芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延迟内存套装!

芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延迟内存套装!

2020年06月12日 – 世界知名超频内存及高端电竞外设领导品牌,芝奇国际为新一代Intel Z490平台推出多款高速低延迟内存套装,规格最高达DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB (16GBx2)的极速规格,并已于多款Z490系列主板完成烧机测试,此一系列套装皆采用严选的高效能三星 B-die颗粒所打造,兼具超高的传输频率以及极低的延迟,是极限超频玩家及高端用户梦寐以求的强悍内存规格。

兼具高频率低延迟  效能的完美展现

专注于极限超频的强大效能,芝奇研发团队不断挑战高频率与低延迟共存的全新高度,成功于新一代Z490平台上推出一系列CL17低时序的豪华内存规格,达到了4400MHz高频率的门坎,并推出业界首见的DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB(16GBx2)飙悍高规,提供极限超频玩家能崭新的高效能体验。此规格已在最新的第10代Intel® Core™处理器和MSI MPG Z490 GAMING PLUS及ASROCK Z490 AQUA主板上通过烧机测试,以下为测试截图:

除了16GBx2套装外,芝奇也提供DDR4-4400MHz CL17-18-18-38 16GB(8GBx2)的高速规格,以下截图为此规格在最新第10代Intel? Core? i9-10900K处理器和ASUS ROG MAXIMUS XII FORMULA主板上通过烧机测试:

上市信息 & 详细规格

本次的顶级套装预计于2020年第3季开始贩卖,消费者将可由芝奇授权的全球合作供货商购买取得,完整规格请参照以下图表:

支持 XMP 2.0 超频功能

芝奇超频DDR4内存全面支持 Intel XMP 2.0 超频功能,玩家无需透过复杂的 BIOS 设置,仅需透过简单步骤就能轻松体验超频所带来的飙速快感。

关于芝奇国际

芝奇国际实业股份有限公司创立于1989年,总公司位于台北市,为全球高端超频、电竞计算机内存领导品牌。在计算机科技产业长达30年的经验,芝奇深信唯有不懈的创新及突破,才能建立永续的品牌价值。另外,芝奇往往率先同行开发出高规格产品,其高端内存宛如计算机硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以竞技争锋的梦幻逸品。2015年,芝奇将对产品的苛刻创新精神,带入电竞外围产品,其电竞键盘及鼠标凭着精细的作工及独到的设计,一经上市即荣获全球众多专业媒体和极限用户的好评及推荐。芝奇秉承坚持淬炼不凡的精神,将不断为用户提供更高质量的产品。

国内首款中国芯DDR4内存条,在深圳坪山大规模量产

国内首款中国芯DDR4内存条,在深圳坪山大规模量产

近日,国内首款中国芯的DDR4内存条——光威弈PRO DDR4内存条,在深圳坪山大规模量产。光威弈PRO DDR4内存条采用自主国产的长鑫内存芯片,由深圳市嘉合劲威电子科技公司生产制造。

光威弈Pro DDR4有台式机DDR4和笔记本DDR4两款。光威弈Pro DDR4台式机内存条共有2个规格:8G容量的版本,频率为3000MHz,内存条的时序是16-18-18-38,电压是1.35V;16G容量的版本,频率为2666MHZ,内存条的时序是19-19-19-43,电压是1.2V。光威弈Pro DDR4笔记本内存条也有2个规格:8G容量的版本,频率为2666MHZ,内存条的时序是19-19-19-43,电压是1.2V;16G容量的版本,频率、时序、电压与8G版本相同。

目前光威弈Pro DDR4两款内存条均已上市,得到了国内政企用户,普通玩家的大力支持。仅首日,销量就超过了5000条,线上线下销量火爆、好评如潮。

光威弈Pro DDR4是中国首款采用自主国产芯片,性能和品质能够满足消费市场需求的国产内存条。 它的出现填补了国内消费市场的空白,标志着国产存储的成功崛起。

深圳坪山区近年积极布局集成电路产业、高新技术产业的发展,率先搭建应用场景,为企业新产品、新技术的应用提供平台。深圳嘉合劲威电子科技有限公司入驻坪山区以来,倚靠坪山高新区的地缘优势和政策扶持,获得了巨大的发展和提升。

此次光威弈PRO DDR4内存条,在深圳坪山区大规模量产,是深圳坪山集成电路产业、高新技术产业的又一个成果,中国智造再一次闪亮世界。

芝奇展示Intel Z490平台高速超频DDR4内存

芝奇展示Intel Z490平台高速超频DDR4内存

2020年5月20日,世界知名超频内存及高端电竞外围领导品牌,芝奇国际于Intel新一代Z490平台上,展示多款高速的超频内存规格,除了拥有DDR4-5000超高频率的规格外,更包含了由单支32GB模组打造的超大容量高速套装,已于多款不同主板上完成烧机测试,发挥新一代配备强悍的超频实力。

创作无界 容量无际 – DDR4-4400  64GB(32GBx2)

近年来多媒体创作者对于内存容量的需求持续提升,单支32GB模组渐渐成为许多高端用户选择的内存方案,芝奇特别展示DDR4 32GB模块在Intel Z490平台下优异的超频性能,分别搭载在最新第10代i9-10900K与ASUS ROG MAXIMUS XII APEX 以及Intel第10代i7-10700K 与 ASUS ROG Maximus XII Formula主板上,达到DDR4-4400 CL19-26-26-46 64GB(32GBx2) 同时拥有高频率及大容量的梦幻逸品。

低延迟的顶尖效能 DDR4-4400 CL17 32GB(16GBx2) 

为提供超频玩家更高效能的内存选择,芝奇研发团队不断挑战更高频率、更低延迟并存的可能性,成功在DDR4-4400这样的高速领域下同时能拥有CL17的超低时序,达到DDR4-4400 CL17 32GB(16GBx2)的震撼规格。此规格已在最新Intel第10代Core i9-10900K处理器和ASUS ROG Maximus XII Extreme主板上通过烧机测试,以下为测试截图

新世代5GHz飙速体验 – DDR4-5000 16GB(8GBx2)

专注于极限超频,芝奇从未停止追寻更高的速度,这次在Intel Z490平台上,芝奇将内存频率再次拉升,跨入5000MHz的高速领域,并成功以DDR4-5000 CL19 16GB(8GBx2)的骠悍速度于多款不同主板上完成烧机测试。以下为此规格搭配最新Intel第10代Core i9处理器,分别在ASUS ROG MAXIMUS XII APEX, ASRock Z490 AQUA 及MSI MEG Z490 GODLIKE主板上通过烧机的截图:

速度与容量的双重极致 – DDR4-5000 32GB(16GBx2)

为使高端用户拥有极致的效能体验,芝奇资深研发团队不断挑战更强大的内存规格,成功将规格推升至DDR4-5000 CL19 32GB(2x16GB) 的全新高度,此规格不但是同时拥有极速及超大容量的顶级配备,更是追求极限超频玩家梦寐以求的珍品,并已搭配最新Intel第10代Core i9-10900K处理器,以下为测试截图:

关于芝奇国际

芝奇国际实业股份有限公司创立于1989年,总公司位于台北市,为全球高端超频、电竞计算机内存领导品牌。在计算机科技产业长达近30年的经验,芝奇深信唯有不懈的创新及突破,才能建立永续的品牌价值。另外,芝奇往往率先同行开发出高规格产品,其高端内存宛如计算机硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以竞技争锋的梦幻逸品。2015年,芝奇将对产品的苛刻创新精神,带入电竞外围产品,其电竞键盘及鼠标凭着精细的作工及独到的设计,一经上市即荣获全球众多专业媒体和极限用户的好评及推荐。芝奇秉承坚持淬炼不凡的精神,将不断为用户提供更高质量的产品。

移动解决方案的理想选择 宏旺半导体LPDDR4X内存助力国产化替代

移动解决方案的理想选择 宏旺半导体LPDDR4X内存助力国产化替代

2020年的智能手机市场,虽然受到了疫情的影响,但依然硝烟四起。今年一开春,5G手机大战便正式拉开了序幕。有意思的是,除了密密麻麻的摄像头、Wi-Fi6技术、屏下指纹识别,各大手机品牌还把焦点放在了存储上——LPDDR5内存和UFS3.0存储。

随着对智能手机配置需求的提升,手机内存也在不断升级。亿级像素、4K高清视频、VR游戏等各种炫酷的应用,都需要更大的容量、更快的速度和更可靠的性能来支持。对于普通用户来说,LPDDR可能比较陌生,它实际上是一种主要用于移动设备推出的低功耗、小体积内存,而LPDDR5则是它最新的标准,是新一代的“网红”内存。

关于LPDDR5的争议也不小,有人说它是5G时代黑科技满满的手机“标配”,也有人说它 和LPDDR4X 差不多,两者的感知差异并不强。真的如此吗?两者究竟有多大区别?

从实测的数据来看,LPDDR4x对实际的CPU性能影响确实要小,内存总分4105分,小米10 4129分,黑鲨34154分,LPDDR5在内存带宽上大概领先8%,内存延迟上略有优势,不过内存复制性能上反而K30PRO的LPDDR4x好些。

相比较于LPDDR4X来说,LPDDR5功耗和电压都更低,在读写性能上也更快,是一次全新的升级,但是也有业内人士爆料,LPDDR4X和LPDDR5在日常体验中差异不明显。OPPO副总裁沈义人也表示,新一代技术肯定比上代技术好,但在实际使用过程中更应该看整机的实际表现,而并非只看技术上的理论提升。其实,在电脑上和智能手机上,除了性能刚刚够用的低端机,几乎所有性能的极限差距都是不容易在日常使用中被感知出来的。

此外,目前市面上还有很多处理器还不能支持LPDDR5,不少主流旗舰手机内存使用的还是LPDDR4X。宏旺半导体ICMAX推出的LPDDR4X ,可匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB、8GB,频率 3200MT/s,电压为0.6V等,工作温度-25℃至85℃,采用VFBGA 200Ball等封装。

更低功耗、更高能效

宏旺半导体的LPDDR4X 卓越的高能效解决方案,电压低至0.6V,在性能方面比 LPDDR4 更进一步,功耗大约降低了10-20%,有效地延长了电池寿命。

· 容量更大,最高达8GB

LPDDR4X 采用小型封装,8GB的内存能满足大多数超薄移动设备的容量空间要求,并具备高性能的多任务处理功能。

· 快速流畅,一触即达

LPDDR4X 运行频率在LPDDR4基础上提高了33%的性能,达到了 3200MT/s,可以更流畅、快速地应对庞大和复杂的工作环境。

· 移动解决方案的理想选择

宏旺半导体的LPDDR4X支持PoP堆叠封装和独立封装,从智能手机、平板电脑,到车载电子、可穿戴设备等,LPDDR4X正在拓宽智能、移动设备的应用领域。

如今受疫情的影响,全球市场需求疲软,海外市况依然较为糟糕,供应受到严重影响。与此同时,疫情也给国产替代带来了较大的增长空间,在面对市场日益增长的需求和国外品牌难以提供稳定供货情形下,以宏旺半导体ICMAX为代表的国产存储芯片品牌,能自主研发、生产、销售,保证客户所需的稳定供货链。

同时,为了进一步满足5G时代,移动终端对存储的高性能、大容量需求,宏旺半导体LPDDR5也正在紧密锣鼓地筹备中,预计最晚明年上市。

在我国芯片高度依赖进口的严峻形势下,民族企业在存储领域的前瞻布局和突破成果,无疑为实现”芯片国产化替代“提供了重要支撑。未来,宏旺半导体将继续对即时通讯、行业存储、智能交通、物联网等热门领域展示存储及产品方案,将产业科技红利转换成效率提升,抓住如今的国产存储芯片发展契机,建设存储芯片全产业链科技园,引领存储芯片国产化替代。

芝奇发表高速低延迟DDR4-3200 CL14 256GB套装

芝奇发表高速低延迟DDR4-3200 CL14 256GB套装

2019年12月23日– 世界知名超频内存及高端电竞外设领导品牌,芝奇国际推出由新一代单支32GB模组所组成的DDR4-3200 CL14-18-18-38极速内存套装,此规格将提供256GB (32GBx8)、128GB (32GBx4)、64GB (32GBx2) 三款豪华容量内存方案,并加入Trident Z Royal皇家戟、Trident Z Neo焰光戟、Trident Z RGB幻光戟三款RGB内存系列,满足高端用户对内存高频率及大容量的需求。

Intel X299高端平台,极限效能再推升

为使高端用户拥有极致的效能体验,芝奇资深研发团队以独步业界的技术,为Intel X299高端平台展现新的突破,将单支32GB DDR4模组组成的内存套装,成功达到了DDR4-3200 CL14-18-18-38 256GB (32GBx8)的震撼规格,此规格不但是高端用户极速、低延迟、超大容量的顶级重装配备,更是追求顶尖效能玩家的不二首选。以下烧机测试截图为此规格成功在Intel Core i9-10900X处理器和ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE主板以及Intel Core i9-10940X 处理器与MSI Creator X299主板上通过验证:

AMD平台震撼性能,全力释放

广受好评的焰光戟是许多AMD平台玩家的内存优先选择,芝奇为提供第三代AMD Ryzen Threadripper高端玩家拥有更快、更大容量的顶级规格,全新推出焰光戟 DDR4-3200 CL14-18-18-38 256GB (32GBx8) 豪华内存套装,经由严密的测试来确保其拥有强大的超频潜力以及稳定的兼容性。下图为此规格在AMD Ryzen Threadripper 3960X 处理器及 ASUS ROG ZENITH II EXTREME 主板上通过烧机测试的截图画面:

芝奇也特别推出了DDR4-3200 CL14-18-18-38 128GB (32GBx4) 高速大容量的慓悍规格,提供AMD X570平台玩家极速大容量的豪华内存方案,是追求极限效能玩家市场上不可错过的稀世珍品。下图为此规格成功在AMD Ryzen 5 3600 处理器及 ASUS PRIME X570-P 主板上通过烧机测试的截图:

上市信息 

本次的顶级套装预计于2020年第一季开始贩卖,消费者将可由芝奇授权的全球合作供货商购买取得。

支持XMP 2.0超频功能

芝奇超频DDR4内存全面支持 Intel XMP 2.0 超频功能,玩家无需透过复杂的 BIOS 设置,仅需透过简单步骤就能轻松体验一键超频功能所带来的飙速快感。

2020年5G手机及资料中心需求提升 DRAM现货价格触底反弹

2020年5G手机及资料中心需求提升 DRAM现货价格触底反弹

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,在当前各家厂商库存数量下跌,加上资料中心需求持续强劲,以及2020年第1季5G手机市场对于DRAM需求扩大的情况下,近3个月连续走跌的DRAM价格已经触底反弹。

其中,DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的产品上涨了2.88%,而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的产品也上涨了1.04%,显示了DRAM市场从下跌状况走缓,甚至已经开始反弹回温。

有报告显示,2020年在5G智能手机、资料中心等需求的提升,使得业者开始加大对于DRAM的采购力道。

其中,在5G智能手机方面,因为旗舰机种将搭载6G到12G的DRAM,相较4G高端旗舰款手机搭载3G到6G DRAM的规格而言,容量要增加许多,使得市场开始对DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外,外资报告还指出,韩国存储器龙头三星目前在DRAM生产方面已经开始导入1z纳米制程,三星期望可以透过制程微缩,提升单位生产数量。

此外,到第三代10纳米级的1z纳米制程后,由于未来微缩空间减少,使得成本效益递减,加上三星逐渐导入EUV生产DRAM,生产成本随之提高,这样不仅形成进入产业的高门槛,也限制了未来扩产比例,导致预期供货将维持在一定数量,厂商难以大量收到货源,形成价格的预期上扬。而这对于整体DRAM产业来说,也会是较为健康的发展。

芝奇推出新一代高端平台高速大容量豪华内存套装

芝奇推出新一代高端平台高速大容量豪华内存套装

11月25日,世界知名超频内存及高端电竞外围领导品牌,芝奇国际为新一代高端平台 Intel X299 和 AMD TRX40推出高速、低延迟、大容量内存系列套装规格,包含高速套装DDR4-4000MHz CL15-16-16-36 64GB (8GBx8),以及大容量套装 DDR4-3600MHz CL16-19-19-39 256GB (32GBx8)、DDR4-4000MHz 18-22-22-42 256GB(32GBx8)。此系列套装满足了高端工作站、影音编辑者以及专业科学运算对于大容量的需求,更是追求顶尖效能玩家们的好选择。

释放Intel  X299平台强悍性能

为了高端平台Intel X299,芝奇资深研发团队再次展现独步业界的技术实力,挑战高频率及大容量并存的可能性,成功将CL15超低延迟带入4000MHz极限频率的门坎,推出DDR4-4000MHz CL15-16-16-36 64GB (8GBx8)。此规格已在Intel Core i9-10900X处理器及 ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE与MSI Creator X299主板上通过验证,以下为烧机测试截图:

从首度推出单支32GB DDR4模块套装不过两个月内,芝奇再次挑战业界推出高速的256GB套装模块,具备DDR4-4000 CL18-22-22-42 256GB (32GBx8) 的极致效能规格,并经过多重严密测试后已达到绝佳超频潜力及产品兼容性。—以下烧机测试截图为此规格成功在MSI Creator X299 和 ASUS PRIME X299-DELUXE II 主板以及Intel Core i9-9920X 与i9-9820X processors处理器上通过验证:

发挥AMD TRX40平台极致效能

焰光戟自推出以来即广受AMD 平台玩家们的喜爱,为了提供第三代AMD Ryzen Threadripper的玩家好的效能体验,芝奇再次突破极限推出拥有超低延迟的Trident Z Neo焰光戟DDR4-3600MHz CL14-15-15-35 64GB (8GBx8)。下图为此套规格在AMD Ryzen Threadripper 3960X 处理器及 ASUS ROG Zenith II Extreme 主板上通过烧机测试的截图画面:

针对高端工作站、影音编辑者以及专业科学运算的大容量需求,芝奇更推出了单支32GB  DDR4模块套装,规格高达DDR4-3600 CL16-19-19-39 256GB (32GBx8),是追求极致效能使用者的不二选择。此规格已成功在AMD Ryzen Threadripper 3960X处理器及 ASUS ROG Zenith II Extreme主板上通过的烧机测试截图:

上市信息 & 详细规格

本次的顶级套装预计于2019年第4季开始贩卖,消费者将可由芝奇授权的全球合作供货商购买取得。

支持XMP 2.0超频功能

芝奇超频DDR4内存全面支持 Intel XMP 2.0 超频功能,玩家无需透过复杂的 BIOS 设置,仅需透过简单步骤就能轻松体验一键超频功能所带来的飙速快感。

关于芝奇国际

芝奇国际实业股份有限公司创立于1989年,总公司位于台北市,为全球高端超频、电竞计算机内存领导品牌。在计算机科技产业长达近30年的经验,芝奇深信唯有不懈的创新及突破,才能建立永续的品牌价值。另外,芝奇往往率先同行开发出高规格产品,其高端内存宛如计算机硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以竞技争锋的梦幻逸品。2015年,芝奇将对产品的苛刻创新精神,带入电竞外围产品,其电竞键盘及鼠标凭着精细的作工及独到的设计,一经上市即荣获全球众多专业媒体和极限用户的好评及推荐。芝奇秉承坚持淬炼不凡的精神,将不断为用户提供更高质量的产品。

DDR5开辟DRAM市场新天地

DDR5开辟DRAM市场新天地

SK海力士所研发的行业内首个五代双倍速率(DDR5) DRAM, 达到了电子工程设计发展联合协会(Joint Ele ctron Device Engineering Council,简称JEDEC) 标准, 这项技术正在DRAM市场开拓一片新天地。

技术竞争力将引领第四次工业革命

DDR5具备超高速、低功耗和大容量特性, 将成为大数据(Big Data), 人工智能 (AI) 和机器 学习 (Machine Learning) 等新一代系统理想的 DRAM。

继1Y纳米工艺的8Gbit(Gb)DDR4之后, SK海力士于2018年11月面向各大主要芯片组制造商, 推出与DDR4 采用相同微细 化工艺的16Gb DDR5 。新一代DDR5 DRAM支持5200Mbps的数据传输速率, 比上一代3200Mbps的数据传输速率快了 60左右。同样在今年2月, 在美国旧金山举行的2019国际固态电路会议 (the International Solid-State Circuits Conference 2019, 简称ISSCC) 上, SK海力士详细介绍了16Gb DDR5, 表示该产品技术上支持的数据传输速率高达6400Mbps。

DDR5将性能效率最大化

与上一代产品DDR4相比, DDR5不仅在功耗上降低了30%, 数据传输速率还提升了60%。DDR5支持41.6GByte/秒的数据传输速率, 相当于一秒内能处理11部全高清 (Full-HD)电影的容量。

2018年11月, SK海力士成功研发世界首个DDR5 DRAM。该产品采用与JEDEC一致的DDR5标准, 储库(Bank)的数量从16翻番至32。突发长度 (Burst Length, 即连续传输的周期数) 也从8翻番至16。与此同时, 这款最新DRAM还包含错误纠正代码 (Error Correcting Code, 简称ECC)算法, 从而将大大提升大容量系统的可靠性。

由于采用最新先进技术实现超高速且可靠的动作性能, 该产品的数据处理速度得到大幅提升, 进一步巩固了SK海力士的技术竞争力和行业领先地位。

新一代DRAM将重振内存市场

有市场调查显示, 对于DDR5内存需求将从 2020年开始增长, 预计到2021年为止将占DRAM总市场的25%。这一市场份额将逐步提升, 并在2022年达到44%。SK海力士计划从2020年开始量产DDR5内存芯片,同时公司也将继续研发DRAM技术, 希望引领新一代半导体技术的发展方向。

为什么需要下一代DRAM?

为什么需要下一代DRAM?

其中在半导体存储部分,集邦咨询表示,随着技术的发展,下一代DRAM(内存)DDR5/LPDDR5在2020年将进行导入与样本验证,并逐步面市。

内存是计算机和移动智能终端的重要组成部分,经历了长时间的竞争更替和路线选择之后,DRAM技术被稳定在以DDR技术为基础的发展路线上。从DDR到DDR2、DDR3,今天市面上比较普及的DRAM技术规格是DDR4/LPDDR4。

资料显示,相比现有产品,除了外形变化不大之外,DDR5带来了更高的带宽、更大的容量和更出色的安全性。

从原理上来看,DDR5是一种高速动态随机存储器,由于其DDR的性质,依旧可以在系统时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输。和DDR4一样,DDR5在内部设计了Bank(数据块)和Bank Group(数据组)。

和DDR4相比,DDR5在数据块和数据组的配置上更为宽裕。

在DDR4产品上,数据组的数量最高限制为4组,一般采用2组配置。在DDR5上,数据组的数量可以选择2组、4组到最高8组的设计,以适应不同用户的不同需求,并且还可以保证Bank数据块的数量不变。

这意味着整个DDR5的Bank数量将是DDR4的至少2倍,这将有助于减少内存控制器的顺序读写性能下降的问题。

除了数据组翻倍外,在预取值、减少总线压力、PDA模式、类双通道等多方面都有不同程度的创新或重新设计,这为DDR5实现更高带宽、更快速度和更好安全性打下基础。

得益于最新的技术,DDR5有可能带来单片32Gb的DDR5颗粒,这样单内存条支持的内存容量有可能提升至64~128GB。而规格上,目前DDR5的内存规格从DDR5 3200起跳,最高可到DDR5 6400。

各大厂商DDR5进展

虽然JEDEC(固态技术协会)关于DDR5的最终规范还没有完全确定,但这也挡不住国际大厂的热情。目前多家厂商都公布了自己的DDR5产品路线图和规划。

根据路线图来看,目前全球DRAM厂商中,包括三星、美光、SK海力士等厂商都提出了DDR5产品规划。其中三星、美光和SK海力士已经展示了自家旗下的DDR5颗粒,并开始小批量出货。

下面是各大厂商DDR5相关产品进展:

· 美光:

2018年5月,美光就联合Cadence展示了DDR5内存和内存控制器的样品。Cadence是全球顶尖的EDA厂商,本次推出的DDR5相关IP产品也是配合JEDEC即将发布的DDR5内存而来。Cadence的DDR5内存控制器测试芯片采用了TSMC的7nm工艺制造,搭配的内存则是美光的DDR5 4400 8Gb颗粒。

 · 三星:

2018年7月,三星另辟蹊径展示了LPDDR5颗粒。相比DDR5内存而言,LPDDR5的基本技术原理和其类似,但是面向移动设备,在总线位宽、功能设计上做出了一些妥协,更注重高性能功耗比和低功耗、小尺寸。三星成功拿下了首个展示LPDDR5技术的桂冠。

· SK海力士:

2018年11月,SK海力士推出了DDR5内存的样品。这款内存采用的芯片容量为16Gb,SK海力士宣称其完全按照JEDEC的DDR5规范开发(虽然现在也没公开)。

2019年2月,SK海力士又在国际固态电路会议上展示了旗下DDR5内存的相关开发进度。这次SK海力士带来的是最高端的DDR5 6400芯片的相关情况。SK海力士展示的是一款容量为16Gb的DDR5颗粒,有32个Bank和8个Bank Group,其接口传输速率为6400MT/s,电压依旧是1.1V,制造工艺也是之前介绍过的1Ynm,其内部具有四个金属层,芯片封装尺寸为76.22平方毫米。

为什么需要DDR5内存

从原厂的角度来看,DDR5内存从技术上已经做好了准备,一旦产业链配套的英特尔、AMD、高通等厂商做好准备,DDR5家族的产品就可以正式上市。

除了传统的台式电脑领域需要DDR5之外,笔记本电脑和智能手机也将对DDR5形成强大的需求。尤其在5G和AI等技术的快速普及下,快速传输和计算将成为庞大的刚需。

当然,未来降低功耗和提升性能一样重要,存储器制造商经常面对的挑战是必须不断地提供越来越高的性能水平,同时还得支援更高的电源效率,特别是在低功耗的DRAM领域。

这也是为什么三星会率先发布应用在智能手机和笔记本电脑上的LPDDR5的原因。

以速度和效能来看,三星12Gb LPDDR5比当今智能手机中所用的LPDDR4X行动存储器更快约1.3倍;LPDDR4X的速度为4.2Gbps。以12GB的容量来看,LPDDR5可以在1秒钟内传输44GB的数据,相当于12部全高解析(full HD)的影片。

从主要的功率消耗来看,即将全面商用的5G网络并不会消耗更多能量,但5G意味着将带来更快速的管线,让高端智能手机用户能够透过串流或档案传输,在其手机之间传输更多的资料,包括高质量视频等。

此外,智能手机上的AI技术也意味着设备将会进行更多的计算,而且在要求应用程序执行某些操作(例如影像识别)时不容许延迟,这将面对更高的带宽压力。

事实上,今年年初,JEDEC为最新的LPDDR标准进行升级,使其I/O速率较前一代标准大幅提升,让存储器传输速度增加一倍,目的就在于为智能手机、平板电脑和轻薄型笔记本电脑等移动终端提高速度与效率,而这也是未来的市场需求,也就需要下一代DRAM。

集邦咨询:DRAM八月合约价格止跌,九月继续持平可能性高

集邦咨询:DRAM八月合约价格止跌,九月继续持平可能性高

集邦咨询:DRAM八月合约价格止跌,九月继续持平可能性高

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,八月DRAM合约价与前月持平,DDR4 8GB均价来到25.5美元,而九月合约价格虽然仍在议定当中,但继续持平的可能性高。

从市场面来观察,随着日本政府批准关键半导体原料出口,七月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间OEM客户受不确定因素与预期心理影响,已纷纷拉高备货库存,使得DRAM原厂的高库存水位逐步下降,并往正常水位迈进。此外,第三季适逢传统旺季,再加上美国将在12月初开始对部分中国出口的电子产品课征关税,也产生提前出货的效应,需求力道超过预期,这让DRAM原厂在价格议定时态度更为坚定,亦让整体第三季价格扭转原先的跌势,转为持平。

原厂调整资本支出以稳固获利,明年DRAM产出增幅创十年新低

展望2020年,由于三大DRAM原厂仍以获利为导向,资本支出预估将较今年减少至少10%,明年的产出年成长亦是近十年来新低,仅12.5%,为价格反弹奠定一定的基础。

集邦咨询调查显示,DRAM原厂的扩厂计划转趋保守,如三星的平泽二厂已经接近完工,但最快要到2020年第二季才会进入商转,且新增的设备仅是支持未来1Znm制程的转进,整体投片量将与今年大致相同。SK海力士最新M16工厂最快明年下半年完工,产出增加最快要等到2021年,加上旧工厂M10逐步转做代工,预估明年整体DRAM投片量将不增反减。

美光今年在广岛厂旁增设的F栋工厂,也是为了支援1Znm制程转进,整体广岛厂产能并无增加。而台湾美光内存目前正在兴建的A3新厂,初期也是支援1Znm制程转进,短期增产机会并不大。但A3厂基地面积不小,未来还是有新增产能的可能。

明年中国DRAM投片占全球不到3%,对产业长期影响仍待观察

中国目前有两个DRAM生产基地,规模较大的合肥长鑫存储(CXMT)已经初步投产,初期产品以DDR4 8Gb为主,明年上半年将会有LPDDR4 8Gb的产品,持续往量产迈进,但预计要到2021年,产能才有机会达到满载的100K甚至以上。福建晋华(JHICC)虽然受到美国禁令影响,美系设备无法有工程人员驻厂维护,但内部仍试图自行将参数调整至最佳化,预计明年投片有10K之内的水平。

因此集邦咨询预估,2020年中国DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%,自主生产成果仍有限。展望未来,中国内存产业仍需克服良率、机台建置以及IP相关限制等挑战,对整体DRAM供给产生明显冲击的确切时间点,仍需持续观察。