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朝鲜日报、中央日报日文版11日报导，韩国唯一的半导体硅晶圆厂SK Siltron于10日举行的董事会上决议，将收购美国化学大厂杜邦（DuPont）的碳化硅（Silicon Carbide，SiC）晶圆事业，收购额为4.5亿美元，在获得各国当局许可的前提下，目标在今年内完成收购手续。

SK Siltron指出，“此次的收购是呼应韩国政府近来推动的材料技术自立化政策，且也是为了确保全球竞争力”。SK Siltron表示，“在硅晶圆领域要追上日本恐怕很难，因此将在次世代技术上进行挑战”。目前能量产SiC晶圆的厂商除了杜邦之外，还有日本昭和电工、Denso、住友等。

报导指出，此次的收购案将是SK继2017年1月从LG手中收购LG Siltron以来首起大型购并案。SK Siltrons年营收规模约1.3万亿韩元，而此次的收购额超过其年营收的三分之一水准。

据报导，韩国所需的硅晶圆高度仰赖日本进口，而市场忧心日本今后若追加对韩国加强出口管制的话，硅晶圆很有可能将成为管控的对象之一。目前在全球半导体硅晶圆市场上，日本信越化学、SUMCO合计掌控55%左右的市占率，SK Siltron、德国Siltronic、中国台湾环球晶圆市占率皆在后追赶。

8月4日晚间，露笑科技发布公告称，全资子公司内蒙古露笑蓝宝石近日与国宏中宇科技发展有限公司签订了《碳化硅长晶成套设备定制合同》，内蒙古露笑蓝宝石将为国宏中宇提供80套碳化硅长晶炉成套设备，合同总金额约 1.26亿元。

露笑科技董秘李陈涛在接受《证券日报》记者采访时表示，露笑科技在研发蓝宝石长晶炉时的经验以及相关技术和人才储备，能够为公司研发和生产碳化硅长晶炉提供巨大的帮助和技术支持，这将是公司产业升级转型的大好时机。

盈利能力回升

李陈涛表示，上述合同顺利实施后，将对露笑科技的未来业绩表现产生积极影响。

根据露笑科技近日披露的中报业绩预告显示，2019年上半年，公司预计实现净利润1.5亿元至1.8亿元，同比增幅在52.94%-83.53%之间，有望实现业绩的大幅增长和盈利能力的逐步回升。

“露笑科技长期研究新材料技术及装备，在两年前就已将发展目光转向目前备受关注的第三代半导体碳化硅材料领域。目前碳化硅器件在新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网、5G通信等领域已批量应用，除此之外，其更是发展第三代半导体产业的关键基础材料，”李陈涛向《证券日报》记者表示。

李陈涛提到，露笑科技已与中科钢研节能科技有限公司和国宏中晶集团签订战略框架合作协议，将共同在碳化硅长晶专用装备、长晶及衬底片加工工艺等方面开展全方位研发与合作。

据其介绍，中科钢研是由中国钢研新冶高科技集团有限公司出资成立的央企混改公司，作为国宏中宇控股母公司国宏中晶的股东，中科钢研与国宏华业于2016年合作创立了碳化硅重点实验室，整合中国钢研在晶体材料领域的人才和技术积累，通过国际先进技术的引进、消化吸收、再创新，在碳化硅衬底片制备技术方面已经达到国内领先水平。

碳化硅成多领域宠儿

据了解，半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展，半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。

公开资料显示，碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料中，研究最为成熟、市场应用前景最大的一种。碳化硅半导体材料综合性能是第一代半导体材料性能的数百倍到一千倍，在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。

目前，导电型碳化硅衬底片材料主要应用于新能源汽车、新能源汽车充电站、太阳能逆变器、服务器等领域；半绝缘型碳化硅衬底片则主要应用于5G通讯基站、大功率相控阵雷达、卫星通讯等领域。

中国产业信息网数据显示，预计导电型碳化硅衬底片全球市场规模将从2017年的4亿美元增长到2022年的16亿美元，乐观预测甚至能达到34亿美元。半绝缘型碳化硅衬底片全球市场规模将从2017年的4亿美元增长到2022年的11亿美元。

经过十几年的产业化发展，碳化硅半导体材料、器件、应用产业链已经初步建立，市场规模不断扩大。据记者了解，目前碳化硅半导体材料产业化生产企业主要有科锐、II-VI、道康宁、SiCrystal、昭和电工等。其中，1987年成立的美国科锐在碳化硅衬底材料、外延片、器件和模块领域占据着绝对领先地位。

我国应用市场对第三代半导体需求旺盛，中国是全球第三代半导体龙头企业的主要销售市场。在业内人士看来，眼下全球碳化硅市场正处于爆发前期的起步阶段，国内企业与海外传统巨头之间的技术差距相对变小。虽然国内第三代半导体企业大部分仍处于发展起步阶段，但依然有望在技术发展、资本助力及政策支持下在本土市场的应用中实现弯道超车。

全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。

Cree收回Wolfspeed事业部，加码扩厂开发功率及射频元件

以LED材料与元件起家的Cree，近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由，可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略，已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体，期望借由此次并购案，使Infineon成为车用SiC元件上的领先霸主；但事情发展并非如此顺利，2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后，以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案，迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。

此后Cree于2018年2月及3月时，提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议，并向Infineon收购其射频功率半导体事业部，试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失，保持与Infineon之合作关系。

2019年5月Cree又提出扩厂计划，说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上，持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升，藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。

各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同，后续发展仍需持续观察

现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中，Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上)；根据官网资料，目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸，主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中，少量使用于通讯射频领域上；未来扩厂计划完工后，预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。

另外，Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术)，其使用的SiC基板最大尺寸为4寸，借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后，形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构，目标开发高频通讯功率元件。

因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形，各家厂商瞄准的目标市场皆不同，该技术仍处于发展阶段，有待后续持续关注。

随着汽车电子、工控等应用领域蓬勃发展，市场对碳化硅（SiC）的需求持续增长，国内外碳化硅企业陆续扩产，日前碳化硅大厂Cree（科锐）也宣布将投资10亿美元扩大碳化硅产能。

5月7日，Cree发布新闻稿中表示，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大碳化硅产能，在美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。

这是Cree有史以来最大的生产投资，将为Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）业务提供动能。这次产能扩大在2024年全部完工后，将带来碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和碳化硅材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长。

5年的投资将充分利用现有的建筑设施North Fab、并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂，其中4.5亿美元用于North Fab，4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory），1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。

Cree首席执行官Gregg Lowe表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是现有的供应却远远不能够满足对碳化硅的需求。”，他相信这次扩产大幅增加的产能将满足Wolfspeed 碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。

Cree旗下Wolfspeed是全球领先的碳化硅晶圆和外延晶圆制造商，整合了从碳化硅衬底到模组的全产业链生产环节，在市场占据主导地位。据悉，Cree的碳化硅衬底占据了全球市场近40%份额，在碳化硅器件领域的市场份额亦仅次于英飞凌。

此前，Cree相继与英飞凌、意法半导体等厂商签署多年供货协议，为这些厂商长期供应碳化硅晶圆，以满足工业和汽车等应用领域持续增长的市场需求。

目前除了Cree，罗姆前不久也宣布将扩大用于电动车等用途的碳化硅电源控制芯片产能，日本昭和电工近两年来曾三度宣布对碳化硅晶圆投资扩产，国内山东天岳等企业亦在进行产能升级，下游代工厂也在加速布局，碳化硅市场正在持续升温。