第2季旺宏营收季增24% NAND Flash占比63%

第2季旺宏营收季增24% NAND Flash占比63%

存储器大厂旺宏25日召开线上法说会,并公布2019年第2季营收数字。营收为74.79亿元新台币(新台币,下同),较第1季增加24%,较2018年同期减少16%。毛利率27%,较第1季增加2个百分点,较2018年同期则是减少18个百分点。税后纯益2.64亿元,每股EPS 0.14元。

旺宏表示,2019年第2季营业利益来到4.73亿元,较第1季成长452%,较2018年同期衰退78%,营业利益率6%,较第1季增加5个百分点,较2018年同期减少18个百分点。税后纯益2.64亿元,较第1季成长86%,较2018年同期衰退89%。

另外,2019年第2季营收以产品销售组合来区分,快闪存储器占营收63%,只读式存储器(ROM)占营收29%,晶圆代工事业群占季营收8%。而因为存货提列损失累计2019年上半年共20亿元,下半年在有机会顺利出货的情况下回转。目前帐上存货高达188.67亿元。预计下半年旺季出货增加,将可消化存货,回复到百亿元以内的合理的存货水位。

旺宏总经理卢志远在法说会上表示,目前存储器价格回稳,加上第3季为传统旺季,各项产品线的需求均增加。其中,NAND Flash目前价格已跌深回稳,NOR Flash则是已看到低点,有机会逐步反转,而ROM部分,则是受惠于中国腾讯代理任天堂游戏机的状况销售颇佳,连带挹注旺宏业绩。整体来说,旺宏在产品价格稳定,以及上半年认列之跌价损失有机会回转下,乐观看待接下来第3季营运。

2019年旺宏的资本投资预估将达到140亿元的规模,主要用途在于制程技术的发展上。其中包括在SLC NAND Flash制程技术上,将自36纳米进化至19纳米。NOR Flash制程技术方面,也将自75纳米进化至55纳米。

而3D NAND Flash方面,则是预计在2021年完成192层3D NAND Flash产品开发,并初步规划以TLC规格的产品切入。至于,针对在日韩贸易战对于存储器产业的影响,卢志远则是指出,目前相关讯息非常混乱的情况下,现阶段确认不会有利空,但是否会带来相关利多,目前也还没办法评论。

三星第二季度利润同比下滑56%,内存下半年涨价压力增加

三星第二季度利润同比下滑56%,内存下半年涨价压力增加

三星近日公布了2019年第二季度的盈利情况,去年三星由于内存和闪存涨价的关系赚到盘满钵满,然而随着内存和闪存价格的崩盘,三星的收益也随之大幅下降,而且三星的新旗舰手机Galaxy S10系列销售疲软导致智能手机方面收入也有所减少,三星本季度的利润同比下降高达56%。

根据三星公布的初步数据本季度销售额大概在55~57万亿韩元之间,利润大概在6.4~6.6万亿韩元,而去年同期的销售额为58.48万亿韩元,营业利润为14.87万亿韩元,销售额只下降了4%,但是利润跌幅高达56%,这绝对和市场需求的疲软导致内存与闪存的大幅降价有关。

此外本月开始日本开始对韩国实施制裁,聚酰亚胺、半导体制作中的核心材料光刻胶和高纯度氟化氢这三种材料是重要管控对象,这对位于韩国的SK海力士和三星这两个半导体巨头是沉重的打击,他们两家占据了全球70%的内存市场和50%的闪存市场,这并不是什么好兆头。

现在已经有风声说今年下半年开始内存和SSD都会准备涨价了,虽然现在看起来价格还在跌,但是北美的服务器需求量正在回升,Intel的产能也在逐步恢复正常,PC市场的供货也将逐渐增长,内存的涨价压力还是不少的,闪存方面随着QLC闪存的大幅涌入,每GB的价格可能还会继续降。

研究人员开发出低能耗通用型数据存储设备

研究人员开发出低能耗通用型数据存储设备

英国兰开斯特大学研究人员最近宣布,他们和西班牙同行合作开发出一种新型数据存储设备,兼具当前内存和闪存两类设备的优点,并且能耗超低。

这所大学发布新闻公报说,新设备属于通用型存储器,既可充当供随时读写的活动内存,也能稳定长期保存数据。它有助节约能源,缓解“数字技术能源危机”,还可改善电子设备使用体验,比如电脑可以几秒钟内完成启动。

当前用作内存的动态随机存取存储器(DRAM)读写速度快,但有易失性,即突然断电后内容就会消失,即使不断电也必须每隔几十毫秒就刷新一次,总能耗非常高。闪存里的数据可以长期保存,代价是写入和擦除需要较高电压,能耗高、速度慢,且容易损坏。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存储器,是当前的研究热点。

研究人员在新一期英国《科学报告》杂志上发表论文说,新设备采用与闪存类似的浮栅构造,但不像闪存那样使用金属氧化物半导体,而是由砷化铟、锑化铝和锑化镓三种材料组成。其底部是630纳米厚的锑化镓,上面是多个交错的锑化铝和砷化铟薄层,厚度从几纳米到几十纳米不等,呈现“千层饼”一样的异质结构。

实验发现,由于这三种半导体材料的量子力学特性,新设备能在低电压下运作,同时实现非易失性存储。由于电压和电容需求都很低,该设备的单位面积能耗分别是DRAM和闪存的百分之一和千分之一。此外,它需要进行刷新的时间间隔至少比DRAM长100万倍,数据保存期限理论上比宇宙的年龄还长。

随着信息技术发展,电脑和其他电子设备需要处理的数据越来越多,存储容量飞速增长,存储器能耗问题却对运行效率和使用体验构成严重制约。研究人员说,作为一种新型存储设备,该技术有很大潜力。

宏旺半导体ICMAX:eMMC仍是智能设备主流存储选择

宏旺半导体ICMAX:eMMC仍是智能设备主流存储选择

近几年,电子类产品发展日新月异,运行内存也从1GB发展到了8GB,技术的发展是伴随着市场需求的变化而变化的,毕竟我们对手机的运行速度的要求越来越高。实际上,闪存(ROM)也是影响手机处理速度的重要部件,因为闪存在很大程度上决定着手机读写数据的速度。

手机闪存具备了NAND(存储数据的SLC/MLC/TLC/QLC闪存颗粒)和负责控制数据传输和闪存磨损平衡的主控IC,两者被封装到同一块eMMC芯片内,手机闪存eMMC的标准规格普遍使用了eMMC5.1,读写速度也达到了600MB/s。

eMMC和T卡对比

eMMC的全称是embedded Multi Media Card,就是“嵌入式多媒体存储卡”,这就是一种针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。

eMMC的设计标准的诞生就是为了简化NAND Flash的使用,硬件厂商只需将采购的芯片放入新手机中,无须处理繁复的NAND Flash兼容性和管理问题,缩短了新产品的上市周期和研发成本。

T卡,即TF卡,又称microSD,是一种极细小的快闪存储器卡,这种卡主要于手机使用,但因它拥有体积极小的优点,随着不断提升的容量,它慢慢开始用于一些电子产品中,例如手机、电脑、数码相机、儿童陪护机器人等。

eMMC和T卡 ,它们都属于NAND Flash,发展到现在,T卡在手机上的作用渐渐被eMMC所取代。因为相较于T卡,eMMC具有高效,高速,高兼容,持续稳定等特性,确保产品在应用领域稳定地发挥效能,所以eMMC是目前主流的便携移动产品解决方案。

eMMC和SSD
    
eMMC更像是微型版的SSD,将主控、缓存和闪存同时集合在一块芯片中,这就是SSD和eMMC最明显的区别,主控、缓存和闪存通过BGA封装方式封装成一块芯片,这种芯片集成度相当高,更适合塞进体积要求较小的智能设备中。

在智能手机领域,eMMC规格是主流,在平板电脑或是轻薄型笔记型电脑上,也有一部分对功耗和体积要求较高的设备,开始由SSD转为了使用eMMC。但由于SSD的特性,SSD也仍然大量应用在平板和笔记本上,毕竟SSD有读写速度的优势,不论是随机效能或是连续效能,SSD在PC类领域都是eMMC的强大竞争者。

宏旺半导体 任重道远

除了手机,智能穿戴设备、物联网系统设备基本上都需要依托存储芯片行业的发展,只有掌握了核心技术,才能在高度智能化的时代,在存储行业内真正立足。宏旺半导体ICMAX,践行着“中国芯·宏旺梦”的伟大理想,立志做出中国本土memory芯片,让中国民族品牌ICMAX走出中国,走向世界!

 

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