3月10日，陕西省发改委正式发布2020年省级重点项目计划，确定实施600个省级重点项目，其中续建项目312个、新开工项目188个、前期项目100个，项目总投资3.4万亿元。
根据陕西省2020年省级重点项目计划名单，三星12英寸闪存芯片一阶段（二期）、西安奕斯伟硅产业基地（一期）、华天集成电路封装及测试技术改造等入列续建项目，三星（西安）12英寸闪存芯片（二期）二阶段入列新开工项目，咸阳8-12吋晶圆生产线入列前期项目。
媒体报道称，2012年三星落户西安，一期项目已于2014年建成投产，二期项目分为两个阶段，其中第一阶段于2018年新建，预计将在今年3月竣工投产，3月10日消息显示第一阶段项目产品下线上市；第二阶段于2019年12月正式启动，预计将于2021年下半年竣工。
12月18日，2019西安集成电路产业峰会举行。会上，国微集团(深圳)有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、陕西半导体先导技术中心、西安莫贝克半导体科技有限公司等进行签约，同时紫光展锐丝路研究所和国微西安研发中心揭牌。
众所周知，集成电路产业是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是现代信息技术产业的核心和基础。而西安市作为我国集成电路教育科研重镇，以及重要的半导体人才培养基地和人才输出基地。已经成功引进了三星、应用材料、美光、中兴、华为等一大批知名的企业入驻西安，产业链进一步完善，工艺水平不断提升，形成了辐射带动效应，带动了集成电路产业的发展。
值得注意的是，就在12月10日，西安三星电子闪存芯片项目再次取得重要突破，二期第二阶段80亿美元投资正式启动。二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。
西安市副市长强晓安指出，近年来，西安大力发展集成电路及其关联产业，从2012年至今，西安集成电路产业复合增长率超过30%，产业规模排名位居全国第5，已成为我国集成电路产业发展的重要增长极。
强晓安还表示，目前西安市拥有集成电路企业及相关科研机构200余家，产品涵盖通信、物联网、卫星导航、消费类电子等众多领域，已形成制造业快速发展、设计业与封装测试业协调联动的产业发展格局。
第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。
市场回暖，闪存业现10.2%正增长
受益于年底购物季到来，消费电子终端厂商提前备货，加上高企的库存被逐渐消化，NAND闪存持续一年有余的市场寒冬终于在第三季度开始转暖。根据集邦咨询的调查，2019年第三季度NAND闪存出货量增长，增长率接近15%，营业收入平均增长10.2%，达到约119亿美元。
几家存储大厂营业状况也表现良好。三星第三季度出货量比第二季度增长10%，由于库存水位表现平稳，因此产品销售单价跌幅也收敛到5%，营收达到39.87亿美元，比第二季度增长5.9%。SK海力士由于第二季度出货大幅增长40%，第三季度出货量略有放缓，环比减少了1%，但是因为销售价格稳定，因此整体营收也比较稳定，达11.46亿美元，环比增长3.5%。至于铠侠虽然此前的四日市工厂断电事故余波仍在，但在整个大市转暖的影响下，营收达到22.27亿美元，季增长14.3%。西部数据第三季度出货量环比增长9%，营收达16.32亿美元，环比增长8.4%。美光第三季度收入增长4.7%，达15.3亿美元。
总之，在年底销售旺季的推动下，加上对库存的消化，NAND市场已经逐渐回暖，整体市况正在向好的方向发展。集邦咨询在对第四季度展望中表示，旺季市场需求回温将有助于各供应商获利表现的改善。
技术之争升级，3D NAND上看128层
技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。随着存储市场由弱转强，处于新旧转换的节点，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，以图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。目前来看，NAND闪存的技术工艺之争已经推进到了128层。
10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构，采用128层工艺，预计2020年开始商用。在“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。
SK海力士也在11月宣布开始出样128层3D NAND闪存产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，SK海力士推出了96层3D NAND产品。
相比而言，三星的动作更快。今年8月，三星即宣布推出首个100+层的新一代3D NAND闪存。 据三星介绍，该产品采用“通道孔蚀刻”技术，使前代96层的堆叠架构增加了约40%的存储单元。同时，三星还优化了电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，写入操作的数据传输速度低于450μs，读取速度低于45μs。
从进度表来看，128层3D NAND需要到明年才能大量进入企业存储市场，逐渐成为主流。但是从此亦可看出，存储厂商间的新一轮技术升级之争亦将变得更加激烈。半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换时，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。
追赶国际水平，量产能力是关键
相比国际先进水平，中国存储业有多大差距呢？今年9月，长江存储宣布量产64层3D NAND。长江存储表示，未来将扩大产量，但并没有发布具体扩产计划。有业内人士预估，到明年年底晶圆产量将达到每月6万片的规模，约可占全球产量的5%。
在市场方面，紫光旗下的新华三集团表示将引入紫光存储SSD的产品，应用于其企业级服务器产品中。另有消息人士称，长江存储的NAND闪存已接到其他部分知名企业的订单，如联想计划在其电脑中使用NAND闪存芯片。
尽管有所进展，但中国存储产业仍然弱小。莫大康认为，表面来看，国内企业64层3D NAND与国际大厂128层仅相差两代。实际的差距却并不止此。考量因素不仅包括技术的开发、量产工艺的精进、成品率的提升，也包括市场占有率的扩大等。2020年年底产能能否达到量产6万片/月十分关键，是否能在产能提升的同时提高成品率，产能爬坡速度对企业来说是一个痛点。
技术上从2D到3D的改变，对中国存储业来说是一个难得的发展机遇，但是如何抓住这个机遇仍具挑战。国外资深半导体分析师Mark Li表示：“未来12个月将是关键时期。”
第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。
市场回暖，闪存业现10.2%正增长
受益于年底购物季到来，消费电子终端厂商提前备货，加上高企的库存被逐渐消化，NAND闪存持续一年有余的市场寒冬终于在第三季度开始转暖。根据集邦咨询的调查，2019年第三季度NAND闪存出货量增长，增长率接近15%，营业收入平均增长10.2%，达到约119亿美元。
几家存储大厂营业状况也表现良好。三星第三季度出货量比第二季度增长10%，由于库存水位表现平稳，因此产品销售单价跌幅也收敛到5%，营收达到39.87亿美元，比第二季度增长5.9%。SK海力士由于第二季度出货大幅增长40%，第三季度出货量略有放缓，环比减少了1%，但是因为销售价格稳定，因此整体营收也比较稳定，达11.46亿美元，环比增长3.5%。至于铠侠虽然此前的四日市工厂断电事故余波仍在，但在整个大市转暖的影响下，营收达到22.27亿美元，季增长14.3%。西部数据第三季度出货量环比增长9%，营收达16.32亿美元，环比增长8.4%。美光第三季度收入增长4.7%，达15.3亿美元。
总之，在年底销售旺季的推动下，加上对库存的消化，NAND市场已经逐渐回暖，整体市况正在向好的方向发展。集邦咨询在对第四季度展望中表示，旺季市场需求回温将有助于各供应商获利表现的改善。
技术之争升级，3D NAND上看128层
技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。随着存储市场由弱转强，处于新旧转换的节点，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，以图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。目前来看，NAND闪存的技术工艺之争已经推进到了128层。
10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构，采用128层工艺，预计2020年开始商用。在“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。
SK海力士也在11月宣布开始出样128层3D NAND闪存产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，SK海力士推出了96层3D NAND产品。
相比而言，三星的动作更快。今年8月，三星即宣布推出首个100+层的新一代3D NAND闪存。 据三星介绍，该产品采用“通道孔蚀刻”技术，使前代96层的堆叠架构增加了约40%的存储单元。同时，三星还优化了电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，写入操作的数据传输速度低于450μs，读取速度低于45μs。
从进度表来看，128层3D NAND需要到明年才能大量进入企业存储市场，逐渐成为主流。但是从此亦可看出，存储厂商间的新一轮技术升级之争亦将变得更加激烈。半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换时，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。
追赶国际水平，量产能力是关键
相比国际先进水平，中国存储业有多大差距呢？今年9月，长江存储宣布量产64层3D NAND。长江存储表示，未来将扩大产量，但并没有发布具体扩产计划。有业内人士预估，到明年年底晶圆产量将达到每月6万片的规模，约可占全球产量的5%。
在市场方面，紫光旗下的新华三集团表示将引入紫光存储SSD的产品，应用于其企业级服务器产品中。另有消息人士称，长江存储的NAND闪存已接到其他部分知名企业的订单，如联想计划在其电脑中使用NAND闪存芯片。
尽管有所进展，但中国存储产业仍然弱小。莫大康认为，表面来看，国内企业64层3D NAND与国际大厂128层仅相差两代。实际的差距却并不止此。考量因素不仅包括技术的开发、量产工艺的精进、成品率的提升，也包括市场占有率的扩大等。2020年年底产能能否达到量产6万片/月十分关键，是否能在产能提升的同时提高成品率，产能爬坡速度对企业来说是一个痛点。
技术上从2D到3D的改变，对中国存储业来说是一个难得的发展机遇，但是如何抓住这个机遇仍具挑战。国外资深半导体分析师Mark Li表示：“未来12个月将是关键时期。”
8月27日，兆易创新发布其2019年上半年业绩报告。
公告表示，尽管受到中美贸易摩擦、宏观经济增速放缓等因素影响，公司经营业绩自第二季度显著回暖，第二季度单季实现收入7.45 亿元，同比增长31.98%；第二季度实现归属于上市公司股东的净利润1.47亿元，同比增长1.19%。
综合2019 年上半年，兆易创新实现营业收入12.02亿元，同比增长8.63%。净利润方面，兆易创新表示，由于研发费用大幅增长等原因，2019年上半年归属于上市公司股东的净利润1.87亿元，同比下降20.24%。
兆易创新的主要产品分为闪存芯片产品、微控制器产品（MCU）以及2019年新增加的指纹传感器产品。闪存芯片产品主要为NOR Flash和NAND Flash 两类，MCU产品主要为基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU产品，传感器芯片主要为智能移动终端传感器SoC芯片和解决方案。
存储方面，2019年上半年兆易创新NOR Flash产品累计出货量已经超过100亿颗，NAND Flash产品上，高可靠性的38nm SLC制程产品已稳定量产，并将进一步推进24nm制程产品进程，完善中小容量NAND Flash产品系列及相应eMMC解决方案。
MCU产品，兆易创新累计出货数量已超过3亿颗，客户数量超过2万家，目前已拥有330余个产品型号、23个产品系列及11种不同封装类型。报告期内，兆易创新高性能M4 E103系列产品实现量产，并成功研发出全球首颗通用RISC-V MCU GD32V产品系列。
传感器方面，公告称报告期内，公司积极推进与上海思立微电子科技有限公司的整合，实现优势互补。在光学指纹传感器方面，积极优化第一代产品并推出超薄产品，并在大面积TFT产品上取得阶段性进展。在MEMS超声指纹传感器研发方面也取得了阶段性进展。
兆易创新还提及，公司继续推进与合肥产投合作的12英寸晶圆存储器研发项目。2019年4月26日，兆易创新与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》，约定以可转股债权方式投资3亿元，并继续研究商讨后续出资方案。
8月26日，紫光集团在第二届中国国际智能产业博览会上展出了最新的技术和产品，涵盖存储芯片、移动芯片、安全芯片等集成电路新产品。
其中在芯片领域，紫光集团展示了紫光展锐排名全球AI芯片榜单AI Benchmark榜首的虎贲T710。
在5G技术和物联网领域，紫光集团展出了紫光展锐首款5G基带芯片春藤510、以及春藤8908A和春藤5882S等物联网明星芯片。
而在存储芯片领域，紫光旗下长江存储的64层3D NAND闪存芯片也首次公开展出。
紫光旗下长江存储64层三维闪存晶圆（Source：紫光集团）
此前有消息显示，长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底可望将产能提升到月产6万片晶圆的规模。此外，长江存储也将在2020年生产128层堆栈3D闪存。
按照国家存储器基地项目规划，长江存储预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。
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日前，深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”）与闪存控制芯片厂商深圳市得一微电子有限责任公司（以下简称“得一微”）正式达成全面战略合作。双方将以全产品线主控合作为契机强化协作，通过资源共享和优势互补，深入控制芯片定制、提升产品品质，积极参与推动中国存储生态发展。
资源共享、优势互补，打造行业标杆产品
自2007年起，江波龙就与得一微（前身为硅格半导体）在U盘、存储卡领域展开合作，并陆续扩展到嵌入式存储、SATA接口的SSD固态存储等，不断深入到各个细分领域。双方合作十二年，DM主控已在江波龙的客户群享有一定的品牌美誉度，在此期间，江波龙生产出了第一颗国产嵌入式模组，得一微也研发出第一颗可量产的国产eMMC主控。
多年的合作让双方建立起坚实的信任，也对彼此有了深厚的了解。本次全面战略合作达成，将进一步发挥双方优势，激发更大的合作潜力。
开放合作、联合共赢，发展中国存储生态
对于此次全面战略合作的达成和未来的期许，江波龙电子发言人表示，江波龙电子有幸经历了NAND flash存储高速发展的二十年，“死磕”存储，坚持发展存储技术，顺应市场变化，为品牌化运营及国际化竞争打下了坚实的基础。
得一微电子在闪存控制芯片的研发实力及一站式服务模式很好地配合了江波龙存储产品的设计需求，双方已有十二年合作关系。现江波龙与得一微正式达成全面战略合作，不仅将双方协作深入拓展到各个细分领域，还将把得一微的底层能力开放给合作伙伴，同企业级客户共同构建开放的生态系统，促进产业链间密切协作，推动存储系统升级和存储生态发展。
4月12日，为期三天的Japan IT Week 2019春季第1期在东京Big Sight落下帷幕。Japan IT Week是日本最大的IT技术综合展，本期展会汇集了全球620家参展企业。作为参展企业之一，佰维携全系列工控存储产品及解决方案隆重亮相该盛会，展示产品涉及工控级SSD，嵌入式芯片，存储卡、内存以及客制化存储服务，吸引了众多观展人士的关注。
此次展会上，佰维重点针对工控存储高性能、稳定性、安全性、强固型和耐用性五个维度的需求，分别展示了与之相应的技术实现方案。佰维可根据工控客户需求，“菜单式”搭配产品组合及技术，为游戏娱乐、交通运输、视频监控、自动化系统、手机平板、网通产品等不同领域的应用定制理想存储解决方案。
采用存储新技术升级性能
佰维严选3D NAND闪存芯片、第四代DDR4-2666高频内存，采用NVMe高速接口标准。在最初的技术选型阶段，便做到优中选优，确保存储方案的高性能。
高密度读写下保证运行稳定
佰维通过V-REC调校固件确保高密度读写不掉速，端到端的数据保护技术实现数据的完整性，断电保护避免固件故障，动态温度调节在支持性能的同时降低SSD的发热……实时监控、调整存储产品的运行状态，确保数据读写的稳定性。
优化存储机制提高耐用性
佰维通过Wear Levelling实现区块均衡抹写，垃圾数据回收与TRIM避免无用数据的重复读写，pSLC模拟工业级SLC闪存性能……基于闪存的数据存储机制，进行针对性的优化，以提升产品的耐用性。
为工控存储设立安全“防线”
佰维通过AES硬件加密保护硬盘数据，写保护技术防止未经授权数据写入，固件备份以防数据丢失，物理销毁清除机密数据……同样基于闪存的数据存储机制，为存储产品预设保护、干预手段，以保证存储数据的安全性。
由内而外练就“金钟罩”
佰维采用底部填充使PCB和芯片之间牢固粘连，采用高强度金属外壳保护内部元件，定制耐插拔接口稳固物理连接，并通过三防涂漆、抗硫化、宽温设计等技术保证产品不受外部环境化学或物理形式的损害，以满足方案的强固型需求。
5G通信、无人驾驶和工业物联网(IIoT)的发展，引发传统应用的革新以及大量新兴应用的崛起，庞大的云计算、边缘计算对存储设备提出了更高的标准和需求。佰维从存储设备的五个维度切入，可以迅速为客户匹配最适合的工控存储方案。此外，佰维借助先进的封装工艺，以及贯穿生产各个环节的严苛测试，充分确保产品的品质。佰维以技术为动力，以品质为核心，持续扩大工控存储市场布局。
更多讯息请访问：www.biwin.com.cn
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根据韩联社消息，3月27日，SK海力士在首尔都市圈建设半导体集群的计划获得批准，这得益于政府决定取消该地区的发展法规。
该项目价值120万亿韩元 (约合1360亿美元)。上个月，韩国贸易、工业和能源部请求国土交通运输部，放松对该地区工业区总规模的限制。
该规划将在首尔以南的龙仁市建造4座半导体制造厂，预计将创造约17万个就业岗位。此外，超过50家分包商也计划进入集群，为整个地区的经济注入活力。
韩国经济部表示，将计划向SK海力士提供一切必要的支持，以确保投资能够及时推进。另外还表示，政府将继续努力推动来自私人部门的大规模投资项目，尤其是芯片行业这类韩国经济的主要支柱产业。
该集群项目预计将在2021年第三季度进行破土动工，预计将于2024年第四季度完成。
在芯片集群项目完工之后，龙仁市将作为SK海力士的DRAM和下一代存储芯片的基地。而位于首尔以南80公里的利川市将作为研发和DRAM中心，距离首都137公里的清州市区将成为其NAND闪存芯片中心。
三星电子两年来首次季度盈利下滑某种程度上正式宣告了为期两年的芯片超级周期的结束。
全球最大的芯片和智能型手机制造商三星电子周二称，公司 2018 年最后三个月的营业利润为 10.8 兆韩元 (合 96.5 亿美元)，年增率下降 28.7%，较第第三季 17.5 兆韩元的创纪录高点下降 38.5%。第第四季销售额估计为 59 兆韩元，年增率下降 10.6%。这是公司 2 年来首次季度盈利下滑。
三星不是唯一一家因芯片超级周期结束而盈利受损的公司。此前，储存芯片巨头镁光季度销售及利润皆大幅低于市场预期，公司称整个储存芯片行业产出（包括三星 SK 海力士）大大超出市场需求，其将采取果断行动，减产稳价格。 而三星更是发出警告，称持续两年的行业景气周期已经到头。
储存芯片此前经历了 2 年的景气行业。从 2016 年下半年开始，全球储存芯片进入了新一轮的旺季，DRAM、NAND 价格从那时候起大幅上涨，一直持续到 2018 年。
这其中，智能型手机储存容量增大（内存军备竞赛）、AI 人工智能、无人车、机器学习、深度学习等新兴技术对于储存芯片的额外需求预期（AI 训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加）是本轮上行周期背后的重要推手。
从芯片周期角度而言，上次行业经历如此程度的暴跌还要追溯到 2015 年。但本轮下跌与 2015 年又有所不同。
在 2015 年，对于需求端疲弱的担忧主导了上轮储存芯片的大幅回调。2015 年是智能型手机高增长期的分水岭——自 2010 年开启的智能型手机高增长期基本结束。而当年苹果 iPhone 也处于周期的低点，销量放缓加剧市场的恐慌情绪。
而本轮下跌则是需求不振叠加产量过剩。贸易冲突则加剧了市场的恐慌情绪。
在需求端方面，新的智能型手机硬件规格难以吸引换机需求（以苹果为代表）、消费级的 PC 市场由于 Intel CPU 的供货不足出货不振。而诸如 AI、无人车等新兴技术则由于技术限制，大规模场景应用还需时日，市场期望需求放缓。
而在供应端方面，新技术的良品率提高及产能的扩充使得市场供大于求：64/72 层 3D NAND 的良品率和产能增长使得供应大幅攀升，野村证券预测闪存芯片供应将增长 40% 到 50%；DRAM 1X/1Y 制程的比重持续增加和良品率的稳定提升使得 DRAM 整体供应有望增长 22%。
摩根士丹利研究认为，从半导体周期历史角度，市场通常经历 4-8 个季度下行周期，然后再经历 4-9 个的上行周期。
鉴于 DRAM 合约价格已经在 2017 年 9 月见顶，摩根士丹利认为本轮下行周期已经进行了一半。整体下行趋势在未来的 2-3 个季度里还将继续持续。这将导致相关公司的营收继续下滑。
这意味着至少要到 2019 年年中才能有望看到复甦的迹象。而随着未来经济增长的放缓，去两年推动该行业发展的超常增长因素在下一个上升周期可能不会那么强劲。
