佰维BIWIN助力西安电子科技大学产教融合,实现校企共赢

佰维BIWIN助力西安电子科技大学产教融合,实现校企共赢

近3年中国企业对芯片人才需求量不断加大,根据今年上半年出版的“2019年芯片人才数据洞察”研究预测,到2020年,芯片人才缺口将超30万。

佰维BIWIN专注于存储领域25载,近日与西安电子科技大学共建人才联合培养实践基地,致力于培养专业的存储芯片技术人才,实现校方、企业、人才的多方共赢。

近日,佰维BIWIN与西安电子科技大学正式签订“人才联合培养”合作协议。签约仪式在佰维总部举行,佰维创始人孙日欣、CEO何瀚、副总经理刘晓斌,西电机电工程学院党委书记梁玮、副院长李团结、电子封装系常务副主任周金柱、院长助理王永坤共同出席签约仪式。

会议期间,孙总对校方的到来表示欢迎,并向校方介绍了佰维积极务实的企业文化、发展规划、人才培养战略和发展愿景,期待双方开展全方位深度合作,优势互补、互利共赢。

会上,梁玮书记表示,高校科研与人才培养以企业需求和市场化应用为导向,而企业借助高校的科研实力能更好地解决技术创新难题,期待双方加大交流力度,进一步提高人才培养质量、推动科研成果转化,实现合作共赢。

双方将发挥各自资源优势,联合培养存储技术实用型人才,覆盖存储芯片封装、软硬件开发、IC检测等领域,通过将理论知识应用于技术实践,帮助学生进一步熟悉并掌握存储芯片的生产工艺与技术应用,并就博士站点设立、科技成果转化、产学研平台共建、企业俱乐部成立等方面的合作进行深入探讨。

佰维与西电此次共建校外实践教育基地,将致力于为学生提供更多实习、实践的工作机会和发展平台,为中国存储事业的蓬勃发展培养更多”强理论+强实践”的优秀人才。

在技术人才培养、核心技术创新与科技成果的产业化应用等方面,佰维与西电将优势互补,成为彼此重要的合作伙伴,共同推动中国存储产业的创新发展。

关于西电

西安电子科技大学是以信息与电子学科为主,工、理、管、文多学科协调发展的全国重点大学,同时也是国内最早建立信息论、信息系统工程、雷达、微波天线、电子机械、电子对抗等专业的高校之一,开辟了我国IT学科的先河,形成了鲜明的电子与信息学科特色与优势。

学校设有通信工程学院、电子工程学院、机电工程学院、物理与光电工程学院等18个学院。机电工程学院是西安电子科技大学学科数最多、专业面最广的学院,建有“电子装备结构设计”教育部重点实验室、“电子装备机电耦合基础理论与关键技术”111基地、综合性工程训练国家级实验教学示范中心和“复杂系统国际联合研究中心”陕西省国际科技合作基地。机电工程学院下属电子封装系,为全国唯一五星封装专业,在全国封装专业中排名第一。

关于佰维

佰维专注为客户提供优质的存储产品,致力于成为行业一流的存储解决方案提供商。佰维专注存储领域24载,造就了佰维稳健的上游资源整合能力、业内领先的存储算法及固件开发能力、优异的硬件设计能力、强大的测试能力和以SiP为核心的先进封装制造能力这5大优势。可为客户提供eMMC、eMCP、UFS、LPDDR、ePOP、SPI NAND、uMCP、BGA SSD以及2.5”、U.2、M.2、DOM、AIC PCIe、特种SSD、移动SSD、内存模组等全系列存储产品,并针对客户多元化的存储需求,提供具备高可靠性、高性能、小尺寸、断电保护、加密支持、写入保护、宽温运行、安全删除等特点的产品。

佰维致力于为广大整机厂商,品牌商,工控级和消费级市场提供优质的存储产品和服务,为客户提供涵盖游戏娱乐、轨道交通、网络安全、工业自动化、手机平板、网通产品在内的全系列存储应用解决方案。

更多讯息请访问:www.biwin.com.cn

商务合作:sales@biwin.com.cn

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联立徐州项目即将量产,预计芯片产能每月可达2.4万片

联立徐州项目即将量产,预计芯片产能每月可达2.4万片

10月24日,联立(徐州)半导体有限公司举行了开幕典礼,据悉,联立(徐州)半导体一期项目已具备了全线量产的条件。

据金龙湖发布,目前具备生产条件的产线为联立(徐州)半导体一期项目,目标产能为2.4万片/每月;2020年将启动项目二期扩建计划,将增加12英寸的生产线,整体完成后,联立徐州的目标产能将达到10万片/每月。

联立(徐州)半导体有限公司周季美董事长表示,中国已成为全世界最大,最重要的面板生产基地,显示驱动芯片在国内的年需求量达180万片以上。

在此背景下,联立徐州基地的启用,将在一定程度上缓解国内面板厂无“芯”可用的处境,并建立真正意义上的国内制造国内使用。

资料显示,联立(徐州)半导体有限公司注册资本为1000万美元,是目前中国大陆地区能提供晶圆金凸块制造、测试、切割、封装等完整工艺的极少数厂商之一,项目工艺综合了当今全球先进的芯片封装技术。

总投资20亿元 江苏句容台湾半导体产业园项目预计明年初投产

总投资20亿元 江苏句容台湾半导体产业园项目预计明年初投产

7月31日,台湾半导体产业园项目签约落户江苏省句容经济开发区。最新消息是,句容市融媒体中心指出,目前整个项目正在装修施工中,预计2020年年初投产。

据了解,台湾半导体产业园项目总投资20亿元,项目整合了台湾辰炜电子股份有限公司、讯忆科技股份有限公司等多家公司,并成立华祥耀(江苏)电子科技股份有限公司,从事芯片设计、芯片封装测试、智能终端、半导体材料等半导体相关产品的开发、生产及销售。

根据国家企业信息公示系统,华祥耀(江苏)电子科技股份有限公司于2019年9月5日正式成立,注册资本为1000万美元,主要从事集成电路设计、封装、检测、销售;触控产品设计、生产、销售;液晶显示产品的设计、生产、销售等业务。

华祥耀(江苏)电子科技股份有限公司总经理魏光耀表示,该项目于今年8月开始进驻,预计12月底前把7栋厂房全部装修完成。明年开始量产,预计第一年营业额将达到10亿元,三年内达到20亿元。

张汝京谈中国半导体材料现状

张汝京谈中国半导体材料现状

近日,芯恩(青岛)集成电路有限公司董事长张汝京博士在谈到中国半导体材料现状时表示,国内光刻胶、特种化学品以及光掩膜版是缺少的。但国产硅片和特种气体发展得很好。

张汝京还指出,国产的抛光液也已经达标了,中国化工实力是相当强的,湿式工艺用化学品也做得很好。韩国被日本卡脖子的氢氟酸中国很早就国产化了,日韩贸易战中韩国还将一些订单转到了中国。

溅射靶材方面,张汝京也认为大陆产品发展得非常好,有一小部分也已经销售到中国台湾大厂。芯片封装材料等其他半导体材料则正在快速追赶。

对于中国而言,张汝京提到了几类未来值得大力发展的半导体材料项目,主要包括半导体厂用石英器件复合材料、晶舟/晶盒、复合材料(砷化镓、氮化镓、氮化硅等)和耗材类(石墨组件、研磨垫)等。

最后,张汝京对中国整个半导体产业提出了三大建议:

一、唯有掌握芯片设计、制造、设备和材料等技术,才有竞争力。芯片发展的滞后已经构成我国产业转型升级的阻碍。发展芯片产业链是我国产业摆脱受制于人的机遇。结合高端IC设计公司开发本国产业需要的芯片,保持质量降低成本,打破国际厂商的垄断。

二、培育人才,突破核心设备、半导体材料和零部件的自主量产能力。积极培养高端芯片的人才,深耕生产技术及产能才是根本解决之道。

三、创新协同模式或自有整机大厂,资金合理分配。中国电子企业普遍尚未掌握核心技术,研发投入少,研发规模跟不上。只有在保持自主研发的同时,采用创新协同模式或设立自有整机大厂才能加速掌握半导体材料、零组件以及芯片的核心技术。

总投资35亿 奥士康科技将在肇庆建设印制电路板生产基地与华南总部

总投资35亿 奥士康科技将在肇庆建设印制电路板生产基地与华南总部

8月20日,在2019肇庆港资项目集中签约活动上,共签约项目32宗,计划投资总额482亿元。其中,包括奥士康科技股份有限公司投资建设的肇庆奥士康科技产业园项目。

奥士康科技股份有限公司官微消息显示,该项目投资总额35亿元,计划建设肇庆奥士康印制电路板生产基地和奥士康华南总部。其中,印制电路板生产基地占地400亩,将建设多条高端印制电路板生产线,主要生产高端汽车电子电路、任意层互联HDI、高端通讯5G网络、高端半导体IC/BGA芯片封装载板、大数据处理存储电子电路等。

肇庆奥士康科技产业园项目的签约落户,标志着奥士康整体实力的进一步提升。

资料显示,奥士康科技股份有限公司成立于成立于2008年,于2017年在深交所A股上市,其产品可应用于数据运算及存储、汽车电子、通信及网络、工控及安防、消费及智能终端等领域。

脸书欲推加密货币 哪些封测厂将受益?

脸书欲推加密货币 哪些封测厂将受益?

Facebook准备推出自家加密货币Libra及数位钱包Calibra,但由于美国国会民主党党团已发函Facebook要求暂停相关货币开发计划,众议院金融服务委员会将召开听证会进行审查。

若听证会顺利通过,可望带动主流虚拟货币(如比特币、以太币等)价格上扬,也将拉升ASIC(特用芯片)之HPC(高效能运算)挖扩机等封测需求,使得日月光等封测大厂2019年第三季营收将有新一波成长。

Facebook欲发展加密货币,整合HPC存储器与处理器之封装逐渐受到重视

虽然先前比特币价格暴跌的惨况,使得挖扩机需求在当时出现大幅衰退,但随着Facebook欲推出自家加密货币Libra趋势,再次驱使挖矿机芯片需求攀升,连带使得HPC芯片封测厂商营收有望跟着水涨船高。

然而何谓HPC,主要是指芯片将一部分运算能力集中应用于需大量运算资源的复杂型问题,如同Al机器学习、大数据分析及高阶建模与模拟等部分,藉此减少人工处理及运用时间。

另外,由HPC封装结构来看,可发现主要构造将由两个部分组成;如下图所示:

▲AMD推出新型HPC之2.5D封装结构概念图

source:AMD;拓墣产业研究院整理,2019/07

该图为AMD推出新型HPC之2.5D封装结构概念图,可区分为DRAM/SRAM之HBM(高频宽存储器)结构、CPU/GPU处理器等部分,并透过TSV(硅穿孔)方式进行存储器与处理器间的整合,使相关封装技术整合在同一颗芯片中,以减小彼此间的传输路径、加速处理与运算时间、提高整体HPC工作效率。

芯片尺寸微缩趋势,HPC封装技术已由FOWLP逐渐进展至2.5D封装技术

若再进一步分析HPC芯片所需的封装技术,由于目标需求期望能提升Al运算能力并设法降低运算过程中的功耗,使得以往封测厂商皆以扇出型晶圆级封装(Fan-Out WLP)等技术进行作业。

但随着半导体制程技术提升,芯片尺寸也随之微缩,让封装过程中的目标线宽/线距(L/S)逐步缩小(1μm/1μm),因此如何在限缩的空间内将存储器及处理器整并一起,需要高难度的重分布层(RDL)技术提供协助,自此孕育了2.5D封装技术,尝试透过堆栈封装方式,缩减整体封装所需的体积。

评估现行已有能力进行2.5D封装技术之厂商,除了半导体制造龙头台积电拥有CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)与InFO(Integrated Fan-out)等封装技术外,其他也拥有相关技术的半导体封测大厂,主要由日月光、Amkor、江苏长电、矽品等厂商为主,各自研发独到的重分布层技术,藉此微缩整体封装体积。

因此,若Facebook成功推出自家加密货币Libra,将带动短期一波HPC芯片挖扩机需求,并拉抬部分Fabless厂(如AMD等)及IDM厂(如Intel等)之业绩表现,从而带动各家HPC封装厂商2019年第三季往后新一波的营收来源。

但若以中长期发展而言,挖矿机与HPC封装需求,由于目前仍缺乏显著成长因素,还需其他发展动机出现,才有机会进一步带动相关产业营收增长。

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鼓励外商投资产业目录发布,新增芯片封装设备等条目

鼓励外商投资产业目录发布,新增芯片封装设备等条目

6月30日,国家发展改革委、商务部发布了《鼓励外商投资产业目录(2019年版)》,自2019年7月30日起施行。

本次目录的主要变化不仅在于较大幅度增加鼓励外商投资领域,同时还鼓励外资参与制造业高质量发展。继续将制造业作为鼓励外商投资的重点方向,支持外资更多投向高端制造、智能制造、绿色制造等领域。

在电子信息产业,本次目录新增了5G核心元组件、集成电路用刻蚀机、芯片封装设备、云计算设备等条目。在装备制造业,新增或修改工业机器人、新能源汽车、智能汽车关键零部件等条目。在新材料产业,新增或修改航空航天新材料、单晶硅、大硅片等条目。

同时,此目录还支持中西部地区承接外资产业转移。例如在安徽、四川、陕西等电子产业集群加快发展省份新增一般集成电路、平板电脑、通讯终端等条目。

根据《鼓励外商投资产业目录(2019年版)》,在计算机、通信和其他电子设备制造业方面涵盖了多项集成电路相关条目。

包括直径200mm以上硅单晶及抛光片生产;300mm以上大硅片的制造;集成电路设计,线宽28纳米及以下大规模数字集成电路制造,0.11微米及以下模拟、数模集成电路制造,MEMS和化合物半导体集成电路制造及BGA、PGA、FPGA、CSP、MCM等先进封装与测试;超大规模集成电路制造用刻蚀机、PVD、CVD、氧化炉、清洗机、扩散炉、MFC等;芯片封装设备制造;100TB及以上存储系统制造、8TB及以上SSD固态硬盘制造及智能化存储设备制造等。

SK海力士重庆二期存储芯片封测项目将于Q3投产

SK海力士重庆二期存储芯片封测项目将于Q3投产

日前,重庆西永微电园消息称,SK海力士位于重庆的二期存储芯片封装测试项目将于今年第三季度投产。

2013年5月,SK海力士在重庆西永微电园设立SK海力士半导体(重庆)有限公司,投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线。该项目一期投资3亿美元,2014年正式投产。2017年9月,SK海力士与重庆签署有关二期项目的谅解备忘录,二期追加注册资本2.5亿美元,累计投资额将达12亿美元,2018年上半年开工。

据重庆西永微电园透露,SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,三季度陆续投产。投产后,项目合计产能是现在的2.5倍,芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士全球海外最大封装基地。

东芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

东芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

东芝宣布其OEM客户端NVMe SSD的第四次迭代,作为包含SSD控制器和NAND闪存的单个BGA芯片封装提供。东芝BG4是对BG3的重大升级:东芝的新型96层3D TLC取代了他们的64层NAND,可实现更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代,为更高的顺序I/O性能打开了大门。

BG4仍然是一款无DRAM的SSD,它依赖于NVMe主机内存缓冲区(HMB)功能来缓解无刷驱动器否则会遭受的性能损失。东芝增加了对HMB的使用,增加了SSD存储在主机DRAM中的数据的奇偶校验,即使主机系统不使用ECC内存,也能提供额外的数据保护层。

BG4的固件也经过调整,扩展了可以缓存在主机内存缓冲区中的用户数据映射信息范围,从而提高了复制大文件等用例的性能。这些变化意味着BG4会要求使用更大的主机内存来加速其操作,但所请求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重点是提高随机I / O性能并减少后台闪存管理对交互性能的影响。来自东芝的初步性能数据表明,随机写入性能几乎翻了一番,随机读取性能远远超过BG3的两倍。

东芝BG4容量128 GB,256 GB,512 GB,1TB,外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230单面,接口NVMe PCIe 3.0 x4,顺序读取性能2250 MB/s,顺序写入性能1700 MB/s,4KB随机读取380k IOPS,4KB随机写入190k IOPS。

更改为更宽的PCIe x4主机接口不需要BG4采用比其前辈更大的BGA封装尺寸,切换到96L 3D TLC具有更高的每个芯片容量,允许一些驱动器采用更薄的设计(对并且允许BG系列首次引入1TB容量。东芝是第一家推出采用96L NAND的SSD厂商,看起来BG4将成为第二款开始出货的96L SSD。

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

在近日举行的英特尔“架构日”活动中,英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统,支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构,还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势,可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。

以下两张图,是对这一突破性发明的详细介绍,第一张图展示了Foveros如何与英特尔?嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)2D封装技术相结合,将不同类型的小芯片IP灵活组合在一起,第二张图则分别从俯视和侧视的角度透视了“Foveros” 3D封装技术。

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

据悉,英特尔预计将从2019年下半年开始推出一系列采用Foveros技术的产品。首款Foveros产品将整合高性能10nm计算堆叠“芯片组合”和低功耗22FFL基础晶片。它将在小巧的产品形态中实现世界一流的性能与功耗效率。

继2018年英特尔推出突破性的嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)2D封装技术之后, Foveros将成为下一个技术飞跃。