新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

存储器大厂美光 (Micron) 26 日宣布,在世界通讯行动大会 (MWC) 上发布全球容量最大的 microSD 记忆卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡。

美光表示,该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达 1TB 的储存容量,为业界首款采用美光的 96 层堆栈 QLC (四阶储存单元) 3D NAND 技术的 microSD 闪存卡,而且符合 A2 应用程序性能等级规格标准,能缩短安装在该卡上的应用程序及游戏载入时间,有效提升 Android 合并储存空间 (Android Adoptable Storage) 功能的使用者体验。

另外,美光 c200系列 1TB microSD 闪存卡每秒读取速度可达到 100 MB,每秒写入速度可达 95 MB,符合 UHS-I 速度等级 (U3) 与影片速度等级30 (V30) 的标准。c200 1TB microSD 闪存卡将在 2019 年第 2 季起广泛于市面上供应。

美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 表示,美光透过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC 技术,站稳 3D NAND 领域的领导地位,并成功开发出全球首款 1TB microSD 闪存卡。这款全新的 c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对行动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

Forward Insights 总裁 Gregory Wong 则表示,预期 3D QLC NAND 技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。美光推出的 1TB microSD 闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要的里程碑,将有助于加速行动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

存储器大厂美光 (Micron) 26 日宣布,在世界通讯行动大会 (MWC) 上发布全球容量最大的 microSD 记忆卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡。

美光表示,该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达 1TB 的储存容量,为业界首款采用美光的 96 层堆栈 QLC (四阶储存单元) 3D NAND 技术的 microSD 闪存卡,而且符合 A2 应用程序性能等级规格标准,能缩短安装在该卡上的应用程序及游戏载入时间,有效提升 Android 合并储存空间 (Android Adoptable Storage) 功能的使用者体验。

另外,美光 c200系列 1TB microSD 闪存卡每秒读取速度可达到 100 MB,每秒写入速度可达 95 MB,符合 UHS-I 速度等级 (U3) 与影片速度等级30 (V30) 的标准。c200 1TB microSD 闪存卡将在 2019 年第 2 季起广泛于市面上供应。

美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 表示,美光透过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC 技术,站稳 3D NAND 领域的领导地位,并成功开发出全球首款 1TB microSD 闪存卡。这款全新的 c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对行动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

Forward Insights 总裁 Gregory Wong 则表示,预期 3D QLC NAND 技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。美光推出的 1TB microSD 闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要的里程碑,将有助于加速行动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

美光扩大台湾DRAM卓越中心 欲新招募千人

美光扩大台湾DRAM卓越中心 欲新招募千人

存储器大厂美光科技(Micron)将扩大台湾DRAM卓越中心营运规模,除了在今年将桃园厂(原华亚科)及台中厂(原瑞晶)制程升级至1y纳米,台中厂旁的封测厂也展开先进技术开发及扩产。

台湾美光存储器董事长徐国晋表示,DRAM卓越中心除了制造能力提升,更是技术及产品研发中心,美光台湾员工已逾7,000人,今年将再招募千人,希望年底能达8,000人规模。

美光目前为台湾最大外商公司,在美光的全球布局下,台湾已经是美光最大的DRAM制造重镇,除了桃园厂及台中厂外,美光自建封测厂也已进入量产。同时,美光与台湾封测代工厂亦有紧密合作关系,包括力成、南茂、华东等仍持续承接美光释出的封测代工订单。

徐国晋表示,美光不断提升在台湾的前段DRAM厂的制程技术,现阶段桃园厂与台中厂均顺利量产1x纳米制程,预计今年下半年将导入1y纳米制程,并启动1z纳米制程移转工程,明年可望进入量产。

徐国晋表示,美光后段封测厂开始量产,前后段已顺利完成整合,美光会持续扩大台湾DRAM卓越中心营运规模,所以要大举征才。美光DRAM卓越中心不仅是制造,还包括了产品设计及销售等,目前在台员工逾7,000人,今年内将再招募千人,年底应可达8,000人规模。

此外,美光封测厂也导入人工智能(AI)的智能制造。徐国晋说,不仅前段DRAM厂加入AI智能制造,后段封测厂亦是台湾唯一的全自动化封测厂,虽然积极往自动化走,不过对于人力的需求还是有增无减。随着采用AI的生产制造模式,晶圆产出可以提升10%、产品质量提升35%、提前达到成熟良率目标25%,能有效降低单位生产成本。

对于今年人才招募部分,徐国晋指出,今年招募的新人当中,有很大的部分都是在后段封测厂,另外会有三分之一新人都是非制造相关,包括研发中心、供应链管理等,非制造部分预估要新增300人左右。过去美光科技在台湾知名度不高,因此招募人才不易,今年透过校园计划、在地化融合、人才培育等方式,希望能加快吸引人才。

美光CEO预计下半年情况改善

美光CEO预计下半年情况改善

外电报导指出,美国半导体大厂美光科技周二股价上扬,主要因为该公司首席执行长预计下半年情况将会改善。

美光科技执行长Sanjay Mehrotra周二在旧金山举行的高盛科技行业会议上表示,该公司依然认为,与上半年相较,今年下半年业务形势会增强。

该乐观情绪带动美光股价周二盘中一度大涨5.68%,创下逾两周以来的最大盘中涨幅,终场股价收涨4.72%,报40.40美元。

Mehrotra认为,DRAM终端市场需求保持健康,今年上半年仍在处理高库存的问题。

 

美光中科扩产  将加码百亿投资

美光中科扩产 将加码百亿投资

全球前三大存储器制造商美光日前以新台币5.33亿元取得桥椿金属位于中科后里园区约3公顷厂房,这座厂房紧邻美光新启用的中科后段封测基地,预期未来还会有上百亿元投资,进一步扩大生产规模。

美光近几年积极加码投资台湾,2017年3月,先以新台币27.52亿元标下达鸿先进位于中科后里园区的土地与厂房,接着在同年8月,又以新台币5亿元购入宸鸿位于原达鸿厂旁的大鸿先进厂房,规划建立最先进的后段封测基地。

目前,美光在台中与桃园拥有两座晶圆制造基地,而位于中科后里厂对面的后段封测基地,连同昨天购入的厂房及土地,累计已逾13公顷,可望进一步强化美光在台布局,打造台湾成为全球存储器专业技术中心。

台湾是美光的DRAM生产重镇,并在此建立DRAM卓越中心。美光桃园厂预计今年进入1Y纳米技术量产,台中厂将于明年进入1Z纳米技术量产。

中科管理局表示,中科后里园区主要有美光及友达两家旗舰大厂,由于两家大厂都持续扩厂,带动后里园区去年营业额一举突破千亿大关。

美光去年10月成立届满40周年,同步举行中科后里园区后段新厂开幕,据了解,美光在中科打造的后段封测基地,连同设备总投资额高达新台币562亿元。

美光全球营运执行副总裁巴提亚(Manish Bhatia)在开幕仪式中宣示,台湾是美光唯一将DRAM制造与封测垂直整合的生产基地,有利于提升生产效率与市占,而中科厂预计将增加1,000个工作机会。

桥椿指出,目前中科后里园区部分厂区做为仓储,部分厂区出租,由于厂区非供营业使用,且短期内并无扩厂土地需求,为充实公司营运资金,改善财务结构,因此决议出售。

美光支付英特尔15亿美元分手费,独自收购IMFT

美光支付英特尔15亿美元分手费,独自收购IMFT

之前,存储器大厂美光(Micron)跟处理器龙头英特尔(Intel)合资成立了 Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)公司,联合研发 NAND Flash 及革命性的 3D XPoint 存储器。但是,双方合作十多年之后已经渐行渐远,2018 年宣布分手,而合资公司 IMFT 将被美光收购。于是,1 月 15 日美光正式宣布,进行收购 IMFT 的计划。其中,英特尔将获得 15 亿美元的分手费,之后英特尔本身也将建立自己的 NAND Flash 及 3D XPoint 存储器的生产能力。

说起英特尔和美光的合作开发 NAND Flash 的历史非常久远,早在 2005 年,两家公司就联合成立一家 Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)公司,以专门制造 NAND Flash 快闪存储器为主。直到 2015 年,这家合资的 IMFT 公司研发出全新的 3D XPoint 技术快闪存储器。根据资料显示,3D XPoint 技术快闪存储器将是目前快闪存储器速度及耐用性的1,000 倍,容量密度则是 NAND Flash 快闪存储器的 10 倍。

目前,美光及英特尔合作的 3D XPoint 快闪存储器主要是在美国犹他州的工厂生产,双方未来将继续通力合作完成第二代 3D XPoint 技术开发,并且将会在 2019 年上半年完成上市之后,两家就会正式分道扬镳,各自开发以 3D XPoint 技术为主的第三代产品。

据了解,双方分手之后要各自组建独立的研发团队。其中,英特尔在 2018 年 9 月份就已经宣布,将在美国新墨西哥州的工厂新增 100 多个职缺,主要就是 3D XPoint 快闪存储器技术研发。在此之前,英特尔已经在中国大连投资 55 亿美元,并且兴建了 3D NAND Flash 的生产线,2018 年 9 月份也正式开始量产。

另外,对于 NAND Flash 快闪存储器及 3D XPoint 生产,双方之前就已经谈妥,在英特尔自己的 3D XPoint 工厂建成之前,IMFT 还会继续给英特尔提供存储器。所以,分手之后双方各自的储存业务都不会受到影响。而就在美光公司 15 日宣布行使收购 IMFT 的权力之后,美光将支付给英特尔 15 亿美元的现金,同时承担 IMFT 公司大约 10 亿美元的债务。而整体交易的完成时间将要看英特尔的决定,最快在未来 6 个月到 12 个月内完成。

美光为 Mobileye 自驾车解决方案提供存储器,推进第 5 级自驾车

美光为 Mobileye 自驾车解决方案提供存储器,推进第 5 级自驾车

存储器大厂美光(MICRON)在 CES 2019 宣布,自驾车解决方案厂商 Mobileye 选择美光存储器,以推进第 5 代 EyeQ 5 系统单晶片(SoC)EPM5 平台发展,实现全自动驾驶。

美光表示,美光将是 Mobileye EPM5 平台的主要存储器供应商,提供业界最广泛的存储器与储存解决方案产品组合。两家公司将共同为美光的 LPDRAM、Xccela NOR 快闪存储器与 e.MMC 存储器解决方案产品组合进行测试及验证,以加速推出等级 1 至 5 自驾车的先进驾驶辅助系统(ADAS)功能。

美光指出,自驾车仰赖各种感应器技术,包括视觉、光学雷达与雷达,会在侦测和分类汽车所在环境时产生大量数据。能够快速处里取得数据是 ADAS 的重要条件,可以比人类驾驶员大脑快好几倍的速度回应。这种快速决策水平需要足够的存储器频宽来实现 ADAS 在自驾车所需的运算和数据处理。

此外,等级 5 自动驾驶汽车需要强化的主动安全及防撞系统,已超越当前可用的功能,如自动紧急煞车(AEB)和主动巡航控制(ACC)等。如此,增加了对高价值存储器解决方案的需求,它们能满足 ADAS 对数据输送量的性能需求。因此,透过美光提供存储器方面的专业,展现其实现性能与低功耗需求的能力,能够支援 EyeQ5 的等级 5「超级计算机」自驾车功能。

另外,Mobileye 正在开发 EyeQ5 系统单晶片(SoC)平台为中央计算机,执行视觉与感应器整合,这是努力于 2020 年达成全自驾车的一环。

Crucial BX500 新增 960GB 满足大容量玩家需求

Crucial BX500 新增 960GB 满足大容量玩家需求

美光旗下的消费级品牌 Crucial 今年八月份推出了BX500系列入门级 SSD,这款产品采用慧荣的 SM2258XT 主控搭配美光自己的第二代 64 层堆叠 3D TLC 闪存,主打性价比,它的售价确实相当诱人,特别是 480GB 的产品常年不用 1 元 1GB。

BX500 刚发布的时候只有 120GB、240GB 和 480GB 三个容量,随着闪存与 SSD 价格的下滑,对大容量SSD需求的人也就越来越多,BX500 现在新增了 960GB 的容量,以满足玩家们的需求。

960GB 的性能和 480GB 的是一样的,都是 540MB/s 的连续读取和 500MB/s 连续写入,不过由于容量翻了一倍所以 SLC Cache 空间肯定更大,质保依旧是 3 年,240TBW,价格未知,不过从现在 BX500 的价格来看这个 960GB 的肯定很便宜。

不过最近有曝光说日本地区发现 BX500 有用S厂的降级片,暂时还不清楚是不是个例,国内也没有类似的报告,但说真的 BX500 这个价格也不要太介意这些东西,毕竟一分钱一分货,只是原厂这样操作,有点让人不爽而已。

无惧明年存储器产业逆风压力 美光在台积极征才

无惧明年存储器产业逆风压力 美光在台积极征才

虽然面对存储器在 2019 年的景气有必须承受逆风的危机,但是存储器厂的征才动作仍旧持续不断。美商存储器大厂美光 近日表示,为了因应营运的需求,将开始启动校园征才的计划。根据之前美光表示,2019 年将再增加超过千人的人力,使得美光在台湾地区的员工数将突破 8,000 人。

作为在台最大投资外商的美光,目前正与人力银行网站配合,积极进行人才的招募工作。其所需要的相关职缺包括了工业工程、技术改良工程、精准工程生产、先进技术转移工程、制程整合工程、信息技术、质量工程、采购工程、生产制造工程、测试工程、先进封装研发工程、供应链管理、人力资源管理等。而且,相关职缺在硕士学历部分将有起薪新台币 5 万元、学士起薪 4.6 万元的水平,希望能吸引优秀人才加入。

日前,在美光台中的后段封测厂正式启用的典礼上,美光人资副总裁 April Arnzen 就呼应当时台中市长林佳龙的要求,在台扩张人力,因此将在接下来的征才行动中,会开出比晶圆代工龙头台积电更优渥的薪资以吸引人加入。对于这一次的征才计划,美光也表示相当有信心。

目前在全球有约 3.4 万名员工,在台湾地区包括桃园与台中的两座晶圆厂外,还有新启用的后段封测厂,总计有员工 7,000 多人。而新启用的台中的后段封测厂内目前就已经有 1,000 多人。而藉由这次的征才,预计到 2019 年底,封测厂的人力将达到 2,000 人,台湾地区的员工总人数也将突破 8,000 人。

而事实上,就当前的报价来看,经历最长时间多头的存储器价格,从 2018 年中开始逐渐反转。在需求疲弱、价格走跌的情况下,市场多分析 2019 年存储器市场将吹逆风,这也使得包括三星、SK 海力士,以及美光在内的全球三大 DRAM 存储器厂都纷纷放缓资本支出,以因应即将到来的存储器产业低潮期。不过,因为台湾地区作为美光在全球布局中最重要的据点之一。因此,在此时加码扩大征才,也显示其在台湾地区深耕的决心。

 

内存、闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应

内存、闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应

美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报,当季营收79.1亿美元,同比增长16%,毛利率达到了58%,净利润32.9亿美元,同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的,但是相比上个季度已经放缓了,主要原因就是NAND闪存大幅降价,DRAM内存芯片也由涨转跌,影响了公司的毛利率。2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低,大趋势不可避免,为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出,减少内存及闪存芯片的产量。

美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示,为了适应当前市场的状况,美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据,2019年他们预测DRAM内存产量增加15%,低于此前预测的20%增长,而NAND闪存预计增长35%,也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元,削减了12.5亿美元,主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能,在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况,普遍的预期是2019年上半年会继续跌,花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价,其中NAND价格会跌45%,DRAM价格会下跌30%,而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的,也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的,预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前,三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能,三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。