4月20日，常州市委常委、统战部长、科教城党工委书记韩九云实地调研GCS高端化合物半导体制造项目。
据常州日报报道，GCS高端化合物半导体制造项目预计今年年底投产，目前项目一期正在对晶品光电（常州）有限公司的现有空置厂房4000平方米场地进行装修改造，预计今年底能够投产。
报道指出，GCS高端化合物半导体制造项目由美国GCS公司、武岳峰资本、台湾晶元光电股份有限公司、江苏卓胜微电子股份有限公司等投资，总投资100亿元。项目通过建设化合物半导体及微机电系统生产线，用于高端射频前端应用及光电子应用的半导体制造。
韩九云指出，该项目符合国家战略新兴产业政策和行业发展规划，技术水平高、市场潜力大，目前工作进展较快，希望能够继续抓紧工作进度，在年内启动投入生产。
近日，广西桂林高新区管委会与位于中国台湾的欣忆电子股份有限公司通过视频连线召开海峡两岸项目推进会，就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”。
据桂林日报报道，第三代半导体六英寸氮化镓项目一期总投资16亿元，计划用地120亩，拟将依托桂林电子科技大学科研与人才优势，在桂林国家高新区建设获利能力较强、国内外市场影响力较大的氮化镓集成电路生产线。
当前，多个半导体产业相关项目落户桂林，如桂林光芯片半导体工艺平台产业化项目、华为智能制造产业园项目、桂林军民融合电子生态产业园项目等。
如今，桂林或将再迎来一个第三代半导体产业项目。届时，桂林将借项目吸引高端技术人才引进，带动更多半导体上、下游及配套产业集聚，在桂林市乃至广西打造一个国内重要的特色集成电路产业基地。
桂林日报指出，欣忆电子股份有限公司为台商独资高新技术企业，总部设在中国台湾新竹，主要从事半导体封装测试设备的研发、生产、销售,为亚太地区半导体设备商三大厂商之一。
半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗等，其中，硅是在商业应用上最具有影响力的一种。第三代半导体，主要包括目前即将成熟应用的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），也包括其他氮化物半导体、氧化物半导体和金刚石等宽禁带及超宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。
2018年3月31日，深圳第三代半导体研究院成立。2018年7月底，研究院正式投入实际的研发工作，启动第一批研发项目。如今，在南方科技大学台州楼的深圳第三代半导体研究院，已有一个40多人的团队，均为国内、国际一流的人才，其中一半以上从事科学研究工作。
对第三代半导体的开发和市场应用空间，研究院院长赵玉海相当有信心，认为“其发展空间巨大”。第三代半导体素有半导体“贵族”之称，赵玉海和他的团队成员，如今正努力做着一件事——让第三代半导体这个“贵族”平民化。
市场需求推动产业发展
去年高交会期间，第三代半导体研究院与龙华区签订了合作框架协议，选择落户龙华，以深圳报业集团旧厂房改造研究实验室用地。这意味着未来几年，这个由深圳第三代半导体产业技术创新战略联盟牵头，联合南方科技大学、复旦大学、中科院等高校、科研究所、骨干企业共建的新型民办非盈利研发机构将在龙华研究新型的第三代半导体材料，并助力龙华在新能源汽车、移动通信、消费电子、光电显示等领域提升核心竞争力，促进产业转型发展。
在谈及第三代半导体之前，赵玉海首先普及了第一代和第二代半导体的发展情况。赵玉海表示，第一代半导体是以整合硅、锗元素等为代表的半导体材料，其优势是周期长，发展成熟，成本低；第二代半导体材料是化合物半导体材料，属于高频段半导体；而第三代半导体则是以碳化硅、氮化镓等为代表，目前处于产业发展初期。“第三代半导体的出现，并不是一种替代关系，而是与前两代半导体共存的关系。”赵玉海说。
业界对第三代半导体有一个形象的比喻，称第三代半导体材料为“半导体中的贵族”，因为其成本高昂。其实，早在20多年前，国际上已经掀起了研究第三代半导体之风，但由于成本高，市场发展不够成熟，所以一直未形成产业规模。如今，科技创新打开了市场需求，第三代半导体研发正当时。
“以现在发展的5G技术为例，第一代半导体的整合硅材料已经难以适应5G技术的发展需求，如果采用了氮化镓，优势立刻就凸显出来了。以氮化镓作为主要材料生产光伏变压器可比硅材料的变压器提高2%-3%的转化率，这对大型企业而言，非常有利。”赵玉海举例说明。
力争实现产业链全覆盖
“既然说第三代半导体是‘贵族’，那么我们现在的主要任务就是让其平民化。”赵玉海说。
深圳是个创新发展的活力之城，既有包容性，又呈现开放性，能够给新兴产业以及配套产业提供给一个巨大的发展空间。按照原计划，第三代半导体研究院的选址就落在南方科技大学，但因为种种原因，研究院不得不考虑迁址。
赵玉海说：“首先，我们需要的场地面积大，要20000平方米；其次，对层高要求也比较严苛，至少要6米以上，便于上下安装实验管道和空调。”机缘巧合，第三代半导体研究院与龙华“相遇”。“龙华区政府非常有诚意，相关部门积极主动与我们对接，并且给了很大的支持力度，配套产业链条也相当成熟，因此我们决定把研究院放在龙华。”
有别于一心埋首做研究的团队，对第三代半导体研究院的发展，赵玉海有明晰的计划和发展目标。“从衬底到外延再到芯片、模组，最后走向市场化应用，我们希望打通产业链上的所有关卡，实现全覆盖。”赵玉海说，无论是何种材料研发，都会面临一个技术难题，即需要稳定的产业技术来支撑。因为实验室研究出来的成果，并不代表可以立即投入到生产中。要实现产业链全覆盖，而且不允许任何一个节点出现短板，这其中的难度可想而知。
目前，赵玉海带领的这个40多人的团队已经形成了三支队伍，分别从氮化镓光电、半导体芯片封装以及衬底材料三个节点进行研究，预期到年底，第三代半导体研究院就会推出一批科研成果，并推动其产业转化。“其实，我们做好了规划，每年都会出一批成果，而且，我们有专业的孵化器，能起到带动效应，让这些项目成果尽快孵化。”
升级打造产业新引擎
如果说，很多人不太了解何谓光电子，那么利用光电子发展领域中的发光优势所研发的照明技术，相信很多人都不陌生了。“我们所熟知的LED照明就是早年利用第三代半导体材料光电子发光优势而开发出来的，目前应用十分普遍，技术也趋于成熟。”赵玉海说，未来第三代半导体的研究方向，将集中在三个方面：光电子、电力电子以及微波射频。
光电子方向，第三代半导体材料可凸显发光优势中的亮度优势，未来会朝Micro-Led与其他新兴显示技术方向发展。电路电子领域的发展空间非常巨大，跟城市发展中的电力传输、消费均有关系，亦可开发新材料应用，运用在环保和工业上。“还有一个重要的发展方向是能源互联网，像驱动轮船、电动汽车、空调等，都可以利用能源互联网进行升级，达到产品轻量化和降低能源消耗的目的。”
面向未来的5G移动通信，海量的设备连接和新的应用场景等，对超高的流量密度、连接数密度和移动性都提出了新的要求。第三代半导体技术研发的微波射频技术，可超越前两代半导体技术的承载能力，体现出更高频、高效、低功耗和高功率密度的优点。除了民用的5G通信技术，微波射频同样可用于军用领域。“就拿雷达来说，用第三代半导体材料，可实现在目前探测距离的基础上翻一番，让探测更精确。”
研究院启动之初，提出了五年内要实现国内领先、国际一流；十年内国际领先，立足深圳、覆盖粤港澳大湾区、面向全国，辐射全球的计划。同样以五年为期，赵玉海说，届时他的团队要发展至450人。集各方智慧，打造开放研究的平台，为产业的快速发展提供技术支撑，这也是设立第三代半导体研究院最重要的意义。
4月8日，山东济南槐荫经济开发区重点招商引资项目签约仪式举行。此次签约项目总投资额达到127.38亿元，包括中鸿新晶第三代半导体产业集群等10个项目。
据山东发布指出，中鸿新晶第三代半导体产业集群项目总投资约111亿元，总建设周期5年，分三期进行。
其中项目一期产业投资8亿元，计划3年内完成第三代半导体产业集群初步建设，完成深紫外LED生产线20条，6-8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线各2条，氮化镓中试线1条。一期完成后，将实现年产值20亿元，利税24.2亿元。
项目二期投资51亿元，完成第三代半导体产业基金的募集工作，并购瑞典ASCATRON(艾斯科强) 公司，打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院”视一期进展及市场需求情况适时启动，计划2年内完成6-8英寸碳化硅单晶扩产、6-8英寸氮化镓外延、射频器件、功率器件生产线各1条。二期完成后，将实现年产值120亿元，利税将超过20亿元。
项目三期投资52亿元，将ASCATRON公司后续芯片生产全部转移至中国，项目建成后预期将带动上下游产业近千亿元产值。
该项目依托中科院半导体所、微电子所等源头创新力量，中电化合物公司及航天国际有限公司等产业龙头、中南资本、中科院控股等金融资本，由中鸿新晶公司提供先进技术与团队，整合韩国浦项半导体、LG半导体，瑞典Epiluvac(艾彼卢米肯)等国际知名半导体企业优势资源，采用产业链垂直整合模式，打造覆盖以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体研发、设计、制造、封装、测试等全产业链，涵盖单晶生长、外延、器件、模块等全产品线。
资料显示，中鸿新晶科技有限公司成立于2017年，是为第三代半导体产业链提供原材料和装备解决方案的高科技企业、专业从事第三代半导体高纯碳化硅微粉生产、碳化硅单晶炉的研发制造，碳化硅和氮化镓芯片设计和制造的企业。中鸿新晶的愿景是要做第三代半导体全产业链的领跑者，承担起中国在电子信息产业换道超车、重塑世界半导体产业格局的时代使命。
4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下简称“丹邦科技”）发布2020年非公开发行股票预案公告，拟非公开发行募资17.8亿元。
公告显示，丹邦科技本次非公开发行的股票数量不超过本次非公开发行前公司总股本的30%，即发行数量合计不超过164,376,000 股（含本数）。
募资17.8亿
公告显示，丹邦科技本次非公开发行股票募集资金总额不超过17.8亿元，主要用于量子碳化合物厚膜产业化项目、新型透明PI膜中试项目、量子碳化合物半导体膜研发项目、以及补充流动资金，三个项目建设周期均为2.5年，建设地点位于广东省东莞市松山湖科技产业园工业西三路广东丹邦工业园。
其中，量子碳化合物厚膜产业化项目投资总额为12.31亿元，拟使用募集资金10.3亿元；新型透明PI膜中试项目投资总额为4.65亿元；量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元。
资料显示，丹邦科技经营范围包括开发、生产经营柔性覆合铜板、液晶聚合导体材料，高频柔性电路、柔性电路封装基板、高精密集成电路、新型电子元器件、二维半导体材料、聚酰亚胺薄膜、量子碳基膜、多层石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要产品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封装COF基板、芯片及器件封装产品及柔性封装相关功能热固化胶、微粘性胶膜等，主要应用于空间狭小，可移动折叠的高精尖智能终端产品，在消费电子、医疗器械、特种计算机、智能显示、高端装备产业等所有微电子领域都得到广泛应用。
丹邦科技表示，本次募集资金投资项目的总体目标即：大批量生产量子碳化合物厚膜、中试新型透明PI膜、研发量子碳化合物半导体膜，为实现公司成为国际领先的新型半导体材料企业的发展愿景打下坚实基础。
研发量子碳化合物半导体膜
当前，半导体新材料的突破将成为半导体产业未来发展的关键。传统硅基半导体性能已接近极限，而量子碳化合物半导体膜有望成为综合性能更好的新型化合物半导体材料。
量子碳化合物半导体膜作为一种新型的化合物半导体材料，与GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半导体材料相比，具有高频、高效率、抗辐射、耐高低温、耐高压、低功耗、高热导等化合物半导体材料的特性。
公告显示，丹邦科技此次投资项目之一量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元，拟使用募集资金1.2亿元，主要建设内容为利用公司现有厂房进行改造并引进设备开展新型化合物半导体材料——量子碳化合物半导体膜的研发。
从金额上看，在四个拟募投项目中，尽管“量子碳化合物半导体膜研发项目”的投资额最少，但该项目对于丹邦科技在新材料领域由高分子材料拓展至化合物半导体材料，具有重大战略意义。
丹邦科技在PI膜分子结构设计、成膜及烧结工艺的研发过程中，通过纳米金属材料的掺杂、杂化，并进行离子交换和离子注入，使薄膜表面形成分布均匀的纳米量子点，实现了薄膜带隙的开启与调控，使其具备二维半导体性能。
丹邦科技将以此为基础，切入化合物半导体材料领域，开展量子碳化合物半导体膜研发项目，拟研制耐高低温、高压、高频性能、大宽幅、超柔韧、超薄层微结构的化合物半导体材料。
丹邦科技表示，本次量子碳化合物半导体膜研发项目得以实施后，公司有望在化合物半导体材料领域实现重大技术突破，提升公司的技术领先地位，亦有助于提升我国在化合物半导体材料领域的自主创新能力与竞争力。
4月6日，深圳丹邦科技股份有限公司（以下简称“丹邦科技”）发布2020年非公开发行股票预案公告，拟非公开发行募资17.8亿元。
公告显示，丹邦科技本次非公开发行股票募集资金总额不超过17.8亿元，主要用于量子碳化合物厚膜产业化项目、新型透明 PI 膜中试项目、量子碳化合物半导体膜研发项目、以及补充流动资金，三个项目建设周期均为2.5年，建设地点位于广东省东莞市松山湖科技产业园工业西三路广东丹邦工业园。
其中，量子碳化合物厚膜产业化项目投资总额为12.31亿元，拟使用募集资金10.3亿元，主要建设内容为利用公司现有厂房改建净化车间，引进国内外先进设备建设一条量子碳化合物厚膜生产线，包括化学法渐进喷涂式生产高性能聚酰亚胺超厚膜生产线、碳化和黑铅化生产线、环保设备等。项目达产后，公司将形成年产100 万平方米量子碳化合物厚膜的生产能力。
新型透明 PI 膜中试项目投资总额为4.65亿元，拟使用募集资金4.3元，主要建设内容为利用公司现有厂房改建净化车间，引进国内外设备建设一条新型透明 PI 膜中试生产线，开展产品研发及小规模试验生产，预计投产后每年可生产 30 万平方米新型透明PI 膜。
量子碳化合物半导体膜研发项目投资总额为1.21亿元，拟使用募集资金1.2亿元，主要建设内容为利用公司现有厂房进行改造并引进设备开展新型化合物半导体材料——量子碳化合物半导体膜的研发。
资料显示，丹邦科技股份公司成立于2009年6月，注册资本5.48亿元，经营范围包括开发、生产经营柔性覆合铜板、液晶聚合导体材料，高频柔性电路、柔性电路封装基板、高精密集成电路、新型电子元器件、二维半导体材料、聚酰亚胺薄膜、量子碳基膜、多层石墨烯膜、屏蔽隐身膜等。
公司主要产品包括柔性FCCL、高密度FPC、芯片封装COF基板、芯片及器件封装产品及柔性封装相关功能热固化胶、微粘性胶膜等，主要应用于空间狭小，可移动折叠的高精尖智能终端产品，在消费电子、医疗器械、特种计算机、智能显示、高端装备产业等所有微电子领域都得到广泛应用。
2019年半年报显示，其COF柔性封装板、COF产品、FPC（柔性印制电路板）和PI膜占营业收入比重分别为46.44%、28.87%、22.44%和0.80%。
据北京日报报道，日前，顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目复工，预计今年六月底竣工，目前正在进行的是小市政施工作业。
顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目施工总包单位在完成编报《施工现场疫情防控工作方案》《五方自查表》《建设工程复工疫情防控检查表》后，2月18日，经顺义区住建委、中关村顺义园管委会、张喜庄卫生院三方的联合检查后顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目有序开工。
第三代半导体材料及应用联合创新基地项目复工的初期时间至3月15日，计划用工约80人，其中包括小市政施工、室内装修、机电安装，其施工人员主要分布为河北、河南、四川等省份。目前小市政20人的队伍有12人到场，装修队5人到场，正在进行医学观察，其他人员将分批分期进入工地。记者通过视频连续看到，基地现场一辆挖掘机正在进行雨污水处理的作业，两名监工人员相距两米以上站立。为落实好现场疫情防控各项工作，项目总包方按照相关要求成立了疫情防控指挥部，并明确了责任分工，制定了《第三代半导体项目新冠状病毒疫情防控应急预案》《新型冠状病毒感染的肺炎疫情防控工作管理规定》等方案，并健全了新型冠状病毒疫情防控宿舍及后勤管理制度、监督性医学观察管理制度、防疫测温制度等各项管理制度。
“我们在现场按要求设置了医学观察区与隔离区。其中，设立了医学观察室共10间，用于返京工人进场后的14天医学观察，14天后无问题后就会转到普通宿舍办理住宿。”项目总包方相关负责人表示，“我们还临时设置了2间隔离室，用于健康出现问题人员临时隔离使用。”项目前期该施工方还充分准备，储备了防护服、护目镜、测温枪等疫情防控物资。随着工人数量的陆续增加，现场物资将继续补充。
第三代半导体材料及应用联合创新基地项目总建筑面积71570平方米。其中，其中地上55370平方米，地下16200平方米。一期工程为2号生产实验车间及其地下，总建筑面积为32597平方米。二期工程为1号、3号生产实验车间、地下车库及气瓶储存间。
目前，工程主体及二次结构砌筑完成，配电室结构改造、地下设备基础及回填土、地下室地面垫层、屋面工程、室外雨水收集池及化粪池安装均已完成。本工程计划3月中旬开始机电安装及室内装修，5月底完成安装调试，6月中旬完成联动调试，2020年6月30日竣工。
近日，产投资本管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司（简称“世纪金光”）签署投资协议并完成首期出资，标志着合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。
随着碳化硅产业化日趋成熟，产投资本紧抓第三代半导体发展机会，抢先布局。本次，产投资本作为领投方参与世纪金光C轮融资，对合肥市半导体产业升级和技术创新有重要意义。
世纪金光是国内第三代半导体领军企业，成立于2010年，总部位于北京经济技术开发区，是国家大基金在第三代半导体领域投资的重点企业之一。
近几年来，世纪金光创新性地解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、碳化硅SBD、MOSFET材料、结构及工艺设计技术等，已完成从碳化硅材料生产、功率元器件和模块制备到行业应用开发与解决方案提供等关键领域的全面布局，是国内第一家拥有SiC全产业链技术的半导体公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
据意法半导体介绍，Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变，研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。
双方的交易条款没有对外公布，等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。据披露，现已签署的并购协议还规定，在多数股权收购交易完成24个月后，意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。
意法半导体表示，Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。
意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery称，收购Exagan的多数股权是对意法半导体目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。
据了解，2018年意法半导体宣布与CEA Tech旗下研究所Leti合作研发硅基氮化镓功率切换元件制造技术。前不久，意法半导体宣布与台积电携手合作加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。
意法半导体汽车产品和分立器件部总裁Marco Monti曾指出，意法半导体在氮化镓制程技术的加速开发与交付看到了庞大的商机，将功率氮化镓及氮化镓集成电路产品导入市场。
嘉兴南湖区政府网信息显示，3月3日南湖区举行一季度重大项目集中开竣工活动，参加本次集中开竣工活动的项目共54个，总投资达219.96亿元。活动主会场开工仪式设在嘉兴科技城的浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目现场。
活动现场，博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目举行开工仪式，该项目是中国第三代半导体材料示范项目，也是嘉兴南湖微电子产业平台2020年引进的标志性项目。项目总投资25亿元，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司将引进6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线设备，项目全部达产后可实现年销售30亿元以上，年税收6600万元以上。
据报道，该项目将分两期实施，其中一期建筑面积5万平方米，建设6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线，设计月产能为1000片氮化镓射频晶圆；二期建筑面积3.9万平方米，建设6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线和外延片生产线，设计月产能为3000片氮化镓射频晶圆、月产能20000片氮化镓功率晶圆。
浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司董事长张博表示，该项目预期在明年二季度就能达成试产，明年可以批量生产。
