的厂商。

2020年2月，小米新品发布会上推出明星产品65W GaN充电器，引爆市场对GaN的关注。

2020年3月，市场有消息爆料魅族也将入局氮化镓（GaN）充电器领域，随17 5G旗舰发布一款GaN氮化镓充电器。

另外化合物半导体市场注意到，有外媒报道苹果在今年的新品发布会中，除了推出新款的iPhone外，还将可能推出一款GaN充电器，同样最高支持65W的充电速率。

而最早发布GaN充电器厂商是Anker，2018年10月，Anker发布了全球首款USB PD GaN充电器PowerPort Atom PD1，据称，该产品和苹果5W充电器差不多的体积却能输出高达27W的功率。后来，不少终端厂商盯上了GaN充电器，包括Baseus、RAVPower、UIBI、ZMI等品牌厂商均发布了氮化镓快充产品，有些品牌甚至发布了多款，更新迭代非常迅速。

据化合物半导体市场了解，在今年CES2020上，包括Anker在内的30家厂商推出了66款氮化镓快充产品。值得注意的是，较于往年，本次CES展会的氮化镓快充充电器工厂数量增加了不少，这也从侧面反映出，氮化镓快充技术走向成熟，被广大厂商认可。

2025年全球GaN快充市场规模有望达600多亿元

有数据显示，GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年约20亿美元，年均复合增速达21%；主要受益于电信基础设施5G宏基站建设、国防、快充、汽车电子、消费电子等应用推动。

虽然氮化镓增长最快的要数快充市场，但是，目前中国氮化镓功率应用市场还处于起步阶段，市场对于氮化镓的认识还不够，并且氮化镓自身的成本还太高。随着硅基氮化镓成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化镓材料的快充充电器或将成为行业的主流。

据中信证券的研报表示，GaN材料具备高功率、高频率、高导热等优势，所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。目前国内已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，2025年全球GaN快充市场规模有望达到600多亿元，同时加速GaN芯片在其他新兴领域对Si基产品的替代。

而此番华为推出氮化镓充电器，有望进一步激发市场需求。未来如果苹果也采用该项技术，氮化镓充电器的渗透率将会加速上升。

4月8日，华为举行P40系列国行版线上发布会。发布会上，除了发布了P40系列三款新机等，余承东带来了GaN（氮化镓）双口超级快充充电器，最大充电功率为65W，5月下旬开卖，售价为249元。

据介绍，这款华为氮化镓充电器支持Type-A和Type-C双口充电，能给手机、平台和PC充电，其中USB-C接口支持标准的PD协议，折叠插脚设计，具体细节官方尚未公布。

氮化镓技术趋于成熟，并且在USB PD快充领域的应用已经非常普遍，氮化镓技术让充电器的功率越做越大，体积却越做越小，保证了产品的便携性。

氮化镓（GaN）接连被手机厂商们“翻牌”

2019年10月，OPPO Reno Ace正式发布，标配65W超级闪充GaN充电器，这宣告了氮化镓技术正式进入手机原装充电器市场。OPPO因此成为了全球首家在手机充电器中导入氮化镓技术的厂商。

2020年2月，小米新品发布会上推出明星产品65W GaN充电器，引爆市场对GaN的关注。

2020年3月，市场有消息爆料魅族也将入局氮化镓（GaN）充电器领域，随17 5G旗舰发布一款GaN氮化镓充电器。

另外化合物半导体市场注意到，有外媒报道苹果在今年的新品发布会中，除了推出新款的iPhone外，还将可能推出一款GaN充电器，同样最高支持65W的充电速率。

而最早发布GaN充电器厂商是Anker，2018年10月，Anker发布了全球首款USB PD GaN充电器PowerPort Atom PD1，据称，该产品和苹果5W充电器差不多的体积却能输出高达27W的功率。后来，不少终端厂商盯上了GaN充电器，包括Baseus、RAVPower、UIBI、ZMI等品牌厂商均发布了氮化镓快充产品，有些品牌甚至发布了多款，更新迭代非常迅速。

据化合物半导体市场了解，在今年CES2020上，包括Anker在内的30家厂商推出了66款氮化镓快充产品。值得注意的是，较于往年，本次CES展会的氮化镓快充充电器工厂数量增加了不少，这也从侧面反映出，氮化镓快充技术走向成熟，被广大厂商认可。

2025年全球GaN快充市场规模有望达600多亿元

有数据显示，GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年约20亿美元，年均复合增速达21%；主要受益于电信基础设施5G宏基站建设、国防、快充、汽车电子、消费电子等应用推动。

虽然氮化镓增长最快的要数快充市场，但是，目前中国氮化镓功率应用市场还处于起步阶段，市场对于氮化镓的认识还不够，并且氮化镓自身的成本还太高。随着硅基氮化镓成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化镓材料的快充充电器或将成为行业的主流。

据中信证券的研报表示，GaN材料具备高功率、高频率、高导热等优势，所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。目前国内已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，2025年全球GaN快充市场规模有望达到600多亿元，同时加速GaN芯片在其他新兴领域对Si基产品的替代。

而此番华为推出氮化镓充电器，有望进一步激发市场需求。未来如果苹果也采用该项技术，氮化镓充电器的渗透率将会加速上升。

在1月17日至2月27日这一个多月的时间里，湖北小米长江产业基金合伙企业(有限合伙) （下称“小米产业基金”）投资（包括股权融资和战略融资）了八家半导体公司。自成立手机处理器研发公司至今的第五个年头，小米在半导体的投资策略反而更加激进，折射出哪些发展重点？

加码半导体投资

小米产业基金由小米科技、湖北省长江经济带产业引导基金合伙企业于2017年发起设立，目标规模120亿元，用于支持小米及小米生态链企业的业务拓展。2月20日，小米创始人雷军称小米产业基金支持“硬核科技”，将智能制造、工业机器人、先进装备和半导体作为关注重点。

今年1月，小米产业基金入股了四家半导体相关公司，涉及材料、IC设计、IC制造等领域。1月17日，小米投资了模拟IC供应商帝奥微电子，小米产业基金成为新增股东。1月21日，小米产业基金入股射频芯片开发商芯百特微电子、电机驱动控制芯片研发设计公司峰岹科技，以及石墨烯应用开发商墨睿科技。

2月下旬，小米产业基金又投资了四家半导体相关公司。先于2月20日领投Wi-Fi6芯片设计公司速通半导体的A轮融资；又于2月24日投资并入股翱捷科技，该公司生产终端、物联网、数据通信等领域的电子芯片，第一大股东为阿里巴巴；同样在24日，小米产业基金投资了射频前端芯片及SoC供应商昂瑞微电子，并于2月27日投资MCU开发商灵动微电子。  

折射哪些发展重点

小米产业基金所投企业的主营业务中，石墨烯、WiFi6不仅是小米近期产品发布的热点，也是手机头部厂商的关注重点。而射频、MCU等则完善了小米的AIoT布局。

耐高温、导热性强的石墨烯，已经引起小米、华为、三星等手机厂商的关注。小米10的散热系统采用液冷、石墨烯、石墨等设计，利用石墨烯覆盖处理器等核心器件。此前华为中央研究院瓦特实验室曾推出业界首个高温长寿命石墨烯助力的锂离子电池。三星也研发出融合石墨烯材料的锂电池，在60°高温下仍可稳定运行。在宣布投资墨睿科技之后，小米产业投资部合伙人孙昌旭表示，化学法生产的石墨烯应用领域十分广阔，除了新一代的纯石墨烯散热外，还是新一代半导体、电池及医用材料。

作为5G时代的另一大无线通信机制，WiFi6以其9.6Gbps的最大吞吐能力得到终端及芯片厂商的重视。小米近期推出了首款WiFi6路由器，搭载高通6核企业级专业芯片，新机小米10、小米10 Pro均支持WiFi6。此前，高通推出了首款支持WiFi6和蓝牙5.1的QCA6390芯片，三星、苹果也推出了支持WiFi6的手机。IDC中国企业级网络产品研究部分析师郭越表示，WiFi6正处于导入期与高速增长期，将在2020年进入增长元年。据悉，速通半导体将利用小米产业基金领投的A轮融资，进一步投入研发和量产基于WiFi6的SoC产品。

对于翱捷、芯百特、昂瑞微电子、灵动微电子的投融资，则是小米对5G时代AIoT布局的进一步完善。雷军在2019年表示，小米将于未来5年在AIoT领域持续投入超过100亿元。

综合来看，小米的投资入股具有完善产品线布局、追求财务回报、跟随产业热点等考量。

在产业布局方面，行业分析师陈跃楠向记者表示，射频、数据通信芯片是未来5G、6G的主要芯片产品之一，WiFi6、模拟IC、石墨烯、MCU会在智能家居、智能驾驶等领域发挥作用，与小米的手机、AIoT等主要赛道十分契合。小米的一系列投资动作有助于丰富产品体系，提升话语权和议价能力，完善对已有和即将进入领域的布局。

在财务方面，Garner研究副总裁盛陵海向记者指出，小米的投资与财务回报及产业热点息息相关。一方面小米的投资紧跟产业热点，另一方面对于产品发展方向较为明确的企业，在市场对于半导体十分关注的情况下，会给公司带来更好的财务回报。

卡位AIoT 布局前沿

与华为、三星、苹果等注重处理器自研的手机厂商一样，小米也在手机处理器自研早有布局，并根据企业战略的变化，发展出AIoT芯片研发的茁壮“分支”。

2019年之前，小米自研的重点是手机核心处理器，与小米将手机作为业务核心的策略一致。2014年，小米成立芯片公司松果电子，并于2017年发布澎湃S1芯片，首发机型为小米5C。2018年，赫星科技发布了搭载澎湃SoC芯片的Herelink数图传遥控一体机。松果电子表示，澎湃SoC芯片已应用于百万级手机产品。

随着小米创始人雷军宣布将 “手机+AIoT”双引擎作为小米的核心战略，小米的半导体自研业务也随之重组。2019年4月，小米将松果电子部分团队分拆组建为新公司南京大鱼半导体，松果电子继续聚焦智能手机SoC的开发，大鱼则专注于AI和IoT芯片与解决方案。同年5月，大鱼半导体携手阿里巴巴平头哥推出全球首颗内置 GPS /北斗的NB-IoT双模芯片大鱼U1，面向智慧城市、智能建筑等物联网领域。同年11月，小米发布2019年第三季度财报，财报显示小米智能手机收入达322.68亿元，同比减少7.8%。与此同时，IoT和生活服务产品收入同比增长44%，达到156.06亿美元，达到了智能手机收入的48%。也是在这个月，大鱼半导体完成了A轮融资。

小米在半导体的投资版图，也突出了AIoT布局。除了今年在AIoT相关的芯片、射频领域的投资，2019年小米还入股了为移动互联设备、IoT、数据中心等提供SoC、SiP及IP服务的芯原微电子，无线音频系统级芯片提供商恒玄科技，并投资了为物联网智能硬件提供核心芯片的安凯微电子。

值得一提的是，小米也对半导体领域的新架构、新材料也有所着墨。松果电子曾于2018年宣布携手阿里巴巴旗下中天微，联合推动RISC-V CPU的商用进程。2019年，小米生态链企业华米科技推出首款基于RISC-V开源指令集的智能可穿戴芯片——“黄山1号”，预计2020年量产“黄山2号”。在新材料方面，小米也投资了第三代半导体材料氮化镓相关企业，并推出了氮化镓充电器。为小米氮化镓充电器提供功率IC的纳微半导体表示，小米早前已通过资金注入，确立产业链上下游合作，兼顾投资和业务的双重收益，帮助纳微半导体拓宽销售渠道。盛陵海向记者表示，小米对于前沿领域的布局，将有利于打造产品卖点并提升差异化程度。

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。

据意法半导体介绍，Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变，研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。

双方的交易条款没有对外公布，等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。据披露，现已签署的并购协议还规定，在多数股权收购交易完成24个月后，意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。

意法半导体表示，Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。

意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery称，收购Exagan的多数股权是对意法半导体目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。

据了解，2018年意法半导体宣布与CEA Tech旗下研究所Leti合作研发硅基氮化镓功率切换元件制造技术。前不久，意法半导体宣布与台积电携手合作加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。

意法半导体汽车产品和分立器件部总裁Marco Monti曾指出，意法半导体在氮化镓制程技术的加速开发与交付看到了庞大的商机，将功率氮化镓及氮化镓集成电路产品导入市场。

嘉兴南湖区政府网信息显示，3月3日南湖区举行一季度重大项目集中开竣工活动，参加本次集中开竣工活动的项目共54个，总投资达219.96亿元。活动主会场开工仪式设在嘉兴科技城的浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目现场。

活动现场，博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目举行开工仪式，该项目是中国第三代半导体材料示范项目，也是嘉兴南湖微电子产业平台2020年引进的标志性项目。项目总投资25亿元，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司将引进6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线设备，项目全部达产后可实现年销售30亿元以上，年税收6600万元以上。

据报道，该项目将分两期实施，其中一期建筑面积5万平方米，建设6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线，设计月产能为1000片氮化镓射频晶圆；二期建筑面积3.9万平方米，建设6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线和外延片生产线，设计月产能为3000片氮化镓射频晶圆、月产能20000片氮化镓功率晶圆。

浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司董事长张博表示，该项目预期在明年二季度就能达成试产，明年可以批量生产。

11月7日，氮化镓（GaN）射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。区委书记、嘉兴科技城党工委书记朱苗，嘉兴科技城管委会副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司负责人出席签约仪式。

该项目将新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地，总投资25亿元，占地110亩。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上，年税收7000万元以上。GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性，能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。

该项目的引进是嘉兴科技城深入实施全面融入长三角一体化发展首位战略的成果之一，将进一步推动南湖区集成电路新一代半导体产业的高质量发展，加速区块链产业创新成长。

凭借在产业领域的投资布局、顶级的专家团队以及广大的市场应用，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司通过打造射频功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的业务板块，实现了初具生态链格局、互为契合应用的产业版图，建立起拥有自主知识产权并在全球范围内具有代表性的化合物半导体材料制造产业化生产，使之成为具有世界影响力的中国第三代半导体芯片产业示范标杆。

耐威科技正在进一步布局第三代半导体产业链。

11月6日，耐威科技发布公告称，其与青岛西海岸新区管委签署协议，拟在青岛西海岸新区投资建设氮化镓（GaN）晶圆制造项目。

投建氮化镓（GaN）晶圆制造项目

公告显示，耐威科技与与青岛西海岸新区管委签署《合作框架协议》，双方根据国家有关法律法规及青岛西海岸新区发展规划，本着共同发展、互利共赢的原则，经友好协商，就耐威科技拟在新区投资建设氮化镓（GaN）晶圆制造项目初步达成意向。

该项目拟建设一条6英寸氮化镓微波器件生产线和一条 8英寸氮化镓功率器件生产线；项目总建筑面积约20.40万平米，其中厂房与办公建筑面积约18.00万平米，宿舍面积约2.40万平米。项目建成后，将有助于青岛形成氮化镓（GaN）基础材料全产业链基地及产业集群。

此次签订的协议不涉及具体金额，至于项目资金，公告表示项目一期投资由耐威科技联合有关产业投资基金共同出资不少于50%；其余资金由青岛西海岸新区管委协调安排相关国有企业以土地厂房出资或直接投资方式解决，具体合作方式耐威科技与相关国有企业另行约定。

据介绍，青岛西海岸新区管委为青岛西海岸新区的行政主管单位，青岛西海岸新区是国务院批准的第9个国家级新区，处于山东半岛蓝色经济区和环渤海经济圈内，具有辐射内陆、联通南北、面向太平洋的战略区位优势。

公告指出，本协议是双方合作的框架协议，自协议签署之日起有效期三个月，具体合作模式及内容以双方另行签署的合同约定为准。

第三代半导体领域全产业链布局

氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表之一。与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点，可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

由于性能优越等原因，许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划，抢占战略制高点。近年来，我国多地及不少企业正在加速布局，耐威科技也于去年正式涉足第三代半导体领域。

2018年7月，耐威科技在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；2018 年6月，耐威科技在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司”（以下简称“聚能晶源”），主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。

目前，耐威科技在第三代半导体的布局已有阶段性成果。2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”；今年9月，聚能晶源宣布其第三代半导体材料制造项目（一期）正式投产。

这次拟在青岛西海岸新区再投建氮化镓（GaN）晶圆制造项目，耐威科技表示，若项目顺利建成，将有利于公司在第三代半导体领域的全产业链布局，把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料与器件在5G通信、物联网、数据中心、新型电源等领域的推广应用。

11月27日，集邦咨询旗下DRAMeXchange将在深圳主办“2020存储产业趋势峰会”。