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作为全球知名的存储器厂商，近日，美光召开了2019年投资者大会，在大会中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。

据悉，美光的技术研发和Fab制造工厂遍布全球，其中核心技术研发主要集中在美国的爱达荷州（Idaho）基地。Fab工厂分布上，日本主要负责生产DRAM，新加坡主要生产NAND Flash，3D Xpoint工厂则设在美国的犹他州（Utah），中国台湾则负责封装。

此外，为了满足汽车市场需求，美光还在美国弗吉尼亚州（Virginia）设立了工厂。

最值得关注的是，美光在此次投资者大会上公布了DRAM和NAND Flash的最新技术线路图。

DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，并且还将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技术之后，美光还将发展1α、1β、1γ。

未来美光DRAM产品研发计划采用EUV技术。美光表示，其拥有从1Znm至1ynm的成熟的技术和成本效益，而多重曝光微影技术是它的战略性优势。目前，DRAM的EUV光刻技术正在进行评估中，准备在合适的时候实现对EUV技术的应用。

NAND Flash方面，继96层3D NAND之后，美光计划下一代研发128层3D NAND，采用64+64层的结构。

另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展，以及对CuA（CMOS under Array）技术的持续利用。

存储器大厂美光在 21 日上午公布了截至 2019 年 2 月 28 日为止的该年度第 2 季营收数字。根据数字显示，其营收达到 58.35 亿美元，相较 2018 年同期为 73.51 亿美元，以及第 1 季的为 79.13 亿美元都有减少。而且在税后净利部分，达到 16.19 亿美元，与 2018 年同期的 33.09 亿美元相比，下降 51%，与第 1 季的 32.93 亿美元相比也是下滑。不过，因为第 2 季的营收表现超乎华尔街分析师的预期，也拉抬了美光在 21 日美股盘后股价大幅上涨逾 5%。

事实上，在美光公布 2019 年第 2 季财报之前，因为全球半导体产业的供过于求，加上智能型手机需求的减缓，以及云端运算供应商的采购模式参差不齐，市场原本估计，此市场不景气的状况也将对美光带来严重的冲击。因为美光主要以供应手机及笔记型计算机所需要的 NAND Flash 快闪存储器，以及服务器所使用的 DRAM 为主要营收项目。不过，其公布财报的结果却超乎市场预期。

在从产品面来分析，在 DRAM 业务方面，营收较 2018 年同期下降 28%，较第 1 季则是成长 30%，占总营收比重的 64%。至于 NAND Flash 快闪存储器业务的营收，则是较 2018 年同期下滑 2%，较第 1 季下滑 18%，占总营收的 30%。另外，储存业务部分的营收则为 10 亿美元，较 2018 年同期下降 19%，较第 1 季下降 11%。这是因为来自 SSD 销售金额下降，导致了成长下滑。

由于美光股价自 2018 年 12 月触底以来，到目前反弹了近 40%，主要是受惠于市场预期存储器产业的高库存情况，有望在 2019 年下半年恢复到正常水平所带动。尽管美光对第 3 季的预测低于华尔街预期，但美光表示，2019 年第 4 季市场需求可能会再次回温。

自 2018 年第 4 季 DRAM 价格开始呈现下跌态势以来，目前 DRAM 的每季跌幅从之前的 25%，已经扩大到 30% 上下，创下 2011 年最大的单季价格降幅，而且 DRAM 的库存水平一直在攀升。为了因应这样的市场变化，美光已开始执行支出削减计划，并表示成本控制将有助于抵销芯片价格下降造成的影响，目前美光称已暂停部分工厂产线，以协助保持利润的回稳。

至于，针对预计 2019 年第 3 季营运表现，美光预估营收将收介于 46 亿到 50 亿美元之间，低于分析师预估的 53 亿美元。另外，在资本支出上，预计将把 2019 年的资本支出削减至 90 亿美元，低于之前预估的 90 亿美元至 95 亿美元之间。

美国存储器大厂美光科技（Micron Technology Inc.）20 日美国股市盘后公布 2019 会计年度第 2 季（截至 2019 年 2 月 28 日）财报：营收年减 20.6%、季减 26.3% 至 58.35 亿美元；非一般公认会计原则（Non-GAAP）每股稀释盈余年减 39.4% 至 1.71美元。

美光财务长 Dave Zinsner 在财报电话会议表示，美光第 3 季营收、Non-GAAP 每股稀释盈余预估区间分别为 46.0 亿至 50.0 亿美元，中间值为 48.0 亿美元；0.75~0.95 美元，中间值为 0.85 美元。

根据 FactSet 统计，分析师预期美光第 3 季营收、Non-GAAP 每股稀释盈余各为 52.9 亿美元、1.18 美元。

美光执行长 Sanjay Mehrotra 在财报电话会议表示，基于客户下修 DRAM 需求展望，美光 DRAM 晶圆投片量将缩减约 5%。

他说，此举将使美光的生产水平接近 2019 年 DRAM 产业位元需求成长。美光将继续监控市场并采取适当行动、以确保公司 2019 年的位元供应成长贴近需求。

Zinsner 20 日宣布将 2019 会计年度资本支出目标自 90 亿至 95 亿美元修正为约 90 亿美元。他指出，美光第 2 季资本支出排除第三方贡献不计约 24 亿美元，与前一季相当。

截至 2019 会计年度第 2 季底，美光库存金额为 44 亿美元，较第 1 季底的 39 亿美元增加 13%，库存天数从第 1 季的 107 天升至 134天。Zinsner 表示，最新宣布的减产计划及客户需求好转，将可开始解决库存较高的问题。

截至 2019 会计年度上半年，美光动用 25 亿美元买回 6,300 万股自家公司股票，动用上半年度 76% 的自由现金流量，第 2 季的股票回购金额为 7.02 亿美元。

Zinsner 表示，美光持续将股票回购视为一种具吸引力的资本使用方式，在当前 100 亿美元授权额度下，公司仍计划每年至少动用 50% 自由现金流在股票回购。

美光 2019 会计年度第 2 季 Non-GAAP 毛利率报 50.2%，低于第 1 季的 59.0% 及一年前的 58.4%，Zinsner 预估本季将介于 37%~40%。

美光 20 日发表的投影片资料显示，2019 会计年度第 2 季旗下运算与网络事业单位（NBU）营收年减 35%、季减 34% 至 23.8 亿美元，行动事业单位（MBU）营收年增 3%、季减 27% 至 16.1 亿美元，储存事业单位（SBU）营收年减 19%、季减 11% 至 10.2 亿美元，嵌入式产品事业单位(EBU）营收年减 4%、季减 14% 至 7.99 亿美元。