刚刚,无锡SK海力士二工厂宣告竣工

刚刚,无锡SK海力士二工厂宣告竣工

无锡博报报道,4月18日,SK海力士半导体(中国)有限公司无锡工厂举行扩建(C2F)竣工仪式。

作为江苏单体投资规模最大的外商投资企业,无锡SK海力士二工厂项目于2017年10月签约,总投资86亿美元,其中16亿美元用于新建33000平米洁净厂房及其附属配套设施,70亿美元用于购买全球最先进的半导体生产设备。

项目建成后,无锡SK海力士二工厂将形成月产18万片12英寸晶圆的产能,年销售额也计划达到33亿美元。

据悉,SK海力士与无锡已有15年的合作,一直在无锡重点推进半导体前道工序和后道工序相关事业,接下来将与江苏省包括无锡市及高新区全面战略合作。

长江存储暗示将于年底量产64层3D NAND

长江存储暗示将于年底量产64层3D NAND

据韩媒BusinessKorea最新报道,长江存储 (YMTC) 首席技术官程卫华,近日在接受媒体采访时表示,公司将可能在今年年底前实现64层3D NAND闪存的大规模生产。

“我们有一个大规模生产计划,”程卫华在接受《日经亚洲评论》采访时表示。目前,在中国政府的支持下,长江存储正在武汉建设一座价值240亿美元的半导体工厂,用于大规模生产64层NAND闪存。

程卫华在采访中仅提到:“长江存储的大规模生产NAND闪存的计划进展顺利,没有任何问题。”他并未正式宣布将在今年开始量产64层NAND闪存。不过,行业观察人士表示,程卫华已表示了当公司实现大规模生产计划后,今年将能够生产64层NAND闪存。

目前来看,三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。其实,SK海力士在去年完成研发后,已开始大规模生产96层NAND闪存。三星则计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在年底前成功实现64层NAND量产,那么其与三星电子的技术差距将缩短至两年左右。

此外,人们担忧长江存储进入NAND闪存行业后的影响,因为NAND跌价的幅度通常来说会比DRAM更大。另一方面,部分专家仍对长江存储的64层NAND量产保持怀疑态度,因为其未目前并未量产32层的产品。

不过总的来说,与DRAM领域不同,长江存储似乎在NAND领域里正一切进展顺利。如果长江存储今年下半年向市场供应64层闪存,不排除中国政府可能会建议国产智能手机和PC制造商使用国产的NAND闪存。

如果真出现这种情况,那么将严重削弱NAND行业的利润。这正是三星、东芝、美光、SK海力士等闪存制造商所担忧的。

针对车规标准,佰维为车载存储定制解决方案

针对车规标准,佰维为车载存储定制解决方案

根据发改委《智能汽车创新发展战略》征求意见稿,到2020年,智能汽车新车占比达到50%。汽车智能化发展将极大改变汽车对于数据存储的需求。预测到2020年,每辆车对NAND Flash平均容量需求将增加到200GB,而无人驾驶汽车对NAND Flash存储量将在TB级以上。

智能汽车新车市场预测

将视角转换到现下的车载存储市场,以新一代NAND Flash为存储介质的SSD、eMMC产品的优越性,主要表现在对传统HDD、NOR Flash的升级、替代。NOR Flash因为单位成本高,许多应用已经被NAND Flash取代。最大的NOR Flash制造商美光甚至有意退出该市场。而HDD则由于防震、抗摔、耐高温等方面存在先天劣势,加之NAND Flash单位成本也随技术进步而不断下降,车载应用设备制造商倾向于采用可靠性和性能更好的SSD产品。所以,在车载存储领域,产品除了需要满足性能、成本、容量需求以外,更基础的是必须能达到车规级标准,保证严酷行车环境下稳定、持久使用。

车载存储应用领域

产品支持

佰维结合自身技术推出的系列工控存储产品,具备高品质、高性能、高耐用性,完全适用于各类车载应用。以佰维2.5 SATA SSD产品为例,该产品采用2.5寸SATA3接口,最大容量2TB,连续读的最大速度为540MB/s,连续写的最大速度为450MB/s,最大功耗10W,同时支持温度感应、耐高低温、固件备份、SMART监控、掉电保护等功能,可极大提升行车监控器、行车记录仪等车载应用数据存储的稳定性与可靠性。也正是由于这样的产品和技术支撑,佰维可根据接口标准、嵌入条件、读写速度、容量大小等需求提供定制化解决方案。

技术亮点

车载SSD最高2TB,支持大容量车载应用。

佰维车载SSD系列容量规格240G~2T。在3D NAND等技术的支持下,佰维车载存储产品轻松满足行车监控器、行车记录仪、车载娱乐内容,以及自动驾驶高精度地图等应用对大容量存储的需求。

-40℃~85℃环境下正常工作,适应极端气候变化。

汽车作为交通工具,要能适应不同的地理环境,不同的气候变化。所以,车载存储的耐高低温要求相对典型。为了达到汽车的环境可靠性标准,佰维通过贴片前颗粒宽温筛选,成品宽温筛选,保证每一片都能在(-40℃~85℃)宽温环境下正常工作。

佰维车载存储技术特点

支持断电保护20000次,应对车载供电异常。

行车环境复杂多变,车载供电系统电压不稳,意外断电情况时有发生。佰维车载SSD内置电源侦测芯片实时监控供电情况,一旦发现异常立即启用断电保护,保证 DRAM 中缓存的数据可靠地传输到闪存,从而避免了固件故障,为车载应用存储数据提供了可靠性保障。佰维车载SSD支持电压波动3~18V,异常断电保护20000次。

耐插拔设计、底部填充,稳固车载存储物理连接。

对比HDD,SSD内无机械部件,抗损性方面具有先天优势。即便如此,佰维也对车载SSD进行了多项加固设计,如:采用 IC底部填充技术,使PCB和芯片之间牢固粘连;采用高强度金属外壳,保护内部元件;采用特殊定制的加固接口,不仅使物理连接稳固,而且具备超强的耐插拔性,能有效地降低接口故障率。最终,确保颠簸、震动行车环境下数据存储的稳定性。

V-REC算法优化,支持多个高清摄像头同时录制。

行车记录仪、行车监控器(主要应用于公交车)等车载视频监控产品已经十分普通,并朝更高像素、联网、平台化发展。佰维针对此类大量数据、长时间的读写需求,通过V-REC算法优化进行专项的固件调校,可保持车载SSD在高密度的读写下不掉速,从而支持多个高清摄像头同时录制。

小结:

即便在极端环境条件下,也应该确保行车安全,与之相关的车载应用必须具备高度的可靠性。佰维车载SSD、eMMC等产品拥有大容量、低功耗、强固设计和宽温、宽电压等技术优势,并通过了IATF 16949汽车质量管理体系认证。我们保证设计的解决方案适合您的车载应用程序。

关于IATF 16949

IATF16949:2016是由IATF(国际汽车工作组)在ISO9001:2015的基础上,结合汽车行业的特殊要求制定出来的汽车行业质量管理体系标准。该技术标准注重落实和过程控制,综合了全球顶尖汽车链企业最好的经验。目前,该标准已经成为进入汽车行业的通行证,不少全球知名车厂已强制要求其供应商通过IATF16949认证。

更多讯息请访问:www.biwin.com.cn
商务合作:sales@biwin.com.cn

兆易创新的这一小步,迈出了中国车规闪存的一大步

兆易创新的这一小步,迈出了中国车规闪存的一大步

凭借存储和微控制器而声名鹊起的兆易创新(GigaDevice)最近又悄悄的做了一件大事。

该公司日前宣布,其GD25全系列SPI NOR Flash产品已完成AEC-Q100认证,是目前唯一的全国产化车规闪存产品,可为汽车前装市场以及需要车规级产品的特定应用提供高性能和高可靠性的闪存解决方案。

汽车业为国产闪存敞开大门

尽管没有三星、美光等厂商名号响亮,但作为中国国内第一款静态存储器及IP技术、第一款SPI NOR Flash、第一款SPI NAND Flash、……这一个个开创中国存储器IC设计先河的重要产品的创造者,自2005年4月成立以来,兆易创新凭借卓越的创新精神,占据了全球NOR Flash领域8%的市场份额,全球排名第五。同时,兆易创新也是世界第三大SPI NOR FLASH供应商,累计出货量达100亿颗。

在外界看来,兆易创新很多时候不过是在近乎饱和的存储和微控制器市场中从事着“捡芝麻”的工作。但兆易创新汽车市场总监史有强却并不这样认为,他在接受媒体专访时表示,GD25全系列SPI NOR Flash产品通过认证,意味着每个产品都需要进行单独的设计、制造和认证,需要合理部署大批量认证资源以及认证时间。此外,除了基础的AEC-Q100标准认证外,日本、欧洲、北美Tier 1的客户都还有自己的专有标准,需要跟他们进行密切沟通和进一步的测试。当然,整个公司的质量体系认证也非常重要,跟产品品质认证同样重要。

AEC-Q100是AEC汽车电子协会组织所制订的车用可靠性测试标准,主要是针对车载应用、汽车零部件、汽车车载电子实施标准规范,预防可能发生各种状况或潜在的故障状态,特别对产品功能与性能进行标准规范测试。

目前GD25全系列SPI NOR Flash产品现已量产,更高性能的大容量产品(1Gbit)以及高可靠性SPI/SLC NAND产品的扩展认证也在密切进行中。接下来,兆易创新将开始着手调研和申请准备其他车规如ISO26262的芯片需求。

不过,对于整车厂而言,兆易创新仍然属于初出茅庐的新军,如何打消整车厂对公司在产品、供货、支持等方面的种种顾虑,是摆在史有强及其团队面前的巨大挑战之一。

他对此回应称,自2014年以来,兆易创新开始布局汽车行业,多年来在车载应用领域的耕耘积累了雄厚的技术开发基础以及市场调研经验。更重要的是,公司在NOR Flash存储器行业耕耘了14年,累计全球出货量超过100亿颗,熟悉了解各个应用领域对Flash存储器的要求及行业规范,并针对不同的应用领域定义了相应的产品系列。

在生态系统建设方面,兆易创新目前与国内Tier 1大厂和模块厂商均实现了紧密合作,其产品和方案得到了国内车厂的广泛采用。同时,也在积极接触日本与欧美车厂,力图针对其需求在产品定义上做出突破。

考虑到成为汽车电子供应商的准入门槛非常高,保证十年以上的供货和支持能力是必选项。兆易创新为此专门制订了Flash存储器产品的长期供货协议(Product Longevity Program),此协议中涵盖的产品都严格按照行业要求提供长期供货。在生产制造方面,2017年9月,兆易创新与中芯国际签署《战略合作协议》,约定至2018年底采购金额为12亿元或以上,以确保产品的质量和供货及时、可靠,并且符合汽车行业的严苛标准。此外,兆易创新还具有成熟的本地及全球的供应链部署以及技术支持团队,可以保证对客户的需求进行快速响应。

NOR Flash的春天

车载娱乐系统(智能座舱)、车联网、无人驾驶是兆易创新未来最为关注的三大汽车应用领域。在史有强看来,随着自动驾驶、车联网和新能源汽车的发展,汽车产业对存储器的需求与日俱增,成为存储芯片中重要的新兴增长点和决定市场格局的重要力量。同时,实现汽车的智能化需要更多的环境感知,随着传感器和更多MCU集成到系统中,汽车电子各功能单元的数据、程序存储都需要更高性能的闪存,从而对非易失性存储器件的需求形成海量增长。

众所周知,由于使用环境恶劣,汽车电子应用对存储器的要求非常高。而NOR Flash之所以能够受到汽车电子的青睐,主要源于其优异的高速随机读取性能和高可靠性。以目前大热的无人驾驶为例,需要存储器具备快速的反应能力和绝对的可靠性,这些只有NOR Flash才可以满足。

而且NOR Flash在高温条件下擦写次数可达10万次,数据保留时间长,不会产生坏块,最大限度保证了数据可靠性,十分适合在汽车、工业等对于可靠性要求更高的应用场景。当前,还没有其他的成熟存储器技术可以取代NOR Flash,虽然有一些新的技术处于研发状态,但还没有实现大规模生产。

其实,并非只有汽车电子领域需要更短的启动时间和更快的数据与图形访问。按照业内专家的说法,“几乎整个嵌入式设计都普遍有此需求,都需要具备更快启动速度、更高访问质量与可靠性的NOR方案。”因为如此的高速度能实现更快的启动时间,也可实现程序的片内执行,更少的代码映射,从而整体上减少了RAM内存容量。对消费者而言,这将意味着他们的应用将具有更强大的功能性、互动性与性能。

不过,在NOR Flash领域,尽管2017年2月美光科技宣布剥离旗下NOR芯片业务,全面转向DRAM和NAND Flash。但同年4月,赛普拉斯却表示将退出中低容量的NOR Flash市场,全力冲刺高容量车用和工业领域。显然,面对国际大厂的竞争,兆易创新要准确找到突破点并实现突围,并非说说这么简单。

史有强对此并不否认。他说中国本土IC公司往往喜欢将“具备高性价比”作为产品的最大优势之一,但在车载应用中,这招并不好使。因为所有产品必须要保证高质量和高可靠性,企业必须要付出更多成本,低价不是关键竞争要素,品质才是第一要素。

“我们当然更看重品质而不是低价,通过高性能的产品、优质的服务和可靠的质量为客户提供满足他们需求的解决方案。同时,合理的成本优化也是芯片行业的必需性,但是绝对不能对产品品质要求有任何松懈。”史有强认为兆易创新的竞争力,一是来自于始终致力于提供一站式服务,在灵活度和产品更新度上都会优于友商;二是汇集和培养了一批国内在半导体存储器领域,尤其是在Flash 技术、产品和管理领域的优秀人才,并拥有丰富的技术专利,涵盖NOR Flash、NAND Flash、MCU等芯片关键技术领域。

东芝存储器筹措1.3万亿日元应对上市审查

东芝存储器筹措1.3万亿日元应对上市审查

近日获悉,日本半导体巨头东芝存储器控股公司(东京)将从三菱日联银行、三井住友银行及瑞穗银行三家大型银行借贷合计1万亿日元(约合人民币603亿元)。此外还将接受日本政策投资银行的3000亿日元注资,总共筹措1.3万亿日元。该笔资金除了对来自三大银行等的现有共计6000亿日元贷款实施借新还旧,还将用来回购美国苹果公司等交易对象持有的优先股以减少财务上的不稳定因素,从而有利于东京证交所的上市审查。

首次公开募股(IPO)的时间此前预计在今年9月,但看来将会推迟至11月以后。交易对象持股在上市审查中被视为不利因素,因此公司将回购股票创造稳定的经营环境。半官方基金INCJ(原产业革新机构)将放弃注资。

陷入经营不振的东芝公司以约2万亿日元价格把东芝存储器出售给了以美国基金贝恩资本为主的“日美韩联合体”。加入该联合体的除苹果、戴尔等美国IT巨头外,还有韩国半导体巨头SK海力士。东芝也再次出资约3500亿日元。

作为一家全球巨头,除了主要的四日市工厂(三重县四日市市)外,东芝存储器还正在岩手县北上市建设新工厂。3月已过渡为控股公司制。

SK海力士无锡新厂将于本月全面投入运营

SK海力士无锡新厂将于本月全面投入运营

根据外媒BusinessKorea最新消息,SK海力士位于中国无锡的扩建晶圆厂 (二厂) 将于本月全面投入运营。一旦这个耗资95亿韩元的扩建项目完工,海力士无锡工厂的产能将增加至每月180,000片晶圆。

然而,SK海力士表示,公司扩大生产线目的单纯是为了引入DRAM的微制造,而不是增加其产能。这意味着海力士将继续控制芯片供应量,来缓解市场供给过剩的现状。
 
SK海力士一位内部人士表示,“初次生产的晶圆片在今年初就已进入工厂,而这次,产量已达到了标准。” 等未来设备全部安装完善时,SK海力士无锡工厂将拥有每月180,000片的10纳米级DRAM晶圆的产能。
 
在无锡工厂的扩建上,SK海力士已经获得资金支持。今年3月25日,SK海力士与中国开发银行牵头组建了一批中资银行的银团贷款举行了签字仪式。贷款金额估计高达35亿美元,是江苏省外币贷款历史上最大的一笔。
 
在无锡扩建工厂全面投入运营之前,SK海力士副董事长朴成旭于3月29日访问了无锡,并会见了无锡市委书记李小敏。 “随着第二工厂项目的完成,SK海力士已经在无锡工厂投资了140亿美元,”朴成旭在会上提到。“经过14年的合作,海力士与无锡的关系与橡树一样强劲。”
 
行业观察人士也正密切关注着无锡扩建工厂将给DRAM的供给和价格带来什么影响。
 
根据DRAMexchange (集邦咨询半导体研究中心) 最新数据,3月份DDR4 8Gb DRAM的合约价较上月下降了 11.1% 至 4.56 美元。

这与2016年12月的4.19美元的价格接近,当时正是存储器行业刚开始蓬勃发展的时期。相应地,美光也宣布将分别削减DRAM和NAND闪存产量的5%。

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

存储器大厂美光 (Micron) 26 日宣布,在世界通讯行动大会 (MWC) 上发布全球容量最大的 microSD 记忆卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡。

美光表示,该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达 1TB 的储存容量,为业界首款采用美光的 96 层堆栈 QLC (四阶储存单元) 3D NAND 技术的 microSD 闪存卡,而且符合 A2 应用程序性能等级规格标准,能缩短安装在该卡上的应用程序及游戏载入时间,有效提升 Android 合并储存空间 (Android Adoptable Storage) 功能的使用者体验。

另外,美光 c200系列 1TB microSD 闪存卡每秒读取速度可达到 100 MB,每秒写入速度可达 95 MB,符合 UHS-I 速度等级 (U3) 与影片速度等级30 (V30) 的标准。c200 1TB microSD 闪存卡将在 2019 年第 2 季起广泛于市面上供应。

美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 表示,美光透过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC 技术,站稳 3D NAND 领域的领导地位,并成功开发出全球首款 1TB microSD 闪存卡。这款全新的 c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对行动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

Forward Insights 总裁 Gregory Wong 则表示,预期 3D QLC NAND 技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。美光推出的 1TB microSD 闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要的里程碑,将有助于加速行动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

存储器大厂美光 (Micron) 26 日宣布,在世界通讯行动大会 (MWC) 上发布全球容量最大的 microSD 记忆卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡。

美光表示,该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达 1TB 的储存容量,为业界首款采用美光的 96 层堆栈 QLC (四阶储存单元) 3D NAND 技术的 microSD 闪存卡,而且符合 A2 应用程序性能等级规格标准,能缩短安装在该卡上的应用程序及游戏载入时间,有效提升 Android 合并储存空间 (Android Adoptable Storage) 功能的使用者体验。

另外,美光 c200系列 1TB microSD 闪存卡每秒读取速度可达到 100 MB,每秒写入速度可达 95 MB,符合 UHS-I 速度等级 (U3) 与影片速度等级30 (V30) 的标准。c200 1TB microSD 闪存卡将在 2019 年第 2 季起广泛于市面上供应。

美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 表示,美光透过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC 技术,站稳 3D NAND 领域的领导地位,并成功开发出全球首款 1TB microSD 闪存卡。这款全新的 c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对行动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

Forward Insights 总裁 Gregory Wong 则表示,预期 3D QLC NAND 技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。美光推出的 1TB microSD 闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要的里程碑,将有助于加速行动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

新储存利器!美光发表 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡

存储器大厂美光 (Micron) 26 日宣布,在世界通讯行动大会 (MWC) 上发布全球容量最大的 microSD 记忆卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 闪存卡。

美光表示,该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达 1TB 的储存容量,为业界首款采用美光的 96 层堆栈 QLC (四阶储存单元) 3D NAND 技术的 microSD 闪存卡,而且符合 A2 应用程序性能等级规格标准,能缩短安装在该卡上的应用程序及游戏载入时间,有效提升 Android 合并储存空间 (Android Adoptable Storage) 功能的使用者体验。

另外,美光 c200系列 1TB microSD 闪存卡每秒读取速度可达到 100 MB,每秒写入速度可达 95 MB,符合 UHS-I 速度等级 (U3) 与影片速度等级30 (V30) 的标准。c200 1TB microSD 闪存卡将在 2019 年第 2 季起广泛于市面上供应。

美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 表示,美光透过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC 技术,站稳 3D NAND 领域的领导地位,并成功开发出全球首款 1TB microSD 闪存卡。这款全新的 c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对行动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

Forward Insights 总裁 Gregory Wong 则表示,预期 3D QLC NAND 技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。美光推出的 1TB microSD 闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要的里程碑,将有助于加速行动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

2019 Embedded World | 佰维携特存SSD和嵌入式存储芯片再出发

2019 Embedded World | 佰维携特存SSD和嵌入式存储芯片再出发

国内知名存储器品牌BIWIN佰维科技将于2月26 -28日在德国纽伦堡举行的全球嵌入系统盛会Embedded World,为观众展示旗下全系列特存SSD和嵌入式存储芯片产品。

随着存储器使用领域的延伸以及对存储设备高性能和小型化的刚需加剧,对存储产品在高性能、大容量与宽温适应上提出新的要求。佰维紧随技术与市场的发展,采用最新技术对产品进行升级,拓展产品市场广度。

在常规的SSD和嵌入式芯片的之外,面向工控领域,提供包括工业用固态硬盘、嵌入式存储芯片、存储卡、内存模组以及与之相关的综合的解决方案和定制化服务,覆盖全系列工业级嵌入式存储的应用领域,适配各整机厂商多样化的存储产品选择。

关于BIWIN

佰维专注为客户提供优质的存储产品,致力于成为行业一流的存储解决方案提供商。佰维坚持以存储技术为核心,具备存储IC设计、软硬件和固件开发能力,积极响应市场需求,为客户提供更具竞争优势、高品质的软硬件存储方案。为确保产品品质的稳定性,佰维自建完整的封装、测试、生产产线,确保产品具备绝佳和稳定的性能,且符合各项国际认证。佰维以“全球布局,本地服务”的理念,第一时间响应当地的客户需求。
更多讯息请访问:www.biwin.com.cn