总投资10亿元!晟碟半导体三期厂房扩建项目7月开工

总投资10亿元!晟碟半导体三期厂房扩建项目7月开工

近日,上海闵行区经委副主任曹春懿、产业科科长卫政文一行赴紫竹高新区入驻企业晟碟半导体上海公司调研,了解企业投资扩建三期厂房的工作进展情况。

晟碟半导体表示,晟碟半导体扩建工程是闵行区重大项目,目前已经完成了控规调整、发改委备案、方案审批、施工图审批等工作,正在办理土地补充协议和施工许可证,即将按原定计划7月份开工。

资料显示,晟碟半导体上海公司是美国西部数据公司(Western DigitalCorporation)下属全资子公司,于2006年8月在上海紫竹高新区注册成立,一期投资额9600万美元,注册资本3200万美元。主要从事先进闪存存储产品的研发、封装和测试,是全球规模较大的闪存存储产品封装测试工厂之一,公司生产的产品类型主要包括SD、MicroSD、iNAND闪存模块等。

闵行经委官微指出,公司扩建三期厂房项目主要进行约11800平方米的生产和配套用房扩建,用于支持下一代基于BiCS4、BiCS5存储技术的闪存存储产品的研发、测试和生产,以满足未来由人工智能、自动驾驶和5G实施而带动的对闪存存储产品的长期市场需求,计划基建加设备总投资约10亿人民币。

陈玠玮:2020年闪存价格吹涨风

陈玠玮:2020年闪存价格吹涨风

集邦咨询DRAMeXchange研究协理  陈玠玮

陈玠玮指出,因为中美贸易摩擦等因素影响,2019年全球市场本是非常悲观,但Kioxia第三季度发生了一些状况,导致闪存市场供需出现结构性转变。原厂在未来投资方面都相对保守,所以他认为明年可能整个市场会出现缺货状况,但2021年将有所缓解,因为随着长江存储技术不断地提升,预计未来闪存产业还会走向供过于求,直到有些企业退出市场。

2019年,闪存市场需求端约增长35%,供给端约增长31.5%,但明年供给和需求的增长预计都约为三成左右,这意味着需求并没有特别强劲的复苏。不过,供给端明年将更加控制产出,让整个市场的决定权落在供给端,供给一直降、待需求超过供给,供给端将掌握主导权。今年闪存价格接近腰斩,明年虽然平均价格还是会跌,但比今年会好一点,甚至还会有上涨。

展望明年上半年,第一季度供需市况仍有所悬念,因为实际需求并不太理想,但服务器、数据中心、PC等OEM厂商的需求不断上升,预计第一季度的供给缺口将不断收敛,第二季度将处于供需平衡状况,下半年则开始呈现缺货现象,产业链相关人士现在就要开始有所规划。

价格走势方面,最新数据预测显示,OEM市场价格明年将出现一路走高的趋势,目前看来第一季度SSD部分至少可持平或小涨,到了第二季度OEM市场价格肯定会涨。但通路市场将出现倒挂情况,如果一直没有改善,预期明年第一季度合约价仍将走低,第二季度才会开始慢慢往上,所以通路市场价格可能涨得稍晚一点。

供给端方面,原厂明年资本支出趋保守,数据显示,明年各供应商位元产出量年成长率几乎都比今年低,三星、SK海力士、英特尔、美光等几家原厂明年位元产出量年成长率都不到三成,而过去每年至少三成以上的水准。

对于明年的产出扩充计划,原厂也都相对保守。三星方面,现在只有西安二厂有扩产,但在增加3D NAND产能的同时也降低了2D NAND产能,所以三星明年的产量会比今年更低,他们并没有积极扩张的意图,至少现阶段没有。

SK海力士无论2D NAND或3D NAND预计都将维持持平的水准,增长主要来自于制程转换;Kioxia的方向与三星类似,增加3D NAND产能、降低2D NAND产能;美光和英特尔在财报有所亏损的情况下,对未来的投资也相对不是那么积极,不管是2D NAND或3D NAND也将都维持今年的状况。

值得一提的是长江存储,据了解其今年第四季度月产能约20K,主力为64层NAND Flash产品,目前状况非常好,明年月产能预期至少50K以上。陈玠玮指出,未来随着长江存储产能不断增加,预估2023年各厂商位元产出量市占率长江存储将占到10.8%,高于英特尔的6.6%及美光的10.3%。

NAND Flash供应商制程方面,相信三星的128层产品今年第四季度已进入了量产阶段,SK海力士明年第一季度也可量产128层TLC产品,Kioxia与美光大概在明年下半年会推出类似产品。长江存储64层产品今年量产后,128层产品在2021年是有机会的,至少他们内部的目标是这样。

从各制程节点产出比重看,3D NAND Flash 92/96层产出比重在明年会增加、但2021年又会马上降低,因为3D NAND Flash 92/96层可能是一个相对短命的制程,之后会被128层产品快速取代。NAND Flash架构产出比重方面,陈玠玮认为2023年之前PLC量产的可能性偏低,QLC亦还有待观察,但QLC未来潜在的成长机会是有的,至少美系厂商如美光、英特尔等是比较支持QLC技术发展。

需求端方面,利基市场明年预计呈现正向发展,说不上太好、也不会太坏。5G手机和服务器方面相对比较乐观,手机整体出货量不再成长,其成长力道大多数来自于平均容量的增长,服务器市场在增长,平板电脑市场相对比较平淡。

至于SSD部分,也许通路市场的获利状况不是很好,但通路市场SSD今年的成长相比去年要高。消费级SSD与企业级SSD在架构上有所变化,介面方面,消费级SSD PCle G4明年将不断提高,到2021年其出货量与渗透率都将开始出现明显的成长动能。

最后,陈玠玮分析了NB与Desktop消费级SSD搭载率趋势,今年前三季度SSD价格下跌、第四季度OEM需求爆发,同样状况也会发生在桌机部分,其渗透会逐步增高,不过明年搭载率将不会有今年这么高。

集邦咨询已于2019年11月27日成功举办2020存储产业趋势峰会(MTS 2020),在此特别感谢金邦科技、芝奇国际、宏旺半导体、时创意电子、金泰克半导体、紫光存储、厦门银行等企业对本次会议的大力支持。

PS:集邦咨询MTS2020存储产业趋势峰会分析师演讲讲义现已对外分享,如有需要请关注“全球半导体观察”微信公众号并回复分析师名字即可领取,如“陈玠玮”、“刘家豪”、“郭祚荣”、“叶茂盛”。

同时,欢迎识别下方二维码或在微信公众号回复”峰会”观看峰会完整视频回放。

【MTS2020】DRAMeXchange陈玠玮:2020年闪存价格吹涨风

【MTS2020】DRAMeXchange陈玠玮:2020年闪存价格吹涨风

集邦咨询DRAMeXchange研究协理  陈玠玮

陈玠玮指出,因为中美贸易摩擦等因素影响,2019年全球市场本是非常悲观,但Kioxia第三季度发生了一些状况,导致闪存市场供需出现结构性转变。原厂在未来投资方面都相对保守,所以他认为明年可能整个市场会出现缺货状况,但2021年将有所缓解,因为随着长江存储技术不断地提升,预计未来闪存产业还会走向供过于求,直到有些企业退出市场。

2019年,闪存市场需求端约增长35%,供给端约增长31.5%,但明年供给和需求的增长预计都约为三成左右,这意味着需求并没有特别强劲的复苏。不过,供给端明年将更加控制产出,让整个市场的决定权落在供给端,供给一直降、待需求超过供给,供给端将掌握主导权。今年闪存价格接近腰斩,明年虽然平均价格还是会跌,但比今年会好一点,甚至还会有上涨。

展望明年上半年,第一季度供需市况仍有所悬念,因为实际需求并不太理想,但服务器、数据中心、PC等OEM厂商的需求不断上升,预计第一季度的供给缺口将不断收敛,第二季度将处于供需平衡状况,下半年则开始呈现缺货现象,产业链相关人士现在就要开始有所规划。

价格走势方面,最新数据预测显示,OEM市场价格明年将出现一路走高的趋势,目前看来第一季度SSD部分至少可持平或小涨,到了第二季度OEM市场价格肯定会涨。但通路市场将出现倒挂情况,如果一直没有改善,预期明年第一季度合约价仍将走低,第二季度才会开始慢慢往上,所以通路市场价格可能涨得稍晚一点。

供给端方面,原厂明年资本支出趋保守,数据显示,明年各供应商位元产出量年成长率几乎都比今年低,三星、SK海力士、英特尔、美光等几家原厂明年位元产出量年成长率都不到三成,而过去每年至少三成以上的水准。

对于明年的产出扩充计划,原厂也都相对保守。三星方面,现在只有西安二厂有扩产,但在增加3D NAND产能的同时也降低了2D NAND产能,所以三星明年的产量会比今年更低,他们并没有积极扩张的意图,至少现阶段没有。

SK海力士无论2D NAND或3D NAND预计都将维持持平的水准,增长主要来自于制程转换;Kioxia的方向与三星类似,增加3D NAND产能、降低2D NAND产能;美光和英特尔在财报有所亏损的情况下,对未来的投资也相对不是那么积极,不管是2D NAND或3D NAND也将都维持今年的状况。

值得一提的是长江存储,据了解其今年第四季度月产能约20K,主力为64层NAND Flash产品,目前状况非常好,明年月产能预期至少50K以上。陈玠玮指出,未来随着长江存储产能不断增加,预估2023年各厂商位元产出量市占率长江存储将占到10.8%,高于英特尔的6.6%及美光的10.3%。

NAND Flash供应商制程方面,相信三星的128层产品今年第四季度已进入了量产阶段,SK海力士明年第一季度也可量产128层TLC产品,Kioxia与美光大概在明年下半年会推出类似产品。长江存储64层产品今年量产后,128层产品在2021年是有机会的,至少他们内部的目标是这样。

从各制程节点产出比重看,3D NAND Flash 92/96层产出比重在明年会增加、但2021年又会马上降低,因为3D NAND Flash 92/96层可能是一个相对短命的制程,之后会被128层产品快速取代。NAND Flash架构产出比重方面,陈玠玮认为2023年之前PLC量产的可能性偏低,QLC亦还有待观察,但QLC未来潜在的成长机会是有的,至少美系厂商如美光、英特尔等是比较支持QLC技术发展。

需求端方面,利基市场明年预计呈现正向发展,说不上太好、也不会太坏。5G手机和服务器方面相对比较乐观,手机整体出货量不再成长,其成长力道大多数来自于平均容量的增长,服务器市场在增长,平板电脑市场相对比较平淡。

至于SSD部分,也许通路市场的获利状况不是很好,但通路市场SSD今年的成长相比去年要高。消费级SSD与企业级SSD在架构上有所变化,介面方面,消费级SSD PCle G4明年将不断提高,到2021年其出货量与渗透率都将开始出现明显的成长动能。

最后,陈玠玮分析了NB与Desktop消费级SSD搭载率趋势,今年前三季度SSD价格下跌、第四季度OEM需求爆发,同样状况也会发生在桌机部分,其渗透会逐步增高,不过明年搭载率将不会有今年这么高。

集邦咨询已于2019年11月27日成功举办2020存储产业趋势峰会(MTS 2020),在此特别感谢金邦科技、芝奇国际、宏旺半导体、时创意电子、金泰克半导体、紫光存储、厦门银行等企业对本次会议的大力支持。

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NAND涨势看到年底 群联业绩升温

NAND涨势看到年底 群联业绩升温

在传统拉货旺季加持下,NAND Flash合约报价自7月起正式止跌回升,8月3D NAND Flash合约报价上涨个位数,最高涨幅甚至达到双位数水准,显示市场信心正逐步回笼,且业界几乎看好,这波涨势有机会一路延续到年底。法人看好,掌握日系存储器原厂货源的群联将可望搭上这波涨价列车,业绩逐步升温。

先前受到美中贸易摩擦干扰,使消费信心缩减,存储器市场连带受到冲击,使上半年NAND Flash报价呈现跌幅扩大趋势,原先市调机构都不看好下半年NAND Flash价格走势,不过随着PC、智能手机等拉货旺季加持下,NAND Flash合约价格终于在8月开始止跌回升。

业界人士指出,8月份3D NAND Flash TLC合约报价皆有上涨趋势,其中128Gb价格介于1.6~1.9美元,涨幅达8~14%左右,至于256Gb合约价格则落在2.3~2.6美元,涨幅达4~7%之间,并没有受到现货价由涨转跌的弱势状况影响。

法人表示,NAND Flash报价回温,主要原因在PC、智能手机搭载NAND Flash容量开始出现明显成长,其中智能手机容量下半年可望从原先主流的128GB、256GB提升至512GB,新款笔电同样也出现提升至512GB,搭载容量呈现翻倍成长,使得NAND拉货力道加强,逐步消化OEM/ODM厂商库存。

由于NAND Flash市场价格开始逐步回温,且价格有机会一路旺到年底,法人看好,与日系存储器厂商合作关系良好的群联可望藉此搭上这波涨价列车,带动业绩开始出现明显升温,甚至有机会推动全年营收缴出优于2018年水准。群联不评论法人预估财务数字。

东芝开始研究5bit PLC闪存颗粒

东芝开始研究5bit PLC闪存颗粒

根据Tom‘s Hardwared的报道,东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存,以及PLC的NAND开发。

东芝已经开始计划其BiCS闪存的第五代到第七代的研发。每一代新产品都将与新一代的PCIe标准相一致,BiCS 5将很快与PCIe 4.0同步上市,但该公司没有提供具体的时间表。BiCS5将具有更高的带宽1200 MT/s,而BiCS6将达到1600 MT/s, BiCS7将达到2000 MT/s。

该公司还开始研究5bit PLC的NAND闪存,新的闪存提供了更高的密度,每个单元可以存储5位,而目前的QLC只能存储4位。PLC将有更少的PE和更慢的性能,但新的NVMe协议特性以及Dram闪存和控制芯片会带来一些性能提升。

集邦咨询:价格下跌抵消位元出货增长,2Q19闪存品牌商营收环比持平

集邦咨询:价格下跌抵消位元出货增长,2Q19闪存品牌商营收环比持平

集邦咨询:价格下跌抵消位元出货增长,2Q19闪存品牌商营收环比持平

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,综观2019年第二季NAND Flash(闪存)产业营收表现,以需求面来看,智能手机、笔记本电脑以及服务器需求皆自第一季的传统淡季有所复苏,整体产业位元消耗量成长约15%,但由于供应商仍握有相当高的库存,致使第二季合约价跌幅仍相当显著,整体产业营收仍维持在约108亿美元的水平,较第一季基本持平。

展望2019年第三季,虽然预期旺季需求有助于出货表现,但受地缘经济冲突影响,恐导致需求表现较往年疲弱,但NAND Flash供给面受到东芝六月跳电事件冲击影响甚巨,使得第三季合约价跌幅明显收敛,而Wafer市场则呈现涨势,预估整体营收较第二季增长的可能性较高。

三星电子(Samsung)

由于服务器需求回温以及不同应用端采用高容量产品呈明显成长,加上移动设备客户转单效应,三星第二季位元销售成长约30%。随着需求表现转趋正面,平均销售单价跌幅收敛至15%的水平,第二季营收达37.66亿美元,较第一季成长16.6%。

从产能分析,今年以来三星的产能规划无太大改变,在产能缩减部分皆以Line12的平面制程为主,以反映客户需求持续转进V-NAND,缩减后的空间则用于R&D,至于3D NAND的部分,在无刻意或人为减产情况下,整体投片规模与第一季相当。

SK海力士(SK Hynix)

SK海力士的营运表现依然与移动设备市场销售状况高度连动,受惠于价格弹性引领平均搭载容量迅速成长,以及部分中国客户转单,第二季位元出货成长达到40%,但由于平均售价仍有25%的显著跌幅,本季SK海力士NAND Flash营收为11.06亿美元,季成长8.1%。

以产能规划而言,SK海力士宣布整体NAND Wafer投片量将较前一年减少15%,主要在于平面制程的缩减,因应需求转向较低成本的3D NAND。新厂M15的产能扩增仍按先前规划,整体3D NAND的投片量会缓慢增长,并以TLC架构为主,今年内SK海力士仍无量产QLC产品的打算。

东芝记忆体(Toshiba)

第二季在移动设备市场备货较为积极下,东芝的出货表现有所复苏,其位元出货成长率为0-5%,但受到第二季合约价进一步走跌的影响,平均销售单价跌幅近15%,营收较上季衰退10.6%,为19.48亿美元。

从产能方面观察,四日市厂区受到停电事件冲击影响显著,尽管产线已大致于七月中旬以前恢复,对整体市场供给影响仍大,约占全体年产出的3%。

西数(Western Digital)

由于西数决定在上半年进行减产,其第二季位元出货量的预期成长率本就较其他供应商低,加上五月中受华为事件影响,中止出货期间达一个月,以至于华为已将订单配给予其他供应商,导致位元出货量季衰退1%,但产出减少也有效地抑制平均销售价格衰退幅度仅有6%,整体营收为15.06亿美元,较上季衰退6.5%。

从产能规划来看,受到四日市厂区跳电事故的影响,西数产能损失幅度约为6 ExaBytes,截至七月底前产线已大致恢复。此外,西数已经与东芝取得参与岩手县K1 Fab的投资共识,也使得未来的产能扩张获得保证。

美光(Micron)

受到第二季价格进一步下跌以及华为事件的冲击,美光位元出货衰退约5%,平均销售单价跌幅则约落在季跌幅15%,其NAND Flash营收来到14.61亿美元,较第一季下跌17.7%。

在产能方面,美光第一季以宣布较先前生产计划减少5%,第二季更进一步扩大至10%,3D NAND的产出比重仍将维持90%以上。

英特尔(Intel)

英特尔今年第一季因财务表现不佳影响,暂停后续在大连厂的扩产规划,目前在出货比重上仍以64层产品为主力,除逐步推进客户使用96层产品外,亦积极导向采用高容量产品,SSD产品位元销售有效地反映价格弹性,第二季位元销售成长超过20%,而平均销售单价则有近15%的跌幅,营收来到9.4亿美元,较第一季成长2.7%。

在产能与制程方面,英特尔大连厂将维持第一季底停止扩产的计划直至年底,并依客户导入进程逐步转往96层产品。

美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建

美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建

存储器大厂美光科技(Micron)14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建!美光执行长Sanjay Mehrotra表示,新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划,并应用先进3D NAND制程技术,进一步推动5G、人工智能(AI)、自动驾驶等关键技术转型。此外,美光亦将加码在中国台湾DRAM厂投资,台中厂扩建生产线可望在年底前落成。

美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼,共有超过500名客户及供应商、经销商、美光团队成员、当地政府官员等共襄盛举,而包括系统厂华硕、存储器模组厂威刚、IC基板厂景硕、存储器封测厂力成、IC渠道商文晔等美光在台合作伙伴高层主管亦亲自出席典礼。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心,包括新加坡Fab 10晶圆厂区,以及位于新加坡及马来西亚的封测厂,此次扩建的Fab 10A厂区将根据市场需求的趋势调整资本支出,预计下半年可开始生产,但在技术及产能转换调整情况下,Fab 10厂区总产能不变。

美光表示,NAND卓越中心利用在新加坡的基础设施和技术专长上的长期投资,扩建的Fab 10A为晶圆厂区无尘室空间带来运作上的弹性,可促进3D NAND技术先进制程节点的技术转型。美光第三代96层3D NAND已进入量产,第四代128层3D NAND将由浮动闸极(floating gate)转向替换闸极(replacement gate)过渡,Sanjay Mehrotra强调,美光3D NAND技术和储存方案是支援长期成长的关键,同时进一步推动5G、AI、自动驾驶等关键技术转型。

美光的DRAM布局上,以日本广岛厂为先进制程研发重心,2017年在台湾成立DRAM卓越中心,台湾成为美光最大DRAM生产重镇。美光近几年来在台投资规模不断扩大,台中厂区除了现有12英寸厂,也将加快投资进行新厂区扩建,计划在年底前完成,而台中厂区后段封测厂亦持续扩大产能。

随着韩国存储器厂三星及SK海力士开始评估在先进DRAM制程上采用极紫外光(EUV)微影技术,美光也开始评估将EUV技术应用在DRAM生产的成本效益,随着DRAM制程由1z纳米向1α、1β、1γ纳米技术推进过程,会选择在合适制程节点采用EUV技术方案。

佰维FMS 2019全球顶级闪存峰会首秀圆满结束

佰维FMS 2019全球顶级闪存峰会首秀圆满结束

北京时间8月9日晨6时许,全球顶级闪存峰会2019 Flash Memory Summit(简称“FMS”)圆满落幕,三星、东芝、海力士等存储巨头悉数登场,以BIWIN佰维为代表的国产存储企业的展示成为会场中一道亮眼的风景。佰维以“齐话存储未来,共赏封景无限”为主题,向与会专家及全球客户全面展示了佰维的全方位存储解决方案及以SiP为核心的先进封测服务。

BIWIN佰维存储展台大咖客户不断,吸引了众多国际一线厂商前来交流沟通,探索更多深入合作;展会上佰维的全案存储产品系列和SiP封测服务独树一帜,展示了佰维领先的存储算法与固件开发能力、优异的硬件设计能力和领先的封测工艺等,不断刷新了国际客户对国产存储企业的认知。

存储芯片全案提供商,再添强劲新品

此次FMS峰会上佰维首发旗舰新品PH001 AIC SSD,定位高端消费类用户和数据中心客户,专为需要更高随机写入性能和耐用性的读取密集型工作负载提供支持。

BIWIN PH001容量高达32TB,采用PCIe Gen 4×4接口、NVMe 1.4协议,拥有16个NAND通道,针对低延迟存储类内存(SCM)进行了优化,达到最高7GB/s的顺序读取速度和6.1GB/s的顺序写入速度,随机读取性能高达150万IOPS,同时加入了AES 256加密引擎、TCG Opal support、SRAM ECC等多项技术。BIWIN PH001支持端到端的数据保护,在写入数据时生成校验码与用户数据一并写入闪存,读取时则通过校验码检验用户数据是否完整,在SSD内各部件之间传输与存储过程中是否有错误发生,从而提高数据可靠性。

不止于存储,SiP亦独领风骚

佰维自2009年建立自己首座完整的12寸晶圆封测厂以来,积累了数十项核心专利,封测产品良品率持续高居99.7%以上,达到世界最先进水准。以存储芯片为例,10年来累计封测出货量10亿颗以上,赢得了行业的广泛信任和认可。

佰维突破了多器件、多维度封测的技术难题,在业内多个领域率先提出SiP解决方案并协助客户产品最终量产。佰维SiP技术的集成方式具有更大的设计自由度,可以有效缩短芯片开发周期,同时开发费用相较SOC大大降低,特别是针对有智能化、小型化需求的市场,例如智能穿戴模组,物联网芯片等,佰维SiP将发挥更多优势。

做物联时代的基石,更要做赋能者

数据需要存储,存储需要芯片。纵观未来5G加持下的物联网世界,必然需要更庞大的基础设施来存储和管理数据,智能终端对存储数据的高性能、低延迟、多样化需求也对传统存储企业提出更苛刻的要求。

面对万物互联时代存储的多样化需求,佰维保持最全面的存储产品线以满足终端客户对标准化、规模化存储产品的需求;并且针对各细分行业市场深度定制存储方案,为不同行业的“端”客户提供“千人千面”的定制化存储方案,做万物互联时代的基石。

在存储算法与自研固件方面,佰维量产经验丰富,已支持上千万颗级别的存储芯片产品,广泛应用于智能终端、OTT、工控市场等,在业内处领先地位,同时,KK级的出货验证充分确保产品品质的稳定。依靠领先的算法与固件开发经验,佰维可更好地满足万物互联时代客户对存储产品性能与可靠性等多元化存储需求。

在芯片层面上,摩尔定律促进了性能的不断往前推进,SoC(System On a Chip系统级芯片)是摩尔定律继续往下推进的产物,而SiP(System In a Package系统级封装)则是实现超越摩尔定律的重要路径,两者都是实现在芯片层面上实现小型化和微型化系统的产物。特别是在摩尔定律放缓后,进入后摩尔时代,相关多元化技术加入推动市场规模持续增长,已经从“一枝独秀”来到“百花齐放”,而百花齐放的核心密钥之一就是SiP,特别是在万物互联时代,SiP可以实现“更合时宜”的高集成度水平的单芯片硅集成,这也是佰维致力于以SiP封测为物联时代赋能的意义。

关于佰维

佰维专注为客户提供优质的存储产品,致力于成为行业一流的存储解决方案提供商。佰维专注存储领域24载,造就了佰维稳健的上游资源整合能力、业内领先的存储算法及固件开发能力、优异的硬件设计能力、强大的测试能力和以SiP为核心的先进封装制造能力这5大优势。可为客户提供eMMC、eMCP、UFS、LPDDR、ePOP、SPI NAND、uMCP、BGA SSD以及2.5”、U.2、M.2、DOM、AIC PCIe、特种SSD、移动SSD、内存模组等全系列存储产品,并针对客户多元化的存储需求,提供具备高可靠性、高性能、小尺寸、断电保护、加密支持、写入保护、宽温运行、安全删除等特点的产品。

佰维致力于为广大整机厂商,品牌商,工控级和消费级市场提供优质的存储产品和服务,为客户提供涵盖游戏娱乐、轨道交通、网络安全、工业自动化、手机平板、网通产品在内的全系列存储应用解决方案。

佰维官网:http://www.biwin.com.cn

集邦咨询:第三季闪存合约价跌幅缩小,Wafer价格则逆势上扬

集邦咨询:第三季闪存合约价跌幅缩小,Wafer价格则逆势上扬

集邦咨询:第三季闪存合约价跌幅缩小,Wafer价格则逆势上扬

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,7月各类NAND Flash(闪存)产品合约价已出炉,整体而言合约价仍趋向走跌,但受到东芝跳电对产出直接冲击,导致主流产品价格跌幅收敛。

此外,近来日本对韩国调整输出规范一事也被认为会冲击韩系厂商NAND Flash供给。集邦咨询认为,日本政府此次的规范调整仅是将韩国移出白名单(White List),而白名单国家仅代表拥有出口优惠待遇,过去亚洲国家中仅韩国在名单内,未来韩国只是从特别待遇国家变回普通国家,韩国半导体厂商所需经历的手续将与其他亚洲国家的半导体厂商相同,加上日本政府也已增派人力加速审查,对厂商产出应不致于造成影响。

若逐一观察报价走势,首先冲击最大、价格反弹最激烈的为面向渠道市场的Wafer价格,这类产品的均价于2017年11月起迄今已历经相当长时间的跌势,价格已贴近厂商现金成本,加上在Wafer市场供给具相当影响力的西数直接受到东芝跳电的影响,因此本月各供应商均提高价格,截至七月底Wafer合约价涨幅已经超过15%。展望八月,跳电事件影响仍可能延续,并可望带动价格继续上扬,但预计涨价幅度不会如七月的第一波反弹剧烈。

eMMC/UFS、Client SSD第三季合约价续跌,第四季价格可望回稳

集邦咨询指出,在消费性领域及智能手机客户的eMMC/UFS方面,由于提供给主要客户的合约价大多于六月议定,第三季尽管有旺季需求支撑,但受到国际情势不确定性等影响仍属疲弱,因此合约价仍呈现5%上下的跌幅。展望第四季,集邦咨询预期,部分低容量产品领域有可能会历经价格调整而小幅上涨,其他部分则趋向持平;在Client SSD方面,则同样受合约价先行议定影响,加上市场库存仍高,第三季仍下跌近10%的幅度,但预计各供应商的库存在第四季将回到较健康的水位,有助于市场价格回稳止跌。

Enterprise SSD方面,由于东芝与西数在此市场占有率不高,因此供给方面受影响不大,而需求表现方面同样受到中美贸易情势影响,备货力道并不如市场原先预期乐观,第三季Enterprise合约价至少下跌15%。同样东芝跳电事件的影响将反映在第四季,随着各供应商库存水位回到较温和区间,价格跌幅得以收敛,不过基于服务器价格竞争激烈,预计Enterprise SSD合约价仍将维持小跌的走势。

集邦咨询指出,从整体产品比重来看,Wafer价格虽涨幅最高,但占整体交易市场比重较低,相较之下,SSD与eMMC/UFS占整体NAND Flash交易市场比重达八成,在其价格跌幅仍有5~15%的情况下,第三季NAND Flash整体市场价格依然呈现下跌格局。

不止于小!佰维全球最小尺寸eMMC通过Airoha等穿戴式方案平台验证

不止于小!佰维全球最小尺寸eMMC通过Airoha等穿戴式方案平台验证

近日,佰维推出了厚度逼近封装极限的超小eMMC,尺寸为7.5mmx8.8mmx0.6mm,以响应可穿戴设备制造商的定制需求。佰维常规尺寸的eMMC系列采用高性能主控芯片和稳定的NAND Flash晶圆,在提高数据传输效率的同时,具有尺寸小、功耗低的优势,被以手机、车载电子为代表的终端设备广泛采用。新推出的超小尺寸eMMC,尤其适用于对尺寸、功耗敏感,可靠性和耐用性要求高的可穿戴设备。

佰维超薄、超小尺寸eMMC具有以下特点:

• 高密度集成闪存、主控与MMC接口;
• 尺寸小巧,仅为7.5mmx8.8mmx0.6mm;
• 最大顺序读取速度308MB/s;
• 支持动态电源管理,节能、省电,功耗更低;
• 设计、认证时间短,加快客户新品上市。

尺寸是限制eMMC应用场景的关键因素之一。佰维8mmx8mmx0.9mm 尺寸eMMC曾经独领风骚,现在推出的7.5mmx8.8mmx0.6mm尺寸eMMC再次刷新记录。通过不断突破尺寸的限制,佰维持续拓展eMMC的应用边界。

“从手腕穿戴设备到耳戴式设备,从健身到医疗,手表电话,智能手表、智能腕带等可穿戴设备逐渐普及。制造商为了节省可穿戴产品的空间、重量、功耗,将寻求最小、最轻、最省电的eMMC方案。我们有足够的技术储备和工艺创新能力,来满足可穿戴式设备制造商苛刻的定制化、差异化需求。”BIWIN佰维研发总监李振华先生说。

佰维eMMC超小尺寸系列最新产品已通过Airoha等穿戴式方案平台验证,正协助客户进行小批量试产。欢迎更多对小尺寸eMMC有需求的穿戴式客户来电咨询!

关于Airoha

络达科技(Airoha),联发科技集团旗下子公司,业界领先的IC 设计领导厂商,致力于向客户提供具备各类型无线通信技术的低功耗微型处理器系统芯片,连接未来物联网世界中亿万个智能装置。

产品涉及手机功率放大器(PA)、蓝牙低功耗单芯片、蓝牙无线音频系统解决方案、WiFi物联网单芯片、及智能装置与可穿戴系统解决方案。目前络达的产品已广泛使用在各式手机、数字电视与机顶盒、车载追踪系统、蓝牙音频设备、可穿戴式产品及各类智能家居设备中。

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