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非挥发性快闪存储器大厂旺宏公告元月营收月增10.6%达新台币22.60亿元，表现略优于市场预期。旺宏过去几年积极耕耘车用存储器市场有成，今年车用NOR/NAND Flash出货持续放量，全球每台新车都有内建旺宏芯片；同时，旺宏今年亦将强攻19纳米SLC NAND及eMMC市场，已获得许多客户青睐。旺宏亦投入3D NAND研发，预期2021年开始出货。

旺宏去年合并营收达新台币369.53亿元，年增8.1%并续创历史新高，归属母公司税后净利达新台币89.93亿元，较前年大幅成长63.0%，每股净利新台币4.94元，优于市场预期。每年上半年是旺宏营运淡季，但日前公告元月合并营收月增10.6%达新台币22.60亿元，表现优于预期。

由于美中贸易摩擦尚未落幕，半导体市场第一季表现疲弱，旺宏董事长吴敏求表示，今年是充满不确定性的一年，上半年最不能预测，下半年若是美中贸易摩擦结束，就会明显变好，但美中纷争要多久才会结束，是见仁见智。

虽然近期大陆同业扩产导致NOR Flash价格松动，但吴敏求对NOR Flash看法不变，高质量的NOR Flash需求仍然十分强劲。而旺宏近年来积极卡位车用电子市场有成，并获得一线车厂及车用电子厂的采用，全球每台新车都有内建旺宏芯片。吴敏求表示，车用或医疗等应用是人命关天的市场，要用保守的态度去做，所以NOR Flash市场还有相当大的成长空间。

旺宏董事会已决议通过新增资本支出预算，将投入新台币142.03亿元扩充高阶制程产能，去年第四季开始投资，包括把12寸厂Fab 5的制程全面升级为19纳米，同时也会将NOR Flash制程由75纳米转进55纳米。旺宏今年将发挥19纳米技术优势，全力提高SLC NAND出货量，同时也将推出e.MMC存储器抢攻新应用市场，持续推升旺宏营运表现。

由于NAND Flash价格去年大跌，导致三星、SK海力士、东芝及西数、美光及英特尔等四大阵营在去年底减少晶圆产出，下修今年资本支出并推迟96层3D NAND扩产计划，的确让第一季NAND Flash价格出现缓跌情况。不过，随着上游原厂96层3D NAND新产能将在第二季后开出，加上三星、美光、东芝等新厂在下半年量产，业界预估供给过剩及跌价压力仍在。

去年上半年因为64层及72层3D TLC NAND产能开出，且单颗NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，与2D NAND制程的单颗NAND Flash容量仅128Gb/256Gb相较几乎翻倍，也因此，去年NAND Flash价格一路走跌，去年底每GB价格跌破0.1美元并创下新低纪录，NAND Flash厂也面临营业利益明显缩水压力。

为了减缓NAND Flash跌价走势，包括三星、美光等上游原厂在去年底减少晶圆产出，并下修今年资本支出及推迟96层3D NAND新产能开出速度。但因苹果iPhone销售不佳，智能型手机生产链进入库存调整，需求端明显进入衰退，让上游原厂减少供给的意图大打折扣，第一季NAND Flash价格续跌，只是跌幅略有缩小。

市场虽然预期智能型手机生产链第二季库存去化完成后将重启NAND Flash采购，且供给端并无新产能开出，价格应可持稳，但因各家NAND Flash上游原厂将在第二季开出96层3D NAND新产能，且下半年后新厂也将加入量产，模组业者对NAND Flash价格看法仍然保守，预期跌价情况恐会持续到今年中。

据业界消息，各家NAND Flash原厂的新厂将在下半年后进入量产阶段，其中规模最大的是三星的西安厂第二期，第三季将量产512Gb容量96层3D NAND。美光Fab 10第三期预期会在今年第四季进入量产，投产产品以512Gb容量96层3D NAND为主。至于东芝及西数合资的Fab7将在会下半年完工，明年第一季512Gb容量96层3D NAND会开始进入量产阶段。

集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市场均价季度跌幅可能达20%，第二季报价可能将续跌将近15%，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收敛。

韩国三星电子公司（Samsung Electronics Co.）昨天公布财报，2018 年第四季净利大减 31%，原因是主要产品存储器芯片需求下滑。

三星为全球最大手机与存储器芯片制造商，根据财报，去年 10 月至 12 月净利为 8.46 兆韩圆，较 2017 年同期下滑 31%。

三星最近几年屡创获利新高，但情况如今已有所改变，在全球供货增加下，芯片价格大跌。此外，三星也在智能型手机市场面临来自中国对手日益激烈的竞争，例如华为自去年起便取代苹果公司（Apple），成为全球第二大手机供应商。

彭博报导，三星去年第四季净利低于分析师预期。三星电子声明表示，去年第四季获利下降，主要受到存储器芯片需求减少影响。三星也预期，「由于季节性因素、总体经济不确定性，以及主要采购大厂的库存调节」，芯片需求「在今年第一季仍持续疲软」。

华邦电董事会焦佑钧对今年存储器市况保守看待，不过内部仍强调，新建12寸晶圆厂存储器仍照计划进行，且看好未来存储器发展。

华邦电新建12寸晶圆厂座落高雄科学园区，去年10月动工。华邦电总经理詹东义强调，华邦电维持快闪忆体和DRAM平衡发展，绝不会走回生产标准型DRAM的路，目前虽然遭遇国际贸易摩擦和科技厂进行库存调整等因素干扰，但仍看好存储器产业发展，主因这个产业朝健康发展，而且有很多新的应用出来。

詹东义说，华邦电中科厂产能去年都全数满载，根本不敷客户需求，为因应客户要求及支应华邦成长，才决定启动新建12寸厂投资。

华邦电高雄新厂计划导入第三世代DRAM制程技术。此外将持续开发超低功耗DRAM、Flash。

存储器厂旺宏电子公布2018年12月合并营收为20.43亿元（新台币，下同），较上月合并营收30.44亿元减少32.9%，来到近22个月以来新低，并较2017年同期合并营收31.25亿元相较，则减少34.6%，累计全年合并营收为369.53亿元，较2017年同期341.97亿元增加8.1%，刷新历史新高。
 
旺宏电子原本看好去年下半年旺季效应可望发酵，游戏机等客户的需求将转趋畅旺，下半年的营收将大举跃增，惟无奈受到美中贸易冲击，客户拉货转趋保守，在旺季效应落空下，12月来到近22个月新低，第4季营收89.81亿元，较上季100.3亿元减少10.46%，未能持续走高。
 
旺宏去年上半年的营收约179.41亿元，下半年的营收约190亿元，下半年仅较上半年增加5.9%。旺宏去年下半年遭受到客户下单不如预期，同时间，NOR Flash价格开始松动转趋下跌，演变成供过于求的局面，至于ROM的库存水位过高，将成为旺宏短期营运的逆风。
 
旺宏董事长吴敏求日前出席旺宏科学奖奖典礼时指出，吴敏求认为，半导体景气最大的影响性来自于美中贸易摩擦，这一波库存调整的修正可能会比想象中还要来的更久，但在越不景气的时候，旺宏更要坚持投入研发，今年的资本支出计划不会改变。
 
吴敏求认为，今年景气的变化，就是要看贸易摩擦的发展，或许这一次的库存调整的情况会比想象中还得更久，可能今年第1季的时候还不见得会调整结束。
 
对于旺宏而言，吴敏求表示，旺宏的库存其实只要降价都卖得掉，但是这样做生意不是好的做法，因此并不会采取削价竞争，宁可先采取观望，未来若有需求的时候，将以生产弹性转换的做法因应。
 
吴敏求说，旺宏今年将投入的新产能以19纳米的SLC（单层式）与eMMC （嵌入式存储器）NAND Flash为主，与NAND Flash一线大厂专做大容量、高密度的产品有所区隔，也因此受到市场主流产品的价格波动影响有限。
 
谈到今年的资本支出，吴敏求表示，对于半导体晶圆制造厂来说，投资是比较长远的事情，尤其在最不景气的时候，更要投资，对于旺宏来说，明年的资本支出将大举投入，计划不会变动，将积极转换到更高阶19纳米产能，继续提升公司的竞争力。
 
旺宏规划今年的资本支出为142.03 亿元，资金来源包括自有资金与银行融资，将用于提升12吋晶圆厂高阶产能，及用于研发需求，较今年资本支出规划增加近 1.5 倍，也是历年来资本支出金额最大手笔的一次。