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11月19日，业界有消息传出，联电获得了三星LSI的28纳米5G智能手机图像系统处理器（ISP）大单，明年开始进入量产。此外，联电还将为韩国AnaPass代工28纳米OLED面板驱动IC，为韩国Magnachip代工40纳米OLED面板驱动IC及80纳米TDDI，这两家公司均是三星OLED面板主要芯片供应商。一系列消息显示，联电自2017年启动的强化成熟工艺市场、实现差异化转型策略正在取得进展。未来，联电的盈利表现将有进一步的提升。

市场转型成功，业绩向好

日前，有消息称，联电已争取到了OLED面板驱动IC、整合触控功能面板驱动IC（TDDI）等新订单，包括为韩国AnaPass代工28纳米OLED面板驱动IC，为韩国Magnachip代工40纳米OLED面板驱动IC及80纳米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板的主要芯片供应商。这意味着联电打入了三星的供应链。

近日又有消息传出，三星LSI设计专用ISP已在近期完成设计定案，并将在明年第一季度交由联电代工，季度投片量约为2万片。随着三星及其芯片供应链对联电陆续释放出新的28纳米或40纳米订单，联电8英寸及12英寸产能利用率将持续提高，明年第一季度有望达满载水平。

加上联电10月1日完成了对日本三重富士通半导体的12英寸晶圆厂的100%并购，让联电在晶圆代工市场占有率突破10％，重回全球第二大厂宝座。淡季不淡，一系列亮眼的业绩表明，联电此前开启的市场转型策略正在取得成效。

2017年7 月，联电开始采用共同总经理制，新接任的王石和简山杰进行了重大市场策略调整，逐渐淡出先进制程的较量，转向发挥在主流逻辑和特殊制程技术方面的优势，强化对成熟及差异化工艺市场的开发。上述情况显示，联电专注于成熟及差异化工艺的市场策略正在取得成功。这对下季度及明年的营收获利将有正面效益。

根据三季度财报，联电对第四季度业绩展望乐观，包括在5G智能手机中所使用的射频IC、OLED面板驱动IC、及用于电脑周边和固态硬盘（SSD）的电源管理IC等需求回升，加上增加日本新厂贡献，预估第四季度晶圆出货较上季增加10％，产能利用率接近90％。预估联电第四季度合并营收将季增10％幅度，可望创下季度营收历史新高。

联电的这一转变也获得了资本市场的认可。摩根斯坦利分析师詹家鸿在7月份的报告中认为，联电是“把钱花在正确的地方”，上调联电的投资评等；UBS(瑞银集团)也给予买进评级。

中国大陆市场，将为有力支撑

在此情况下，联电对于中国大陆市场非常重视，持续投入中国市场发展。和舰芯片副总经理林伟圣此前接受记者采访时曾表示，联电的发展战略仍是以提升公司整个获利与市占为优先。在中国大陆，联电与厦门政府及福建省电子信息集团合资成立了联芯集成的12英寸晶圆代工厂。联电在中国大陆也有8英寸厂支持成熟特色工艺。联电将把相关产品做得尺寸更小、功耗更低、性能更高，以满足市场需求。

据了解，因市场需求旺盛，联电苏州和舰8英寸厂和厦门联芯12英寸厂都产能爆满，供不应求。业界看好中国大陆市场物联网、人工智能、通信、消费电子等需求，预计未来这部分需求将会进一步增加，将为联电的转型发展提供有力支撑。

晶圆代工大厂联电与台湾地区知识产权大厂智原科技于18日宣布，推出基于联电22纳米超低功耗(ULP)与22纳米超低漏电(ULL)制程的基础元件IP解决方案。该22ULP/ULL基础元件IP已成功通过硅验证，包含多重电压标准元件库、ECO元件库、IO元件库、PowerSlash低功耗控制套件以及存储器编译器，可大幅降低芯片功耗，以满足新一代的SoC设计需求。

根据两家厂商表示，针对低功耗SoC需求，智原的22ULP/ULL基础元件IP具备进阶的绕线架构，以及优化的功率、性能和面积设计。相较28纳米技术，22纳米元件库可以在相同性能下减少10%芯片面积，或降低超过30%功耗。此外，该标准元件库可于0.6V至1.0V广域电压下运作，亦支援SoC内的Always-on电路维持超低漏电，多样的IO元件库包括通用IO、多重电压IO、RTC IO、OSC IO和类比ESD IO，存储器编译器具有双电源轨功能、多重省电模式、和读写辅助功能等特色。

智原科技研发协理简丞星表示，智原透过与联电的长期合作以及丰富的ASIC经验，为客户提供专业的联电制程IP选用服务。透过藉由联电22纳米技术推出全新的逻辑元件库和存储器编译器IP，能够协助客户在成本优势下开发低功耗SoC以布局物联网、人工智能、通讯及多媒体等新兴应用攫取商机。

联电知识产权研发暨设计支援处林子惠处长表示，在许多应用中，SoC设计师都需要针对各种应用的节能解决方案。随着智原在联电22纳米可量产的特殊制程上推出的基础元件IP解决方案，让客户可在我们具有竞争力的22纳米平台上，获得包括超低漏电（22ULL）和超低功耗（22ULP）的全面设计支援，享有适用于物联网及其他低功耗产品的完整平台。

市场人士指出，事实上在联电与格芯两家晶圆代工大厂放弃先进制程的研发之后，成熟制程的发展就成为这两家厂商的竞争重点。其中，格芯曾经表示，22FDX制程技术是格芯最重要的技术平台之一，它提供了一个集合了性能、低功耗、低成本物联网与主流移动设备、无线通讯互联以及网络的优秀搭配。使得22FDX制程技术具备的功能，可满足连接、行动、物联网、可穿戴设备、网路和汽车等应用领域下一代产品的需求。

格芯还在2018年7月表示，其22FDX技术在全球获利了超过20亿美元的营收，并在超过50项客户设计中得到采用。因此，22FDX技术可说是在格芯搁置7纳米及其以下先进制程研发后最重要的制程平台。

相较于格芯在22纳米制程上的积极布局，联电方面也不甘示弱，当前与合作伙伴智原科技推出基于联电22纳米超低功耗(ULP)与22纳米超低漏电(ULL)制程的基础元件IP解决方案。随着智原在联电22纳米可量产的特殊制程上推出的基础元件IP解决方案，可以让客户在具有竞争力的22纳米平台上，获得包括超低漏电（22ULL）和超低功耗（22ULP）的全面设计支援，亦可享有适用于物联网及其他低功耗产品的完整平台。

晶圆专工大厂联电专注于成熟制程的特殊和逻辑技术的业务扩展，近期传出接下大单好消息。业界传出，联电已获得三星LSI的28纳米5G智能手机影像讯号处理器（ISP）大单，明年开始进入量产，加上三星手机OLED面板采用的28纳米或40纳米OLED面板驱动IC订单到位，第一季产能利用率可望达到满载水准。

联电10月1日完成100%并购日本三重富士通半导体的12英寸晶圆厂，让联电在晶圆代工市场占有率突破10%，并重回全球第二大厂宝座，而在认列新厂营收及9月递延晶圆在10月顺利出货等情况下，联电10月合并营收月增34.7%达145.87亿元（新台币，下同），创下单月营收历史新高，较去年同期成长16.0%，累计前10个月合并营收1,209.40亿元，年减率已降至5.8%。

■本季晶圆出货估季增10%

联电对第四季展望乐观，包括在5G智能手机中所使用的射频IC、OLED面板驱动IC、及用于电脑周边和固态硬盘（SSD）的电源管理IC等需求回升，加上增加日本新厂贡献，预估第四季晶圆出货较上季增加10%，平均美元价格与上季持平，产能利用率接近90%。法人预估联电第四季合并营收将季增10%幅度，可望创下季度营收历史新高。

虽然下半年仍面临28纳米及40纳米晶圆代工市场产能过剩压力，但联电已突破困境，明年上半年可望获得三星LSI、三星5G手机芯片供应商的晶圆代工订单，第一季产能利用率可望达到满载水准。

■28及40纳米皆获三星下单

据业界消息，联电已争取到OLED面板驱动IC、整合触控功能面板驱动IC（TDDI）等新订单，包括为韩国AnaPass代工28纳米OLED面板驱动IC，为韩国Magnachip代工40纳米OLED面板驱动IC及80纳米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板主要芯片供应商，联电等于打进三星供应链。

另外，三星明年将力推5G智能手机，其中多镜头及飞时测距（ToF）功能，备受市场瞩目。业界亦传出，三星透过旗下三星LSI设计专用ISP，已在近期完成设计定案，明年第一季将委由联电以28纳米制程生产，季度投片量约达2万片。

法人表示，三星及其芯片供应链对联电释出新的28纳米或40纳米订单，联电第一季8英寸及12英寸产能利用率将达满载水准，显示其专注成熟及差异化制程市场策略成功，对明年营收及获利都有正面效益。

联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。

联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。

日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。

联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。

联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。

联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。

日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。

联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。

联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。

联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。

日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。

联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。

联电近两年不再追逐12纳米以下先进制程，此举也宣告联电营运策略大转型，主攻以车用5G、IoT为主，在今年10月1日联电取得日本三重富士通半导体（MIFS）所有股权，将能提升联电市占率，并扩大特殊及逻辑技术。

联电共同总经理王石曾表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个世代，产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此大胆将重点放在成熟制程；联电今年获准并购与富士通半导体（FSL）合资的12寸晶圆厂MIFS全部股权，在10月1日完成并购，未来将为联电年营收增加10%～12%，提升晶圆代工市占率。

日本三重富士通12英寸厂，为客户提供90纳米、65纳米及40纳米制程产品，月产能3.6万片，主要应用在车用、物联网等，顺利并购后让联电在12纳米以上制程的全球市占率有望突破10%。

联电转型计划也影响毛利率，随无线通讯市场回温，第3季毛利率重返回17%以上。

全球半导体晶圆代工厂排名或将发生变化。9月25日，联华电子宣布收购三重富士通半导体股份有限公司（MIFS）全部的股权。据集邦拓墣研究院最新数据，联电在2019年世界集成电路晶圆代工厂位列第四，仅次于第三名格芯。据相关数据，联电2019年第二季度营收1160百万美元，略低于格芯1336百万美元。如今，联电出手收购MIFS，全球晶圆代工厂或将重新洗牌。

36.1亿元收购MIFS剩余股权

联华电子于25日宣布，该公司已获批购买与富士通半导体（FSL）所合资的12英寸晶圆厂——三重富士通半导体股份有限公司的全部的股权，完成并购的日期订定于2019年10月1日。早在2014年，富士通半导体和联华电子两家公司已经达成协议，联电可以分阶段逐步购买三重富士通半导体15.9%的股权。今日，联电获准以544亿日元（约36.1亿元）的价格购买三重富士通半导体剩余84.1%的股权。据官方信息，三重富士通半导体在成为联华电子完全独资的子公司后，将更名为United Semiconductor Japan Co.，Ltd。（USJC）。

富士通半导体和联电除了三重富士通半导体股权投资之外，在40nm技术上也有授权合作。目前MIFS已建设40nm逻辑生产线，此次三重富士通半导体整合至联华电子旗下，将推动联电在日本半导体业的整体实力，深挖潜质，巩固联电业务根基，拓宽联电业务覆盖面积。联华电子共同总经理王石认为，此次并购将在联华电子员工数十年的丰富制造经验的基础之上，结合联电的经济规模及晶圆专工的专业技术，达到双赢的效果。未来联电对于新老客户，将提供更强更有力的支持服务。“联华电子全球客户将充分利用此次收购的日本12英寸晶圆厂”王石说。

此外，王石表示，此次收购符合联电布局亚太12英寸晶圆厂生产基地产能多元化的策略。“展望未来，我们将持续专注于联电在特殊制程技术上的优势，通过内部和外部对扩张机会的评价，寻求与此策略相符的成长机会。”王石说。

全球晶圆厂排名或将重新洗牌

据了解，日本三重富士通半导体的月产能为3.6万片12英寸晶圆，主要应用在汽车、物联网（IoT）等，并以40纳米、65纳米制程等成熟制程为生产的主力。在吸收了该厂后，联电在全球的排名或将再进一步。

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院统计，第三季度全球晶圆代工总产值预计将比第二季度高13%。市占率排名前三名分别为台积电(TSMC) 50.5%、三星(Samsung) 18.5%与格芯(GlobalFoundries) 8%。联电位列第四。不过为了稳定投片，格芯近期出售了部分厂房和芯片业务，以期待通过RF SOI技术来提高通讯领域的营收。不过，有分析师认为，格芯未来交割厂房，后可能使营收减少，加上AMD积极布局7纳米产品线，都将影响格芯在12/14纳米制程的营收表现。

反观联电，第二季度受利于通讯类产品，包括低、中端手机AP，开关组件与路由器相关芯片等需求的影响，联电产能利用率提升，出货量稳定增加，集邦咨询分析预估联电第三季度有望维持营收成长。在此基础之上，联电又宣布收购三重富士通半导体。

“一方面，联电扩充了自己的产线，联电12英寸厂从三座变成了四座，主要业务面向车规级产品，为以后的人工智能、自动驾驶做好铺垫。另一方面，这是联电在日本的第一座12英寸晶圆厂，可以更好地帮助联电开拓日本客户。”分析师杨俊刚对《中国电子报》记者说。

“此次收购，会帮助联电满足富士康以前难以满足的客户需求，帮助联电拓展在日本的市场。未来，联电或将成为全球第三位的晶圆代工厂。”杨俊刚向记者表示，以目前的形势来看，格芯在经营上的压力要大于联电，联电此次的收购或将影响全球代工厂排名。

“全球晶圆代工厂排名或许变成第一名台积电、第二名三星、第三名联电。如果联电想要赶超前两位，一方面需要更加努力的拓展市场客户，另一方面要加强研发，发展多元化工艺。”杨俊刚说。

联华电子昨日(25日)宣布，该公司已符合所有相关政府机构的成交条件而获得最终批准，购买与富士通半导体（FSL）所合资的12英寸晶圆厂三重富士通半导体股份有限公司 (MIFS) 全部的股权，完成并购的日期订定于2019年10月1日。

富士通半导体（FSL）和联华电子(UMC) 两家公司于2014年达成协议，由联华电子通过分阶段逐步从FSL取得MIFS 15.9%的股权；FSL现已获准将剩余84.1% MIFS的股份转让给联华电子，收购剩余股份最终的交易总金额为544亿日元。MIFS成为联华电子完全独资的子公司后，将更名为United Semiconductor Japan Co.，Ltd。（USJC）。

FSL和联华电子除了MIFS股权投资之外，双方更透过联华电子40纳米技术的授权，以及于MIFS建置40纳米逻辑生产线，进一步扩大了彼此的合作伙伴关系。

经过多年的合作营运，鉴于联华电子为半导体领先业界的晶圆专工厂，广阔的客户组合、先进的制造能力和广泛的产品技术，双方一致肯定将MIFS整合至联华电子旗下，可将其潜力发挥到最大，提高在日本半导体业的竞争力，同时有助于巩固联电业务根基，为联电的利害关系人创造最高的价值。

联华电子共同总经理王石表示：“这桩并购案结合了USJC世界级的生产品质标准和联华电子员工数十年的丰富制造经验、联电的经济规模及晶圆专工的专业技术，将达到双赢的综效，可为新的及现有的日本客户提供更强有力的支持。同时，联华电子的全球客户也将可充分运用日本的12英寸晶圆厂。”

王石总经理进一步指出，“USJC的加入，正符合联电布局亚太12英寸厂生产基地产能多元化的策略。展望未来，我们将持续专注于联电在特殊制程技术上的优势，通过内部和外部对扩张机会的评估，寻求与此策略相符的成长机会。”

联电昨（6）日宣布，Cadence类比/混合信号（AMS）芯片设计流程已获得联电28纳米HPC+制程的认证。透过此认证，Cadence和联电的共同客户可以于28纳米HPC+制程上利用全新的AMS解决方案，去设计汽车、工业物联网（IoT）和人工智能（AI）芯片。

联电硅智财研发暨设计支援处处长林子惠表示，透过与Cadence的合作，结合Cadence AMS流程和联电设计套件，开发了一个全面而独特的设计流程，为在28纳米HPC+制程技术的芯片设计客户提供可靠与高效的流程。

上述完整的AMS流程是基于联电的晶圆设计套件（FDK）所设计的，其中包括具有高度自动化的电路设计、布局、签核和验证流程的一个实际示范电路，让客户可在28纳米的HPC+制程上实现更无缝的芯片设计。

Cadence AMS流程结合经定制化确认的类比/数位验证平台，并支持更广泛的Cadence智能系统设计策略，加速SoC设计。AMS流程具有整合标准元件数位化的功能，适合数位辅助类比的设计，客户可使用28纳米HPC+制程，开发汽车、工业物联网和AI应用。