稳懋:产能满载 第4季进机台扩产14%

稳懋:产能满载 第4季进机台扩产14%

砷化镓厂稳懋总经理陈国桦昨天表示,目前产能已满载,预计第4季进机台扩产,明年产能将扩增5000片,扩产幅度约14%。

陈国桦说,今年是5G元年,预期明年5G手机将达2亿支规模,后年可望进一步扩增,对化合物半导体有利;此外,化合物半导体还可应用于自动驾驶、增强现实(AR)与虚拟现实(VR)等,将与生活密不可分。

陈国桦受访时表示,稳懋目前产能已满载,预计第4季进机台扩产,明年第2季新产能将陆续开出,产能将自3.6万片扩增至4.1万片,扩产幅度约14%。

第3季为稳懋往年营运最高峰,第4季业绩通常较第3季下滑10%至20%,陈国桦说,目前接单畅旺,今年第4季营运表现应该还可以,下滑幅度应可小于往年水准。

湖南时变半导体山产基地设备完成安装调试

湖南时变半导体山产基地设备完成安装调试

据湖南湘潭高新技术产业开发区管理委员会消息,时变通讯位于湘潭高新区的芯片生产基地设备安装调试已完成,并于今年上半年正式投产达效。

时变半导体项目由湖南时变通讯科技有限公司投资建设,项目总投资15亿元,分两期开发建设。一期建筑面积13000平方米,内含1500平方米的洁净室,预计今年年底完工并正式投产;二期工程建成后可实现就业1000余人,预计每年将生产约7万片6寸砷化镓晶圆和约10亿只手机终端专用的可编程宽带滤波器和双工器。

该项目于2017年8月25日开工,据湖南日报此前报道,时变通讯开发的数字(微感)雷达是一种能够侦测和感应到人类动作和手势的新型人机交互技术,该技术能够替代多种无线遥控器、电脑鼠标、激光笔,相较于图像识别技术,微感雷达反应时间为微秒级,识别率接近100%。

时变通讯是一家致力于打造未来射频和无线通讯系统的高新技术企业,总部位于湖南省湘潭国家高新区,它的重要产品是5G不可缺少的频率可调、带宽可变的芯片级滤波器、双工器以及环行器。

5G通讯带动需求 GaAs代工龙头稳懋营收有望逐步回温

5G通讯带动需求 GaAs代工龙头稳懋营收有望逐步回温

砷化镓(GaAs)及氮化镓(GaN)晶圆代工龙头稳懋公告2019年第二季营收情形,营收金额来到1.41亿美元。第二季营收相较于第一季成长20.2%,而年增(减)率情形持续受到中美贸易摩擦影响,小幅衰退6.9%;然而该事件影响幅度已有逐渐趋缓迹象,预估2019年第三季营收可望优于第二季表现,对比第二季营收有机会再成长30%左右。

5G通讯设备及基地台需求带动下,稳懋营收已较2019年第一季明显回升

由于受到中美贸易战拖累影响,砷化镓及氮化镓晶圆代工龙头大厂稳懋营收自2018年第三季开始明显遭遇到波及,相较2017年同期逐步出现衰退9.2%,甚至2018年第四季及2019年第一季相比于同期,下滑幅度更为显著,分别为-25.8%与-23.3%。

在全球大环境充满不确定及消费性商品需求疲软之际,2019年第二季,稳懋受惠于5G在通讯相关设备与基地台设备部分营收相对抗跌,甚至出现逆势成长。

GaN元件对于5G基地台需求加持,稳懋将逐渐摆脱中美贸易战阴霾

凭借5G基础建设发展,基地台相关设备中的功率放大器(Power Amplifier,PA)逐渐受到关注。由于基地台讯号传递距离及使用功率考量,相较于手机使用的PA元件(GaAs pHEMT)有所不同,基地台PA元件更需转换为可使用在更高频、大功率之GaN HEMT元件为主,藉此提升基地台设备之效能与耐用度。

 

若进一步分析GaN on Si元件之基地台设备产业链(如下图所示),主要以Si基板供应商、GaN磊晶厂、制造代工厂与封测代工厂等为主,其中GaN制造代工厂的制程质量,将决定PA等基地台设备元件的功能表现。
 
由稳懋营收情形可知,基地台设备部分一直以来对于整体营收占比愈趋显著,从原先2017年第四季的低点12%,逐渐成长至2019年第二季29%。

再以整体营收来看,可发现随着时间季度推进,稳懋基地台设备产值更有逐季提升趋势,甚至2019年第二季已达到高点4千1百万美元,推升该季营收表现,因此虽受中美贸易战影响,但现阶段5G通讯设备发展与布局仍持续进行中,对于稳懋GaN元件于基地台设备的使用与建置上,其营收方面将逐渐摆脱中美摩擦阴霾。

总投资60亿元  砷化镓集成电路项目落户嘉兴

总投资60亿元 砷化镓集成电路项目落户嘉兴

日前,在首届“南湖之春”国际经贸洽谈会上,南湖区签约45个项目,总投资超200亿元,其中包括砷化镓集成电路项目。

报道称,这次嘉兴科技城签约引进的砷化镓集成电路项目是由嘉颐微电子和美国Duet Microelectronics投资,主要从事半导体微波集成电路和垂直腔面激光发射器研发制造,总投资60亿元,用地100亩,预计年产值80亿元、年税收4亿元以上。

据了解,该项目是这次活动会签约额最大的项目,是南湖区根据产业导向,大力发展数字经济、招大引强的又一代表。今年1月,总投资110亿元、年产480万片中晶大硅片项目落户南湖区,如今已开工建设。

资料显示,该项目的投资合作方Duet Microelectronics是一家射频半导体解决方案提供商,另一投资方嘉颐微电子则暂未显示更多的信息。

砷化镓是化合物半导体主流产品之一,主要应用于微电子领域和光电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。目前国内砷化镓行业生产企业较少、产量不高,且大多以低端产品为主,该项目的签约落地,有望加速国内砷化镓发展进程。

中芯宁波与宜确半导体联合宣布首次实现砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成

中芯宁波与宜确半导体联合宣布首次实现砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成

2019年1月30日,采用中芯集成电路(宁波)有限公司(以下简称“中芯宁波”)特有的晶圆级微系统集成技术(uWLSI®),中芯宁波和宜确半导体(苏州)有限公司(以下简称“宜确”)联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组。宜确也首次展示了封装尺寸仅为2.5×1.5×0.25立方毫米的射频前端模组,这也是目前业界最紧凑的射频前端器件;其第一个系列的产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产,主要面向4G和5G智能手机市场,满足其对射频前端模组进一步微型化的需求。

“uWLSI®是一个先进的晶圆制造技术平台,不仅助力宜确的砷化镓pHEMT射频前端模组产品实现出众的微型化,而且显著提高其核心组件间互连的射频特性。”宜确表示:“这一关键性的晶圆级制造和系统测试技术,也有助于进一步简化芯片设计和制造流程。”

uWLSI®为中芯宁波的注册商标,意指“晶圆级微系统集成”;它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆制造技术,尤其适用于实现多个异质芯片的晶圆级系统集成以及晶圆级系统测试,同时也消除了在传统的系统封装中所需的凸块和倒装焊工艺流程。

中芯宁波表示:“中芯宁波所开发的uWLSI®技术平台,正是为了满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成的迫切需求。uWLSI®技术不仅能够支持多种射频核心组件(包括砷化镓或氮化镓功放器件、射频滤波器、集成被动器件)的晶圆级异质微系统集成,支持下一代高性能、超紧凑的射频前端模组产品的要求,还将针对更广泛的系统芯片应用,成为一种新的有竞争力的微系统集成方案,包括微控制器、物联网和传感器融合。”

中芯宁波是一家特种工艺半导体制造公司,由中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(SMIC)、中国集成电路产业投资基金以及其它集成电路产业基金共同投资。公司总部位于中国浙江省宁波市,拥有自己的特种工艺半导体晶圆制造工厂,为全球集成电路和系统客户提供高压模拟、射频前端以及光电系统集成领域的专业晶圆制造和产品设计服务。

宜确半导体是一家位于中国苏州的高科技企业。该公司不仅拥有开关、功率放大器和滤波器等高性能、高性价比的射频前端集成电路产品,而且能够提供创新的微波和毫米波无线通信专用集成电路和系统解决方案。