7月1日，北京证监局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作的总结报告。
资料显示，天科合达于2019年12月6日与国开证券签署上市辅导协议，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。总结报告指出，本次辅导工作已完成，辅导机构认为天科合达符合中国证监会和上海证券交易所对科创板拟上市公司的各项要求或规定，达到了辅导工作的预期效果，具备在科创板发行上市的基本条件。
根据官网介绍，天科合达成立于2006年9月，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的企业，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地
在此之前，天科合达曾于2017年4月在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌，数月后开启了IPO征程，随着上市辅导完成，天科合达的科创板上市之路又迈出一步。
山西大同平城区聚焦“六新”，推进“六新”发展，不断增强城市吸引力、创造力、竞争力。今年该区引进的新材料项目“半导体芯片用石英石墨材料项目”正在加快进度组装调试生产设备，力求早日投产。
“半导体芯片用石英石墨材料项目”由大同锡纯新材料有限公司生产完成，该公司主要生产电容石英、高纯石墨等材料，应用于半导体及泛半导体行业(光伏及LED)用的耗材和第三代半导体材料。“半导体芯片用石英石墨材料项目”是平城区2020年新材料产业集群重点推进项目，总投资20亿元，年内计划投资1.5亿元。
据该项目相关负责人李杞秀博士介绍，该项目计划分五期施行，一期投产后有望实现3亿元的年销售规模，实现利税3000万元以上。项目总体建成投产后，年产值有望实现32亿元规模，实现利税3亿元。“‘半导体芯片用石英石墨材料项目’具有国际先进技术水平，可实现进口替代，它不仅填补了大同市该类项目的空白，为大同市建立半导体类产业集群奠定基础，而且将为大同市带来上亿元的直接利税收入。”李杞秀博士说道。
该项目目前已经完成主要设备的主体安装，预计一期工程将于9月底结束并开始批量生产电容石英。“该项目在引入过程中就受到了市区两级政府的大力支持，同时得到了当地合作伙伴的大力支持和帮助，我们将继续努力，攻克难关，期待项目早日投产。”李杞秀博士说道。
6月29日，深圳坪山区2020年第二批重点项目集中开工仪式举行，包括坪山半导体产业园（多彩）。
据深圳商报报道，深圳市同力实业有限公司坪山半导体产业园（多彩）项目预计投资50亿元，园区将集聚第三代半导体上下游产业链，形成集聚发展态势。
坪山发布指出，该项目计划实施“工改工”提容，将园区的企业集聚在第三代半导体上下游产业链上。产业园将以半导体产业为基础，以半导体产业投资为核心，对标荷兰埃因霍温半导体科技园，打造国内重要的集成电路产业增长极和国际知名的集成电路产业集聚区。
作为深圳东部产业发展重要基地，近年来，坪山集成电路及第三代半导体产业集聚已经渐成规模，集聚了中芯国际、比亚迪（中央研究院）、昂纳科技、金泰克、基本半导体、拉普拉斯等重点企业。
此外，为支持集成电路第三代半导体产业落地发展，坪山区还制定出台《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施》。
今年以来，氮化镓(GaN)快充成为“网红”产品，受到小米、OPPO、魅族等手机厂商的“热捧”。氮化镓在消费电子领域迅速起量的同时，其应用范围也在持续扩展，正向新基建所涉及的5G、数据中心、新能源汽车等领域渗透。新基建将如何赋能氮化镓，我国企业该如何抓住氮化镓的成长契机，利用好市场窗口?
5G可率先打开商用空间
由于氮化镓具备高频率、高功率密度、损耗小等优势，射频器件成为氮化镓最有前景的应用领域之一。5G时代，氮化镓将加速渗透基站所需的射频功率放大器(PA)。
集邦咨询指出，由于硅材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等特点，RF CMOS已经不能满足要求。GaN材料凭借高频、高输出功率的优势，将逐步替代Si LDMOS，大幅运用于PA。市场研究机构指出，5G商用宏基站以64通道的大规模阵列天线为主，单基站PA需求达到192个。2019年全球GaN射频器件市场规模达到5.27亿美元，预计2023年将达到13.24亿美元。
“5G对氮化镓的需求增长是非常明显的，5G基站所需的PA，为氮化镓带来了绝佳的市场机遇。随着硅的性能开发逼近极限，氮化镓替代硅切入更大带宽、更高频率的工作场景，使氮化镓的优势能充分发挥出来，这是一个技术换代带来的市场机会。”苏州能讯高能半导体有限公司董事总经理任勉向《中国电子报》记者表示。
今年3月，工业和信息化部在《关于推动5G加快发展的通知》中指出，将适时发布部分5G毫米波频段、频率使用规划。任勉表示，毫米波基站对射频功率器件的需求，比当前的宏基站市场更为可观，将为氮化镓带来更加庞大的市场增量。
当前，我国企业已经在5G氮化镓射频功率器件有所布局。苏州能讯高能半导体已建成4英寸氮化镓芯片产线，产能达到25000片4英寸氮化镓晶圆，以迎接5G无线通信对氮化镓射频芯片的市场需求。海特高新在5G宏基站的射频GaN已实现突破，在流片工艺上，已可实现代工制造。英诺赛科、赛微电子等企业也在积极开展相关布局。
高效率特性赋能数据中心
在电力电子领域，氮化镓充电器的市场热度不减。除了追求高频率、小体积的快充市场，氮化镓在数据中心服务器电源、高端工业配电系统电源等领域也有着应用潜能。
对于数据中心，服务器运行所需的电能往往占据运营成本的“大头”,如何提升能效比成为现代数据中心的关键课题。任勉指出，相对快充等体积敏感的应用领域，服务器电源将更好地发挥氮化镓高效率、低功耗的优势。
“氮化镓最大的特点是功率转化效率高。尤其在数据中心等高能耗的使用场景下，氮化镓凭借高效率的优势，将带来显著的节能效果。”任勉说。
根据数据中心运营商GaN Systems测算，GaN器件用于从AC(交流电)到DC(直流电)的电源转换，以及转换负载的DC电源，可以将整体效率从使用硅器件的77%提高到84%，使数据中心的功率密度增加25%以上，并将单个机架的电力成本降低2300美元以上。
新能源汽车应用进入研发期
在车规级市场，同为第三代半导体的碳化硅已经实现应用，但氮化镓还处于研发阶段。
目前，用于新能源汽车的功率器件主要有三个领域：一是电机控制器，用于驱动及控制系统;二是OBC(车载充电器)，将交流电转化为可以被新能源汽车动力电池使用的直流电;三是DC-DC直流转换器，将动力电池的直流电转换为低压直流电，给仪表盘、显示屏、监控系统等车载设备供电。专家表示，以当前的技术水平来看，氮化镓用于DC-DC直流转换器这个细分领域有着较为明显的优势。
安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳向《中国电子报》记者表示，电动汽车对高效率、高功率密度有着严苛的要求。通过节约零组件对车内空间的占用，让乘坐空间更加舒适。针对高功率密度、强续航能力等需求，目前的硅功率半导体材料器件已经发展到瓶颈期。氮化镓器件的开关速度比硅MOSFET快很多，在高效率和高功率密度方面更能符合电动汽车的需求。
当前，头部厂商对车规氮化镓多处于研发阶段。安世半导体正在研发用于高压DC-DC直流转换器、OBC等车用氮化镓产品;意法半导体看好氮化镓在OBC及48V直流转换器的潜力，并于今年宣布与台积电合作，共同推进氮化镓在汽车电气化领域的应用;纳微半导体在去年路演中表示，其GaN FET相关产品和技术可用于电动汽车和混合动力车的OBC和DC-DC转换器，可以降低能量损耗并提升开关速度，使车辆实现更快的速度和更长的里程。
“车规功率器件的认证，从A Sample到B Sample到C Sample，不管是可靠性还是方案的成熟度，都需要一定的验证时间。目前氮化镓在车规领域的应用还处于初级阶段，但未来几年预计会呈现递进式的增长。”李东岳说。
GaN应用多项挑战待解
虽然氮化镓在多个新基建领域具备应用前景，但其仍处于发展初期，在技术开发、产品验证、市场渗透等方面，还有待进一步催熟和突破。
任勉指出，在5G射频领域，射频的技术壁垒比电力电子高得多。电力电子工艺主要涉及材料、器件设计、前道工艺和后道封测。但射频器件多了一个电磁波的技术维度，涉及射频电路、射频功放以及微波电子等，技术门槛更高。
在车用领域，李东岳表示，主要存在四方面的挑战：一是车用领域的功率要求波动较大，需要在所有工况下，保持器件参数的长期稳定;二是车规功率器件长期处于高振动、高湿度、高温度的工作环境，要求器件在应对热应力和机械应力的过程中有着极高的可靠性;三是车在装备的过程中，在体积重量和制造成本上都有严格的要求，功率器件必须契合汽车装备本身的需要;四是车规器件需要做到15年到20年的使用寿命，技术门槛很高。
对于我国企业该如何利用好5G等新基建领域为氮化镓带来市场机遇，集邦咨询分析师王尊民表示，在5G基站及数据中心服务器等使用场景，相关技术仍受国际大厂控制，因此我国厂商在其中参与的机会比较少。
“目前，我国厂商若要紧随新基建的发展趋势，首先要强化自身的制造与技术研发能力，例如RF通讯、电力传输的制造实力，才会逐步在相关应用领域站稳脚跟。”王尊民说。
任勉指出，面向5G等领域的需求，我国氮化镓相关企业要提前三到五年布局，进行五年左右的技术积累和三年左右的产能建设。
“市场窗口往往稍纵即逝，一旦市场格局成形，企业再想进入并获得市场主动权，就会比较困难。要提前准备技术、产能、人才，提升布局效率，抓紧时间切入。”任勉说。
6月4日，三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）发布公告称，6月3日，公司收到中国证券监督管理委员会（以下简称“中国证监会”）出具的《关于核准三安光电股份有限公司非公开发行股票的批复》（证监许可[2020]989号）文件，核准公司非公开发行不超过400,916,380股新股，发生转增股本等情形导致总股本发生变化的，可相应调整本次发行数量。
根据此前的公告，三安光电本次非公开发行募集资金总额不超过70亿元，因此，公司本次非公开发行股票的发行数量由不超过398,633,257股（含398,633,257股）调整为不超过400,916,380股（含400,916,380股）。
其中，长沙先导高芯投资合伙企业（有限合伙）拟认购金额为50亿元，拟认购股份数量由284,738,041股调整为286,368,843股；珠海格力电器股份有限公司拟认购金额为20亿元，拟认购股份数量由113,895,216股调整为114,547,537股。
据了解，三安光电本次非公开发行募集资金总额扣除发行费用后的募集资金净额拟投入半导体研发与产业化项目（一期），本次募集资金投资项目计划总投资金额约138亿元，拟使用募集资金投入金额为70亿元。
项目将建设主要包括三大业务板块及公共配套建设，三大业务板块分别为：氮化镓业务板块、砷化镓业务板块、特种封装业务板块。本次募投项目实施后，将建成包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片；高端砷化镓LED外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。
其中，各业务板块具体的产能规划如下：
1、氮化镓业务板块：（1）年产氮化镓芯片769.20万片，其中：第五代显示芯片（Mini 背光/Micro LED）161.60万片/年、超高效节能芯片530.80万片/年、紫外（UV）芯片30.80万片/年、大功率芯片46.00万片/年；（2）PSS衬底年产923.40万片；（3）大功率激光器年产141.80万颗。
2、砷化镓业务板块：（1）年产GaAs LED芯片123.20万片，其中：第五代显示芯片（Mini/Micro LED）17.60万片/年、ITO红光芯片34.90万片/年、RS红光芯片19.10万片/年、高功率红外产品14.20万片/年、植物生长灯芯片14.40万片/年、大功率户外亮化芯片7.20万片/年、车用级芯片7.00万片/年、医疗健康芯片8.80万片/年；（2）年产太阳电池芯片40.50万片，其中：商用卫星电池13.50万片/年、临近空间装置27.00万片/年。
3、特种封装业务板块：（1）UV LED封装81.40kk/年；（2）Mini LED芯片级封装8,483.00 kk/年；（3）车用级LED封装57.80kk/年；（4）大功率LED封装63.20kk/年；（5）IR LED封装39.00kk/年。
凭借成熟制程及成本较低的优势，第一代硅质半导体芯片已成为人们生活中不可或缺的重要器件。然而，硅质半导体受制于无法在高温、高频以及高电压等环境中使用的材料限制，让化合物半导体逐渐崭露头角。
衬底与外延质量成决定化合物半导体器件特性关键
化合物半导体主要指砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) 等第二、第三代半导体，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面较优。
全球知名研究咨询公司集邦咨询旗下拓墣产业研究院指出，现行化合物半导体的供应链关系，主要透过衬底厂商提供适当的晶圆，并由外延厂进行所需之反应层材料成长，随后再透过IDM厂或各自独立的代工厂进行加工，最终再由终端产品商加工统整后贩卖至消费者手中。
考虑到化合物半导体衬底在生长过程中产生部分缺陷，所以制作器件前需透过如MOCVD、MBE等外延程序，再次成长所需的反应层，借此降低并满足器件性能表现；在衬底方面，目前化合物半导体主要以6吋衬底为主，并试图满足GaAs、 SiC、GaN on Si / SiC等各类器件生产之需求。
由于化合物半导体属二元以上结构，在衬底及外延的制备上，相较于传统硅材料困难，因此，如何有效控制衬底与外延质量，是决定化合物半导体器件的特性关键。
新冠疫情席卷全球，化合物半导体应用受波击
化合物半导体并不是近年的产物，不过，直到近期化合物半导体才真正开始普及和兴起，尤其近年中国开始大规模投资，亦使得产业渐趋繁荣。然而，受到中美贸易摩擦及突如其来的新冠肺炎疫情影响，化合物半导体产业的应用也受到波及。
拓墣产业研究院指出，基于砷化镓或氮化镓的射频器件受到不小震荡。其中，砷化镓技术相较成熟，但由于市场仍以手机射频为主，以致受到影响较大，预估2020年营收将小幅下跌。而氮化镓器件仍处于开发阶段，目前主要应用于基站射频技术，预计2020年营收则呈现小幅增长。
功率器件方面，虽然受大环境影响，但其已是化合物半导体的发展重点，成长动能依旧显著。碳化硅材料因衬底生产难度大，功率器件成长幅度受限，后续有待衬底技术持续精进；氮化镓功率器件技术发展则相对成熟，虽大环境不佳导致成长放缓，但向上幅度仍明显。
中国厂商与国际大厂技术差距将逐渐缩小
虽然受到中美贸易摩擦和疫情影响拖累全球半导体产业发展，但化合物半导体凭借自身材料特性和新兴应用需求，各家IDM厂相继推出相关措施应对。科沃（Qorvo）、意法半导体、安森美以及中国三安光电和英诺赛科等厂商都纷纷通过新品、并购或新建生产线等方式积极参与市场竞争，以扩大影响力。
拓墣产业研究院分析，目前来看，在化合物半导体领域，中国厂商虽然和国际厂商相比仍有技术差距，但随着中国国家大基金的支持以及厂商的不断布局，技术差距将不断缩小。当前唯有真实掌握市场需求，厂商才有机会在竞争中当中成长及获利。
近日，由沈阳芯源微电子设备股份有限公司（以下简称“芯源微”）生产的前道涂胶显影机到位中芯北方进行验证。据沈阳日报报道，这意味着国产涂胶显影设备开始大批量走向市场。
资料显示，芯源微成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业，目前主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，产品包括光刻工序涂胶显影设备（涂胶/显影机、喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机、去胶机、湿法刻蚀机），产品可用于6英寸及以下单晶圆处理（如LED芯片制造环节）及8/12英寸单晶圆处理（如集成电路制造前道晶圆加工及后道先进封装环节）。
2019年12月16日，芯源微在上海证券交易所科创板上市，成为了辽宁省科创板“第一股”和中科院第一家科创板上市企业。根据此前的招股书披露，芯源微拟向社会公开发行不超过2,100万股，计划募集资金3.78亿元投入高端晶圆处理设备产业化项目、高端晶圆处理设备研发中心项目两大项目。
2019年度报告显示，芯源微生产的前道涂胶显影设备于2018年下半年分别发往上海华力、长江存储进行工艺验证，其中上海华力机台为前道Barc（抗反射层）涂覆设备，已于2019年9月通过工艺验证并确认收入；长江存储机台为前道涂胶显影设备，目前仍在验证中。通过在上海华力、长江存储的验证与改进，公司光刻工序前道涂胶显影设备在多个关键技术方面取得突破，技术成果已应用到新产品、新客户，截至目前，已陆续获得了株洲中车、青岛芯恩、上海积塔、宁波中芯、昆明京东方、厦门士兰等多个前道大客户的订单。
而集成电路前道晶圆加工领域用清洗机Spin Scrubber设备的各项指标均得到明显改善或提升，已经达到国际先进水平。该类设备已在中芯国际、上海华力等多个客户处通过工艺验证，截至目前已获得国内多家晶圆厂商的重复订单。
此外，芯源微生产的光刻工序涂胶显影设备与单片式湿法设备，已经从传统的先进封装领域、LED领域拓展到MEMS、化合物、功率器件、特种工艺等领域，截至目前已累计销售800余台套，已作为主流机型应用于台积电、长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、华灿光电、乾照光电、澳洋顺昌等国内一线大厂。
5月7日，5月7日，北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告（第二期）。
国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。
官网资料显示，天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为10364.2866万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日，天科合达在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌。
天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一，目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位，国内排名居前列，晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。
5月7日，5月7日，北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告（第二期）。
国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。
官网资料显示，天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为10364.2866万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日，天科合达在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌。
天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一，目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位，国内排名居前列，晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。
随着新冠肺炎疫情防控形势持续向好，生产生活秩序加快恢复，福州高新区推动省市重点项目满负荷施工，争取把受疫情影响的建设进度“抢”回来。
桩基施工拟6月底完成
据介绍，位于高新区生物医药园和机电产业园（简称两园）的第三代半导体数字产业园于2019年三季度开工建设，预计2021年建成投产。
该产业园占地65513平方米，总建筑面积87550平方米，计容建筑面积104170平方米，总投资50995万元。建设内容包括4栋4层标准厂房、2间门房、263个机动车停车位、876个非机动车停车位，以及供水、供电、排水、道路、污水处理等配套设施。
项目完工后，将与高新区海西园的数字经济产业园相呼应，形成大园区加特色产业园相结合的产业格局，并通过打造一批高品质精细化民生设施，提升高新区的城市品质。
一直以来，在市委、市政府大力指导和帮助下，高新区准确把握当前电子信息产业的发展方向，高效率推进、高品质服务、高标准建设，全力推进第三代半导体数字产业园落地动建。该工程桩基共计1358根，截至4月22日共施工完成280根，预计6月底完成桩基施工。
全面赋能平台招大引强
与此同时，高新区全面赋能平台招大引强，依托已落地“两园”的福建省电子信息集团，引进一线龙头企业项目——海峡星云国产整机先进智能制造基地。项目将基于国产芯片，创建、培育和发展福建本地高端计算整机品牌，推动高端通用国产整机研制，开展高端整机全国产化替代与应用示范，形成具有独特优势和特色的区域整机品牌。
该项目分三期建设，首期计划投资10亿元，目标到2020年底实现年产10万台高端整机；二期规划于2021年开工，计划总投资20亿元，目标到2022年实现年产30万台；远期规划2024年开工，计划总投资50亿元，目标实现年产50万台。目前已完成厂房场地装修90%的工作任务，主要生产设备也已完成出厂测试工作，分批次运送到福州工厂。
高新区相关领导介绍，第三代半导体数字产业园的建设，将为落地高新区的机电数字产业企业提供低成本、高回报的平台。同时结合“8+7”创新发展政策，与福建省电子信息集团形成互动、优势互补，能快速吸引投资，打造电子信息产业集群，推动高新区发展再上新台阶。
