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据中新网8月3日报道， 国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。

据了解，长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体。根据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示，武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。

2019年7月3日，湖北省委副书记、省长王晓东在调研国家存储器基地时指出，要优化环境、全力支持，更大力度争取国家支持并落实支持政策，完善服务机制，当好项目“秘书”，解决实际难题，全力保障国家存储器基地建设，为加快“一芯两带三区”区域和产业发展布局提供重要支撑。

据了解，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。

根据此前的资料显示，长江存储今年底前将正式量产64层3D NAND产品，明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距。

国家存储器基地的建立，以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。

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目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中。国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限。今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。

来自集邦咨询半导体研究中心 (DRAMeXchange) 的消息称，预计长江存储到年底扩张达至少60K/m的投片量，与其他竞争者动辄200K/m以上的产能并不算大，但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击，进而导致跌价趋势持续。

在技术方面，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展，32层堆栈的只是小量生产，64层堆栈是今明两年生产的主力，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。

在这个问题上，去年长江存储推出了Xtacking结构的3D NAND闪存技术，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。

此外，当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

性能上，长江存储表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

日前，在GSA Memory+高峰会议上，长江存储联席CTO汤强发表了《三维闪存技术发展的展望》演讲，表示为了应对数据量增长对存储器的挑战，长江存储将于今年8月正式推出Xtacking 2.0闪存技术，Xtacking依然会不断进化中。

4月29日，武汉市人民政府官网公布2019年第一季度政府工作报告执行情况。

其中，武汉东湖新技术开发区在存储器基地、芯片产业集群等方面取得了一定进展。

武汉市政府督查室透露，3月20日，武汉市长周先旺专题调研长江存储器基地，3月22日周先旺市长带队赴京争取工信部、国家集成电路基金、紫光集团各方支持。

目前，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。倒班宿舍区也在推进各项验收工作，尽快投入使用。国家先进存储产业创新中心已完成法人主体注册。

培育芯产业集群方面：为存储器基地配套的企业科磊半导体于3月份在未来科技城正式开业运营；新思科技研发产业园已进入内部装修阶段。一季度已引进总投资30亿元的鼎龙控股半导体和显示核心材料研发制造基地项目；海思光电子二期项目准备开工；联发科二期项目正在办理开工手续。

4月26日，武汉市第二批科技成果转化·中科院集成电路光谷专场活动在东湖高新区成功举办，中科院相关院所的14个集成电路成果项目签约，其中包括与长江存储合作的新型存储器研发项目。

活动现场，来自中科院微电子研究所、计算机所、电子学所、深圳先进技术研究院等12家科研院所的30余位集成电路领域专家现场发布100余项技术成果，包括新型存储器件及集成、人脸识别、精密加工、红外探测等。

其中，三维新型存储器、自主可控SSD控制器芯片设计等7个项目上台路演，新型存储器研发、非制冷红外探测器晶圆级封装技术研发、高硬度高熔点第三代半导体典型材料碳化硅晶圆超快激光多焦点隐切技术及装备产业等14个项目现场签约，签约金额超过10亿元。

据了解，武汉市科技成果转化局与中科院武汉分院于3月8日签订《关于推动中科院科技成果在汉转化合作协议》，深入推动中科院科技创新资源与武汉高质量发展的全面对接，此次集成电路专场正是落实协议的首场活动。

此次签约金额最大的项目是由中科院院士刘明团队所主导的新型存储器研发项目，签约金额为2400万元。资料显示，刘明院士从事存储研究多年，今年1月其领导的“新型存储器件及集成研究集体”获得了2018年度中国科学院杰出科技成就奖。

据介绍，这次刘明院士团队带来的三维新型阻变存储器项目，可在更小半导体器件尺寸条件下，探索多层堆叠的高密度存储，把信息“堆”起来存。“如果说传统存储是大型室外停车场，那么3D存储相当于多高层停车城，把车叠起来停，可停车量级大幅跃升”。刘明院士团队成员现场解释时打比方。

值得一提的是，该项目的签约方分别为中科院微电子研究所和长江存储科技有限公司。

众所周知，长江存储是我国三大存储器基地之一，专注于3D NAND 闪存的设计与制造。2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。

2018年8月，长江存储宣布推出其突破性技术——XtackingTM，并成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。目前，长江存储已量产32层3D NAND，按照规划将于今年量产64层3D NAND。

长江日报等媒体报道称，刘明院士的三维新型阻变存储器项目，将助力国家存储器基地对128层256Gb存储器的研发。

据韩媒BusinessKorea最新报道，长江存储 (YMTC) 首席技术官程卫华，近日在接受媒体采访时表示，公司将可能在今年年底前实现64层3D NAND闪存的大规模生产。

“我们有一个大规模生产计划，”程卫华在接受《日经亚洲评论》采访时表示。目前，在中国政府的支持下，长江存储正在武汉建设一座价值240亿美元的半导体工厂，用于大规模生产64层NAND闪存。

程卫华在采访中仅提到：“长江存储的大规模生产NAND闪存的计划进展顺利，没有任何问题。”他并未正式宣布将在今年开始量产64层NAND闪存。不过，行业观察人士表示，程卫华已表示了当公司实现大规模生产计划后，今年将能够生产64层NAND闪存。

目前来看，三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。其实，SK海力士在去年完成研发后，已开始大规模生产96层NAND闪存。三星则计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在年底前成功实现64层NAND量产，那么其与三星电子的技术差距将缩短至两年左右。

此外，人们担忧长江存储进入NAND闪存行业后的影响，因为NAND跌价的幅度通常来说会比DRAM更大。另一方面，部分专家仍对长江存储的64层NAND量产保持怀疑态度，因为其未目前并未量产32层的产品。

不过总的来说，与DRAM领域不同，长江存储似乎在NAND领域里正一切进展顺利。如果长江存储今年下半年向市场供应64层闪存，不排除中国政府可能会建议国产智能手机和PC制造商使用国产的NAND闪存。

如果真出现这种情况，那么将严重削弱NAND行业的利润。这正是三星、东芝、美光、SK海力士等闪存制造商所担忧的。

20日，湖北武汉市召开集成电路领导小组第一次会议，市委副书记、市长周先旺出席会议强调，要提高政治站位，落实“一芯两带三区”战略布局，全力提速国家存储器基地建设，打造世界级光电子信息产业集群。

长江存储科技有限公司负责人介绍了技术研发和项目建设情况，东湖新技术开发区汇报了国家存储器基地建设工作情况。周先旺指出，自国家存储器基地落户武汉以来，基地建设各项工作进展顺利，企业雷厉风行的作风令人敬佩，科技创新的成果令人敬佩，勇攀高峰的志气令人敬佩。希望大家再接再厉，勇攀存储科技高峰，打造“一芯驱动”的策源地。

对企业提出项目建设中的问题，周先旺现场逐一进行分析研究，要求按照市场规律，发挥各方面主动能动性，抓住关键点和薄弱点，抓紧明确问题解决路径，切实为企业发展和项目建设排忧解难，推动国家存储器基地建设取得实质性进展。

为贯彻落实湖北省“一芯两带三区”战略布局，加快推进该省芯片产业跨越发展，1月9日湖北省经信厅在武汉组织召开集成电路产业发展座谈会。

该座谈会由省经信厅党组成员陶红兵，武汉市、襄阳市、宜昌市经信委和东湖新技术开发区管委会分管领导，华中科技大学武汉国际微电子学院、省半导体行业协会以及芯片设计、制造、封装等骨干企业负责人出席。

会议上，与会成员深入地分析了湖北省集成电路产业发展所处的国际国内环境以及面临的机遇和挑战，结合湖北省集成电路产业发展实际情况，就如何更好地推动该省集成电路产业特色化定位、错位化布局、差异化发展提出了相关意见和建议。

陶红兵在会上强调，集成电路是国之重器，发展集成电路产业已成为国家重大战略。湖北省委、省政府审时度势、科学谋划、重点部署了以“一芯驱动、两带支撑、三区协同”为主要内容的高质量发展区域和产业发展战略布局，为湖北省高质量发展指明了方向，经信系统和广大企业一定要紧紧抓住这个重要历史性机遇，找准产业发展的突破点和发力点，以建设武汉国家存储器基地为契机，汇聚资源全力推进集成电路产业做大做强。

据了解，湖北省“一芯驱动”，即打造产业之“芯”，推动制造业高质量发展；“两带支撑”，就要以长江绿色经济和创新驱动发展带、汉随襄十制造业高质量发展带为纽带，打造高质量发展的产业走廊；“三区协同”，即推动鄂西绿色发展示范区、江汉平原振兴发展示范区、鄂东转型发展示范区竞相发展，形成全省东、中、西三大片区高质量发展的战略纵深。

陶红兵表示，会后省经信厅将立即研究吸收大家提出的意见和建议，归纳整理报送省委省政府领导参阅。同时，围绕集中产业、金融、土地、科技、人才等资源要素，研究出台支持集成电路产业发展的相关政策，并组织汇编全省集成电路企业产品名录，以利于各地开展招商引资，加强企业间的合作，形成完整的集成电路产业链，通过行业上下的共同努力，把湖北集成电路产业推向一个新的高度。

此前，湖北省市已相继出台了《武汉市人民政府关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的意见》、《湖北省集成电路产业发展行动方案》等政策。目前，湖北省以存储器制造为核心，同时发展设计、封装测试、材料、设备等集成电路产业链环节，拥有长江存储、台基股份、烽火通信、光迅科技、台基股份、兴福电子、鼎龙股份等企业。

近日，湖北省将加快国家存储器基地建设写入新政，提出加快国家存储器基地项目建设，重点推动芯片设计、封装测试、材料加工等方面研发应用。