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4月8日，山东济南槐荫经济开发区重点招商引资项目签约仪式举行。此次签约项目总投资额达到127.38亿元，包括中鸿新晶第三代半导体产业集群等10个项目。

据山东发布指出，中鸿新晶第三代半导体产业集群项目总投资约111亿元，总建设周期5年，分三期进行。

其中项目一期产业投资8亿元，计划3年内完成第三代半导体产业集群初步建设，完成深紫外LED生产线20条，6-8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线各2条，氮化镓中试线1条。一期完成后，将实现年产值20亿元，利税24.2亿元。

项目二期投资51亿元，完成第三代半导体产业基金的募集工作，并购瑞典ASCATRON(艾斯科强) 公司，打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院”视一期进展及市场需求情况适时启动，计划2年内完成6-8英寸碳化硅单晶扩产、6-8英寸氮化镓外延、射频器件、功率器件生产线各1条。二期完成后，将实现年产值120亿元，利税将超过20亿元。

项目三期投资52亿元，将ASCATRON公司后续芯片生产全部转移至中国，项目建成后预期将带动上下游产业近千亿元产值。

该项目依托中科院半导体所、微电子所等源头创新力量，中电化合物公司及航天国际有限公司等产业龙头、中南资本、中科院控股等金融资本，由中鸿新晶公司提供先进技术与团队，整合韩国浦项半导体、LG半导体，瑞典Epiluvac(艾彼卢米肯)等国际知名半导体企业优势资源，采用产业链垂直整合模式，打造覆盖以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体研发、设计、制造、封装、测试等全产业链，涵盖单晶生长、外延、器件、模块等全产品线。

资料显示，中鸿新晶科技有限公司成立于2017年，是为第三代半导体产业链提供原材料和装备解决方案的高科技企业、专业从事第三代半导体高纯碳化硅微粉生产、碳化硅单晶炉的研发制造，碳化硅和氮化镓芯片设计和制造的企业。中鸿新晶的愿景是要做第三代半导体全产业链的领跑者，承担起中国在电子信息产业换道超车、重塑世界半导体产业格局的时代使命。

近日，江北新区举行“芯片之城”地标产业签约仪式。

活动中，超芯星半导体项目和中安半导体项目与新区签约，未来都将落户新区研创园。据了解，江苏超芯星半导体有限公司主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化，是国内领先的碳化硅材料供应商，碳化硅作为三代半导体材料，将在轨道交通、5G、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅扩径晶体，实现厚度突破，属于技术领先的三代半产品。总部迁入研创园后将推动上市计划，项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片，未来还将在SiC衬底产品的基础上，将进一步研发SiC切磨抛工艺，打造国内SiC行业标杆企业。

另外，中安半导体作为先进的半导体材料检测设备研发商，拥有国内领先的检测设备研发能力。项目团队拥有硅片检测核心技术，并且具备工程应用、生产管理以及销售服务等各方面的管理经验以及多年所累积的市场资源。此次项目主要是开发半导体硅片平整度和三维形貌检测设备，从事开发200mm和300mm硅片平整度和三维形貌检测设备，目前已获得金茂资本首期风险投资，未来将通过开发拥有独立知识产权和中国专利的硅片平整度及形状测量设备填补国内半导体产业链的一项空白。

南京江北新区党工委专职副书记罗群表示，集成电路是新区主导产业之一，围绕“芯片之城”产业构想，新区营造多元化集成电路生态圈，构建以IC设计为引领的集成电路完整产业链。此次，中安、超芯星落户新区，将对新区在新基建领域加快突破，为经济增长和高质量发展注入新的强劲动能。新区将提供最优惠的政策、最贴心的服务，开展全方位、多层次、高水平的技术交流与产业合作，使得企业能够在快速、优质地发展壮大，成长为各自领域真正的龙头企业。

“两家公司加盟是对新区集成电路完整产业链的再完善，再提升。”南京集成电路产业服务中心主任时龙兴说。目前，新区的集成电路产业以台积电等龙头项目为支撑，以紫光展锐、ARM、Synopsys等顶尖芯片设计企业为引领，以现有集成电路企业为基础，构建IC设计为引领的集成电路完整产业链。此次合作是对新区集成电路产业链的一种丰富和补充，是加强集聚的过程。未来，新区将重点在高端芯片设计领域持续发力，打造全球智能设计中心，同时，推动芯片设计与网络通信、物联网、人工智能协同发展，力争在今年形成以芯片设计为核心的集成电路千亿级产业集群。

近日，产投资本管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司（简称“世纪金光”）签署投资协议并完成首期出资，标志着合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。

随着碳化硅产业化日趋成熟，产投资本紧抓第三代半导体发展机会，抢先布局。本次，产投资本作为领投方参与世纪金光C轮融资，对合肥市半导体产业升级和技术创新有重要意义。

世纪金光是国内第三代半导体领军企业，成立于2010年，总部位于北京经济技术开发区，是国家大基金在第三代半导体领域投资的重点企业之一。

近几年来，世纪金光创新性地解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、碳化硅SBD、MOSFET材料、结构及工艺设计技术等，已完成从碳化硅材料生产、功率元器件和模块制备到行业应用开发与解决方案提供等关键领域的全面布局，是国内第一家拥有SiC全产业链技术的半导体公司。

投资50亿元，建设用地约1000亩的中国电科（山西）电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。

据人民网报道，该项目计划用5年时间，建成“一中心三基地”，即：中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）三代半导体技术创新中心、中国电科（山西）光伏新能源产业基地。项目达产后，预计形成产值100亿元。

通过吸引上游企业，形成产业聚集效应，打造电子装备制造、三代半导体产业生态链，建成国内最大的碳化硅材料供应基地，积极推动山西经济的转型升级。 

大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率，是第三代半导体碳化硅单晶材料最响亮的“名片”，不过，碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。而在中国，碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口，其高昂的售价和不稳定的供货情况大大限制了国内相关行业的发展。

据了解，自2007年，中国电科2所开始着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。经过多年的不懈努力，全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。

近日，2019中国·济宁新材料（半导体产业）发展国际论坛暨山东新材料产业化生产基地项目启动仪式在济宁高新区举行。

在活动上，12个项目进行了集中签约，总投资额约58亿元。包括中俄科技创新产业园项目；山东新材料产业化生产基地项目；中国高新技术产业发展欧亚市场战略合作联盟-远山新材料联合研究院项目；远山新材料二期项目。纬世特新材料产业基地项目；中国科技大学消防新材料设备项目等。

据济宁高新指出，山东新材料产业化生产基地项目，总投资30亿元，由高新控股集团投资建设，以园区化布局、集群化发展、链条化招引为规划设计理念，围绕第三代半导体、碳基新材料、消防安全材料、纺织新材料等区内已基本成型的产业链条建设新材料产业标准化及定制性园区，吸引产业链上下游企业发展。基地建成投产后2-3年可实现总产值200亿元。

近年来，济宁高新区高度重视新材料产业，以全球视野谋划和推动创新，从土地、人才、资金创新载体建设等多方面保障和促进新材料产业发展，着力打造研发国际化、产业高端化、发展集群化的新材料创新体系和产业体系。

济宁高新区把新材料产业作为主导产业进行谋划定位，山大新材料、天岳碳化硅、元鸿光电、中建院气凝胶等新一代半导体领域新生力量集中进驻，新材料产业实现规模化集聚化，为济宁市新材料产业发展做出了突出贡献。

未来，济宁高新区新材料产业重点突破第三代半导体及碳基新材料、消防安全材料、纺织新材料领域，形成三大聚集区。

其中，半导体及碳基新材料集聚区将围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓等宽禁带半导体及碳纤维、石墨烯等碳基新材料，吸引上下游半导体原材料、晶圆生产、芯片设计与封装、元器件应用、柔性晶体管、光子晶体、手机密封材料、碳纤维材料等企业入区发展，1-2年规模总产值实现突破200亿。

科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与德尔福科技（Delphi Technologies PLC，美国纽约证券交易所上市代码：DLPH）宣布开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。科锐是碳化硅（SiC）半导体全球领先企业，德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商，双方的此次合作将通过采用碳化硅（SiC）半导体器件技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。

科锐碳化硅（SiC）基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术与德尔福科技的牵引驱动逆变器、DC/DC转换器和充电器技术的结合，将助力电动汽车（EV）提高行驶里程和实现更快充电时间，同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）最初将用于德尔福科技为某一全球顶级汽车制造商设计的800V电控逆变器。计划量产时间为2022年。

德尔福科技首席执行官Richard F. (Rick) Dauch表示：“德尔福科技致力于为汽车制造商提供开拓性的解决方案。汽车制造商们正在努力满足日趋严格的全球排放法规要求和消费者对于电动汽车（EV）的期待。我们与科锐的合作，将为汽车制造商们创造显著的效益。消除驾驶员对于电动汽车（EV）行驶里程、充电时间和成本等方面的忧虑，为整个行业带来好处。”

由于汽车产业正在寻求加速从内燃机向电动汽车（EV）的转变，从而碳化硅（SiC）基功率解决方案的采用正在整个汽车市场实现快速地增长。IHS预计，到2030年高电压电动轻型汽车的销量将达到3000万台（占全球全部汽车销售的27%）。电控逆变器是最具价值的电气化部件之一，电控逆变器效率对于汽车性能众多方面都可以带来产业变革性的影响。

科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“科锐技术在这场向电动汽车（EV）的重大转变中处于核心位置。我们致力于支持汽车产业从硅（Si）基设计向更高效率、更高性能碳化硅（SiC）基解决方案的转型。这次与德尔福科技的合作，将帮助推进碳化硅（SiC）在汽车领域的采用。科锐作为碳化硅（SiC）全球领先企业，正在持续扩大产能以满足市场需求，通过我们业界领先的功率型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），助力实现一个崭新的、更高效率的未来。”

科锐致力于引领从硅（Si）向碳化硅（SiC）的全球转型，并于近期宣布扩大碳化硅（SiC）产能，以实现30倍的产能提升。科锐通过旗下Wolfspeed事业部，提供全面的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率与射频（RF）解决方案。

德尔福科技新型碳化硅（SiC）逆变器在800V电压条件下工作，为汽车工程师提供更多的灵活度，以优化动力总成系统。选项包括更多行驶里程或一个更小型的电池；超快充电或更小、更轻、更实惠的线缆；在刹车时实现更多的汽车能量回收，进一步提高行驶里程。

日前，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）发布公告称，根据公司经营发展需要及长期战略发展规划，经慎重研究决定，拟申请公司股票在全国中小企业股份转让系统终止挂牌。

公告显示，天科合达董事会已于7月12日审议通过《关于申请公司股票在全国中小企业股份转让系统终止挂牌的议案》等相关议案，但尚需提交公司临时股东大会审议。天科合达表示，公司及公司控股股东已就公司申请终止股票挂牌事宜与公司其他股东进行充分沟通与协商，已就该事项初步达成一致意见。

天科合达将于7月29日召开临时股东大会，并拟于股东大会审议通过后10个转让日内向全国中小企业股份转让系统提交终止挂牌申请，具体终止挂牌时间以全国中小企业股份转让系统批准时间为准。公告提示，由于有关事宜尚需临时股东大会审议并报全国中小企业份转让系统审批，故终止挂牌事宜尚存在不确定性。

资料显示，天科合达成立于2006年，由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业，拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线。

2017年5月，天科合达在全国中小企业股份转让系统举行“新三板”挂牌仪式，正式登陆新三板。如今时隔约两年，天科合达宣布拟将从新三板退市。

媒体报道称，3月26日，家电企业美的集团与三安光电全资子公司厦门市三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成”）在厦门举行了“第三代半导体联合实验室”揭牌仪式。

据介绍，美的集团与三安集成双方将展开战略合作，共同推动第三代半导体功率器件的创新发展，以加快国产芯片导入白色家电行业。具体而言，未来双方合作方向将聚焦在GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）半导体功率器件芯片与IPM（智能功率模块）的应用电路相关研发，并逐步导入白色家电领域。

官方资料显示，三安集成成立于2014年，项目总投资额30亿元，是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台，具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD 外延生长制造线。

第三代半导体在白电市场潜力巨大，美的集团作为国内前列的家电企业，据称一直在积极寻找第三代半导体在白家电领域替代方案的国内供应商，以及导入第三代半导体的新型应用场景。媒体报道显示，2017年9月，美的家用空调研发中心与华南理工大学、镓能半导体（佛山）有限公司、厦门芯光润泽科技有限公司四方共建第三代半导体器件研发应用联合实验室。

随着这次美的集团与三安集成战略合作，将于有望进一步加速第三代半导体在家电终端市场的应用进程。

媒体报道，近日位于山东青岛莱西经济开发区的中科钢研碳化硅项目正在加紧建设，今年将实现投产。

据悉，该项目总投资10亿元，占地约80亩，建筑面积5万平方米，主要生产高品质、大规格碳化硅晶体衬底片。项目达产后，将实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片与5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

中科钢研表示，未来将把国家级现金警惕研究院设在莱西，专注碳化硅研发生产，力争在三年内接近欧美最高水平。

碳化硅是第三代半导体材料，在高温、高压与高频条件下有优异的性能表现，适用于汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备、航空航天等领域，是目前最受关注的新型半导体材料之一。

从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。

国内市场，目前已初步形成了涵盖各环节的碳化硅产业链，在政策利好以及市场驱动下，国内企业在这一环节正努力跟跑与赶超。

SiC功率器件大势所趋，国际巨头竞相布局，如今意法半导体拟通过并购整合进一步扩大SiC产业规模。

日前，意法半导体宣布，公司已签署协议，收购瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB（“Norstel”）的多数股权。交易完成后，意法半导体将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链。

根据协议，意法半导体此次将收购Norstel 55%股权，并可根据某些条件选择收购剩余的45%股权，如果行使这些条件，收购总额将达1.375亿美元，并以现金支付。

意法半导体总裁兼CEO Jean-Marc Chery表示，意法半导体是目前唯一一家大规模生产汽车级SiC的半导体公司，公司希望在工业和汽车应用的数量和广度上建立在SiC方面的强劲势头，以继续保持在市场上的领先地位，收购Norstel的多数股权是加强公司SiC生态系统的又一步，将增强公司的灵活性、提高产量和质量，并支持公司的长期碳化硅路线图和业务。

资料显示，Norstel总部位于瑞典诺尔雪平，成立于2005年，是全球SiC衬底及外延片的主要供应商之一。而意法半导体原已是全球少数SiC IDM企业之一，如今通过收购Norstel进一步布局SiC产业。2019年1月，意法半导体与科锐签署多年供货协议，Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。

SiC作为新一代材料备受瞩目，国际企业多年前就已开始提前布局，英飞凌、科锐等巨头已逐步完成了从材料、器件、模组到系统解决方案的全产业链贯通，SiC产业的并购整合动作并不算十分明显，但近年来亦时有发生，最近似乎更为活跃。

2016年，英飞凌曾试图收购科锐旗下主营SiC、GaN业务的Wolfspeed，但由于SiC、GaN均为制造有源相控阵雷达等军事装备的关键器件，该收购案被美国政府以危害国家安全为由予以否决而宣告失败。为此，英飞凌向Cree付了1250万美元分手费。

前不久，英飞凌再度针对SiC展开收购，宣布以1.39亿美元收购初创企业Siltectra，获得后者创新技术ColdSpilt以用于碳化硅晶圆的切割上，从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番，进一步加码碳化硅市场。

如今，意法半导体也动手收购Norstel，SiC产业链企业相继着手扩产，中国企业对SiC的投资热度持续升温，SiC器件的大规模商用可期。