英特尔拟在以色列建芯片新工厂

英特尔拟在以色列建芯片新工厂

北京时间1月29日消息,援引以色列一家新闻网站周一的报导称,美国芯片制造商英特尔计划斥资400亿谢克尔(约合108.9亿美元),在以色列兴建一座新工厂,并已向以色列政府申请占投资总额10%的财政拨款。

据以色列《环球报》(Globes)的报道称,如果该计划得以实施,这将是英特尔在以色列有史以来最大的一笔投资。如果该公司的申请获得批准,其规模可能会达到400亿新谢克尔,也将创下历史纪录。

据以色列《环球报》(Globes)的报道称,英特尔与以色列财政部的投资谈判几周前就已开始,目前仍在进行中。报道还称,英特尔全球管理层尚未做出最终决定。英特尔此前曾表示,该工厂可能将在爱尔兰、美国或以色列建造。

有消息称,这笔位于以色列南部城市凯尔耶特盖特(Kiryat Gat)的投资金额最终可能会有所降低。英特尔拒绝对此置评。

此前英特尔曾承诺,公司计划在2018年至2020年间投资约180亿谢克尔(约合50亿美元)扩大其在凯尔耶特盖特现有工厂产能。

《环球报》的报道称,与以色列政府谈判中的新建厂协议,可能包括免除与与以色列土地管理局(Israel Land Administration)的投标义务;此外,英特尔已经在为建设基列亚特加特新工厂做物理基础设施准备。

总部位于美国加州圣克拉拉的英特尔是以色列最大的雇主和出口商之一,其许多新技术都是在以色列开发的。 除了在凯尔耶特盖特的工厂外,英特尔的全球活动几乎在以色列都有广泛发展。英特尔最先进的商用和个人电脑9G工艺的开发、架构和设计,出自以色列Haifa基地,而自动驾驶汽车研发活动,则基于英特尔所收购的位于耶路撒冷的Mobileye。

美光支付英特尔15亿美元分手费,独自收购IMFT

美光支付英特尔15亿美元分手费,独自收购IMFT

之前,存储器大厂美光(Micron)跟处理器龙头英特尔(Intel)合资成立了 Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)公司,联合研发 NAND Flash 及革命性的 3D XPoint 存储器。但是,双方合作十多年之后已经渐行渐远,2018 年宣布分手,而合资公司 IMFT 将被美光收购。于是,1 月 15 日美光正式宣布,进行收购 IMFT 的计划。其中,英特尔将获得 15 亿美元的分手费,之后英特尔本身也将建立自己的 NAND Flash 及 3D XPoint 存储器的生产能力。

说起英特尔和美光的合作开发 NAND Flash 的历史非常久远,早在 2005 年,两家公司就联合成立一家 Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)公司,以专门制造 NAND Flash 快闪存储器为主。直到 2015 年,这家合资的 IMFT 公司研发出全新的 3D XPoint 技术快闪存储器。根据资料显示,3D XPoint 技术快闪存储器将是目前快闪存储器速度及耐用性的1,000 倍,容量密度则是 NAND Flash 快闪存储器的 10 倍。

目前,美光及英特尔合作的 3D XPoint 快闪存储器主要是在美国犹他州的工厂生产,双方未来将继续通力合作完成第二代 3D XPoint 技术开发,并且将会在 2019 年上半年完成上市之后,两家就会正式分道扬镳,各自开发以 3D XPoint 技术为主的第三代产品。

据了解,双方分手之后要各自组建独立的研发团队。其中,英特尔在 2018 年 9 月份就已经宣布,将在美国新墨西哥州的工厂新增 100 多个职缺,主要就是 3D XPoint 快闪存储器技术研发。在此之前,英特尔已经在中国大连投资 55 亿美元,并且兴建了 3D NAND Flash 的生产线,2018 年 9 月份也正式开始量产。

另外,对于 NAND Flash 快闪存储器及 3D XPoint 生产,双方之前就已经谈妥,在英特尔自己的 3D XPoint 工厂建成之前,IMFT 还会继续给英特尔提供存储器。所以,分手之后双方各自的储存业务都不会受到影响。而就在美光公司 15 日宣布行使收购 IMFT 的权力之后,美光将支付给英特尔 15 亿美元的现金,同时承担 IMFT 公司大约 10 亿美元的债务。而整体交易的完成时间将要看英特尔的决定,最快在未来 6 个月到 12 个月内完成。

英特尔与重庆合作打造FPGA产业集聚区

英特尔与重庆合作打造FPGA产业集聚区

100个FPGA应用

FPGA指现场可编程门阵列,英特尔FPGA中国创新中心展示了超过100个FPGA应用,涉及人工智能、无人驾驶、5G等应用场景。

“五个一”工程

英特尔FPGA中国创新中心目标为“五个一”工程,即一个先进的FPGA端到端平台、一个综合的英特尔FPGA中国创新中心、一套专业的FPGA人才培养体系、一系列FPGA高端产业峰会及前沿创新大赛、一片最具影响力的FPGA产业聚集区。

275亿美元

预计到2021年,FPGA芯片市场可达到275亿美元的规模。延伸行业市场可突破千亿美元。

1月14日上午,西永微电子产业园区内,英特尔FPGA中国创新中心迎来一群参观者。

“这是今天上午第二批参观的人了。”英特尔FPGA中国创新中心的工作人员介绍,该中心自去年12月19日揭牌启运以来,几乎每天都有人来参观、学习、交流。参观者来自政府部门、创新企业、大学院校等。

事实上,FPGA是集成电路领域的一项特殊技术,英特尔FPGA中国创新中心是英特尔在全球范围内布局的规模最大的FPGA创新中心,也是迄今为止,英特尔在亚洲唯一的FPGA创新中心。

展示FPGA应用超过100项

所谓FPGA,指现场可编程门阵列,是一种半定制电路,具备可编程、可重复配置等优点。

简单来说,以前的芯片出厂后,其功能与用途无法再进行调整。而FPGA芯片,可实现功能与用途的调整。就像多功能瑞士军刀,既可以在需要裁剪的时候变成剪刀,也可以在需要拧螺丝的时候变成螺丝刀,还可以灵活地变成水果刀。

在FPGA出现之前,所有集成电路都好比是雕塑,要雕出成品,往往要浪费很多半成品和原料。FPGA出现后,集成电路就像块橡皮泥,想捏成什么样随你。如果捏得不行,可以重新再捏。因此,FPGA有助于企业对应用进行不断优化,加速自身技术迭代,提高验证的容错率。

此外,FPGA还有一些其他优势,比如其性能高、功耗低。随着技术的发展,FPGA在泛人工智能、5G通讯、自动驾驶、云计算、智能终端、工业等方面表现出极大的优势。

“FPGA比较抽象,所以我们在布局英特尔FPGA中国创新中心时,就专门布置了一个应用展示厅。通过具体的应用,可以让更多人了解FPGA的具体情况。”英特尔FPGA中国创新中心总经理张瑞表示,该展示厅共展示了超过100个FPGA应用,目前也是众多人士前来参观的重点区域。

该展示厅涉及的应用包括人工智能、自动驾驶、5G等应用场景。比如通过英特尔FPGA技术处理的实时视频处理平台,跟传统平台相比,其清晰度、亮度、实时性都有明显的提升。又如重庆大学在英特尔FPGA基础上研发的智慧调音系统。通过这一系统,人们在唱歌、乐器演奏时,可以根据不同的音色自动对其进行调整、修正,起到一种“自动修音”效果。

打造FPGA人才高地

展示厅的目的,是为了让更多人认识、了解FPGA,也让更多人能够使用FPGA。不过,就FPGA本身而言,是集成电路领域的一项特殊技术,因其门槛高,人才储备、尤其是国内的人才储备非常少。

所以,英特尔FPGA中国创新中心今年的主要目标之一,就是构建人才培养和认证体系,打造专业的FPGA培训和认证。

与高校合作,是英特尔FPGA中国创新中心人才培育的重要方式之一。张瑞介绍,西永紧邻大学城,有丰富的人才资源,这也是当初选择将英特尔FPGA中国创新中心落户西永的原因之一。

在具体举措上,英特尔FPGA中国创新中心会建立高校教师与行业人才双向交流机制,鼓励有条件的高校建立FPGA学院、FPGA研究院或FPGA交叉研究中心,推动科教结合、产教融合协同育人的模式创新,多渠道培养FPGA领域创新创业人才;引导企业/高校通过增量支持和存量调整,稳步增加相关学科专业的合理确定层次结构,加大FPGA领域人才培养力度;加强教材建设;加快FPGA领域科技成果和资源向教育教学转化,推动FPGA重要方向的教材和在线开放课程建设;开展普及教育;鼓励、支持高校相关教学、科研资源对外开放,建立面向青少年和社会公众的FPGA科普公共服务平台。

共建FPGA创新生态

除了人才培育,英特尔FPGA中国创新中心今年还有一个目标,便是在今年3月份,正式上线英特尔FPGA中国创新中心云加速平台。

该加速平台共配备了近百台服务器,100块英特尔FPGA加速板卡,理论上可以同时服务100个企业。据了解,借助FPGA创新加速平台,企业可以在云端与该中心连接。就企业而言,这无疑减少了创新的门槛与成本。

“这样一来,英特尔FPGA中国创新中心虽坐落重庆,却可辐射全国。”张瑞表示,英特尔希望的是借助英特尔FPGA中国创新中心,打造一个FPGA创新生态。

事实上,在英特尔FPGA中国创新中心落户重庆时,便提出了“五个一”工程,即一个先进的FPGA端到端平台、一个综合的英特尔FPGA中国创新中心、一套专业的FPGA人才培养体系、一系列FPGA高端产业峰会及前沿创新大赛、一片最具影响力的FPGA产业聚集区。

端到端平台,便是此前说的“英特尔FPGA中国创新中心云加速平台”;创新中心,则是依托西永微电园,打造集培训、认证,产业孵化、应用展示及空间活动为一体的综合性专业创新孵化加速中心。

“高端峰会和创新大赛,则计划在重庆落地。”张瑞表示,这类活动,能够起到明显的宣传推广作用,从而实现探索FPGA发展、发掘优秀创新项目、吸引国内外创业团队入驻的目标。

一系列举措的最终目的,便是实现产业聚集区。在该中心落户重庆时,英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭曾表示,英特尔希望借助这一中心,与重庆一起,打造中国FPGA领域的智力高地和产业高地,深度聚集产业资源,加速以FPGA为核心的全球化科技创新,推进相关产业落地和培养创新人才,促进中国FPGA创新生态健康蓬勃发展。

第三方数据显示,预计到2021年,包括加速器市场在内的FPGA芯片全球市场份额可达到275亿美元,其延伸份额可突破千亿级。英特尔FPGA中国创新中心落户重庆,有助于重庆成为全国FPGA的高地,在产业和市场上,赢得先机。

 

英特尔宣布 10 纳米处理器年底问世,但仍以笔电使用优先

英特尔宣布 10 纳米处理器年底问世,但仍以笔电使用优先

做为全球处理器龙头,英特尔 (intel) 在本届 CES 当中推出了多款 PC、服务器、资料中心及 5G 相关芯片及技术。首先在 PC 处理器的方面,10 纳米代号 Ice Lake 处理器正式亮相,使用的是 Sunny Cove 核新架构,预计将于 2019 年底率先由 OEM 厂商出货。

虽然,英特尔在 2017 年底推出了首个 10 纳米制程,代号 Cannon lake 的处理器,但只有一款 Core i3-8121U,所以并不能真正代表 10 纳米处理器的量产。这使得英特尔 10 纳米处理器何时量产上市,一直是冲击英特尔营运最大的不利因素之一。对此,英特尔官方一直都是表示 10 纳米制程处理器的正式量产时间将在 2019 年底的假期购物季。

现在,对于真正的 10 纳米制程处理器,也就是代号 Ice Lake 的处理器,在这次在 CES 上才正式确认它,并公布了相关的性能。代号 Ice Lake 的 10 纳米制程处理器除了使用 2018 年底宣布的 Sunny Cove 架构之外,还增强了微架构,可进行更多操作。此外,还内建降低延迟的新算法、增加关键缓冲区和缓存的大小,并优化以数据为中心的工作负载,最后,还针对特定用例和算法的架构进行扩展。

而除了处理器内核架构升级之外,10 纳米制程的 Ice Lake 处理器还会用上 Gen11 核内显示,如此让浮点性能大幅提升到 1TFlops 以上之外,还支援英特尔自适应垂直同步技术。此外,Ice Lake 处理器还是首个整合 Thunderbolt 3 以及 Wi-Fi 6 的处理器,同时还支援用于 AI 加速的英特尔 DLBoost 指令集。

综合来看,英特尔 10 纳米制程的 Ice Lake 处理器上的技术亮点不少,包括全新制程、全新架构、全新核显以及新一代 IO 技术。不过,虽然英特尔宣布将在 2019 年底前推出,但是坏消息是 2019 年底将由 OEM 厂商率先推出,这也就是说首发的 10 纳米制程 Ice Lake 处理器主要是笔电产品,而非零售产品,DIY 玩家能够买到 Ice Lake 处理器的时间依然落在 2020 年。

英特尔在7nm将依靠EUV技术实现

英特尔在7nm将依靠EUV技术实现

随着晶圆代工厂台积电及记忆体厂三星电子的7纳米逻辑制程均支援极紫外光(EUV)微影技术,并会在2019年进入量产阶段,半导体龙头英特尔也确定正在开发中的7纳米制程会支援新一代EUV技术。

英特尔10纳米制程推进不如预期,导致14纳米产能供不应求,并造成2018年第四季以来的处理器缺货问题,预期要等到2019年第二季才会获得纾解。英特尔日前已宣布将扩大资本支出提升产能,并且预期10纳米Ice Lake处理器将在今年第四季量产出货。

至于英特尔未来制程微缩计划,据外电报导,掌管英特尔制程及制造业务技术及系统架构事业的总裁兼首席工程师Murthy Renduchintala日前指出,10纳米制程与2014年订定的制程标准相同,不论性能、密度、功耗等都保持不变。另外,有了10纳米的制程研发经验,英特尔7纳米发展良好,并将加入新一代EUV微影技术,由于10纳米及7纳米是由不同团队开发,7纳米EUV制程不会受到10纳米制程延迟影响。不过,英特尔未提及7纳米何时可进入量产。

据猜测,英特尔原原计划10nm后第四年推出,所以就是2020年底,假如真能做到,那么10nm制程将会是最短命的一代制程。

按照估计,Intel可能还要配置多20~40台ASML的7nm EUV光刻机来达到月产10万片的能力。(7nm EUV光刻机单台售价1.2亿美元。)

业界指出,台积电及三星的7纳米EUV制程2019年逐步提升产能,但要开始真正大量进行投片量产,应该要等到2020年之后。英特尔的7纳米EUV制程要真正进入生产阶段,预期也要等到2020年或2021年之后。不过,以三大半导体厂的计划来看,EUV微影技术将成为7纳米及更先进制程的主流。

EUV光刻技术发展态势

光刻(lithography)为集成电路微细化的最关键技术。当前在16/14nm节点乃至10及7nm节点,芯片制造商普遍还在使用193nm ArF浸润式光刻机+多重成像技术,但采用多重成像技术后将增加曝光次数,导致成本显著上升及良率、产出下降等问题。根据相关企业的规划,在7/5nm节点,芯片生产将导入极紫外(EUV)光刻技术,EUV光刻使用13.5nm波长的极紫外光,能够形成更为精细的曝光图像。芯片厂商计划将EUV光刻应用到最困难的光刻工序,即金属1层以及过孔生成工序,而其他大部分工序则仍将延用193nm ArF浸润式光刻机+多重成像来制作。据EUV光刻机生产商阿斯麦(ASML)称,相比浸润式光刻+三重成像技术,EUV光刻技术能够将金属层的制作成本降低9%,过孔的制作成本降低28%。

EUV光刻的关键技术包括EUV光源和高数值孔径(NA)镜头,前者关乎光刻机的吞吐量(Throughput),后者关乎光刻机的分辨率(Resolution)和套刻误差(Overlay)能力等。目前,全球EUV光刻机生产基本上由荷兰阿斯麦公司所垄断,其最新 NXE:3400B EUV机型,采用245W光源,在实验条件下,未使用掩膜保护膜(pellicle),已实现每小时曝光140片晶圆的吞吐量;该机型在用户端的测试中,可达到每小时曝光125片晶圆的吞吐量,套刻误差2nm;按照阿斯麦公司EUV技术路线规划,公司将在2018年底前,通过技术升级使NXE:3400B EUV机型的套刻误差减小到1.7nm以下,满足5nm制程的工艺需求;在2019年中,采用250W EUV光源,达到每小时145片晶圆的量产吞吐量;在2020年,推出升级版的NXE:3400C EUV机型,采用250W EUV光源达到155片/时的量产吞吐量。总体上,目前的250W EUV光源已经可以满足7nm甚至5nm制程的要求,但针对下一代的EUV光源仍有待开发。据估算,在3nm技术节点,对EUV光源的功率要求将提升到500W,到了1nm技术节点,光源功率要求甚至将达到1KW。

高数值孔径(High-NA)光学系统方面,由于极紫外光会被所有材料(包括各种气体)吸收,因此极紫外光光刻必需在真空环境下,并且使用反射式透镜进行。目前,阿斯麦公司已开发出数值孔径为0.33的EUV光刻机镜头,阿斯麦正在为3nm及以下制程采开发更高数值孔径(NA)光学系统,公司与卡尔蔡司公司合作开发的数值孔径为0.5的光学系统,预计在2023-2024年后量产,该光学系统分辨率(Resolution)和生产时的套刻误差(Overlay)比现有系统高出70%,每小时可以处理 185 片晶圆。

除光刻机之外,EUV光刻要在芯片量产中应用仍有一些技术问题有待进一步解决,如:光刻胶、掩膜、掩膜保护薄膜(pellicle)。

光刻胶方面,要实现大规模量产要求光刻胶的照射反应剂量水平必须不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像,EUV光刻胶的照射剂量普遍需要达到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2剂量水平,250w光源的EUV光刻机每小时吞吐量只能达到90片,显著低于理想的125片。由于EUV光刻产生的一些光子随机效应,要想降低光刻胶的照射剂量水平仍需克服一系列挑战。其中之一是所谓的光子发射噪声现象。光子是光的基本粒子,成像过程中照射光光子数量的变化会影响EUV光刻胶的性能,因此会产生一些不希望有的成像缺陷,比如:线边缘粗糙(line-edge roughness:LER)等。

光掩膜版,EUV光刻使用镜面反射光而不是用透镜折射光,因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型,改用覆盖在基体上的硅和钼层来制作。同时,EUV光刻对光掩膜版的准确度、精密度、复杂度要求比以往更高。当前制作掩膜版普遍使用的可变形状电子束设备(VSB),其写入时间成为最大的挑战,解决方案之一是采用多束电子束设备。包括IMS公司、NuFlare公司等已在开发相关多束电子束产品,多束电子束设备能够提高光掩膜版制作效率,降低成本,还有助于提高光掩膜版的良率。未来,大部分EUV光掩膜版仍可以使用可变形状电子束设备来制作,但是对少数复杂芯片而言,要想保持加工速度,必须使用多束电子束设备。

EUV薄膜,EUV薄膜作为光掩膜的保护层,提供阻隔外界污染的实体屏障,可以防止微尘或挥发气体污染光掩膜表面,减少光掩膜使用时的清洁和检验。阿斯麦公司已经开发出83%透射率的薄膜,在采用245W光源,测试可达到100 片晶圆/时吞吐量,阿斯麦的目标是开发出透射率90%的透明薄膜,可承受300W的EUV光源,实现125片晶圆/时的吞吐量。

初期,EUV光刻还是主要应用于高端逻辑芯片、存储芯片的生产,主要芯片企业已相继宣布了各自导入EUV光刻的计划。

强攻 10 纳米节点 英特尔以色列扩厂获1.85亿美元补助

强攻 10 纳米节点 英特尔以色列扩厂获1.85亿美元补助

虽然日前处理器大厂英特尔(intel)宣布,为了解决 14 纳米产能不足的问题,预计针对旗下包括在以色列的 3 座晶圆厂扩产。不过,早在这个计划之前,英特尔在 2018 年 5 月时就已经宣布,计划在以色列扩建工厂,并已提交相关申请。如今,以色列政府针对英特尔准备投资 50 亿美元的扩厂计划,同意给予 7 亿谢克尔 (约 1.85 亿美元) 的政府补助。

事实上,英特尔是以色列最大的雇主和出口商之一,英特尔的许多新技术都是在以色列研发的。另外,英特尔也是科技领域在以色列的最大投资者,其投资金额约为 350 亿美元。而为了吸引英特尔继续投资,以色列政府提供了一系列优惠政策,包括占投资总额 20% 到 30% 的政府补助、降低公司税、土地征用优先权以及开发成本补贴等措施。

而对以色列所提出的相关优惠措施,英特尔也计划在 2018 年至 2020 年之间,将在以色列投资 50 亿美元,其主要为扩大在以色列南部 Kiryat Gat 半导体工厂的产能。Kiryat Gat 半导体工厂的扩建工程将在 2019 年启动,到 2020 年完工。英特尔之前已表示,计划把该工厂的生产制程技术由现阶段的 22 纳米,升级到 10 纳米,生产更小、处理速度更快的处理器。

位于以色列南部 Kiryat Gat 的英特尔半导体工厂,英特尔曾经在 2014 年投资了 60 亿美元来进行升级。其中,5% 为以色列政府补助,而且获得了 5% 的 10 年企业租税优惠。后来,在 2016 年到 2017 年期间,英特尔又投资了 60 亿美元用于该工厂扩建和升级。

对于英特尔而言,以色列是重要的发展据点之一。在巅峰时期,英特尔在以色列总共有 3 座半导体工厂。最早的 Fab 8 厂位于耶路撒冷,但是在 2007 年因为当地犹太教徒持续反对其在安息日进行生产作业,使得英特尔最后放弃该厂的扩产计划,最终因设备老旧而停产。至于,另 2 座半导体工厂位于以色列南部 Kiryat Gat 。

受惠于这 2 座半导体工厂的兴建,使得原来只有数千人口和一座纺织厂的 Kiryat Gat,跃升成为一个 5 万人口的高科技重镇,同时吸引了惠普(HP)等一批跨国企业进驻。

而英特尔除了现存的 2 座半导体工厂之外,还在 Haifa、 Yakum、耶路撒冷和佩塔提克瓦等 4 个城市设有 4 个研发中心,直接雇员超过一万人。其中,Haifa研究中心是英特尔在美国本土以外规模最大的研发中心。也因为英特尔与以色列有如此深厚的合作关系,也使得相关投资在以色列持续进行中。

 

英特尔不再挤牙膏,Sunny Cove遇上3D封装

英特尔不再挤牙膏,Sunny Cove遇上3D封装

前不久英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件,其工作电压可以从3V降低到500mV,能耗减少10-30倍,性能提升5倍,该技术有望取代现有的CMOS半导体工艺,成为未来计算技术的基础。英特尔对这个技术很重视,在宣传上也不遗余力,这种情况在以往可不多见,毕竟普通人对枯燥的技术是没兴趣了解的。

提到半导体工艺,在这个问题上英特尔被骂了很多年的“挤牙膏”,但事实上英特尔这几年来在CPU架构、指令集及工艺上还是有不少进展的,不过从2014年14nm节点到现在,英特尔在CPU处理器上确实没有取得明显进展,以往两年一升级的Tick-Tock钟摆战略也完了,所以英特尔被玩家调侃挤牙膏不是没理由的。

在上周的英特尔架构日活动上,英特尔一反常态地公布了多项CPU架构、半导体工艺、芯片封装以及核显、独显架构上的进展。这次会议虽然规模很小,但是影响深远,标志着英特尔在未来的芯片架构、工艺上的重大变化。今天的超能课堂我们就来聊聊英特尔的这些变化,特别是Sunny Cove架构及3D封装Foreros技术。

“摩尔定律”到头了,线宽微缩终有尽时

如果说英特尔近年来遭遇的难题以及这次转变,绕不过的一个话题就是摩尔定律,它的提出者戈登·摩尔是英特尔创始人之一,当年提出摩尔定律时还没有创立英特尔,1965年《电子学杂志》发表了时任仙童半导体工程师戈登·摩尔的一篇文章,他在文中预言半导体芯片上的晶体管数量会以每年翻倍的速度增长,这个就是“摩尔定律”的由来,这个定律随后也在不断修正,1975年摩尔将其改为每2年晶体管数量翻倍。

英特尔不再挤牙膏,Sunny Cove遇上3D封装

摩尔定律

摩尔定律在过去50年中成为半导体行业的金科玉律,指导着行业技术发展,英特尔也成为摩尔定律最坚定的支持者,之前的Tick-Tock战略实际上就是摩尔定律的变种,2年升级一次工艺、架构,每次升级都会大幅降低晶体管成本,提升晶体管密度。

但是摩尔定律没法一直持续下去,随着晶体管的不断缩小,人们开始遇到两个问题,一个是技术上的,10nm节点及之后,CMOS工艺的栅极氧化层越来越薄,可能只有10个原子的厚度,导致量子效应愈加严重,而光刻工艺也会越来越难,目前的预测是5nm节点实际上就是摩尔定律的终结了。

除了技术原因,经济效应越来越低也是摩尔定律终结的重要原因,此前半导体工艺升级会带来成本下降,但是随着工艺微缩困难增加,半导体制造使用的先进材料、多重曝光以及EUV光刻机等都会大幅增加制造成本,晶体管微缩带来的成本降低已经被增加的成本抵消了。

对于摩尔定律,FinFET工艺及FD-SOI工艺的发明人、加州大学伯克利分校教授,IEEE院士、美国工程院院士、中科院外籍院士胡正明之前提到过“集成电路的发展路径并不一定非要把线宽越做越小,现在存储器已经朝三维方向发展了。当然我们希望把它做得更小,可是我们也可以采取其他方法推进集成电路技术的发展,比如减少芯片的能耗。这个方向芯片还有1000倍的能耗可以降低。线宽的微缩总是有一个极限的,到了某种程度,就没有经济效应,驱动人们把这条路径继续走下去。但是我们并不一定非要一条路走到黑,我们也可以转换一个思路,同样可能实现我们想要达到的目的。”

英特尔解绑芯片架构与工艺,向3D封装进发

尽管英特尔嘴上依然不承认摩尔定律终结,但是这次的架构日上英特尔并没有提及10nm工艺以及未来的7nm工艺具体进展,他们重点介绍的其实不是制造工艺,而是新型封装技术Foveros,而3D封装也被视为后摩尔定律时代的一个方向,这也是上面胡正明教授所说的不要一条道走到黑,转换思路的结果。

英特尔是一家IDM垂直整合型半导体公司,自己设计芯片架构,自己生产芯片,然后自己封装芯片。就CPU业务来说,以往的时候,英特尔会针对不同的工艺开发不同的CPU架构,针对新工艺开发的架构可以最大化利用工艺优势,但是缺点就是架构与工艺捆绑起来,不够灵活,这也是为什么英特尔10nm工艺不断延期,英特尔不能使用14nm生产10nm架构,只能耗着等的原因。

现在英特尔学乖了,工艺跟架构分离,万一工艺延期了,CPU架构也不用干等着,理论上英特尔现在就可以用14nm工艺生产原本用于10nm工艺的Ice Lake处理器了。不仅如此,英特尔现在还更上一层楼,带来了全新的Foveros 3D封装。

为了让大家理解Foveros封装,英特尔做了很详细的解释,简单来说就是单片时代处理器内部的CPU核心、GPU核心、IO单元、内存控制器等子单元都是同一工艺的,但是不同的单元实际上对工艺的需求不同,CPU、GPU核心对性能要求高,上先进工艺是值得的,但是IO单元、控制器单元不需要这么先进的工艺,所以他们是可以使用不同工艺然后集成到一起的。

在Foveros之前,英特尔推出了EMIB封装技术,就是把不同的工艺的IP核心集成到一起,而Foveros封装更进一步,不仅具备2D封装的所有优势,还能大幅重构系统芯片。

根据英特尔所说,该技术提供了极大的灵活性,因为设计人员可在新的产品形态中“混搭”不同的技术专利模块与各种存储芯片和I/O配置。并使得产品能够分解成更小的“芯片组合”,其中I/O、SRAM和电源传输电路可以集成在基础晶片中,而高性能逻辑“芯片组合”则堆叠在顶部。

英特尔预计将从2019年下半年开始推出一系列采用Foveros技术的产品。首款Foveros产品将整合高性能10nm计算堆叠“芯片组合”和低功耗22FFL基础晶片。它将在小巧的产品形态中实现世界一流的性能与功耗效率。

英特尔不再挤牙膏,Sunny Cove遇上3D封装

AMD在Zen 2处理器上也使用了类似的封装

在使用3D封装提升芯片性能、集成度方面,英特尔其实不孤独,在他们之前AMD在7nm Zen 2处理器上也使用了类似的理念,其CPU核心使用先进的7nm工艺制造,IO核心、内存控制器等单元使用的是14nm工艺,然后将两个子单元封装在一起。

英特尔Core内核路线图:大小核时代来临,Sunny Cove首发

在通过Foveros 3D封装技术“解决”工艺问题之后,英特尔还需要在CPU架构升级来提升IPC性能,因为现在14nm+++工艺潜力挖掘差不多了,哪怕是未来的10nm工艺量产了,性能恐怕也是无法大幅超越14nm工艺的,所以CPU架构对英特尔的作用比以往更重要。

英特尔不再挤牙膏,Sunny Cove遇上3D封装

在架构日上,英特尔也更新了Core内核路线图,实际上是分为两个类别的,大核心是Core系列,首发的是Sunny Cove微内核,主要聚焦在ST单核性能、全新ISA及并行性三个方面,之后是Willow Cove,改进重点是缓存、晶体管优化、安全功能,再往后是Goden Cove内核,重点是ST单线程、AI性能、网络/5G、安全功能等。

Atom处理器的小核心路线图升级周期比Core更长,明年首发的是Trement,重点提升ST单线程性能、网络服务器及续航,2021年还会有Gracemont,重点提升单线程性能及频率、矢量性能,再往后的架构还没确定,只是一个方向了。

英特尔不再挤牙膏,Sunny Cove遇上3D封装

对PC玩家来说,最期待的还是Sunny Cove架构,2019年开始它会是英特尔下一代服务器及PC处理器的主力架构。根据英特尔所说,该架构主要改进是:

·增强的微架构,可并行执行更多操作。

·可降低延迟的新算法。

·增加关键缓冲区和缓存的大小,可优化以数据为中心的工作负载。

·针对特定用例和算法的架构扩展。例如,提升加密性能的新指令,如矢量AES和SHA-NI,以及压缩/解压缩等其它关键用例。

Sunny Cove架构与Skylake架构对比

上图就是Sunn Cove(右)与现有的Skylake架构(左)的渲染流水线对比,后者是2015年发布的架构了,第一代14nm处理器Broadwell由于进度关系没产生什么影响力,而Skylake架构一直衍生出了Kaby Lake、Coffee Lake、Wisky Lake、Cascade Lake等架构,在移动、桌面及服务器领域全面开花。

在如何实现CPU IPC性能提升的方式上,英特尔总结了三个字——更深(deeper)、更宽(wider)、更智能(smarter),全面提升从前端到执行单元的性能、位宽。

在更深方面,Sunny Cove的L1数据缓存从32KB增加到48KB,增加了50%,L2缓存、uop缓存、二级TLB缓存都加大了。

在执行管线上,Sunny Cove的分配单元从目前的4个增加到5个,执行接口从8个增加到10个,L1 Store带宽翻倍。

前面增加缓存、提升操作次数的设计还需要搭配更好的算法,所以Sunny Cove还要更加智能,提高分支预测的精度,减少延迟等等。

专业性能提升

除了前面的更宽、更深、更智能之外,Sunny Cove架构在专业性能上也有改进,大家可能还记得最早爆料架构日新内容的时候就有7-Zip性能提升75%的爆料,这就是Sunny Cove架构了加密解密指令集的缘故,其他还有AI、内存、网络、矢量等方面的改进。

全新加密指令可以大幅提升7-Zip的性能

英特尔版的big.LITTLE大小核策略:Sunny Cove与Tremont合体

在拥有了Sunny Cove大核以及Tremont小核之后,再加上3D封装技术Foveros,英特尔终于可以做一些不同寻常的产品了。在架构日当天,英特尔就展示了一种混合X86处理器,大核是Sunny Cove,小核是Tremont,整合了22nm工艺的IO核心以,共享1.5M L2缓存,所有核心共享4MB的LLC缓存,内存控制器是4*16位的,支持LPDDR4,整合了Gen 11核显,有64个EU单元,Gen 11.5显示控制器还有新的IPU,支持DP 1.4。

英特尔的这个混合X86处理器就是很早之前曝光的“Lakefield”的处理器,它将采用“Ice Lake”高性能内核和“Tremont”低功耗内核,它主要是给移动市场准备的,类似ARM公司的big.LITTLE大小核架构,需要高性能运算的时候使用大核心,否则使用低功耗核心以降低功耗。

在这个混合X86处理器上,占用空间小也是个优势,其尺寸只有12*12*1mm,相当于一个10美分硬币大小,而且待机功耗只有2mW,低功耗+小体积的优势非常适合各种移动设备,有助于英特尔更好地跟ARM等移动处理器竞争,守卫自己的领地。

总结:英特尔灵活应对后摩尔定律时代,再战AMD 7nm

总之, 一直自诩为摩尔定律守卫者的英特尔也不得不考虑后摩尔时代的生存问题了,架构日上他们还是避而不谈10nm工艺以及未来的7nm工艺,如果还是像过去那样等着先进工艺量产才来升级CPU架构,那么在面对早早采用模块化设计思路的AMD竞争时,英特尔只怕更无力应对。

Foveros 3D封装及Sunny Cove就是英特尔给出的答案,通过封装不同工艺水平的芯片解决了工艺升级的问题,而全新设计的Sunny Cove架构(还有Gen 11核显这里没重点介绍)也进一步提高了Ice Lake处理器的IPC性能。

根据英特尔的消息,2019年他们就会推出Foveros 3D封装技术的新一代10nm+22nm工艺Sunny Cove处理器,整合Gen 11核显,而AMD明年推出的是7nm+14nm工艺的Zen 2处理器及Navi GPU核心。虽然目前还不知道这两家公司具体的桌面处理器规格,但是2019年有好戏看是没跑了。

英特尔放弃对外晶圆代工业务,不见得有利台积电转单

英特尔放弃对外晶圆代工业务,不见得有利台积电转单

日前,市场传出为了能填补 14 纳米制程的产能缺口,处理器龙头英特尔(intel)在进行旗下 3 座位于包括美国俄勒冈州、爱尔兰以及以色列的晶圆厂产能扩产之外,还将关闭对外定制化晶圆代工业务。有相关人士看好此举,在英特尔退出晶圆代工市场的情况下,有机会对龙头台积电造成转单效应。不过,目前市场分析师表示,原本英特尔晶圆代工市占比例本来就不高,所以转单效应其实有限。

根据外媒的报导,过去一段时间以来,英特尔对无晶圆厂的 IC 设计公司开放定制化的晶圆代工服务是个错误决定。因为这不但影响了英特尔在处理器方面的核心竞争力,还因为程序上的错误,导致近期 14 纳米产能不足,使得个人电脑产业蒙受处理器缺少所带来冲击的结果。因此,英特尔为了填补 14 纳米制程的产能空缺,决定关闭对外晶圆代工业务,专心将珍贵的产能用于自身的产品量产上。

而在此计划传出之后,有人看好在英特尔退出晶圆代工市场之后,将有机会为台积电带来转单效益。对此,市场分析师表示,全球主要 IC 设计厂商在保护自家技术的考量下,下单给英特尔代工的本来就不多。

即便英特尔退出晶圆代工市场,释出的市占率极其有限。此外,以台积电在全球晶圆代工市占率 55% 来看,就算拿到英特尔释出的代工订单,顶多额外增加 1 到 2 个百分点的市占率,贡献度不大。

而值得注意的是,目前英特尔本来就有部分低端的芯片组是委外由台积电来代工生产的。若未来英特尔不再对外承接晶圆代工订单,在优先填补自家工厂产能利用率的考量下,这些订单有可能会回流,两相抵销后,将使得台积电的受惠程度更加降低。

所以,由这些角度来观察,英特尔放弃晶圆代工业务,除了是想解决 14 纳米制程产能不足的问题之外,也为提前为下一世代 10 纳米制程进入量产做好准备。如此一来,未来英特尔在晶圆制造的部份,藉由产能与制成的优化,可以完全达到配合设计端的目标。在双方磨合更好的情况下,制程进度有机会加快,反而将会为台积电带来压力。

终结14nm产能不足危机,英特尔宣布扩建三座晶圆厂产能

终结14nm产能不足危机,英特尔宣布扩建三座晶圆厂产能

今年Q3季度英特尔突然曝出了14nm产能危机,这件事不仅影响了英特尔自己的产品路线图,还导致整个PC业界也受到了负面影响,笔记本、主板甚至存储市场都不同程度下滑。为了解决14nm产能危机,英特尔早前已经宣布额外增加15亿美元的资本支出,提高14nm产能。本周一,英特尔宣布扩建美国俄勒冈州以及以色列、爱尔兰的晶圆厂产能,未来将大大缓解供应不足的问题,将供应时间缩短60%以上。

在14nm晶圆厂上,英特尔最初是规划了三座晶圆厂率先升级14nm工艺,包括美国本土俄勒冈州的D1X晶圆厂、亚利桑那州的Fab 42晶圆厂及爱尔兰的Fab 24晶圆厂,不过Fab 42晶圆厂升级14nm工艺的计划前几年被搁置了,不过去年英特尔宣布投资70亿美元升级Fab 42晶圆厂,但这个是面向未来的7nm工艺的,工厂还在建设期。

终结14nm产能不足危机,英特尔宣布扩建三座晶圆厂产能

英特尔在全球的产能分布,绿色的是封测工厂,蓝色的是晶圆厂

本周一,英特尔宣布了最新动向,除了Fab 42工厂建设以及新墨西哥州的新一代存储芯片工厂之外,还提到扩建美国俄勒冈州以及以色列、爱尔兰的晶圆厂产能,目前正在处于制造场地扩建的早期规划阶段,预计2019年展开更多建设活动。

英特尔表示扩建额外的工厂空间可以帮助英特尔更快速响应市场需求,将供应所需的时间缩短60%。

此外,英特尔还提到在自己生产之外还会有选择地使用代工厂,言外之意就是证实了之前的外包部分芯片给台积电等代工厂的消息,不过目前依然没有详情。

对于这次的官方声明,联系前不久英特尔日本总裁所说的“2019年底一定会解决产能不足的问题”的表态,看起来英特尔扩建14nm产能的动作才是刚刚开始,英特尔现在只是扩建工厂而非新建工厂,但也要几个月时间才能完成基础设施及设备安装工作,14nm产能看样子还要短缺一段时间。

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

在近日举行的英特尔“架构日”活动中,英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统,支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构,还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势,可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。

以下两张图,是对这一突破性发明的详细介绍,第一张图展示了Foveros如何与英特尔?嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)2D封装技术相结合,将不同类型的小芯片IP灵活组合在一起,第二张图则分别从俯视和侧视的角度透视了“Foveros” 3D封装技术。

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

关于英特尔“Foveros”逻辑芯片3D堆叠,看这两张图就够了

据悉,英特尔预计将从2019年下半年开始推出一系列采用Foveros技术的产品。首款Foveros产品将整合高性能10nm计算堆叠“芯片组合”和低功耗22FFL基础晶片。它将在小巧的产品形态中实现世界一流的性能与功耗效率。

继2018年英特尔推出突破性的嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)2D封装技术之后, Foveros将成为下一个技术飞跃。