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在摩尔定律迈向5纳米之际，人们的目光多被几家半导体公司间的先进工艺之争所吸引。然而，逻辑芯片的制造工艺极其复杂多样，5纳米、7纳米等标准工艺只是一部分，晶圆代工厂可以发展的制造工艺平台还有很多，如混合信号、高电压、射频、微机电系统(MEMS)等。联电作为第三大晶圆代工厂，尽管于2018年宣布不再投资12纳米以下的先进工艺，转向多元化发展，追求投资回报率，但是竞争力依然强劲，在诸多成熟、特色工艺平台上均具备领先优势。今年正是联电成立40周年。联电的发展经验，值得业内借鉴。

持续加码成熟工艺平台

目前，联电在成熟、特色工艺代工市场占据领先优势。在面板驱动IC领域，联电的市占率居于全球首位，在有机发光二极管(OLED)驱动IC领域也居领先地位。随着5G的部署加快，驱动了智能手机市场的增长，加上大尺寸电视面板需求逐步回温，市场对面板驱动IC的需求持续提升。日前有消息称，联电12英寸厂在驱动IC龙头联咏大量投片下，今年1月45/40纳米工艺段的出货量较去年第四季度平均出货量多出近10%。此外，5G高端机型已普遍开始采用OLED面板。受此影响，OLED面板驱动IC也成为市场重点。联咏等厂商的OLED面板驱动IC多采用联电40纳米及28纳米工艺量产投片。联电在面板驱动IC领域的领先优势不断提升。

22nm超低功耗(ULP)工艺也是联电推进的重点。2019年年底，联电宣布推出基于22纳米超低功耗(ULP)与22纳米超低漏电(ULL)工艺的基础元件IP解决方案。该方案是联电与智原科技共同研发的。针对低功耗SoC需求，22ULP/ULL基础元件IP具备进阶绕线架构，以及优化的功率、性能和面积设计。相比28纳米技术，22纳米元件库可以在相同性能下减少10%的芯片面积，或降低超过30%功耗，可满足连接、移动、物联网、可穿戴设备、网络和汽车等对低功耗有着很高需求的应用领域产品。

联电的制造工艺平台当然不仅这两个方面。随着5G、物联网等市场的发展，与之相关的电源管理IC、指纹识别芯片、CIS传感器、物联网MCU、功率半导体等需求不断涌现。联电在务实发展策略指导下，持续加强对成熟工艺平台的开发，取得快速发展，目前55/65纳米、40纳米和28纳米成为联电业绩贡献的主力。在联电日前发布的2019年财报中，净利润达81.55亿元新台币，同比增长6.22%。在2019年全球半导体市场进入下行周期的背景下，联电依然能够取得这样不俗的业绩，显示出转型策略的成功。

增资并购布局5G、物联网

在投资收购方面，近段时间联电的动作也是不断。4月份，联电在厦门市举行的重大招商项目中，签约对联芯实现35亿元增资。新增资金主要用于采购生产设备及开展22纳米、28纳米高压工艺研发等。这一举措将进一步加速联芯公司的产能扩充，提升市场份额，预计增资资金采购的设备全部投入生产后，将可新增年产值20亿元。

去年10月，联电还完成了对三重富士通半导体股份有限公司(MIFS)全部股权的收购，收购金额544亿日元。2014年联电与富士通半导体达成合作协议，分阶段收购MIFS 15.9%的股权，2019年联电再次收购剩余的84.1%股份。通过该次并购，联电不仅增加3万片12英寸晶圆的月产能，还进一步扩大了在日本半导体市场的版图。

通过这两场增资并购行动可以看出，联电在5G、物联网、无线通信及电脑周边等应用领域有着良好发展态势，特别是在中国大陆，这些领域的市场需求空间广阔。并购增资行动将进一步加强联电在这些领域的布局。随着5G商用进程的加速、物联网等创新技术的快速发展，包括日前启动的“新基建”风口都会带来巨大的市场机遇，也将给联电晶圆代工业务带来更多市场商机。

联电总经理王石指出，来自无线通信和电脑周边市场对芯片的需求稳定，整体业务前景维持稳健。随着客户未来新产品设计定案即将进入量产，预期联电有望从5G、物联网、无线设备以及电源管理应用增加的半导体需求中获益。

联电差异化路线值得借鉴

近年来，中国大陆半导体产业加快发展，晶圆代工企业同样面临一个重要问题，就是先进工艺研发投资越来越多，成本也越来越高，但是未来能够用得起、用得上先进工艺的客户群在减少，大量营收依然来自成熟工艺。

这种情况下，联电的经验便非常值得借鉴。首先是不要急于追求先进工艺的开发，对于眼下已掌握的技术要做到稳扎稳打，精益求精。其次是拥抱成熟、特色工艺市场，在需求更广阔的成熟、特色工艺市场取得突破。第三是结合自身状况，借鉴先进的管理经验。毕竟，只有少数企业才有可能参与先进工艺的竞逐，更多的晶圆制造工企业还是要面向更加广阔的成熟与特色工艺市场。

相较于先进工艺本质上是标准CMOS工艺的线宽之争，成熟工艺市场可说是百花齐放，混合信号、高电压、射频、MEMS等，都可以归类在成熟工艺的范畴之中，应用产品则涉及各种传感器、微控制器、电源管理IC、信号收发器等，市场广阔、需求多样，利润同样不菲。新进入这一领域的晶圆制造企业也应结合自身的特点，发展出自己的核心技术，逐步站稳脚跟，并在此基础上取得更大的发展。

4月29日，福建省厦门市举行重大招商项目集中”云签约”活动。在此次活动上，联电对联芯的增资项目也完成签约。

据新华丝路报道，签约完成后，联芯（厦门）母公司台湾联电将向联芯（厦门）公司增资35亿元，主要用于采购生产设备及开展22纳米、28纳米高压制程工艺研发等，进一步加速联芯公司扩充产能，提升市场份额。预计增资资金采购的设备全部投入生产后，将可新增年产值20亿元。

资料显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司由福建省、厦门市及联电公司合资建设，是海峡两岸合作建设的第一个12英寸晶圆制造企业，其28纳米工艺制程产品良率及技术水平位居国内前列。

据了解，自联芯公司落户厦门以来，充分发挥其龙头效应，已协助引进了美日光罩、星宸科技、鑫天虹、凌阳、澜至、铨芯等一批集成电路企业落地厦门。

2月26日，联电公布了第十四届第十三次董事会通过的重要议案，公告指出，2019年度，联电实现合并营业收入新台币148,2.02亿元，归属母公司净利新台币97.08亿元，并且通过了资本预算执行案新台币208.36亿元以供产能建置需求。

值得注意的是，在此次董事会上，联电也宣布通过由联电新加坡分公司资金贷与联芯集成电路制造（厦门）有限公司2亿美元。

据悉，这也是自今年2月以来，联电第二次宣布增资联芯。2月11日，联电发布公告称，将透过子公司苏州和舰，参与12英寸晶圆厂厦门联芯增资，总金额人民币35亿元，协助联芯扩产。

资料显示，联电是全球知名的晶圆代工企业，据集邦咨询旗下拓墣产业研究院此前公布的数据显示，2019年第四季度，联电在全球十大晶圆代工厂中排名第四。

厦门联芯则是联电与厦门市人民政府、福建省电子信息集团合资成立的晶圆代工企业。于2014年底开始筹建，2015年3月奠基动工，2016年第4季起进入量产，初期以40/55纳米制程为主，目前已导入28纳米制程技术。

据联芯2月10日发布的公告，公司已于2月10日正式复工。

2月5日，联电发布其2019年第四季度业绩报告，并宣布其2020年的资本支出预算为10亿美元，以因应中长期客户和市场的需求。

联电此前在法说会中表示，今年规划的10亿美元资本支出支付，主要用于联芯第二阶段扩产，今年资本支出包含用于投入联芯的28纳米制程，目标为2021年中前将联芯月产能提升至2.5万片。

晶圆代工大厂联电20日宣布，IC设计公司力旺一次可编程（OTP）存储器矽智财NeoFuse已成功导入联电28纳米高压（HV）制程，强攻有机发光二极管（OLED）市场，关键客户已经完成设计定案（Tape Out），并且准备量产。

联电表示，高端手机配备OLED显示器已然成为趋势，对小尺寸显示器驱动芯片（SDDI）效能要求亦更高，这样的需求也显示在制程平台的选择上，OLED关键客户逐渐从55纳米或40纳米往更先进的28纳米高压制程靠拢。

而28纳米高压制程可使高效能显示器引擎的复杂运算能力发挥最大功能，提供OLED显示器驱动芯片更快的资料存取速度，更高容量的静态随机存取存储器（SRAM＿及更好功耗，同时达到高画质与省电的目的。

目前联电在2019年的小尺寸显示器驱动芯片（SDDI）量产晶圆出货量为全球之冠，其28纳米后闸式（Gate-Last）HKMG制程具备优越管理漏电功耗与动态功率表现，可以提升移动设备的电池寿命，以此为基础，其28纳米高压制程提供业界最小的静态随机存取存储器（SRAM）记忆单位（Bit-cell）以减少芯片整体面积。

至于，力旺是世界领导之逻辑非挥发性存储器矽智财厂商，NeoFuse矽智财为各种类型之应用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解决方案，已经广泛布建于世界各大晶圆厂，从0.15um制程至先进制程节点均已布建，未来也将继续与晶圆厂紧密合作，为客户创造最大利润与价值。

事实上，近来联电受惠于购并日本12寸新厂加入营运，加上通讯与电脑市场领域新品布建及库存回补需求，使得在5G手机射频芯片、OLED驱动芯片，及用于电脑周边和固态硬盘的电源管理芯片的推升下，带动出货量成长。2019年第4季，联电合并营收418.49亿元，较第3季成长10.89%，较2018年同期增加17.17%，创新高纪录。累计，2019年全年合并营收新台币1,482.02亿元，较2018年减2.02%。

晶圆代工大厂联电9日公布2019年12月及第4季营收状况，12月营收金额来到133.7亿元（新台币，下同），较11月的138.92亿元下滑3.75%，较2018年同期的113.85亿元，则是成长17.43%。整体第4季营收来到418.49亿元，创单季历年新高，较第3季成长10.89%。

事实上，持续受惠于面板驱动IC及电源管理IC代工订单提升，联电旗下包括8寸及12寸厂的产能利用率维持在9成以上，如此以进一步推升2019年第4季的业绩。因此累计，2019年全年营收达到1,482.01亿元，较2018年小减2.02%。

联电日前法说会曾表示，包括在通讯和电脑市场领域新产品的持续开出，再加上相关存货的回补，导致市场对芯片的持续需求。整体来说，预估2019年第4季晶圆出货量将较第3季增加10%，平均售价也将维持与第3季持平，而产能利用率拉高接近90%。另外，联电因正式完成收购日本三重富士通半导体之后，使得整体产能提升了10%，在因应市场不断提高的需求下，也使得联电在第4季的营收持续维持在高档。

对未来营运展望，市场人士表示，联电2020年上半年12英寸厂持续维持满载状态，未来将进行调配以求最佳化，其中，包括28纳米、40纳米甚至是到90纳米都会进一步调整，使市场看好2020年联电的营运表现。

晶圆代工大厂联电总经理简山杰日前表示，联电将聚焦中国台湾、韩国、美国市场，因此恢复成长，对2020年营运保持乐观。此外，联电对更多并购也保持开放态度，藉此强化本身的竞争力。

继2019上半年需求急剧放缓之后，联电截至2019年11月底的2019年前11个月，营收较2018年同期下滑3.6%，到新台币1,348亿元（约45亿美元）。简山杰表示，联电现在希望聚焦拓展韩国与中国台湾市场，即营收仅次美国的两个最大市场，以恢复成长。

简山杰预计2020下半年半导体需求将回升，成长动能来自许多产品，包括应用在5G智能手机的无线射频芯片、高端OLED面板驱动芯片等。展望未来，联电将继续专注于擅长的市场，不冒险投资不确定的事物。另外，公司2020年资本支出将以2019年7亿美元预算为基础，但会依市场需求随时调整。

从获得的资料显示，联电近期已取得韩国两大高端OLED显示驱动芯片设计公司Magnachip和AnaPass、面板驱动芯片商联咏的订单。目前还有高通、Sony、英飞凌与联发科等客户，并为蓬勃发展的真蓝牙无线耳机芯片供应商提供服务等。

此外，简山杰表示，联电为了扩大规模，如果有任何待出售的半导体工厂，联电也一定会评估购买可能，因目前购买比建造新工厂有效得多，且符合联电的成长战略，即建立具成本效益的生产能力，以提高竞争力。

联电完成5亿美元收购日本富士通半导体先进半导体工厂后，产能也增加10%，以应付先进显示器、5G应用和其他设备（如无线蓝牙耳机）芯片的更多需求，这也有助于提升2020年整体销量。

晶圆代工厂联电第4季受惠客户需求回温，产能利用率逾9成，法人估营收将季增1成，明年首季虽然适逢淡季，但受惠产能利用率持续提升，营收可望持平第4季，并看好明年RF SOI的8英寸营收占比将达双位数，整体8英寸晶圆代工产能利用率将持续拉升。

联电第4季营收成长主要动能，除本季完成收购的日本三重富士通半导体12英寸晶圆厂外，通讯与电脑市场领域新品布建及库存回补需求，也是动能之一，在5G手机射频芯片、OLED驱动芯片，及用于电脑周边和固态硬盘的电源管理芯片需求推升下，带动出货量成长。

联电估，第4季晶圆出货量成长10%，ASP则将持平，预估毛利率约14-16%，法人估第4季营收将季增约1成。而明年第1季受惠产能利用率持续拉升，加上28纳米及高毛利率的40纳米制程需求提升，预估第1季营收将持平第4季，毛利率可望回升至16.9%。

5G时代来临，而sub-6GHz 5G将与LTE共存，使RF零组件复杂度增加，法人看好，由于RF SOI(绝缘层上覆硅)特殊制程，在开关与调谐器整合上具备优势，可望带动RF SOI需求持续加温。

联电目前RF SOI在8英寸晶圆的营收占比约7-9%，法人预期，明年将进一步提升至10-15%，加上PMIC业务动能增温，看好明年联电8英寸业务将稳健成长，产能利用率也将持续拉升。

联电共同总经理简山杰日前也表示，目前8英寸产能利用率大多在9成以上至满载状态，5G需求今年下半年起加温，看好明年将有爆发性动能。

近半年来图像传感器（CIS）市场持续火热，但如今供应链产能紧张问题仍未得到缓解，近日Sony因产能不足首次释单给台积电，联电与力积电等也都拿下CIS大单。

据市场消息指出，Sony近日首次将高端CIS订单交给台积电代工，并将由台积电南科14a厂导入40纳米制程生产，且还将为此添购新设备，计划于明年8月试产。规划初期月产能2万片，2021年第一季量产交货。

且台积电未来还计划继续扩大相关产能，与Sony的合作可能延伸至28纳米以下先进制程。可见CIS需求相当强劲，为面对三星的竞争，Sony也只好放出代工单。台积电原本就有在帮北京豪威代工，已有相关量产经验，将成为Sony抢占市场的合作伙伴。

Sony目前自身也在日本国内积极扩产，3年内将有近6,000亿日元规模的投资，今年更讨论再追加1,000亿日元建设新厂房。在此情境之下，已购并富士通半导体12寸晶圆厂的联电，也因此占据着地利，直接打进Sony供应链。甚至连力晶旗下的力积电也传出拿下了Omnivision的大单，包下每月破万片晶圆产能。

目前CIS需求主要还是来自手机，智能手机朝向多镜头高画质发展已成趋势，不过也有意见质疑，是否过犹不及。未来就算是中低端机种，可能也是3镜头起跳，甚至1亿像素产品也在非旗舰机型中窥见。小米CC9 Pro新品就有5个镜头并高达1亿的像素，而售价仅2,799人民币，但这样的设计是否合理，仍待市场去验证。

不过CIS在其他领域的确也有很广泛的需求，如车用、AI等都确实有动能，明年价格无论如何也很难拉下。半导体从上游晶圆厂至下游封测厂接都可望受惠，整个CIS市场呈现寡头垄断格局。

联华电子2日表示，在使用USB 2.0测试载具并成功通过硅验证之后，正式宣布更先进的22纳米制程技术就绪。

联电表示，相较于一般的USB 2.0 PHY IP，使用联电制程的测试载具所使用面积是全球最小，已展现联电技术的成熟，且新的芯片设计若要采用22纳米制程，并无需更改现有的28纳米设计架构，客户将可放心地的直接从28纳米制程转移到22纳米。

联电强调，将致力于提供世界领先的晶圆专工特殊技术，并持续推出特殊制程，以应用于快速成长的5G、物联网和车用电子等芯片市场。与原本的28纳米高介电系数/金属栅极制程相比，22纳米能再缩减10%的晶粒面积、拥有更好的功率效能比，以及强化射频性能等特点。

另外还提供了与28纳米制程相同光罩数的22纳米超低功耗版本（22ULP），以及22纳米超低泄漏版本（22ULL），将支援0.6~1.0伏特电压，协助客户在系统单芯片设计中同时享有两种技术优势。

日前联电已与ASIC设计服务商智原在22纳米制程平台上合作推出基础元件IP支援，是市场上需防漏电或长期续行的产品，如机顶盒、数字电视、监视器、穿戴式装置等物联网芯片的理想选择。

目前应用22ULP/ULL制程的基础元件IP已具备进阶的绕线架构，多样的IO元件库包括通用IO、多重电压IO、RTC IO、OSC IO和类比ESD IO，且存储器编译器还具有双电源轨功能、多重省电模式、和读写辅助功能等特色。