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6月6日，在长三角一体化发展重大合作事项签约仪式上，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业务合作协议签约。

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据新民晚报报道，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业务合作协议由长鑫存储技术有限公司、苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约。

据官网介绍，长鑫存储于2016年5月在安徽合肥成立，是一家一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。

此次与长鑫存储签约的公司，各自在集成电路领域均有着举足轻重的地位。

其中，苏州瑞红是国内知名的电子化学品公司，成立于1993年，是国内著名的专业生产微电子化学品的工厂，公司主要生产光刻胶、配套试剂、高纯化学试剂等黄光区湿化学品，应用于FPD(LCD、TP、OLED、CF)、LED、IC等相关电子行业，与国内大部分相关厂商保持业务联系。

苏州瑞红先后承担过国家“85公关”项目、科技部创新基金项目、“863”重大专项，国家级重大专项02项目等，拥有数项国家发明专利和高新技术产品，是江苏省高新技术企业。

宁波江丰电子是国内知名的电子靶材公司，成立于2008年，主营业务为高纯溅射靶材的研发、生产和销售，主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，公司产品主要应用于半导体(主要为超大规模集成电路领域)、平板显示器及太阳能电池等领域。

据悉，该公司产品已经成功地在中芯国际、台积电、英特尔、格芯、京东方、华星光电等世界主流的半导体、平板显示等电子信息产业中批量销售，并在国际领先的半导体FinFET（FF+）7nm技术得到量产应用，打破了国外企业对靶材产业的长期垄断，结束了我国依赖进口的历史。

而上海新昇半导体则是重要的硅片供应商，成立于2014年，注册资本7.8亿元，新昇半导体的成立翻开了中国大陆300mm半导体硅片产业化的新篇章，将彻底打破我国大尺寸硅材料基本依赖进口的局面，使我国基本形成完整的半导体产业链。带动全行业整体提升产品能级，同时也将带动国内硅材料配套产业的发展。

根据官方介绍，新昇半导体第一期目标致力于在我国研究、开发适用于40-28nm节点的300mm硅单晶生长、硅片加工、外延片制备、硅片分析检测等硅片产业化成套量产工艺；建设300毫米半导体硅片的生产基地，实现300毫米半导体硅片的国产化，充分满足我国极大规模集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求。

此次集成电路产业4家企业签约，支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设，可谓是强强联手，无疑将进一步提升长三角地区集成电路产业竞争力。

一直以来，三大存储巨头长期垄断全球内存芯片市场，而由于缺乏核心技术，在国内内存条市场国外品牌也长时间占据了主导地位。因此，近年国内对于内存芯片和内存条的国产化呼声很高。

合肥长鑫存储拥有12英寸晶圆厂，和动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产能力，是国内首屈一指的一体化存储器制造商，担负着国内对内存芯片的希望。

在今年2月份，长鑫发布了首颗国产的1X nm级别的DDR4内存芯片。长鑫DDR4内存芯片，具有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗，是匹配现有市场需求，能够应用多个产品领域的国产内存芯片。

而在近日，嘉合劲威旗下光威推出了首款纯国产内存条——光威弈PRO系列内存条。该内存条正是采用了国产真芯长鑫DDR4内存芯片。             

根据玩家测评显示，光威弈PRO 8G DDR4，不仅兼容性好，而且可玩性高。目前已有一些玩家超频4000MHZ以上且正在尝试更高频率，也有一些玩家尝试在1.2V电压的情况下超较高的频率，等等玩法。这些都充分的表明长鑫颗粒的体质非常好，已经媲美三大厂的中高等级的内存颗粒。           

国产真芯长鑫内存颗粒性能到底如何?光威弈PRO系列纯国产内存条到底是怎样的国货?产品的好与坏，交给市场去评判。5月14日，光威弈PRO内存条正式登陆京东，一见分晓。

最后，国外三大巨头在DRAM生产制程上已经实现1Y，1Z工艺了，国外大厂商都在研究DDR5了。相对于它们来说，长鑫的1X工艺DDR4 DRAM，光威纯国产DDR4，只是后浪。但是对于我们国内来说，国产内存如此巨大的技术进步，是值得肯定的，振奋人心的。长鑫内存芯片的出现，打破了三大巨头垄断内存芯片的局面，是国产内存芯片从无到有的阶段性胜利，开创了国产内存的新局面。我们相信在不久的将来，中国也将拥有1Znm DRAM技术，在国产内存芯片的推动下中国也将拥有一些像金士顿、海盗船那样的全球一线品牌，中国也能赶上国际大厂的研发进度造出自己的DDR5。

近日，长鑫存储技术有限公司与Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。

依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得大量DRAM技术专利的实施许可。这些专利来自Polaris于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

依据独立的专利采购协议，长鑫存储从Polaris购得相当数量的DRAM专利。

此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。

“长鑫存储将继续通过自主研发以及与WiLAN等国际伙伴的合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示。“两份协议标志着，在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。”

“长鑫存储是中国DRAM产业引领者。很高兴看到长鑫存储认可Polaris所持DRAM专利的价值。这两份协议表明，长鑫存储高度重视知识产权，致力于持续投入研发。我们相信，由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势，助力长鑫存储持续开发DRAM关键技术。”WiLAN总裁兼首席执行官Michael Vladescu表示。“与长鑫存储的协议将推动WiLAN在中国等主要新兴市场进一步开发业务机会，从而继续为母公司Quarterhill和投资者创造更多价值。”

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合约价与前月持平，DDR4 8GB均价来到25.5美元，而九月合约价格虽然仍在议定当中，但继续持平的可能性高。

从市场面来观察，随着日本政府批准关键半导体原料出口，七月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间OEM客户受不确定因素与预期心理影响，已纷纷拉高备货库存，使得DRAM原厂的高库存水位逐步下降，并往正常水位迈进。

此外，第三季适逢传统旺季，再加上美国将在12月初开始对部分中国出口的电子产品课征关税，也产生提前出货的效应，需求力道超过预期，这让DRAM原厂在价格议定时态度更为坚定，亦让整体第三季价格扭转原先的跌势，转为持平。

原厂调整资本支出以稳固获利，明年DRAM产出增幅创十年新低

展望2020年，由于三大DRAM原厂仍以获利为导向，资本支出预估将较今年减少至少10%，明年的产出年成长亦是近十年来新低，仅12.5%，为价格反弹奠定一定的基础。

集邦咨询调查显示，DRAM原厂的扩厂计划转趋保守，如三星的平泽二厂已经接近完工，但最快要到2020年第二季才会进入商转，且新增的设备仅是支持未来1Znm制程的转进，整体投片量将与今年大致相同。

SK海力士最新M16工厂最快明年下半年完工，产出增加最快要等到2021年，加上旧工厂M10逐步转做代工，预估明年整体DRAM投片量将不增反减。

美光今年在广岛厂旁增设的F栋工厂，也是为了支援1Znm制程转进，整体广岛厂产能并无增加。而台湾美光内存目前正在兴建的A3新厂，初期也是支援1Znm制程转进，短期增产机会并不大。但A3厂基地面积不小，未来还是有新增产能的可能。

明年中国DRAM投片占全球不到3%，对产业长期影响仍待观察

中国目前有两个DRAM生产基地，规模较大的合肥长鑫存储(CXMT)已经初步投产，初期产品以DDR4 8Gb为主，明年上半年将会有LPDDR4 8Gb的产品，持续往量产迈进，但预计要到2021年，产能才有机会达到满载的100K甚至以上。

福建晋华(JHICC)虽然受到美国禁令影响，美系设备无法有工程人员驻厂维护，但内部仍尝试自行将参数调整至最佳化，预计明年投片有10K之内的水平。

因此集邦咨询预估，2020年中国DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%，自主生产成果仍有限。展望未来，中国内存产业仍需克服良率、机台建置以及IP相关限制等挑战，对整体DRAM供给产生明显冲击的确切时间点，仍需持续观察。

展望2020年，全球存储市场产能、价格又将出现哪些变化？存储产业又将迎来哪些新的机遇与挑战？

为了更快更好地推动存储市场发展，增强业界对2020年存储产业的深入了解，促进产业上下游交流与互动，由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会”将于2019年11月27日在深圳举办。

9月21日，在2019世界制造业大会上，合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等举行了合肥长鑫集成电路制造基地项目签约仪式，该项目主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套，提供生活服务设施，致力于打造产城融合国家存储产业基地、世界一流的存储产业集群。

据了解，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积月15.2平方公里，由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、空港集成电路配套产业园和合肥空港国际小镇三个片区组成。

其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元，是安徽省单体投资最大的工业项目；空港集成电路配套产业园总投资超过200亿元，位于长鑫存储项目以西；合肥空港国际小镇总投资约500亿元，规划面积9.2平方公里，总建筑面积420万平方米，位于长鑫存储项目以北。

值得注意的是，据新华网报道，就在签约的前一天（9月20日），长鑫存储内存芯片自主制造项目正式宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。而长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明也表示，投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

合肥长鑫集成电路制造基地全部建成后，预计可形成产值规模超2000亿元，集聚上下游龙头企业超200家，吸引各类人才超20万人。

安徽日报指出，长鑫晶圆项目由合肥市产业投资(控股)集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资，长鑫存储负责管理和运营，是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。该项目建设3座12英寸DRAM存储器晶圆工厂，打造研发、生产、销售于一体的存储器芯片国产化生产基地，预计三期满产后，产能达每月36万片。

20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军，国家重大专项01专项专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

DRAM即动态随机存取存储器，是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年，中国芯片进口额超过3000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

据魏少军等专家介绍，我国虽是该芯片的最大应用市场，此前却始终未能出现实现量产的国产项目，没有掌握自主产能。

长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说。

昨日，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。

DRAM技术的发展现状
 
平尔萱博士表示，我们现在所处的数据社会是在IC的支撑下建立起来的，其中冯诺依曼架构则是这些数据计算的基础。这个架构的一个特点是数据存储在存储器DRAM中，CPU以一定的规则获取存储器中的数据，并进行运算，然后将结果通过外围设备，比如显示器呈现出来。

“随着数据量的增加，处理数据的能力要加强，因此需要强大的CPU，同时存储器的数据容量也要增强，并且读写速度也要增加。因此近来对DRAM的要求也必须持续提高。DRAM的前景是十分看好”，平尔萱博士强调。IBS首席执行官 Handel Jones日前在上海出席一场技术论坛时也表示，DRAM将于2020年迎来复苏，增长9.87%，这也从侧面印证了平博士的观点。

平博士介绍，所谓DRAM，是基于电容存储电荷为原理的紧密铺排的阵列。这个阵列通过一系列外围电路管理从而读写里面存储的数据。自上世纪60年代发明以来，DRAM容量和尺寸获得了飞速的发展。与过往相比，今天，一个面积小于指甲盖的DRAM里可容纳80亿存储单元，按照8个存储单元存储一个字母，那就意味着一个芯片可能存8亿个字母。并且这些数据可以以6Gb/sec 的速度，在几秒内完成读写。而在这些改变背后，是DRAM技术多次“进化”的结果。

从平博士的介绍我们得知，DRAM技术在发明之后的几十年里，经历了从早期简单的平面结构，变化成为了向空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。这主要与容量的提升需求和制造方法的局限性有关。

平博士解释道，早期的DRAM芯片，由于线宽比较大，因此有足够的平面面积可制造出足够的电容值。然而随着线宽的减少，表面积逐渐减少，过往的技术不能满足所需电容值，因此DRAM开始走向空间结构，争取更多的表面积，演变出向上和向下两种技术发展路线，并且共存了接近三十年。而最终以堆叠式架构胜出。

“造成这个结局的一个重要原因是沟槽式架构面临几个技术难点：其一是沟槽式只限于单面表面积，堆叠式可用双面表面积，沟槽式架构很快就达到了刻蚀深宽比极限；其二是高介质材料的应用受到沟槽式中高温制程的限制。传统材料SiO ，Al2O3可以在高温下有低漏电的特性，因此比较适合沟槽式架构，但像HfO，ZrO这些高介解常数材料漏电在高于600℃的温度下增加许多，不能用于沟槽式架构中需高温处理的三极管制造中。”

平博士还提到，在DRAM技术的演进过程中，曾经的DRAM巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念也给整个产业带来巨大的贡献。他表示，这个技术同样是利用空间，将三极管的性能提升，这种提升随着线宽的减少越来越被需要。而近代DRAM产品都沿用这个概念。

“回看堆叠式架构的发展历史以及展望将来的发展趋势就可以发现，现在DRAM沿用密集排布电容及埋入式字线三极管，乃至今后3-5代DRAM”，平博士说。

DRAM未来的发展探索

在谈到DRAM技术未来的发展时，平博士首先强调，DRAM是有它的极限的。我们通过改进，可以将极限推迟。如导入EUV及HKMG三极管以缩小线宽及加强外围电路性能，就是DRAM产业的一个选择，这在未来几年将可以维持DRAM技术发展，满足大数据时代的需求。

首先在EUV方面，平博士指出，EUV是继193纳米 Immersion Scanner后又一个光刻机革命。它可满足工艺精准度在持续微缩中不断增加的要求。而DRAM又是一个十分密集堆叠的设计，且对信号要求十分严格，任何小的偏离都会对信号造成损失。那就意味着EUV技术的出现对DRAM技术的延展有很大的作用：如将线宽进一步减少以增加存储密度。

“EUV主要是针对阵列。但外围线路的增强及微缩也是近来DRAM技术发展的另一个机会”，平博士补充说。

他表示，在DRAM几乎一半的外围线路中，有一半是逻辑线路用的。在过往，这部分的CMOS一直都是用传统的SiON/Poly Si Gate堆栈的。但这个堆栈在32/28纳米阶段碰到了瓶颈：一方面是SiON厚度已到极限，不能再薄了；另一方面，Poly Si作为半导体材料，导电率也不足了，出现了严重的元器件性能不足。如在高端的图显DDR中，芯片性能速度明显不足，这就需要引进更先进的HKMG CMOS提供更好性能。随着DDR5的到来，HKMG CMOS的使用会越来越现实。

“由于DRAM制程中有电容这一段，因此HGMG制程的选择需与电容制程匹配。所谓的Gate First制程就可被选择为DRAM逻辑线路CMOS制程”，平博士说。他进一步表示，通过引入HKMG，不但可以推动存储密度进一步提高，接口速度也同步获得了提升。

“为了继续发展DRAM技术，我们还需要在新材料、新架构上进行更多探索，并与相关企业进行合作”，平博士说。他最后指出，回顾过去几十年的DRAM发展，证明IDM是发展DRAM的必然选择，而这正是长鑫存储从一开始建立就坚持的。

从平博士的介绍中我们可以看到，基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才，长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术探索。

正如前面所述，这些技术将会给DRAM带来一个巨大的提升。这也会让长鑫存储有机会从一个技术追随者转变为一个技术并驾齐驱、甚至全球领先的中国DRAM玩家