盘锦日报社报道，近日，辽宁百思特达半导体科技有限公司投资的氮化镓项目落户盘锦高新区。
该项目计划占地440亩，总投资15亿元，以氮化镓半导体材料为主，相关配套辅助产业为辅，并在盘锦建立新材料闭环产业园。项目计划于11月前动工建设，2021年6月前竣工投产。投产后两年内销售产值每年不少于4亿元，年上缴税金不少于2000万元。
近年来，兴隆台区一直注重于新兴产业的发展，在国内外寻求引进电子信息等企业进入兴隆台区，从而形成以中蓝电子为领军的新兴产业集群。辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目的落户、盘锦新材料闭环产业园的建立，为兴隆台区域战略新兴产业布局落下了重要一子。
资料显示辽宁百思特达半导体科技有限公司是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业。公司主要生产销售LED全产业链产品，技术水平国内先进。此次投资主要从事高亮度及超高亮度发光二极管LED外延片及芯片研发、设计、生产、销售生产活动。
9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，公司控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已达到投产条件，于2019年9月10日正式投产。聚能晶源于同日举办了“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。
国家企业信用信息公示系统显示，聚能晶源成立于2018年6月，注册资本5000万元，由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业，其中耐威科技持股40%，青岛海丝民和持股24%，袁理持股20%，青岛民芯持股16%。主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发和生产。
根据耐威科技此前公告，聚能晶源预计本项目投资总额不少于约2亿元人民币：2018年年底前投资总额不低于5000万元人民币，2020年底前投资总额不低于1.5亿元人民币。未来产品线将覆盖功率与微波器件应用，打造世界级氮化镓（GaN）材料公司，项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓（GaN）外延片，以及面向微波器件应用的氮化镓（GaN）外延片等。
耐威科技指出，聚能晶源项目已投资5,200万元人民币，项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆，既可生产提供标准结构的GaN外延晶圆，也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆，项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开拓第三代半导体材料市场，同时有利于公司GaN功率与微波器件设计开发业务的发展，最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。据了解，聚能晶源项目已经被评为青岛市重点项目。
耐威科技董事长杨云春介绍，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。
9月10日，聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区公司厂区举行。据天眼查显示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事长杨云春也是聚能晶源董事长。
耐威科技业务板块有三，分别是MEMS、导航、航空电子，另外，公司也在布局第三代半导体、无人系统等潜力业务。而此次投产的聚能晶源，就是公司布局的第三代半导体业务。
杨云春现场表示，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。
杨云春称，耐威科技希望能以此为契机，积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇，在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心，继续为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。
盛世投资管理合伙人刘新玉介绍，第三代半导体材料具备独特性能，在半导体产业的国产替代进程中具有重要的战略意义，作为股东与战略合作伙伴，很高兴见到耐威科技在青岛即墨投资落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料项目能够迅速建成投产，希望该项目今后能够为产业发展、为地区经济发展做出贡献。
聚能晶源总经理袁理博士正式发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品，并对项目及产品做了相关介绍。
聚能晶源此次发布的相关产品包括8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆，可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。
聚能晶源项目掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域，产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时，聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域，开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外，聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线，满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。
以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性，根据标准TDDB测试方法，其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方小时，处于国际业界领先水平。
兴业证券一名通信行业分析师告诉证券时报.e公司，作为第三代半导体材料，与前两代相比，氮化镓具有诸多优势，应用前景较广。
聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业。项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆。
日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
· 东莞市中稼半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
· 东莞市中晶半导体科技有限公司
东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。
· 苏州纳维科技有限公司
苏州纳维科技有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍，目前纳维科技GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
· 镓特半导体科技（上海）有限公司
镓特半导体科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
· 苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
· 聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
· 北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
· 聚力成半导体（重庆）有限公司
聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜科技有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜科技有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
· 成都海威华芯科技有限公司
成都海威华芯科技有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
· 厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
· 华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
· 杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
· 苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。
· 江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
· 英诺赛科（珠海）科技有限公司
英诺赛科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
· 大连芯冠科技有限公司
大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
官网介绍称，芯冠科技已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
· 江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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8月24日，中关村第三代半导体产业政策发布会召开。据悉，为促进第三代半导体等产业在中关村顺义园聚集发展，中关村和顺义区将在企业研发创新、成果转化和产业化等方面提供资金支持。其中，中关村管委会上限支持额度为5000万元，而顺义区的支持额度不设上限。
今天，中关村科技园区、顺义区人民政府联合制定的《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》（以下简称“《若干措施》”）正式发布。据中关村管理委员会党主任翟立新介绍，第三代半导体产业发展水平是一个国家现代经济与高科技力量的重要象征，也是当前世界各国科技竞争的焦点之一。但是，第三代半导体产业的发展需要高强度、持续资金投入，且经济见效慢，这就要求地方政府要能够把握产业发展规律，给予支持。出台《若干措施》的目的就是促进第三代半导体等前沿半导体产业在中关村顺义园集聚发展。
《若干措施》的资金支持范围覆盖全产业链。例如，针对企业开展新型半导体器件的设计和研发，对上一年度实际发生费用，按照不超过30%的比例，给予最高不超过2000万元的资金支持；在成果转化环节，对上一年度开展特定零部件采购、原材料和设备购置等实际支出，也按照不超过30%的比例，给予最高不超过2000万元的资金支持。
此外，《若干措施》围绕第三代半导体等前沿半导体产业的突出需求，解决企业在研发、生产、公共设施配套、市场推广等环节的关键问题。比如，支持海外顶尖科技人员或国内院士研发团队在中关村顺义园建立研发机构和院士专家工作站，每年给予最高不超过1000万元的资金支持，并为高科技人才安排配套公租房，提供住房补贴。
砷化镓(GaAs)及氮化镓(GaN)晶圆代工龙头稳懋公告2019年第二季营收情形，营收金额来到1.41亿美元。第二季营收相较于第一季成长20.2%，而年增(减)率情形持续受到中美贸易摩擦影响，小幅衰退6.9%；然而该事件影响幅度已有逐渐趋缓迹象，预估2019年第三季营收可望优于第二季表现，对比第二季营收有机会再成长30%左右。
5G通讯设备及基地台需求带动下，稳懋营收已较2019年第一季明显回升
由于受到中美贸易战拖累影响，砷化镓及氮化镓晶圆代工龙头大厂稳懋营收自2018年第三季开始明显遭遇到波及，相较2017年同期逐步出现衰退9.2%，甚至2018年第四季及2019年第一季相比于同期，下滑幅度更为显著，分别为-25.8%与-23.3%。
在全球大环境充满不确定及消费性商品需求疲软之际，2019年第二季，稳懋受惠于5G在通讯相关设备与基地台设备部分营收相对抗跌，甚至出现逆势成长。
GaN元件对于5G基地台需求加持，稳懋将逐渐摆脱中美贸易战阴霾
凭借5G基础建设发展，基地台相关设备中的功率放大器(Power Amplifier，PA)逐渐受到关注。由于基地台讯号传递距离及使用功率考量，相较于手机使用的PA元件(GaAs pHEMT)有所不同，基地台PA元件更需转换为可使用在更高频、大功率之GaN HEMT元件为主，藉此提升基地台设备之效能与耐用度。
若进一步分析GaN on Si元件之基地台设备产业链(如下图所示)，主要以Si基板供应商、GaN磊晶厂、制造代工厂与封测代工厂等为主，其中GaN制造代工厂的制程质量，将决定PA等基地台设备元件的功能表现。
由稳懋营收情形可知，基地台设备部分一直以来对于整体营收占比愈趋显著，从原先2017年第四季的低点12%，逐渐成长至2019年第二季29%。
再以整体营收来看，可发现随着时间季度推进，稳懋基地台设备产值更有逐季提升趋势，甚至2019年第二季已达到高点4千1百万美元，推升该季营收表现，因此虽受中美贸易战影响，但现阶段5G通讯设备发展与布局仍持续进行中，对于稳懋GaN元件于基地台设备的使用与建置上，其营收方面将逐渐摆脱中美摩擦阴霾。
