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2月28日，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地举行投产仪式。

中国电科党组书记、董事长熊群力指出，中国电科（山西）电子信息科技创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局。

中国电科（山西）电子信息科技创新产业园项目包括“一个中心、三个基地”。“一个中心”即中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、“三个基地”即中国电科（山西）碳化硅材料产业基地、中国电科（山西）电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）能源产业基地。

项目达产后，预计形成产值100亿元。通过吸引上游企业，形成产业聚集效应，打造电子装备制造、三代半导体产业生态链，建成国内最大的碳化硅材料供应基地，积极推动山西经济的转型升级。

其中，本次投产的中国电科（山西）碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅（SiC）材料供应基地。中国电科（山西）碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设，同年9月26日封顶。

据此前山西综改示范区消息，一期项目建筑面积2.7万平方米，能容纳600台碳化硅单晶生产炉和18万片N型晶片的加工检测能力，可形成7.5万片的碳化硅晶片产能，将彻底解决国外对我国碳化硅封锁的局面，实现完全自主可供。项目投产后将成为中国前三、世界前十的碳化硅生产企业，可实现年产值10亿元。

化合物半导体制造代工大厂环宇光电，于2019年12月9日召开董事会。会中决议考量于现行国际贸易情势变化起伏，以及尝试满足中国大陆生产需求目标，因此决定撤销与厦门三安集成（三安光电子公司）之合资案，进而转向与常州晶品光电（晶元电子子公司）共同成立新晶宇光电；该厂商目标将锁定无线射频及光电元件，并以6英寸化合物半导体晶圆为主要代工业务。

三安光电转型于化合物半导体应用仍不够快速，环宇董事会决议撤销合资案

LED大厂龙头三安光电，由于受到相关LED厂商抢市的竞争压力，使得整体营收持续下探。由图可知，三安光电自2018年开始，营收表现已呈现持续下滑态势，甚至2019年第二季已达到整体营收低点（年减26%），这点对于全体投资人及合资厂商而言是一个坏消息。

▲2017年第一季~2019年第三季三安光电营收表现。（Source：三安光电；拓墣产业研究院整理，2019/12）

或许环宇光电已观察到传统中、低端LED市场渐入市场成熟衰退期，因而于2019年12月董事会决议撤销先前与三安光电的合资案（厦门三安环宇集成），进而与晶电（晶元电子）子公司晶品光电共同合资成立新公司。此结果似乎也反应三安光电近期试图由LED制造商逐步转型成为第三代半导体元件厂之行动，产业转型速度对应于市场需求面，仍旧显得不够快速。

晶元电子积极投入于化合物半导体元件应用市场，成功吸引环宇进行合作

晶电早期与三安光电同属于LED制造大厂，但晶电已于2010年陆续投身于中、高端LED照明产品开发，试图拉开与其他低端LED厂商削价竞争的商业模式；且该厂商也尝试积极布局化合物半导体应用，于2018年10月成立子公司晶成半导体，目标以研发磊晶及制造相关事业为主（如VCSEL、射频元件等）。

相对而言，晶电于化合物半导体应用领域中，除了主动走向中、高端LED商品化，更积极投身于3D感测与通讯事业中，所以面对LED市场的白热化，晶电仍然可保有一定市占比，并且透过踊跃参与化合物半导体等相关的研发工作，藉此吸引如环宇光电共同成立新公司（新晶宇），锁定生产光电及无线射频元件等应用领域。

功率半导体晶圆制造代工大厂汉磊，公布2019年第三季营收情形，由于2019年前3季市场遭遇去库存及市况不佳等因素影响，第三季营收为1.24亿美元，年减21.2%。

面对大环境不佳挑战，汉磊总经理庄渊棋表示：「2019年第三季开始，营收表现将谷底反弹，并且随着功率半导体需求逐季回稳；预计到2020年第二季，整体产能利用率有机会回升至9成。」

现行功率元件由于成本考量，主要以Si与SiC晶圆并搭配磊晶技术为主流

由于功率半导体所需的操作电压较大，传统Si元件因本身材料特性，崩溃电压值(Breakdown Voltage)难以承受数百伏特以上，因而元件材料逐渐改由第三代半导体之宽能隙材料(SiC与GaN)取代。

另一方面，由于晶圆(Substrate)成本与制程条件等考量，Si晶圆无论在尺寸、价格上仍较SiC与GaN晶圆大且便宜许多，所以为求有效降低晶圆成本，磊晶生成技术此时就变得格外重要。

目前制造功率半导体的主流晶圆，依然以尺寸较大、价格平价的Si晶圆为大宗；而可承受高电压但尺寸稍小、价格稍贵的SiC晶圆则为次要。

选定晶圆材料(Si或SiC)后，即可透过MOCVD或MBE机台，成长元件所需之SiC或GaN磊晶结构；随后再进行相关半导体前段制程(薄膜、显影及蚀刻)步骤，最终完成1颗功率元件。

全球资料中心与5G基地台建置需求，引领功率IDM厂与代工厂营收动能

根据现行功率半导体发展情形，目前主要以GaN(氮化镓)及SiC(碳化硅)等第三代半导体材料为主。

其中，国际IDM大厂如英飞凌Infineon、科锐Cree、II-V等投入动作最积极，且相关厂商正试图抢占全球宽能隙材料磊晶生成与晶圆代工等市场。

近期搭上Server资料中心与5G基地台设备建置需求，预估到2019年第四季，国际IDM大厂于功率半导体与电源管理芯片等订单需求将逐步提升，因而带动底下制造代工厂商相关产能跟着扩张。

跟随此发展趋势，汉磊为第三代半导体中的制造代工大厂，虽然2019年前3季营收市场状况表现略有不佳，但随着近期IDM大厂的逐步转单挹注下，将驱使提升整体产能利用率，对于后续经营发展上将有一定程度上的助益。

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近日，宁波杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约，为“名城名湾”建设再添“芯”动能。

据宁波杭州湾新区发布指出，该项目系浙江省首个第三代半导体材料项目，项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4-6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。

华大宽禁带半导体材料项目专注半导体制造过程的前端工序——半导体材料，而且还是属于时下发展大热门的第三代半导体材料。

第三代半导体材料即以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，已成为半导体技术研究前沿和竞争焦点。碳化硅更被列入“中国制造2025”规划，是国家战略性新兴产业。

可以说，新时期集成电路产业发展背景下，该项目的签约对新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。宽禁带半导体材料项目的“落子”，蕴含着新区完善集成电路全产业链，抢抓半导体材料技术迭代发展机遇的决心。

近几年，国内不少地区都纷纷建设第三代半导体生产线，种种迹象表明，第三代半导体投资热的戏码正在悄然上演。这轮投资热将对整个产业带来哪些影响？国内发展第三代半导体应注意什么问题？需要采取什么措施？

产业发展如火如荼

以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，凭借其高效率、高密度、高可靠性等优势，在新能源汽车、通信以及家用电器等领域发挥重要作用，成为业内关注的新焦点。

业内人士朱邵歆在接受《中国电子报》记者采访时表示，在5G通信、新能源汽车、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下，目前，应用领域的头部企业已开始使用第三代半导体技术，也进一步提振了行业信心和坚定对第三代半导体技术路线的投资。

苏州纳维科技有限公司董事长徐科分析了第三代半导体现在发展如火如荼的原因有三：其一，从技术本身来看，第三代半导体技术的重要性不言而喻，它推动着社会从信息社会向智能社会发展，已经深入到各个领域，从国防、航天，到节能、医疗，再到新能源汽车、手机充电器，与我们每个人的生活息息相关、密不可分。这样的一种技术，必然会吸引社会资本的注入。

其二，从国际范围看，在经历人类历史上几次重大的技术变革后，发展第三代半导体技术渐成趋势。因为它正在悄然改变世界经济格局，国家要安定、人民要富足，先进技术带动经济发展是不变的道理。所以，无论是西方发达国家，还是亚洲发展中国家，都在从不同层面推进全球第三代半导体产业的发展。

其三，从国内层面看，一方面，经济发展转向实体经济；另一方面，是中央和地方政策联动导向，鼎力推进第三代半导体产业的发展，这种抛砖引玉的做法也会带动社会资本的注入。

分析师吕芃浩认为，在摩尔定律已接近物理极限的情况下，以新材料、新结构、新器件为特点的超越摩尔定律为半导体产业提供了新的发展方向，因此，第三代半导体成为各国在集成电路领域竞相追逐的战略制高点，它对产业格局产生巨大影响。

目前，我国第三代半导体投资增加，产业链也在逐步完善。同时，我国是世界上最大的半导体市场，这为我国企业发展第三代半导体创造了近水楼台的机会。通过资源聚集，突破从第三代半导体研发、工程化到应用的创新链条与价值链条，为我国集成电路产业发展带来更多活力。

记者注意到，近日在首届中国淄博“芯材料、芯技术、芯动能”高峰论坛上传出消息，山东淄博市临淄区将建设国内首个以第三代半导体材料研发及生产，磁功能材料、芯片及智能制造核心部件生产为主体的集成电路材料产业基地。不久前，在北京顺义举办的“第八届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛智慧能源与智慧交通行业决赛”上，顺义区负责人表示，他们正在打造成全国乃至全世界范围内的第三代半导体产研基地。

投资切忌急功近利

在投资热的背后，业内人士也同时担心是否会像某些产业一哄而上后的“繁花落尽”。徐科告诉《中国电子报》记者，第三代半导体产业在很多应用领域仍然是一些概念性的东西，尚不成熟，投资一定要慎重，避免一哄而上，发展第三代半导体要避免急功近利的想法。针对链条长、链条环节多的产业，往往风险和诱惑最大的地方，就是产业链的末端。

近年来，大家逐渐意识到这个问题，特别是近来发生的中美贸易摩擦问题，更加让人们认识到了第三代半导体产业链的短板。所以，发展第三代半导体产业，一定要加大产业链上游核心材料研发和关键设备的开发投入，正所谓兵马未动，粮草先行。徐科表示：“目前第三代半导体产业发展热火朝天，各地政府加大投资，展开人才争夺战，这势必会导致资源的倾向性，这就要我们保持清醒的头脑，因地制宜，有所为有所不为，避免资源的过度浪费。”

朱邵歆对《中国电子报》记者说，投资热的背后，肯定会存在一些问题，比如是投资“产品”，还是投资“产线”。因为从本质上说，基于第三代半导体的射频器件和功率器件，具有明确的产品属性，需要在了解应用企业需求的情况下进行定制化生产，所以锤炼内功打磨产品和技术，比直接投资产线更加重要和紧迫。在没有明确客户的情况下，不能过早扩充产能。

“早期半导体照明（LED）产业的快速发展使得国内已具有一定的第三代半导体产业基础和人才储备。然而，业内必须认识到，不同于LED产品，第三代半导体的射频器件和功率器件更多的是面向5G基站、新能源汽车等偏工业应用的市场，更多是定制化产品，对企业的设计能力和对应用方案的理解能力要求更高。”朱邵歆说。

吕芃浩分析了目前第三代半导体亟待突破的难点，包括如何降低衬底缺陷、提高良率，如何做到大尺寸、低成本等。碳化硅晶片面临微管缺陷、外延效率低、掺杂工艺特殊、配套材料不耐高温等问题，氮化镓晶片面临高质量、大尺寸籽晶获取问题，都是需要破解的技术难题。

培育龙头做大做强

发展第三代半导体产业已成为业内共识，顺势而为、借力发力是各地政府及企业努力的方向。吕芃浩认为，第三代半导体产业依旧是投入大、周期长的产业，需要长时间的积累，也需要产业界、学术界等各界的通力协作。在产业发展上，除了政策和资金支持外，要培育龙头企业，通过并购重组做大做强，避免遍地开花分散力量。同时，终端厂商也应借助国内的市场优势，积极支持国内第三代半导体企业的发展。

针对国内发展第三代半导体产业，徐科给出了四点建议：首先，政策引导，市场主导。在关键的发展领域和环节，需要自上而下的主导，技术的发展和竞争力交由市场做出判断。

其次，集中攻关，联合发展。我国整体基础实力不弱，但是技术分布零散，需要从产业链条上联合发展，集中攻关共性关键技术。

再次，基础研发投入占比增加。企业为了保持高速发展和核心竞争力，技术开发和基础研发的投入必不可少，也需要持续的加大投入。

最后，“扶上马，走一程”模式在一定时期内存在。国内第三代半导体企业，多为中小微企业，可能技术水平国际领先，市场前景不可估量，但是要想占据市场主导，特别是与国际巨头企业竞争，政府和社会力量的保驾护航也是必不可少。

朱邵歆认为国内第三代半导体企业必须从自身出发，结合自己的技术和市场优势，找准定位，比如是面向5G通信、新能源汽车、光伏逆变器、消费电子电源等，有针对性地开发自己的产品。

他还特别指出，各地政府需要注意第三代半导体项目落地时的信息严重不对称、对第三代半导体的市场定位和发展前景的判断不够准确、扶持政策缺乏可持续性和精准性等问题。

近日，露笑科技股份有限公司（以下简称“露笑科技”）发布公告称，与中科钢研节能科技有限公司（以下简称“中科钢研”）、国宏中宇科技发展有限公司（以下简称“国宏中宇”）签署了《中科钢研节能科技有限公司与国宏中宇科技发展有限公司与露笑科技股份有限公司碳化硅项目战略合作协议》（以下简称“战略合作协议”）。

根据公告，露笑科技、中科钢研以及国宏中宇三方同意共同合作，共同研发适用于中科钢研工艺技术要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸级别的碳化硅长晶设备；共同建设碳化硅衬底片加工中心。该加工中心定位于应用最新一代碳化硅衬底片加工技术，主要面对及满足国内外快速增长的6英寸及以上尺寸级别的碳化硅衬底片加工需求，不断提升的衬底片质量与成品率水平。

露笑科技披露，目前首批2台套升华法碳化硅长晶炉已经完成设备性能验收交付使用，经过优化后的碳化硅长晶炉设备将应用于国宏中宇主导的碳化硅产业化项目中。

此外，公告还指出，根据国宏中宇碳化硅产业化项目的近期发展规划，露笑科技及（或）其控股企业将于2020年前为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约200台碳化硅长晶炉，设备总采购金额约3亿元；同时，为了适应5G通讯市场对于高性能、高频HEMT器件需求的快速增长，三方将在高纯半绝缘型碳化硅长晶炉、高纯半绝缘型碳化硅衬底片加工制造、基于高纯半绝缘型碳化硅衬底片的氮化镓外延片制造等方面开展深入合作，以尽快成为5G通讯行业核心关键材料的主要供货企业。

此协议期限为两年，由中科钢研主导工艺技术与设备研发工作，国宏中宇主导产业化项目建设、运营与市场销售工作，露笑科技主导设备制造、项目投融资等工作并全程深入参与各项工作，通过各方的密切合作将碳化硅项目建设成为世界级的第三代半导体材料领军企业。

露笑科技指出，本次合作有利于拓展公司在碳化硅领域的业务布局和发展，增强公司的研发能力，提高市场竞争力。

根据拓墣产业研究院数据显示，伴随车厂推出的各类电动汽车款增加，2020年电动汽车(纯电、插电混合式、油电混合式)有望攀上600万辆大关，目前以油电混合的成长速度较快，但就长远来看，纯电动汽车仍持续占有重要份额，为提升消费者接受度，高端电动汽车在性能与行驶距离的技术上还有进步空间。

其中，关键的功率半导体元件如SiC晶圆与SiC Diode、SiC MOSFET等，在技术与需求上需要时间提前布局，因此也看到越来越多相关厂商在此领域的积极动作。

高端电动汽车技术发展日益重要，推升未来SiC晶圆与元件需求将持续增加

现行电动汽车大多还是以硅基材的IGBT做为逆变器的芯片模块，是功率半导体在电动汽车领域的技术主流。SiC MOSFET虽具有较好的性能与散热表现，但碍于成本过高及SiC晶圆制造技术复杂，良率表现没有硅晶圆好，因此目前SiC在电动汽车使用的渗透率仍不高。

然而，自电动汽车龙头厂商Tesla推出Model 3后，高阶电动汽车市场氛围可能有些许改变。相较市面上其他电动汽车厂商使用硅基底芯片(IGBT、MOSFET等)制作PEM(Power Electronics Module，用以做为AC/DC间的电流转换)，Tesla Model 3完全使用SiC MOSFET来做PEM，也让SiC MOSFET在电动汽车领域引起讨论。

根据厂商说法，Tesla Model 3因使用SiC MOSFET模块，因此AC/DC的电流转换效率在长距离电动汽车市场上排名第一(若不论行驶距离，Hyundai推出的电动汽车Ionic Electric在电流转换效率方面较Model 3好，但电池功率仅有27KWh，行驶距离只有Model 3一半)，让以Tesla为主要竞争对手的高端汽车厂商评估使用SiC MOSFET的效益。

值得一提的是，车用Tier 1大厂Delphi在2019年9月发表其最新使用SiC模块的800V Inverter(目前电动汽车主要使用400V系统)，能延长电动汽车行驶距离并缩短电动汽车充电时间。此项技术也为Delphi赢得一家主要客户为期8年，总值达27亿美元订单，预计自2022年开始供货给使用800V系统的高端车款，为SiC未来需求加添信心。

此外，SiC MOSFET Module在快速充电桩的使用上也正迅速扩展。豪华车品牌Porsche在2018年10月即发表以SiC MOSFET模块建置可适合各种电动汽车使用的快速充电桩，除是为自家Taycan拉抬声势，也显示快速充电桩在高阶电动汽车市场的必要性。

由此看来，尽管目前电动汽车型以HEV居多，且现行多数电动汽车采用的功率元件仍以IGBT为主，但基础设施的建置与消费者的购买意愿仍需要时间布局，从长远规划来看，市场端的需求后势相当可期，也将持续助长SiC话题性。

SiC相关厂商布局积极，营运策略与产业类别多元

从车用SiC产业供应链分析，可看到不仅厂商多元，布局脚步也相当积极，首先在SiC晶圆部份，市场上占比最高的厂商是美国Cree，在晶圆制作技术与良率方面皆有良好表现，市占约6成。

看好未来需求，Cree扩产规划相当积极，2019年5月宣布为期5年的扩产计划，总投资为10亿美元，估计届时在SiC晶圆产能与SiC晶圆制作材料上将提升30倍之多。

有了充足的晶圆产能，旗下Wolfspeed也是生产SiC Diode、SiC MOSFET的主要厂商，相辅相成下将持续拉抬在SiC产业供应链的占比，其余厂商还有美国II‐VI Incorporated、收购DuPont SiC晶圆事业的韩系硅晶圆厂商SK Siltron等。

在SiC芯片制造部分，主要功率半导体IDM厂商皆榜上有名，包括Infineon、ON Semiconductor、STMicroelectronics、ROHM、Mitsubishi Electrics等，是市场上提供SiC芯片与SiC Module的主要厂商。芯片商与模块商在SiC材料上的布局也很积极，包括ROHM收购SiCrystal、STMicroelectronics收购Norstel、Infineon收购Siltectra借助冷切技术提升元件制作效率等。

另外，在车用Tier 1厂商与整车厂部份，例如日前Robert BOSCH即宣布，2020年将进军以SiC碳化硅晶圆做基底生产车用微芯片，主要用在AC/DC转换，全力助攻主要客户抢占电动汽车市场，而日本厂商DENSO亦有自己生产相关芯片的能力。

在车厂方面，陆系车厂比亚迪(BYD)有自研SiC及扩大SiC功率元件的规划，投入巨资布局SiC建立完整产业链，将整合材料(高纯碳化硅粉)、单晶、外延片(Epitaxy)、芯片、模块封装等，致力于降低SiC元件的制作成本，加快其在电动汽车领域的应用。

而在台系供应链方面，主要有硅晶圆厂环球晶与GTAT签订长约，以取得长期稳定的SiC高质量碳化硅晶球供应，致力扩展SiC晶圆供应链占比；汉磊提供SiC Diode、SiC MOSFET代工服务；嘉晶提供SiC磊晶代工服务；升阳半导体提供晶圆薄化服务；瀚薪科技则聚焦SiC与GaN的元件开发，持续增加技术实力，逐渐让自家产品能跟国际大厂相抗衡。

然较可惜的是，由于台湾地区缺乏本土汽车产业的助益，车用芯片渗透率并不高，加上主要汽车厂商多半以长期合作的Tier 1或芯片商合作，台系厂商要切入汽车供应链仍有些许困难待克服，包括长期的车规认证及建立客户采买意愿等，目前较有获利效益的应用仍以工业电源管理与通讯方面为主，在车用SiC产业供应链要能有一定程度的占比尚需持续努力。

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10月27日，中乌第三代半导体产业技术研究院成立并落户如皋。

据南通广播电视台报道，中乌第三代半导体产业技术研究院由乌克兰国家科学院（单晶研究院）、江苏省如皋高新区、江苏卓远半导体发起成立，研究院将联合中国、乌克兰、德国等产业专家，共同开展第三代半导体晶体制造智能装备、大功率用晶圆、功率芯片及器件、光电材料、激光晶体材料及其他功能性晶体材料和设备等关键技术研究。

半导体晶体与现代人类日常生活息息相关。“如皋抓住了未来‘智造业’的核心！”据中国工程院院士王子才介绍，智能制造发展的关键在于核心材料。以碳化硅为代表的第三代半导体是当前制作高温、高频、大功率、高压芯片最为理想材料之一，未来将广泛应用于5G通讯、新能源汽车、智能电网等智能制造领域，市场潜力巨大。

第三代半导体及激光设备制造产业集群在如皋初具规模。如皋市委书记张建华表示者，近年来，该市坚持把第三代半导体及智能制造产业作为重要战略性新兴产业加速布局，先后落户迅镭激光设备制造产业园、总投资300亿元的正威5G 新材料产业园，集聚了卓远半导体、海迪科光电科技、中科新源等一批优质企业，吸引了孙智江、张新峰等一批行业领军人才，建成第三代半导体产业技术研究院、第三代功率器件测试实验室、芯片级封装实验室、纳米压印实验室等一批高端研发平台。

如皋高新技术产业开发区是如皋发展高新技术产业的前沿阵地。如皋高新区管委会主任孙得利告诉交汇点记者，该区现拥有如皋第三代半导体产业研究院、中科大控温联合创新实验室、中乌第三代半导体产业技术研究院等平台，集聚苏州迅镭激光、北京浦丹光电等30余家光电显示、功率器件、第三代半导体设备等领域领军企业，规划了2平方公里的光电科技产业园、2平方公里的激光和智能制造产业园。

近日，科锐在官网宣布扩产计划进展，表示将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂。

通过与纽约州州长（Andrew M. Cuomo）办公室以及其他州立与当地机构和实体的战略合作，科锐决定在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。

作为该合作的一部分，科锐将投资近10亿美元，用于在纽约州fab的建造、设备和其它相关成本。纽约州将提供来自Empire State Development 的5亿美元资金，同时科锐可以享受额外的当地激励政策和减税以及来自纽约州立大学的设备和工具。

这一新制造工厂旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务的产能，将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。

新工厂计划将于2022年实现量产，完工面积达到480,000平方英尺，其中近1/4将是超净间，提供未来所需产能扩充。这些扩展计划，将进一步提升科锐在市场竞争的领先地位，加速碳化硅（SiC）在一系列高增长产业中的采用。

科锐指出，公司将继续推进从硅（Si）向碳化硅（SiC）技术的转型，满足公司开创性Wolfspeed技术日益提升的需求，支持电动汽车（EV）、4G/5G移动和工业市场的不断增长。

为了构筑新时代战略优势，更好地服务改革发展大局，国务院国资委与上海市政府深化合作共同推进落实国家战略合作签约仪式于9月5日下午在上海隆重举行，上海市委书记李强出席签约仪式并讲话，国务院国资委党委书记、主任郝鹏在签约仪式上讲话，并同上海市委副书记、市长应勇代表双方签署协议，中国钢研董事长、党委书记张少明，中国钢研党委副书记、常委、工程事业部党委书记、董事长张剑武，中国钢研战略发展部副主任刘国营出席了会议，中科钢研节能科技有限公司董事长、总经理张岩与宝山区委副书记、区长范少军在会上共同签署了“中科钢研先进晶体产业化项目”落地宝山区的合作协议。

通过此次与宝山区的合作，拟将在科研水平、产业规模、上下游产业链完整性、产业示范引领作用方面打造领先优势，建设以上海总部基地为核心，拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地。各方将集合多方优势资源，赋能第三代半导体材料及其应用技术的科技研发、科研成果产业化转化、高科技产品的多场景商业化应用等整个行业发展链条。

中科钢研先进晶体产业化项目上海总部基地项目落户宝山区，有利于宝山区结合产业定位和发展基础，通过政府引导、企业主导和市场化运作，在引领新上海新材料产业做大做强上发挥重要的支撑作用。同时，对于宝山区老工业基地而言，有助于引入和研发关键技术和关键材料，以战略性新兴产业的垂直布局助推老工业基地转型升级。

从未来看，特斯拉超级工厂的落成、上汽大众、上汽荣威新能源战略提速，将使上海重新占领车用半导体市场高地，中科钢研将抓住上海此次产业转型升级的机会，贴合市场成为新能源车用先进晶体材料及下游应用产品的核心供应商。