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9月10日，聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区公司厂区举行。据天眼查显示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事长杨云春也是聚能晶源董事长。

耐威科技业务板块有三，分别是MEMS、导航、航空电子，另外，公司也在布局第三代半导体、无人系统等潜力业务。而此次投产的聚能晶源，就是公司布局的第三代半导体业务。

杨云春现场表示，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。

杨云春称，耐威科技希望能以此为契机，积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇，在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心，继续为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。

盛世投资管理合伙人刘新玉介绍，第三代半导体材料具备独特性能，在半导体产业的国产替代进程中具有重要的战略意义，作为股东与战略合作伙伴，很高兴见到耐威科技在青岛即墨投资落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料项目能够迅速建成投产，希望该项目今后能够为产业发展、为地区经济发展做出贡献。

聚能晶源总经理袁理博士正式发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品，并对项目及产品做了相关介绍。

聚能晶源此次发布的相关产品包括8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆，可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。

聚能晶源项目掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域，产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时，聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域，开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外，聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线，满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性，根据标准TDDB测试方法，其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方小时，处于国际业界领先水平。

兴业证券一名通信行业分析师告诉证券时报.e公司，作为第三代半导体材料，与前两代相比，氮化镓具有诸多优势，应用前景较广。

聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业。项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆。

正值年底之际，近日耐威科技、北京君正等多家集成电路企业公告称获得政府补助。

耐威科技：控股子公司获政府补助1000万元

12月27日，耐威科技发布公告，控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司于近日收到政府补助金1000 万元。

公告称，根据公司与青岛市即墨区人民政府、青岛城市建设投资（集团）有限责任公司签署的《合作框架协议书》以及聚能晶源与青岛服装工业园管理委员会签订的《合作协议》，青岛服工委对聚能晶源新购设备款的50%给予补助并分二期兑现（累计金额不超过2000万元）。聚能晶源于近日收到青岛服工委给予的第一期补助1000万元。

耐威科技表示，本次收到政府补助有利于公司第三代半导体，尤其是氮化镓（GaN）材料与器件项目的顺利实施。

北京君正：全资子公司获政府补助750万元

12月27日，北京君正发布公告，根据《关于组织开展 2018 年度省战略性新兴产业集聚发展基地资金支持项目申报的通知》，北京君正全资子公司合肥君正科技有限公司申报的“基于 28 纳米工艺的视频监控芯片研发项目”获得立项批复。近日，合肥君正收到合肥高新技术产业 开发区财政国库支付中心拨付的政府补贴资金现金 750 万元。

北京君正表示，根据合肥君正项目申请报告，该项目执行期为自2018年1月至 2019年12月，合肥君正将自收到项目补助资金当月起至项目结束日分期结转入其他收益，预计将会增加公司2018年度利润约57.69万元

士兰微：控股子公司获政府补助2729.92万元

12月27日，士兰微发布公告，杭州经济技术开发区经济发展局和杭州经济技术开发区财政局联合下发了《关于下达杭州士兰集成电路有限公司8英寸集成电路芯片生产线建设项目厂 房土建部分资助资金的通知》（杭经开经[2018]219 号），公司控股子公司杭州士兰集成电路有限公司获得8英寸集成电路芯片生产线建设项目厂房土建部分资助资金2729.92万元。 

公告称，士兰集成已于2018年12月25日收到杭州经济技术开发区财政局拨付的上述补助资金2729.92万元。

国科微：公司及子公司获政府补助4664.72万元

12月26日，国科微发布公告，公司及子公司自2018年1月1日至2018年12月26 日获得各项退税及政府补助项目资金共计人民币4664.72万元。

国科微表示，上述政府补助的取得预计增加公司2018年度税前利润4664.72万元，补助资金将对公司2018年度业绩产生一定影响。

近日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”，聚能晶源也因此成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业，但当期尚未实现量产。

第三代半导体材料氮化镓有何优势？

据悉，与第二代半导体硅（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度（>3 eV），一般也被称为宽禁带半导体材料。得益于禁带宽度的优势，GaN材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于Si、GaAs等传统半导体材料。

此外，GaN材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较Si更为优异，因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件，在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。

与此同时，将GaN外延生长在硅衬底之上，可以有效地结合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圆的大尺寸、低成本优势。基于先进的GaN-on-Si技术，可以在实现高性能GaN器件的同时将器件制造成本控制在与传统Si基器件相当的程度。

因此，GaN-on-Si技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术。

设立子公司布局有成效

2018年，公司先后投资设立了聚能晶源、青岛聚能创芯微电子有限公司，依托专业团队优势，联合产业资源，积极布局并把握下一代功率与微波电子领域的市场机遇。

自成立以来，聚能晶源积极投入研发，充分发挥核心团队的技术优势，先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关，成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。

该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

耐威科技表示，在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。

公告称，本次“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，短期内不会对公司的生产经营产生重大影响，但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备，有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。