7月1日，北京证监局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作的总结报告。
资料显示，天科合达于2019年12月6日与国开证券签署上市辅导协议，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。总结报告指出，本次辅导工作已完成，辅导机构认为天科合达符合中国证监会和上海证券交易所对科创板拟上市公司的各项要求或规定，达到了辅导工作的预期效果，具备在科创板发行上市的基本条件。
根据官网介绍，天科合达成立于2006年9月，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的企业，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地
在此之前，天科合达曾于2017年4月在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌，数月后开启了IPO征程，随着上市辅导完成，天科合达的科创板上市之路又迈出一步。
据济南日报报道，总投资60亿元的富能功率半导体项目预计今年6月建成，年底实现投片生产。
据济南市人民政府办公厅发布2020年度市级重点项目名单，富能功率半导体项目规划建设月产10万片的两座8英寸厂及一座月产5万片的12英寸厂，一期总投资金额约人民币60亿元，主要建设月产3万片的8英寸硅基功率元件产能和月产1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件产能，应用领域包括消费、工业、电网以及新能源车等。项目投产后预计年产量48万片，年产值可达36亿元。
据此前公开消息，该项目计划2020年底实现量产，2022年满产。资料显示，该项目由济南产业发展投资集团、高新控股集团、富杰基金及富能技术团队共同参与实施，是济南高新区加强电子信息产业补链强链引入的重点项目。
据济南网报道，来五年，富能将从高端硅和碳化硅等产品切入市场，有效实现进口替代，五年后年营业额达100亿人民币，力争在10年内达到国际一流半导体生产企业水平。
近日，郑州航空港实验区管委会、中国航天科技集团第九研究院第七七一研究所、达维多企业管理有限公司签订战略合作协议。
根据协议，三方拟合作建设半导体生产制造及封装基地项目。郑州航空港区发布微信号指出，该项目将在航空港实验区建设第三代化合物半导体SiC生产线、高可靠集成电路封装生产线、工业模块电源生产线，打造集IC设计、芯片制造、先进封装为一体的产业生态体系。
这是航空港实验区在集成电路领域继单晶硅片、先进靶材、晶圆先进切割设备等项目的基础上的又一重大突破，标志着实验区集成电路产业实现全产业链布局，产业生态逐步形成。
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所，始建于1965年10月，主要从事计算机、半导体集成电路、混合集成三大专业的研制开发、批产配套、检测经营，是国家唯一集计算机、半导体集成电路和混合集成科研生产为一体的大型专业研究所，全球IT百强“中兴通讯”的创办单位，是我国航天微电子和计算机的先驱和主力军。
据中央纪委国家监委网站指出，目前中国电科（山西）碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，为客户提供小批量的产品试用，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。
今年3月，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地在山西转型综合改革示范区正式投产，第一批设备正式启动。基地一期项目可容纳600台碳化硅单晶生长炉，项目建成后将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力，是目前国内最大的碳化硅材料产业基地。这一基地的启动，将彻底打破国外对我国碳化硅封锁的局面，实现碳化硅的完全自主供应。
目前国际上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原来国内实验室生产的碳化硅晶片的合格率仅有30%。但在碳化硅产业基地，这个合格率可以达到65%。
中电科总经理李斌介绍，现在我们在实现迅速研发的同时也进一步开展量产，三年内整个项目要达到18万片每年的产能。另外，我们目前在进行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我们能有8英寸的样片出来。因为晶片是整个碳化硅产业链的上游，要走到器件研究的前面。
起碳化硅晶片，大家也许会觉得很陌生。但在我们熟知的电动汽车和5G通信中，它却发挥着举足轻重的作用。5G之所以速度快，是因为它有一颗非常强大的心脏，这个心脏依赖的就是一片薄如纸的碳化硅晶片。虽然从外表看只是个小圆片，但作为目前全球最先进的第三代半导体材料，碳化硅晶片具有其他材料不具备的诸多优点，是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底。除电动汽车、5G通信外，在国防、航空航天等领域，碳化硅晶片也有着广阔的应用前景，它的研究和应用极具战略意义，有着不可替代的优势，被视作国家新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。5月12日，习近平总书记来到山西转型综合改革示范区政务服务中心改革创新展厅，了解示范区改革创新发展情况。位于示范区内的中国电科（山西）碳化硅材料产业基地，就是全国最大生产规模的碳化硅生产基地。
从长期依赖进口、被国外“卡脖子”，到掌握批量生产技术、实现完全自主供应，近年来，中国的碳化硅研制与生产成效卓著。这小小的晶片里蕴含着哪些创新技术？研发制造过程中又运用了哪些高超工艺？让我们一探究竟。
① 晶片有什么用途？
每生产一辆电动汽车，至少要消耗一片碳化硅
厚度0.5毫米，约为5张A4纸的厚度；直径4英寸或6英寸，和一张CD光盘差不多。这样一个薄薄的圆片，就是碳化硅晶片。而就是这样一个薄片，市场售价却在2000美元左右，还经常是“一片难求”。
碳化硅晶片为何这么抢手？这还要从碳化硅这一材料说起。
碳化硅材料作为成熟的第三代半导体材料，具有耐高温、大功率、高频等天然优势，在新能源汽车、智能电网、轨道交通、工业电机、5G通信等领域展现出极大的应用潜力，在许多战略行业都有重要应用价值。与普通硅相比，碳化硅器件的耐压性是同等硅器件的10倍。同时，碳化硅材料对电力的能耗极低，是一种理想的节能材料。如果按照年产40万片碳化硅晶片算，仅仅应用在照明领域，每年减耗的电能就相当于节省2600万吨标准煤。
记者了解到，目前，碳化硅制成的晶片主要应用在两个方面。一个是作为衬底用于制作射频器件，比如今年政府工作报告提到的新基建中的5G基站建设、城际高速铁路、新能源汽车充电桩等。就5G基站建设来说，5G之所以传输速度快，是因为它有强大的5G芯片。而碳化硅晶片，就是5G芯片最理想的衬底。“现在咱们家里边也有5G的一些小路由器，但它只是在室内，辐射距离很短，5G基站的辐射范围至少要达到几公里。这么高的功率，用碳化硅替代硅做射频器件，就可以让设备的体积做得更小，还能降低能量损耗、增加设备在恶劣环境下的可靠性。”山西碳化硅生产企业——中国电子科技集团公司（以下简称中电科）技术总监魏汝省介绍道。
碳化硅晶片的另一个作用是用于制造电力电子器件，比如三极管，主要的应用领域是电动汽车。魏汝省表示：“目前，电动汽车的续航还是个问题。如果用上碳化硅晶片的话，就能在电池不变的情况下，使汽车的续航力增加10%左右。虽然碳化硅在电动汽车上的应用才刚刚起步，尚在开发中，但每生产一辆电动汽车，至少要消耗一片碳化硅，所以发展前景广阔。”
除了功能强大，碳化硅晶片之所以如此珍贵的另一个更为重要的原因，是碳化硅器件对工艺要求很高。其中，高稳定性的长晶工艺技术是其核心，原来只有美国等少数发达国家掌握，全球也仅有极少数企业能商业化量产。我国的碳化硅晶体研究起步较晚，20世纪90年代末才刚刚开始。但近年来，我国在碳化硅晶片领域奋力追赶，从基本原理研究和基础实验做起，逐渐掌握了碳化硅晶片技术，一步一步，从实验室走向了产业化。2018年，中电科二所历经11年艰苦攻关，在国内率先完成4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料的工程化和6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的研发，一举突破国外对我国碳化硅晶体生长技术的长期封锁。如今，国内已经实现了6英寸碳化硅晶片和外延片的研制，晶体质量接近国际水平。
② 晶片制造难在哪里？
晶体中连头发丝几十分之一细的微管都不能有
“碳化硅具有十分稳定的特性，所以在一些恶劣环境下仍可稳定工作。也正是因为稳定的化学键，碳化硅生产的技术门槛非常高。”谈起碳化硅晶片研制之难，中国科学院半导体研究所副所长张韵列举了以下几个方面，“碳化硅晶锭生长条件苛刻，需要高温（~2600℃）和高压（>350MPa）生长环境；晶体生长速度缓慢，产能有限，质量也相对不稳定；受到晶片生长炉尺寸限制，束缚了晶锭尺寸；碳化硅属于硬脆材料，硬度仅次于金刚石，切割难度大，研磨精度难控制。”
要想生产出高质量的碳化硅晶片，必须攻克这些技术难关。“咱们国内就射频器件方面一年就有10万片的需求量，国外又对此类产品封锁禁运，核心技术花钱是买不来的，只有自力更生，才能彻底解决被‘卡脖子’的问题。”中电科总经理李斌向记者介绍了碳化硅晶片的复杂生产过程，“把高纯度的碳化硅粉料放到长晶炉里加热到2000多摄氏度，让颗粒直接汽化，再控制它重新结晶，长成一个直径为4英寸或6英寸的圆饼状晶锭。之后，我们用很多根直径仅0.18微米的金刚石线，同时切下去，把晶锭切成一片一片的圆片。每一片圆片再放到研磨设备里，把两边磨平，最后进行抛光，得到透明玻璃片一样的晶片。”
目前，生产碳化硅晶片的两大关键技术是晶体生长和晶片的切割抛光。张韵表示，上游企业所生产的晶片尺寸和质量会影响下游碳化硅器件的性能、成品率及成本。只有把衬底质量做好了、成本降低了，才能让下游的科研机构或者企业不再束手束脚，有更多的机会去多做器件级研究。
记者了解到，一个直径4英寸的晶片一次可做成1000个芯片，而6英寸的晶片一次可做成3000个芯片，所以直径大的晶片更有优势。从2英寸到6英寸，其中的关键是扩晶技术。“碳化硅晶片是由一个种子开始一层层生长起来的，从2英寸长到3英寸再到6英寸。在这个生长过程中，晶体很容易出现缺陷。”中电科生产主管毛开礼说，“我们的一个指标叫微管，就是晶体中出现的大概只有头发丝几十分之一细的一个管状孔洞，眼睛是看不到的。一旦出现微管，整个晶体就不合格了。由于温度太高，没办法进行人工干预，所以整个生长过程就如同‘蒙眼绣花’，这恰恰是晶片最核心的技术。解决这个技术难题，我们用了七八年的时间。”
碳化硅晶片的加工也是一个艰难过程。毛开礼表示，晶片的粗糙度要求是表面起伏小于0.1纳米，国内现在是采用化学和机械联合的方式进行抛光。“从技术上来说，我们的一个圆片原来切完的话，可能是700-800微米厚，而最终产品要求是500微米，所以相当于要磨掉几百微米。现在我们通过技术改进，切完大概就是550微米，只需磨掉50微米左右，整个生产成本有了大幅降低。”
③ 晶片量产前景如何？
600台长晶炉、18万片年产量，彻底摆脱进口依赖
今年3月，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地在山西转型综合改革示范区正式投产，第一批设备正式启动。基地一期项目可容纳600台碳化硅单晶生长炉，项目建成后将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力，是目前国内最大的碳化硅材料产业基地。这一基地的启动，将彻底打破国外对我国碳化硅封锁的局面，实现碳化硅的完全自主供应。
在基地的碳化硅生产车间，白色的长晶炉一字排开，碳化硅晶片正在里面安静生长。李斌介绍：“现在，咱们所使用的粉料合成设备、长晶炉，都是自己研发、自己生产的全国产化的设备。设备的配套产品和功能元器件能满足长期、稳定、可靠使用的要求，同时节能效果好，具有连续工作高稳定性和良好精度保持性。”
对于国内半导体领域来说，产业化规模效应，不仅降低了碳化硅晶片的成本，也不断促使碳化硅晶片质量提升。据李斌介绍，目前国际上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原来国内实验室生产的碳化硅晶片的合格率仅有30%。但在碳化硅产业基地，这个合格率可以达到65%。
实现这样高的合格率，一个是靠先进的设备，一个是靠管理。毛开礼介绍：“我们把所有的工艺分成若干段，增加了大量的一线工人，每段每个人只干这一件事情，不仅效率会提高，而且出错率也大幅降低，因为原来一个人要参与前前后后大概有三四十道工序，不利于专业化，出错率就会很高。”
目前，基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，为客户提供小批量的产品试用，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。展望未来，李斌信心满满地说，“在碳化硅领域，我们要紧跟国际的脚步，因为目前我国在第三代半导体材料上跟国际的差距相对较小，我们要保证不能掉队。习近平总书记说过，核心技术靠化缘是要不来的。在关键领域、卡脖子的地方要下大功夫。现在我们在实现迅速研发的同时也进一步开展量产，三年内整个项目要达到18万片每年的产能。另外，我们目前在进行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我们能有8英寸的样片出来。因为晶片是整个碳化硅产业链的上游，要走到器件研究的前面。”
（山西转型综合改革示范区纪检监察工作委员会对本文亦有贡献）
据淄博发布指出，总投资20亿元的绿能芯创碳化硅芯片项目预计年底前一期就可投产，目前项目投产前的各项工作正在紧张进行，达产后可实现年产值50亿元，带动上下游产业链产值过百亿元。
2019年12月，绿能芯创与山东淄博签署合作协议，2020年2月，该项目在2020年淄博市重大项目集中开工仪式上正式开工。
北京绿能芯创碳化硅芯片项目负责人、北京绿能芯创电子科技有限公司联合创始人、执行长廖奇泊此前介绍，绿能芯创碳化硅芯片项目建设的6吋碳化硅芯片生产线，总投资20亿元，一期投资5亿元，全部投产后可达月产1万片，年收入可达30亿元，该产线主要从事大功率分立器件、芯片系列产品的设计、制造，以及功率模块应用、制造流程的研发。
淄博发布指出，该产线是世界第三条，也是国内第一条达到量产规模的碳化硅芯片产线。资料显示，北京绿能芯创电子科技有限公司成立于2017年12月，是一家专业从事半导体功率器件设计、制造工艺开发、市场应用、销售的芯片设计公司。
据淄博发布指出，总投资20亿元的绿能芯创碳化硅芯片项目预计年底前一期就可投产，目前项目投产前的各项工作正在紧张进行，达产后可实现年产值50亿元，带动上下游产业链产值过百亿元。
2019年12月，绿能芯创与山东淄博签署合作协议，2020年2月，该项目在2020年淄博市重大项目集中开工仪式上正式开工。
北京绿能芯创碳化硅芯片项目负责人、北京绿能芯创电子科技有限公司联合创始人、执行长廖奇泊此前介绍，绿能芯创碳化硅芯片项目建设的6吋碳化硅芯片生产线，总投资20亿元，一期投资5亿元，全部投产后可达月产1万片，年收入可达30亿元，该产线主要从事大功率分立器件、芯片系列产品的设计、制造，以及功率模块应用、制造流程的研发。
淄博发布指出，该产线是世界第三条，也是国内第一条达到量产规模的碳化硅芯片产线。资料显示，北京绿能芯创电子科技有限公司成立于2017年12月，是一家专业从事半导体功率器件设计、制造工艺开发、市场应用、销售的芯片设计公司。
5月7日，5月7日，北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告（第二期）。
国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。
官网资料显示，天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为10364.2866万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日，天科合达在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌。
天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一，目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位，国内排名居前列，晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。
5月7日，5月7日，北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告（第二期）。
国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。
官网资料显示，天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为10364.2866万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日，天科合达在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌。
天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一，目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位，国内排名居前列，晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。
5月7日，电力功率半导体器件供应商西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司（以下简称“派瑞股份”）正式在深圳证券交易所创业板挂牌上市。
根据上市公告书，派瑞股份本次公开发行总股数为8000万股（占发行后总股本的25.00%），发行价格为3.98元/股，募集资金总额为3.18亿元，扣除发行费用后募集资金净额2.69亿元。上市首日，派瑞股份截至午间休盘的股价为5.73元/股，涨幅超过40%。
资料显示，派瑞股份主营业务为电力半导体器件和装置的研发、生产、实验调试和销售服务，产品可分为高压直流阀用晶闸管、普通元器件及电力电子装置三大类，其中高压直流阀用晶闸管业务贡献主要营收。
据了解，派瑞股份的控股股东是西安电力电子技术研究所（以下简称“西电所”），直接持有派瑞股份1.27亿股股份，占本次发行后公司总股本的39.55%。陕西省国资委通过科控集团和西电所间接持有派瑞股份1.36亿股股份，占该公司股份总数的42.3487%，为派瑞股份的实际控制人。
招股书介绍称，西电所是我国电力半导体器件的发源地，我国第一只整流管、晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管（GTO）、光控晶闸管等电力半导体器件均由西电所研发。派瑞股份继承了西电所的技术，掌握了先进的5英寸超大功率电控、光控晶闸管制造技术，研制出拥有自主知识产权的6英寸特大功率电控晶闸管等产品。
此次上市，派瑞股份拟将所募集资金投资建设大功率电力半导体器件及新型功率器件产业化项目。项目第一阶段目标是建立8英寸芯片生产线，研发8英寸功率器件，额定电流达到或超过8000A；第二阶段目标是研发SiC器件及模块，建立SiC器件实验中心，在第一阶段成果的基础上形成小批量生产SiC器件的能力，为实现SiC器件产业化奠定基础。
派瑞股份表示，新的生产线工艺设备可生产特大功率8英寸晶闸管，并可向下兼容生产现有产品，包括直流输电用超大功率5英寸、6英寸晶闸管以及普通元器件。同时，在晶闸管生产线的基础上，研发IGCT和SiC器件等高端产品，通过建立第三代器件研发中心研发SiC器件，以期在第三代功率器件的技术和产品化方面获得突破。
