美光Micron 归档 - 北京中代科技有限公司

美光2020年会计年度Q1展望保守

2019年9月29日由中代科技评论关闭

美国商务部将华为列入禁止出口实体清单中，美光虽然将不受限制的产品对华为出货，但总体来看，华为禁令已对美光营运造成负面影响，加上美光表示未来几季对华为的出货恐持续下滑，也导致美光对2020年会计年度第一季展望低于预期。在营运展望保守下，美光股价上周五大跌近7%，连带影响南亚科、华邦电、威刚、群联等存储器族群股价纷纷走跌。

虽然近期DRAM及NAND Flash价格止跌，但市场库存仍高，美光预期2020年会计年度第一季（9～11月）营收可望回升至50亿美元，但毛利率将进一步下滑，导致获利预估低于市场预期。再者，美光预期华为若持续名列实体清单，美光又无法获得商务部许可，会造成对华为的出货逐季下滑，影响营运。

再者，美光对明年存储器市场景气看法，市场法人及分析师均趋于保守，所以才会明显降低资本支出。尤其美光对NAND Flash市场展望保守，2020年的供给位元年成长率将明显低于产业平均水平，并将以现有库存因应客户需求，法人解读美光恐持续减产，也暗示市场库存水位仍居高不下。

不过，美光无法顺利出货给华为，反而给台湾地区存储器厂有机会争取华为订单。法人指出，华为在智能型手机、5G基地台、网络设备及、WiFi路由器、笔电及服务器等市场具领导地位，所以对存储器需求量庞大，美光现在只能将部分不受限制的产品出货给华为。

法人表示，台湾存储器厂如南亚科、华邦电等多数产品线，基本上都可符合法令规定持续出货给华为，对下半年营运有明显加分效果。

美光总裁兼CEO：全球半导体产业扩张势头不会缩减

2019年9月9日由中代科技评论关闭

近期，美国半导体行业协会轮值主席、美光科技公司总裁兼CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，随着智能手机、个人电脑和云计算应用等领域的计算技术不断取得突破，人们在生产生活中利用信息的方式被深度优化。特别是在医疗保健、交通技术和数据访问等领域，半导体技术发挥着不可替代的作用，且在产业链中占据着越来越大的份额，成为世界经济的领先部门之一。

半导体占据越来越大份额

在过去的20年中，全球半导体销售业务一直在以接近7%的年复合增长率发展，在2018年达到4690亿美元。如今，中国成为日益重要的半导体市场，2018年占全球半导体销量的1/3。在桑杰·梅赫罗特拉看来，全球半导体行业长期前景十分光明，产业扩张势头不减。这种增长得益于先进的计算性能、更快的连接速度和新应用程序所需的实时数据分析。

“对于一个在半导体行业工作了40年的行业一员来说，”桑杰·梅赫罗特拉表示，“我们的愿景是改变世界利用信息的方式，丰富人们的生活。特别是在医疗保健、交通技术和数据访问等领域，半导体技术发挥着不可替代的作用，且在产业链中占据着越来越大的份额。

在医疗保健领域，通过更先进的半导体技术，我们将获得重大机遇加快改善护理质量的进程。多项研究表明，人工智能可对常见的扫描结果做出分析，至少能做到与人类医生一样准确，在许多情况下，甚至比我们最优秀的专家做得更好、更快。随着技术不断的发展，人工智能科技将为更多的人带来先进的、挽救生命的医疗保健服务，使农村和缺医少药地区也能够更便捷地获取最好的医疗知识和诊断。

在交通技术领域，汽车制造商正在快速应用辅助驾驶功能，如避碰、自适应巡航控制和车道偏离警告技术。未来，道路安全性将得到大幅提升。

在数据访问领域，5G网络将彻底改变数据访问速度，并能获得海量设备的连接。5G的大带宽和低时延将使当下网络上无法存在的应用程序和业务模型成为可能，包括4K流媒体视频和基于虚拟现实的新型应用程序。5G网络将为数十亿相互连接的设备，即物联网提供架构，并将计算的触角延伸到人类生活的方方面面。

半导体产业发展三要素

桑杰·梅赫罗特拉指出，半导体行业需要继续投资于技术创新、制造能力和产品解决方案，这就对半导体行业提出了三个重要要求。

一是要吸引源源不断的优秀人才加入半导体行业，为未来的挑战性问题创造解决方案。

二是要重视知识产权保护。半导体的研发投资要求很高，创新的步伐需要持续、高水平运营资本的支出，半导体行业和世界各国政府必须共同努力，确保在尊重和保护知识产权的基础上建立一个全球框架，使企业能够收回这些重大支出，并继续投资于造福社会的未来发展。

三是要维持政府主导的半导体投资供需平衡。对下一代、未来技术的研究投资而言，可以从政府资助中受益，但关键是要确保此类资助不会扩大影响半导体行业供需微妙平衡的制造规模。半导体市场，对这些供需动态非常敏感，世界贸易组织已经做出了相应的规定，以确保工业结构有序。

美光回应台中厂扩建案：不会增加新的晶圆产能

2019年9月3日由中代科技评论关闭

美国存储器大厂美光（Micron）对于台湾地区台中厂扩建一案提出正式回应说明。美光表示，如同美光于公布2019会计年度第三季度财报时所言，今年4月美光于台中的无尘室扩建工程正式动土。

美光表示，由于未来开发DRAM节点所需处理步骤可能更繁杂，需要更多无尘室空间以因应。无尘室的扩建将有助于推进台湾美光现有晶圆产能DRAM制程转换，美光并不会因该扩建而增加任何新的晶圆产能。台湾美光将不就任何有关进一步扩建或投资台湾的猜测及谣言发表评论。

综观全球，美光确认将2019会计年度的资本支出从年初105亿美元加减5%，调降至大约90亿美元。相较于2019会计年度，美光也计划有意义地降低2020会计年度资本支出投资水平。

美光量产第三代10nm级内存：首发1Znm工艺 16Gb DDR4

2019年8月28日由中代科技评论关闭

日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。

在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。

美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。

此外，美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

台湾美光：为因应制程技术升级扩建A3 但没有A5厂规划

2019年8月27日由中代科技评论关闭

市场传出存储器大厂美光(Micron)将在中国台湾兴建A3和A5两座晶圆厂，不过，台湾美光昨(26)日表示，目前在台投资计划仅有在中科厂旁扩建A3无尘室，而没有A5厂的规划；且现阶段美光的全球产能布局原则为提升制程技术与增加产品容量，而非增加晶圆投片量。

台湾美光表示，正在台中后里厂区动工扩建A3厂，主要是为了扩大增加无尘室设备空间和技术升级，预计明(2020)年第四季完工，但目前没有A5厂的规划。而扩建无尘室空间是为了因应先进制程之新设备需求，且目前美光的全球产能布局原则是提升制程技术、与增加存储器储存容量，而并非增加晶圆投片量或月产能。

分析师则指出，美光在台大举投资，可望发挥一定程度拉抬台湾经济，以及带动就业的效果；不过，由于整体产能规划未变，推测对后段封测厂，例如力成、南茂、日月光等助益也有限，而后续更值得留意的是，台湾美光将跨足先进封测领域，是否会影响相关台厂在高端封测的订单。

美光在台扩厂加码903亿元建两座晶圆厂

2019年8月26日由中代科技评论关闭

全球第三大DRAM厂美商美光（Micron）加码投资中国台湾地区，要在现有中科厂区旁兴建两座晶圆厂，总投资额达新台币4,000亿元（约合人民币903亿元），以生产下世代最新制程生产DRAM。时值DRAM仍供过于求，美光大手笔投资，震撼业界。

这是美光继在台中投资先进存储器后段封测厂后，又一次大手笔投资台湾。中科管理局透露，美光此次投资案，名列台湾第二大半导体投资案（仅次于台积电中科与南科扩建案），若以外商来看，则是最大投资案。

据了解，美光此次903亿元扩建案，规划在目前中科厂旁，兴建A3及A5两座晶圆厂。其中，A3厂预定明年8月完工，并陆续装机，明年第4季导入最新的1z制程试产，藉此缩小与龙头三星的差距；第二期A5厂将视市场需求，逐步扩增产能，规划设计月产能6万片。

美光台湾分公司证实在台中扩建A3厂，且已进入兴建工程。美光台湾强调，A3厂房是以扩建无尘室为主，将加入既有的桃园前段晶圆厂，以及台中后里前段晶圆厂的前段晶圆制造生产线，进一步扩充美光在台设立的DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。至于A3厂投资金额和A5厂相关产能规划等细节，则不便透露。

因应这项扩建案，美光近期整并位于台中的原瑞晶厂与并购华亚科的桃园厂组织架构，分别列为美光的A1厂及A2厂，两座晶圆厂全数划归美光台湾董事长兼台中厂营运长徐国晋管辖，数十位中间主管因组织重叠而优退，桃园厂营运长叶仁杰也订9月1日离职。

美光是全球第三大DRAM厂，名列韩国三星、SK海力士之后。目前DRAM市场仍供过于求，价格跌势延续，三星、SK海力士为均暂缓扩产，避免打乱市场，加上先前日韩贸易战一度使得南韩DRAM生产恐受影响，市场原看好DRAM市况可望反转向上，如今美光大手笔投资，引发高度关注。

据了解，美光此次大手笔投资，主要看好进入第五代移动通讯（5G）时代之后，快速驱动人工智能（AI）、物联网和智慧车等应用发展，带动DRAM需求强劲，提早卡位相关商机，并优先扩建需导入更先进设备的无尘室，以利让台湾厂区制程正式推进到最先进的1z世代。

业界分析，以一座晶圆运作人数约需1,000人计算，美光此次大投资，势必要大举招募相关制程和技术人才，美光同步在新加坡和台湾进行3D NAND Flash和DRAM制程推进和产能扩张，扩大全球市占的企图心显著。

美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM

2019年8月19日由中代科技评论关闭

根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。

报导指出，美光指出，与第2代10纳米级（1ynm）制程相比，美光的第3代10纳米级制程(1Znm)DRAM制造技术将使该公司能够提高其DRAM的位元密度，从而增强性能，并且降低功耗。此外，以第3代10纳米级制程所生产新一代DRAM，与同样为16GB DDR4的产品来比较，功耗较第2代10纳米级制程产品低40%。

另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技术将较1Ynm制程技术的产品节省高达10%的功率。而且，由于1Znm制程技术提供的位元密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得存储器更加便宜。

报导进一步指出，美光本次并没有透露其16Gb DDR4 DRAM的传输速度为何，但根据市场预计，美光的新一代1Znm制程DRAM存储器将会符合JEDEC制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存储器的设备将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量存储器模组为主。

至于，在行动存储器方面，根据美光公布的资料显示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存储器的传输速率最高可达4266 MT/s。此外，除了为高端智能手机提供高达16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模组外，美光还将提供基于UFS规格的多存储器模组（uMCP4），其中内含NAND Flash和DRAM。而美光针对主流手机的uMCP4系列产品将包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等规格。

虽然美光没有透露其采用1Znm技术的16GB DDR4和LPDDR4X存储器将会在哪里生产，不过市场分析师推测，美光其在日本广岛的工厂将会采用最新的制造技术开始批量生产，而在此同时，也期待2019年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开始营运1Znm制程技术的生产线。

美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建

2019年8月15日由中代科技评论关闭

存储器大厂美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建！美光执行长Sanjay Mehrotra表示，新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，并应用先进3D NAND制程技术，进一步推动5G、人工智能（AI）、自动驾驶等关键技术转型。此外，美光亦将加码在中国台湾DRAM厂投资，台中厂扩建生产线可望在年底前落成。

美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼，共有超过500名客户及供应商、经销商、美光团队成员、当地政府官员等共襄盛举，而包括系统厂华硕、存储器模组厂威刚、IC基板厂景硕、存储器封测厂力成、IC渠道商文晔等美光在台合作伙伴高层主管亦亲自出席典礼。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圆厂区，以及位于新加坡及马来西亚的封测厂，此次扩建的Fab 10A厂区将根据市场需求的趋势调整资本支出，预计下半年可开始生产，但在技术及产能转换调整情况下，Fab 10厂区总产能不变。

美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基础设施和技术专长上的长期投资，扩建的Fab 10A为晶圆厂区无尘室空间带来运作上的弹性，可促进3D NAND技术先进制程节点的技术转型。美光第三代96层3D NAND已进入量产，第四代128层3D NAND将由浮动闸极（floating gate）转向替换闸极（replacement gate）过渡，Sanjay Mehrotra强调，美光3D NAND技术和储存方案是支援长期成长的关键，同时进一步推动5G、AI、自动驾驶等关键技术转型。

美光的DRAM布局上，以日本广岛厂为先进制程研发重心，2017年在台湾成立DRAM卓越中心，台湾成为美光最大DRAM生产重镇。美光近几年来在台投资规模不断扩大，台中厂区除了现有12英寸厂，也将加快投资进行新厂区扩建，计划在年底前完成，而台中厂区后段封测厂亦持续扩大产能。

随着韩国存储器厂三星及SK海力士开始评估在先进DRAM制程上采用极紫外光（EUV）微影技术，美光也开始评估将EUV技术应用在DRAM生产的成本效益，随着DRAM制程由1z纳米向1α、1β、1γ纳米技术推进过程，会选择在合适制程节点采用EUV技术方案。

美光恢复向华为出货部分芯片

2019年6月26日由中代科技评论关闭

6月25日，据路透社消息，美国存储器芯片制造商美光表示，已恢复向华为出货部分芯片。

美光执行长Sanjay Mehrotra称，在评估美国对华为的禁售令之后，过去两周已经恢复部分芯片出货。

Mehrotra指出，美光确定，可以合法恢复一部分现有产品出货，因为这些产品不受出口管理条例（EAR）和实体清单的限制。美光已经在过去两周就这些产品中部分订单开始出货给华为。

不过，因为华为的情况依然存在不确定性，因此美光无法预测对华为出货的产品数量或持续时间。

此外，Mehrotra还表示，就数据中心市场而言，云端客户库存问题出现改善迹象，多数的库存水准已接近正常水位。美光第3季的云端DRAM位元出货量呈现季增，超越公司内部的预期，初步趋势迹象显示本季可望出现强劲的季增表现。

美光预测，今年晚些时候其芯片需求量将回升。

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美光科技第三财季营收48亿美元净利同比降78%

2019年6月26日由中代科技评论关闭

北京时间6月26日凌晨消息，美光科技今日发布了该公司的2019财年第三财季财报。报告显示，美光科技第三财季营收为47.88亿美元，相比之下去年同期的营收为77.97亿美元；净利润为8.40亿美元，与去年同期的38.23亿美元相比下降78%。美光科技第三财季营收和调整后每股收益均超出华尔街分析师预期，从而推动其盘后股价大涨近9%。

在截至5月30日的这一财季，美光科技的净利润为8.40亿美元，每股摊薄收益为0.74美元，这一业绩远不及去年同期。2018财年第三财季，美光科技的净利润为38.23亿美元，每股摊薄收益为3.10美元。

不计入某些一次性项目（不按照美国通用会计准则），美光科技第三季度调整后净利润为11.98亿美元，调整后每股收益为1.05美元，这一业绩超出分析师预期，相比之下去年同期的调整后净利润为38.98亿美元，调整后每股收益为3.15美元。财经信息供应商FactSet调查显示，分析师此前平均预期美光科技第三财季每股收益将达0.79美元。

美光科技第三财季营收为47.88亿美元，相比之下去年同期的营收为77.97亿美元，也超出分析师预期。FactSet调查显示，分析师此前平均预期美光科技第三财季营收将达46.7亿美元。

美光科技第三财季毛利润为18.28亿美元，在营收中所占比例为38.2%，相比之下去年同期的毛利润为47.23亿美元，在营收中所占比例为60.6%。不按照美国通用会计准则，美光科技第三财季毛利润为18.84亿美元，在营收中所占比例为39.3%，相比之下去年同期的毛利润为47.50亿美元，在营收中所占比例为60.9%。

美光科技第三财季运营利润为10.10亿美元，在营收中所占比例为21.1%，相比之下去年同期的运营利润为39.53亿美元，在营收中所占比例为50.7%。不按照美国通用会计准则，美光科技第三财季运营利润为11.10亿美元，在营收中所占比例为23.2%，相比之下去年同期的运营利润为40.17亿美元，在营收中所占比例为51.5%。

美光科技第三财季用于资本支出的投资（其中不包含由合作伙伴提供融资的金额）为22.1亿美元，调整后自由现金流为5.04亿美元。根据已经获批的100亿美元股票回购计划，美光科技在2019财年的前9个月中总共回购了6700万股普通股，回购总对价为26.6亿美元。截至第三财季末，美光科技持有的现金、有价证券投资和限制性现金总额为79.3亿美元，现金净额为30.2亿美元。

当日，美光科技股价在纳斯达克常规交易中下跌0.51美元，报收于32.68美元，跌幅为1.54%。在随后截至美国东部时间周二下午5点33分（北京时间周三凌晨5点33分）的盘后交易中，美光科技股价大幅上涨2.88美元，至35.56美元，涨幅为8.81%。过去52周，美光科技的最高价为58.15美元，最低价为28.39美元。