英诺赛科宽禁带半导体项目完成主体施工

英诺赛科宽禁带半导体项目完成主体施工

据看看新闻网报道,目前,英诺赛科(苏州)半导体有限公司项目主体施工已经完成。

资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

据规划,项目开工后两年内投产,投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标,年销售收入约80亿元,年税收不低于10亿元。

根据江苏经济报此前报道,该项目建成投产后将填补国内相关领域空白,并成为世界第一个大型量产基地。该项目也是该领域全球首个大型量产基地,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展,提供核心电子元器件。

英诺赛科芯片项目主厂房封顶 预计明年规模化量产

英诺赛科芯片项目主厂房封顶 预计明年规模化量产

英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称英诺赛科)是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司。近日,芯片项目主厂房经过14个月的紧张建设,顺利完成封顶。市委副书记朱民,吴江区及汾湖高新区领导李铭、吴琦、沈伟江出席封顶仪式。

芯片项目主厂房的封顶,意味着项目整体工程进度完成65%。预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产。据悉,项目占地面积368亩,计划在5年内完成投资60亿元。届时,将建成世界上第三代半导体大规模生产中心,可创造高科技工作岗位超2000个。

目前,英诺赛科已在激光雷达、高密高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案,其主要产品包括氮化镓功率器件、功率模块和射频器件,具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势。苏州项目的推进,将充分抓住长三角一体化发展战略的重大历史时机,借助长三角地区半导体产业集群效应和政策优势,与上下游先进企业形成产业融合与协作,为5G移动通信、激光雷达、人工智能、快速充电、数据中心、新能源汽车、清洁能源等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供高效、节能、低成本的核心电子元器件。

英诺赛科公司总经理孙表示,英诺赛科苏州工厂是公司发展的重要战略布局,相信英诺赛科将会成为世界一流的第三代半导体公司,吴江会成为全世界新的先进半导体制造中心。

苏州市委副书记朱民表示,英诺赛科项目推进过程中,苏州、吴江两级政府必将积极践行亲商、安商、富商的服务理念,为企业如期顺利推进并加快投产提供最好的营商环境及政治生态。